CN109155237A - 模板和模板坯、及压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、以及模板 - Google Patents

模板和模板坯、及压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、以及模板 Download PDF

Info

Publication number
CN109155237A
CN109155237A CN201780031739.0A CN201780031739A CN109155237A CN 109155237 A CN109155237 A CN 109155237A CN 201780031739 A CN201780031739 A CN 201780031739A CN 109155237 A CN109155237 A CN 109155237A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
template
step configuration
resin
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780031739.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109155237B (zh
Inventor
长井隆治
铃木胜敏
市村公二
吉田幸司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to CN202410162351.6A priority Critical patent/CN117976523A/zh
Publication of CN109155237A publication Critical patent/CN109155237A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109155237B publication Critical patent/CN109155237B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/002—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

为了一面维持必要的转印图案区域的高度一面抑制压印时曝光的光泄露的影响，在用于将凹凸构造的转印图案(23)转印到被转印基板之上的树脂的压印光刻的模板(1)和模板坯中构成为，在基部(10)的主面之上形成第1台阶构造(21)，且在上述第1台阶构造(21)之上形成第2台阶构造(22)，并利用遮光膜(21)覆盖上述第1台阶构造(21)的上表面的、上述第2台阶构造(22)的外侧的区域。

Description

模板和模板坯、及压印用模板基板的制造方法、压印用模板的 制造方法、以及模板
技术领域
本发明涉及一种用于将微细的转印图案转印到形成在被转印基板上的树脂的纳米压印光刻的模板、及用于该模板的制造的模板坯。此外，本发明涉及一种与用于将微细的转印图案转印到形成在被转印基板上的树脂的纳米压印光刻的模板，尤其是涉及在基部的主面之上具有第1台阶构造、在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造、且在上述第1台阶构造的上表面之上具有遮光膜的压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、以及用于该等制造方法中的模板。
背景技术
在半导体用设备的制造等中，作为转印形成微细的图案的技术，已知有纳米压印光刻。
上述纳米压印光刻是如下技术，即，在使在表面形成有微细的凹凸形状的转印图案的压印用的模板(亦称为模型、压模、模具)与形成在半导体晶圆等被转印基板之上的树脂接触后，使上述树脂硬化，从而使上述模板的转印图案的凹凸形状(更详细而言，凹凸反转形状)转印到上述树脂。
作为该纳米压印光刻的方法，有通过加热而使树脂硬化的热压印法、及通过曝光而使树脂硬化的光压印法。在要求高对位精度的用途中，主要使用不受加热所致的膨胀或收缩而影响的光压印法(例如，专利文献1、2)。
在用于如上所述的纳米压印光刻的模板中，以仅形成有凹凸形状的转印图案的特定区域(称为转印图案区域)与形成在被转印基板之上的树脂接触的方式，在基部的主面之上设置台面状的台阶构造，从而进行在该台面状的台阶构造的上表面形成转印图案的操作(例如，专利文献3)。再者，在此种构成的模板中，台面状的台阶构造的上表面成为转印图案区域。
如上所述的台面状的台阶构造的台阶(自基部的主面至台阶构造的上表面为止的高度)由所用压印装置的机械精度等决定，典型而言，需要30μm左右。
此外，在纳米压印光刻中，随着转印图案数的增加，模板与树脂的密接面积增加，因此脱模时，需要对抗两者间的摩擦力的力。尤其是半导体用途的转印图案，因其尺寸小，图案密度高，故脱模时需要更大的力。
因此，提出了如下方法，即，在模板的背面侧(与形成有转印图案的面相反的一侧)形成凹陷部，由此将形成有转印图案的特定区域(包含转印图案区域的区域)的模板的厚度减薄而使其易于弯曲，脱模时使模板的转印图案区域向被转印基板侧呈凸状弯曲，从而自转印区域的外缘部依次部分地脱模(例如，专利文献4)。
[在先技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特表2004-504718号公报
[专利文献2]日本专利特开2002-93748号公报
[专利文献3]日本专利特开2014-56893号公报
[专利文献4]日本专利特表2009-536591号公报
[专利文献5]日本专利特开2007-103924号公报
发明内容
[发明所欲解决的问题]
在上述光压印法中，为了抑制压印时使非转印区域的树脂出乎计划地硬化，而提出了在模板的非图案部(与转印图案区域不同的部位)设置遮光构件的方案(例如，专利文献5)。
然而，通常难以实现例如，如专利文献5的图9(A)、7(B)、7(D)所示的在台面状的台阶构造的侧面均匀地设置遮光构件的形态。在专利文献5中，亦未详细记载获得如上述图9(A)、7(B)、7(D)所示的形态的制造方法。
此外，在如专利文献5的图9(C)所示的仅在基部的主面之上设置有遮光构件的形态中，例如，如上所述，在台面状的台阶构造的上表面与基部的主面之间存在30μm左右的台阶的情况下，自台面状的台阶构造与基部的主面相接的部位泄漏的曝光的光会对应于该台阶的距离扩散而照射至树脂，因此仍然会有计划以外的部位的树脂发生硬化的不良状况。
尤其是，对于台阶为30μm左右的台面状的台阶构造的形成，若以干式蚀刻来形成则较费时间，因此通常通过湿式蚀刻来形成，因此，台面状的台阶构造与基部的主面相接的部位的剖面形状难以成为直角，而成为带有弧度的形状。而且，在该带有弧度的形状的部位(台面状的台阶构造与基部的主面相接的部位)，很难以与其他部位相同的膜厚形成遮光构件，从而曝光的光更易泄漏。
本发明是鉴于上述实际情况而完成的，其主要目的在于：提供一种可一面维持必要的转印图案区域的高度(与基部的主面相距的距离)，一面抑制压印时曝光的光泄漏(向计划以外的区域照射)的影响的模板和模板坯、及用以制造压印用模板的压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、以及用于该等制造方法的模板。
[解决问题的技术手段]
即，本发明提供一种模板，其特征在于：其是用于将凹凸构造的转印图案转印到被转印基板之上的树脂的压印光刻的模板，在基部的主面之上具有第1台阶构造，在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，在上述第2台阶构造的上表面具有上述转印图案，且上述第1台阶构造的上表面的、上述第2台阶构造的外侧的区域被遮光膜所覆盖。
此外，本发明提供一种模板，其特征在于：其是用于将凹凸构造的转印图案转印到被转印基板之上的树脂的压印光刻的模板，在基部的主面之上具有第1台阶构造，在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，在上述第2台阶构造的上表面具有构成上述转印图案的第1凹凸构造体及构成对准标记的第2凹凸构造体，上述第1台阶构造的上表面的、上述第2台阶构造的外侧的区域被遮光膜所覆盖，且在上述遮光膜之上及上述第2凹凸构造体的凹部的底面之上，形成有由与构成上述基部的材料不同的材料膜构成的高对比度膜。
此外，在上述发明中，较佳为在将自上述基部的主面至上述第1台阶构造之上的上述遮光膜的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，将自上述基部的主面至上述第2台阶构造的上表面的上述转印图案的凹部的底面为止的垂直方向的距离设为H2的情况下，成为H1＜H2的关系。
此外，在上述发明中，较佳为在将自上述基部的主面至上述第1台阶构造之上的上述遮光膜的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，将自上述基部的主面至上述第2台阶构造的上表面为止的垂直方向的距离设为H3，将自上述基部的主面的外缘至上述第1台阶构造的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D1，将自上述基部的主面的外缘至上述第2台阶构造的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D2的情况下，成为H1≤H3×(D1/D2)的关系。
此外，在上述发明中，较佳为在上述基部的与主面相反的一侧的面，具有俯视下包含上述第2台阶构造的凹陷部。
此外，在上述发明中，较佳为上述凹陷部俯视下包含上述第1台阶构造。
此外，在上述发明中，较佳为上述遮光膜的波长365nm下的透过率为10％以下。
此外，本发明提供一种模板坯，其特征在于：其是用以制造用于将凹凸构造的转印图案转印到被转印基板之上的树脂的压印光刻的模板的模板坯，在基部的主面之上具有第1台阶构造，在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，且上述第1台阶构造的上表面的、上述第2台阶构造的外侧的区域被遮光膜所覆盖。
此外，在上述发明中，较佳为在将自上述基部的主面至上述第1台阶构造之上的上述遮光膜的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，将自上述基部的主面至上述第2台阶构造的上表面为止的垂直方向的距离设为H4的情况下，成为H1＜H4的关系。
此外，在上述发明中，较佳为在将自上述基部的主面至上述第1台阶构造之上的上述遮光膜的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，将自上述基部的主面至上述第2台阶构造的上表面为止的垂直方向的距离设为H4，将自上述基部的主面的外缘至上述第1台阶构造的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D1，将自上述基部的主面的外缘至上述第2台阶构造的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D2的情况下，成为H1≤H4×(D1/D2)的关系。
此外，在上述发明中，较佳为在上述基部的与主面相反的一侧的面，具有俯视下包含上述第2台阶构造的凹陷部。
此外，在上述发明中，较佳为上述凹陷部俯视下包含上述第1台阶构造。
此外，在上述发明中，较佳为上述遮光膜的波长365nm下的透过率为10％以下。
此外，本发明提供一种压印用模板基板的制造方法，其特征在于：其是在基部的主面之上具有第1台阶构造，在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，且在上述第1台阶构造的上表面之上具有遮光膜的压印用模板基板的制造方法，该制造方法依次包括：具遮光材料层的多级模板基板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造，且在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上具有遮光材料层的具遮光材料层的多级模板基板；树脂层形成步骤，在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成第1树脂层，在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成厚度较上述第1树脂层薄的第2树脂层；第2树脂层去除步骤，通过干式蚀刻，一面将上述第1树脂层保留，一面将上述第2树脂层去除；以及遮光膜形成步骤，将残存的上述第1树脂层用作掩模而对上述遮光材料层进行蚀刻，一面将形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层保留，一面将形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层去除，上述树脂层形成步骤包含树脂厚度规定步骤，该树脂厚度规定步骤使用在与树脂接触的主面侧具有凹部的树脂厚度规定用的模板，将上述树脂厚度规定用的模板的该凹部的外周部的上表面压抵于第1树脂，将上述树脂厚度规定用的模板的凹部的底面压抵于第2树脂，上述第1树脂是滴在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，上述第2树脂是滴在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，上述树脂厚度规定用的模板的上述凹部的深度小于自上述第1台阶构造的上表面至上述第2台阶构造的上表面为止的高度。
此外，在上述发明中，较佳为上述树脂层形成步骤包含：上述树脂厚度规定步骤；以及树脂硬化步骤，在压抵上述树脂厚度规定用的模板的状态下，通过紫外线照射使上述第1树脂及上述第2树脂硬化而形成上述第1树脂层及上述第2树脂层。
此外，在上述发明中，较佳为上述具遮光材料层的多级模板基板准备步骤依次包括：多级模板基板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造的多级模板基板；以及遮光材料层形成步骤，在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上形成遮光材料层。
此外，在上述发明中，较佳为上述多级模板基板准备步骤依次包括：1级模板基板准备步骤，准备在上述基部的主面之上具有1级的台阶构造的1级模板基板；蚀刻掩模形成步骤，在上述1级模板基板的上述台阶构造的上表面的成为转印图案区域的区域形成蚀刻掩模；以及多级化步骤，使用上述蚀刻掩模对上述台阶构造进行蚀刻，从而形成下级的第1台阶构造及上级的第2台阶构造。
此外，本发明提供一种压印用模板的制造方法，其特征在于：其是在基部的主面之上具有第1台阶构造，在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，在上述第1台阶构造的上表面之上具有遮光膜，且在上述第2台阶构造的上表面具有凹凸构造的转印图案的压印用模板的制造方法，该制造方法依次包括：具遮光材料层的多级模板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造，在上述第2台阶构造的上表面具有凹凸构造的转印图案，且在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上具有遮光材料层的具遮光材料层的多级模板；第1及第2树脂层形成步骤，在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成第1树脂层，在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成厚度较上述第1树脂层薄的第2树脂层；第2树脂层去除步骤，通过干式蚀刻，一面将上述第1树脂层保留，一面将上述第2树脂层去除；以及遮光膜形成步骤，将残存的上述第1树脂层用作掩模而对上述遮光材料层进行蚀刻，一面将形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层保留，一面将形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层去除，上述第1及第2树脂层形成步骤包含第1及第2树脂厚度规定步骤，该第1及第2树脂厚度规定步骤使用在与树脂接触的主面侧具有凹部的第1及第2树脂厚度规定用的模板，将上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的该凹部的外周部的上表面压抵于第1树脂，将上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的凹部的底面压抵于第2树脂，上述第1树脂是滴在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，上述第2树脂是滴在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的上述凹部的深度小于自上述第1台阶构造的上表面至上述第2台阶构造的上表面为止的高度。
此外，本发明提供一种压印用模板的制造方法，其特征在于：其是在基部的主面之上具有第1台阶构造，在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，在上述第1台阶构造的上表面之上具有遮光膜，且在上述第2台阶构造的上表面具有凹凸构造的转印图案的压印用模板的制造方法，该制造方法依次包括：具遮光材料层的多级模板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造，在上述第2台阶构造的上表面具有构成上述转印图案的第1凹凸构造体及构成对准标记的第2凹凸构造体，且在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上具有遮光材料层的具遮光材料层的多级模板；第1及第2树脂层形成步骤，在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成第1树脂层，在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成厚度较上述第1树脂层薄的第2树脂层；第2树脂层去除步骤，通过干式蚀刻，一面将上述第1树脂层保留，一面将上述第2树脂层去除；遮光膜形成步骤，将残存的上述第1树脂层用作掩模而对上述遮光材料层进行蚀刻，一面将形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层保留，一面将形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层去除，由此在上述第1台阶构造的上表面之上形成遮光膜；高对比度层形成步骤，在上述遮光膜之上、上述第1凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上、以及上述第2凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上形成高对比度层；第3～第5树脂层形成步骤，在形成在上述遮光膜之上的上述高对比度层之上形成第3树脂层，在形成在上述第1凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上的上述高对比度层之上形成膜厚较上述第3树脂层薄的第4树脂层，在形成在上述第2凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上的上述高对比度层之上形成膜厚较上述第4树脂层厚的第5树脂层；第4树脂层去除步骤，通过干式蚀刻，一面将上述第3树脂层及上述第5树脂层保留，一面将上述第4树脂层去除；以及高对比度膜形成步骤，将残存的上述第3树脂层及上述第5树脂层用作掩模而对上述高对比度层进行蚀刻，一面将形成在上述遮光膜之上及上述第2凹凸构造体的凹部的底面之上的上述高对比度层保留，一面将形成在上述第1凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上、以及上述第2凹凸构造体的凸部的上表面之上的上述高对比度层去除，上述第1及第2树脂层形成步骤包含第1及第2树脂厚度规定步骤，该第1及第2树脂厚度规定步骤使用在与树脂接触的主面侧具有凹部的第1及第2树脂厚度规定用的模板，将上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的该凹部的外周部的上表面压抵于第1树脂，将上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的凹部的底面压抵于第2树脂，上述第1树脂是滴在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，上述第2树脂是滴在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的上述凹部的深度小于自上述第1台阶构造的上表面至上述第2台阶构造的上表面为止的高度，上述第3～第5树脂层形成步骤包含第3～第5树脂厚度规定步骤，该第3～第5树脂厚度规定步骤使用在与树脂接触的主面侧具有凹部且具有形成在上述凹部的底面侧的凹陷的第3～第5树脂厚度规定用的模板，将上述第3～第5树脂厚度规定用的模板的凹部的外周部的上表面压抵于第3树脂，将上述第3～第5树脂厚度规定用的模板的凹部的底面压抵于第4树脂及第5树脂，将上述凹陷的底面压抵于上述第5树脂，上述第3树脂是滴在形成在上述遮光膜之上的上述高对比度层之上的树脂，上述第4树脂是滴在形成在上述第1凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上的上述高对比度层之上的树脂，上述第5树脂是滴在形成在上述第2凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上的上述高对比度层之上的树脂，上述第3～第5树脂厚度规定用的模板的上述凹部的除上述凹陷以外的部分的深度小于自形成在上述遮光膜之上的上述高对比度层的上表面至形成在上述第1凹凸构造体的凹部的底面之上的上述高对比度层的上表面为止的高度。
此外，在上述发明中，较佳为上述第1及第2树脂层形成步骤包含：上述第1及第2树脂厚度规定步骤；以及第1及第2树脂硬化步骤，在压抵上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的状态下，通过紫外线照射使上述第1树脂及上述第2树脂硬化而形成上述第1树脂层及上述第2树脂层。
此外，在上述发明中，较佳为上述具遮光材料层的多级模板准备步骤包含：多级模板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造且在上述第2台阶构造的上表面具有上述转印图案的多级模板；以及遮光材料层形成步骤，在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上形成遮光材料层。
此外，在上述发明中，较佳为上述多级模板准备步骤依次包括：1级模板准备步骤，准备在上述基部的主面之上具有1级的台阶构造且在上述台阶构造的上表面具有上述转印图案的1级模板；蚀刻掩模形成步骤，在上述1级模板的上述台阶构造的上表面的形成有上述转印图案的区域，形成蚀刻掩模；以及多级化步骤，使用上述蚀刻掩模对上述台阶构造进行蚀刻，从而形成下级的第1台阶构造及上级的第2台阶构造。
此外，在上述发明中，较佳为上述具遮光材料层的多级模板准备步骤依次包括：多级模板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造且在上述第2台阶构造的上表面具有上述转印图案的多级模板；以及遮光材料层形成步骤，在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上形成遮光材料层，上述多级模板准备步骤依次包括：1级模板基板准备步骤，准备在上述基部的主面之上具有1级的台阶构造的1级模板基板；蚀刻掩模形成步骤，在上述1级模板基板的上述台阶构造的上表面的成为上述转印图案的区域形成蚀刻掩模；多级化步骤，使用上述蚀刻掩模对上述台阶构造进行蚀刻，从而形成下级的第1台阶构造及上级的第2台阶构造；以及转印图案形成步骤，在上述第2台阶构造的上表面形成上述转印图案。
此外，本发明提供一种模板，其特征在于：在与树脂接触的主面侧具有凹部。
此外，本发明提供一种模板，其特征在于：在与树脂接触的主面侧具有凹部，且具有形成在上述凹部的底面侧的凹陷。
此外，在上述发明中，较佳为在上述主面侧具有对位用的标记。
此外，在上述发明中，较佳为在上述主面侧具有对位用的标记，上述对位用的标记是在上述主面侧形成在上述凹部的外侧的凹陷，且形成在上述凹部的底面侧的凹陷的深度与形成在上述凹部的外侧的凹陷的深度相同。
此外，在上述发明中，较佳为上述凹部的底面尺寸是10mm×10mm以上且70mm×70mm以下。
此外，在上述发明中，较佳为上述凹部的深度是0.3μm以上且10μm以下。
此外，在上述发明中，较佳为上述模板用于上述压印用模板基板的制造方法，且上述凹部的深度小于上述压印用模板基板的自第1台阶构造的上表面至第2台阶构造的上表面为止的高度。
此外，在上述发明中，较佳为上述凹部的底面具有内含上述压印用模板基板的第2台阶构造的上表面的大小。
此外，在上述发明中，较佳为被上述凹部的外周部的上表面的外缘所包围的区域具有与上述压印用模板基板的被第1台阶构造的上表面的外缘所包围的区域相同的形状及相同的面积，或具有内含上述压印用模板基板的被第1台阶构造的上表面的外缘所包围的区域的大小。
此外，在上述发明中，较佳为上述模板用于上述压印用模板的制造方法，且上述凹部的深度小于上述压印用模板的自第1台阶构造的上表面至第2台阶构造的上表面为止的高度。
此外，在上述发明中，较佳为上述凹部的底面具有内含上述压印用模板的第2台阶构造的上表面的大小。
进而，在上述发明中，较佳为被上述凹部的外周部的上表面的外缘所包围的区域具有与上述压印用模板的被第1台阶构造的上表面的外缘所包围的区域相同的形状及相同的面积，或具有内含上述压印用模板的被第1台阶构造的上表面的外缘所包围的区域的大小。
[发明的效果]
在本发明的模板中，可一面维持必要的转印图案区域的高度(与基部的主面相距的距离)，一面抑制压印时曝光的光泄漏(向计划以外的区域照射)的影响。
此外，通过使用本发明的模板坯，可容易地制造如上所述的模板。
根据本发明的压印用模板基板的制造方法，可将在基部的主面之上具有第1台阶构造，在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，且在上述第1台阶构造的上表面之上具有遮光膜的压印用模板基板以不在上述遮光膜产生缺损部及薄膜部的状态制造。
此外，根据本发明的压印用模板的制造方法，可将在基部的主面之上具有第1台阶构造，在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，在上述第1台阶构造的上表面之上具有遮光膜，且在上述第2台阶构造的上表面具有凹凸构造的转印图案的压印用模板以不在上述遮光膜产生缺损部及薄膜部的状态制造。
而且，在通过本发明的压印用模板的制造方法而制造出的压印用模板中，可一面维持必要的转印图案区域的高度(与基部的主面相距的距离)，一面抑制压印时曝光的光泄漏(向计划以外的区域照射)的影响。
此外，通过使用利用本发明的压印用模板基板的制造方法而制造出的压印用模板基板，可容易地制造如上所述的压印用模板。
附图说明
图1是对第1实施方式的模板的构成例进行说明的图。
图2是对第1实施方式的模板的使用例进行说明的图。
图3是对第1实施方式的模板的作用效果进行说明的图。
图4是对第1实施方式的模板的各台阶构造的位置关系进行说明的图。
图5是对第2实施方式的模板的构成例进行说明的图。
图6是对第2实施方式的模板的主要部分的一例进行说明的图。
图7是对本发明的模板坯的构成例进行说明的图。
图8是对本发明的模板坯的各台阶构造的位置关系进行说明的图。
图9是表示本发明的模板坯的制造方法的一例的流程图。
图10是表示本发明的模板坯的制造方法的一例的概略步骤图。
图11是接续于图10之后、表示本发明的模板坯的制造方法的一例的概略步骤图。
图12是对现有技术的模板的不良状况进行说明的图。
图13是对本发明的压印用模板基板的一例进行说明的图。
图14是对本发明的压印用模板的一例进行说明的图。
图15是表示本发明的模板基板的制造方法的一例的流程图。
图16是表示本发明的树脂层形成步骤的一例的流程图。
图17是表示本发明的压印用模板基板的制造方法的一例的概略步骤图。
图18是接续于图17之后、表示本发明的模板基板的制造方法的一例的概略步骤图。
图19是对本发明的树脂厚度规定用的模板的一例进行说明的图。
图20是对本发明的树脂厚度规定用的模板的作用效果进行说明的图。
图21是对本发明的树脂厚度规定用的模板的另一例进行说明的图。
图22是表示本发明的具遮光材料层的多级模板基板的制造方法的一例的流程图。
图23是表示本发明的具遮光材料层的多级模板基板的制造方法的一例的概略步骤图。
图24是接续于图23之后、表示本发明的具遮光材料层的多级模板基板的制造方法的一例的概略步骤图。
图25是表示第1实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法的一例的流程图。
图26是表示第1实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法的一例的概略步骤图。
图27是接续于图26之后、表示第1实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法的一例的概略步骤图。
图28是表示第2实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法的另一例的流程图。
图29是表示第2实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法的另一例的概略步骤图。
图30是接续于图29之后、表示第2实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法的另一例的概略步骤图。
图31是表示第2实施方式的模板的制造方法的一例的流程图。
图32是表示第2实施方式的模板的制造方法的一例的概略步骤图。
图33是接续于图32之后、表示第2实施方式的模板的制造方法的一例的概略步骤图。
图34是表示第2实施方式的模板的制造方法的另一例的流程图。
图35是表示第2实施方式的模板的制造方法的另一例的概略步骤图。
图36是接续于图35之后、表示第2实施方式的模板的制造方法的另一例的概略步骤图。
图37是接续于图36之后、表示第2实施方式的模板的制造方法的另一例的概略步骤图。
图38是接续于图37之后、表示第2实施方式的模板的制造方法的另一例的概略步骤图。
图39是对本发明的树脂厚度规定用的模板的另一例进行说明的图。
图40是对本发明的树脂厚度规定用的模板的作用效果进行说明的图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的模板和模板坯、及本发明的压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、以及模板进行详细说明。
I.模板和模板坯
使用附图对本发明的模板和模板坯进行详细说明。
<模板>
首先，对本发明的模板进行说明。
本发明的模板大致分为第1实施方式和第2实施方式。以下，对第1实施方式及第2实施方式进行说明。
A.第1实施方式
首先，对第1实施方式的模板进行说明。图1是对第1实施方式的模板的构成例进行说明的图。
例如，如图1所示，模板1在基部10的主面11之上具有第1台阶构造21，在第1台阶构造21之上具有第2台阶构造22，在第2台阶构造22的上表面具有转印图案23，且第1台阶构造21的上表面的、第2台阶构造22的外侧的区域被遮光膜31所覆盖。
再者，在模板1中，第2台阶构造22的上表面成为转印图案区域。
因具有如上所述的构成，故模板1可一面维持必要的转印图案区域的高度(与基部10的主面11相距的距离)，一面抑制压印时曝光的光泄漏(向计划以外的区域照射)的影响。
例如，通过将图1所示的模板1的、第1台阶构造21的台阶和第2台阶构造22的台阶合计所得的高度(H2)设定为30μm左右，模板1可将转印图案区域的高度(与基部10的主面11相距的距离)维持于必要的高度。
此外，因模板1在第1台阶构造21的上表面具有遮光膜31，故与如现有技术那样仅在基部10的主面11之上设置有遮光构件的形态(例如，专利文献5的图7(C))相比，遮光膜31存在于在垂直方向(图中的Z方向)上与转印图案区域即第2台阶构造22的上表面更为接近的距离处。因此，可抑制压印时曝光的光泄漏(向计划以外的区域照射)的影响。
关于该作用效果，将使用图3、图12进行详细说明。在此之前，首先，使用图2对利用模板1而实施的压印例进行说明。
图2是对第1实施方式的模板的使用例进行说明的图。
例如，如图2所示，在使用模板1对通过光压印法而形成在被转印基板50之上的光硬化性树脂60的转印区域61进行图案转印的情况下，需避免对光硬化性树脂60的非转印区域62照射曝光的光(例如，波长365nm的紫外光)。其目的在于：防止使非转印区域62的光硬化性树脂60出乎计划地硬化。
此处，通常，在搭载模板1的压印装置中，会设置有曝光区域成为开口部的俯视框状的遮光板，以达到抑制曝光的光照射至计划以外的区域的目的。
例如，在图2所示的例中，设置有遮光板70，由此将照射曝光的光的区域规定于与遮光板70的开口部对应的照射区域90。换言之，较照射区域90靠外侧的曝光的光83被遮光板70遮挡，而不会照射至光硬化性树脂60。
但由于与被转印基板50之上的光硬化性树脂60相距较远(例如，模板1介于中间)等原因，仅仅利用该遮光板70，很难以较高位置精度避免对光硬化性树脂60的非转印区域62照射曝光的光。
因此，将遮光板70的形状精度及位置精度亦考虑在内，由遮光板70所规定的照射区域90通常设计为较光硬化性树脂60的转印区域61大。即，如图2所示，照射区域90除包含大小与光硬化性树脂60的转印区域61对应的照射区域91以外，亦包含原本无需的照射区域92。
因此，在模板1中，如图2所示，通过形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光膜31而遮挡上述照射区域92的曝光的光82。由此，原则上对被转印基板50之上的光硬化性树脂60仅照射大小与转印区域61对应的照射区域91的曝光的光81。
再者，在搭载在如上所述具备对曝光的光的照射区域90加以限制的遮光板70的压印装置上的模板1中，无需如图1、2所示，使形成在第1台阶构造21的上表面的遮光膜31以覆盖自第2台阶构造22与第1台阶构造21的上表面相接的部位(即，第2台阶构造22的底部外缘)至第1台阶构造21的上表面的外缘为止的全部区域的方式形成，而只要将其形成在遮挡曝光的光82所需的区域即可。
更具体而言，在模板1中，形成在第1台阶构造21的上表面的遮光膜31只要以至少覆盖自第2台阶构造22与第1台阶构造21的上表面相接的部位(即，第2台阶构造22的底部外缘)至相当于图2所示的照射区域90的区域的第1台阶构造21的上表面的外缘为止的方式来形成即可。
但若为如下形态，即，如图1所示的模板1那样，形成在第1台阶构造21的上表面的遮光膜31以覆盖自第2台阶构造22与第1台阶构造21的上表面相接的部位(即，第2台阶构造22的底部外缘)至第1台阶构造21的上表面的外缘为止的全部区域的方式来形成，则即便图2所示的遮光板70的形状精度或位置精度较低，亦可更切实地防止使非转印区域62的光硬化性树脂60出乎计划地硬化。
其次，使用图3、图12对上述压印时曝光的光泄漏的影响更详细地进行说明。
此处，图3是对第1实施方式的模板的作用效果进行说明的图，(a)表示第1实施方式的模板的概略剖视图，(b)表示对(a)所示的区域R2内的曝光的光L1的泄漏状态进行说明的概略放大图。此外，图12是对现有技术的模板的不良状况进行说明的图，(a)表示现有技术的模板的概略剖视图，(b)表示对(a)所示的区域R102内的曝光的光L2的泄漏状态进行说明的概略放大图。
首先，使用图12，对现有技术的模板的压印时曝光的光泄漏的影响进行说明。
如图12(a)所示，在现有技术的模板101中，台阶构造121的上表面(转印图案区域)与基部110的主面111(更准确而言，遮光膜131的上表面)之间相距距离H101，其中，该现有技术的模板101具有如下形态，即，在基部110的主面111之上具有台阶构造121，在该台阶构造121的上表面具有转印图案122，且基部110的主面111的、台阶构造121的外侧的区域被遮光膜131所覆盖。
该距离H101由所用的压印装置的机械精度等决定，典型而言为30μm左右。
因此，如图12(b)所示，自台阶构造121与基部110的主面111相接的部位泄漏的曝光的光L2对应于距离H101作为绕射光而扩散，在台阶构造121的上表面(转印图案区域)的高度位置，有使相当于A2的区域的树脂硬化的不良状况出现。
进而，对于要求台阶(大致相当于H101)为30μm左右的台阶构造121，若以干式蚀刻进行制造则较费时间，因此通常通过湿式蚀刻来形成。
因此，台阶构造121与基部110的主面111相接的部位的剖面形状难以成为直角，而如图12(b)所示，易于成为带有弧度的形状。
而且，在该带有弧度的形状的部位(台阶构造121与基部110的主面111相接的部位)，很难以与其他部位相同的膜厚形成遮光膜131，从而曝光的光更易泄漏。例如，在图12(b)所示的例中，在相当于A3的区域，很难以与其他部位相同的膜厚形成遮光膜131。
再者，如图12(b)所示，射向台阶构造121的侧面的曝光的光L3原则上被全反射，因此可认为非转印区域62的光硬化性树脂60由于该曝光的光L3而出乎计划地硬化的不良状况原则上不会发生。
例如，可较佳地作为模板的材料来使用的合成石英的波长365nm下的折射率为1.47左右，若将空气的折射率设为1.0，则入射角θ为43度以上的曝光的光L3全反射，而不会自台阶构造121的侧面出射。
其次，使用图3，对第1实施方式的模板的压印时曝光的光泄漏的影响进行说明。
如图3(a)所示，在第1实施方式的模板1中，第2台阶构造22的上表面(更准确而言，转印图案23的凹部的底面)与第1台阶构造21的上表面(更准确而言，遮光膜31的上表面)之间相距距离(H2-H1)，其中，该第1实施方式的模板1具有如下形态，即，在基部10的主面11之上具有第1台阶构造21，在第1台阶构造21之上具有第2台阶构造22，在第2台阶构造22的上表面具有转印图案23，且第1台阶构造21的上表面的、第2台阶构造22的外侧的区域被遮光膜31所覆盖。
再者，在模板1中，根据所用的压印装置的机械精度等而被认为必要的30μm左右的高度承载着第1台阶构造21的台阶和第2台阶构造22的台阶合计所得的高度(H2)。
因此，如图3(b)所示，尽管自第2台阶构造22与第1台阶构造21的上表面相接的部位泄漏的曝光的光L1对应于距离(H2-H1)作为绕射光而扩散，但由于距离(H2-H1)可小于图12(b)所示的距离H101(30μm左右)，故而该扩散亦可抑制得较小。
因此，在第2台阶构造22的上表面(转印图案区域)的高度位置，有树脂硬化之虞的区域(相当于图3(b)所示的A1)亦可小于相当于图12(b)所示的A2的区域。
进而，关于台阶大致成为(H2-H1)的第2台阶构造22，例如，若该台阶为数μm以下，则即便以干式蚀刻来形成，时间上亦充分。
而且，通过以干式蚀刻来形成，第2台阶构造22与第1台阶构造21的上表面相接的部位的剖面形状如图3(b)所示，较图12(b)所示的带有弧度的形状更可形成为直角。
因此，即便在第2台阶构造22与第1台阶构造21的上表面相接的部位，亦易于以与其他部位相同的膜厚来形成遮光膜31，从而更易抑制曝光的光L1的泄漏。
再者，关于台阶大致成为H1的第1台阶构造21，只要如现有技术那样，通过湿式蚀刻来形成即可。
在该情况下，第1台阶构造21与基部10的主面11相接的部位的剖面形状与图12(b)所示的例子同样地易于成为带有弧度的形状，但在第1实施方式中，曝光的光的遮蔽是由形成在第2台阶构造22的上表面的遮光膜31所承担，因此遮光膜31的效果不会因该带有弧度的形状而受损。
上述距离(H2-H1)的值只要较根据所用的压印装置的机械精度等而被认为必要的高度(典型而言为30μm左右)小，便可加以应用，但如上所述，在抑制压印时曝光的光泄漏(向计划以外的区域照射)的影响的目的下，该值越小越有效。
另一方面，在防止压印时形成在被转印基板50之上的光硬化性树脂60附着于遮光膜31的目的下，如图2所示，在遮光膜31的上表面(在图2中为朝下的方向)与转印图案23的凹部的底面(在图2中与光硬化性树脂60的上表面位置相同)之间，有间隙(空间)为佳。
换言之，较佳为如图1所示，在将自基部10的主面11至第1台阶构造21之上的遮光膜31的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，将自基部10的主面11至第2台阶构造22的上表面的转印图案23的凹部的底面为止的垂直方向的距离设为H2的情况下，成为H1＜H2的关系。
作为满足抑制压印时曝光的光泄漏的影响的目的及防止压印时光硬化性树脂附着于遮光膜31的目的这两者的范围，例如，上述距离(H2-H1)的值可设定成1μm以上且5μm以下的范围。
此外，在模板1中，较佳为如图4所示，在将自基部10的主面11至第1台阶构造21之上的遮光膜31的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，将自基部10的主面11至第2台阶构造22的上表面为止的垂直方向的距离设为H3，将自基部10的主面11的外缘至第1台阶构造21的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D1，将自基部10的主面11的外缘至第2台阶构造22的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D2的情况下，成为H1≤H3×(D1/D2)的关系。
再者，图4是对第1实施方式的模板的各台阶构造的位置关系进行说明的图，相当于图1中以虚线圆表示的R1的主要部分放大图。
在满足此种关系的情况下，如图4所示，第1台阶构造21之上的遮光膜31的外缘E2存在于较将基部10的主面11的外缘E1与第2台阶构造22的上表面的外缘E3连接的虚线更靠内侧(模板1侧)。
其原因在于：因该缘故，在进行如图2所示的压印时，即便模板1(更准确而言，模板1的第2台阶构造22的上表面)相对于被转印基板50(更准确而言，相对于形成在被转印基板50之上的光硬化性树脂60)并非水平地对置而是具有倾斜度地相接，亦可防止外缘E2(进而，第1台阶构造21之上的遮光膜31)与被转印基板50(更准确而言，形成在被转印基板50之上的光硬化性树脂60)接触。
此外，在模板1中，较佳为如图1所示，在基部10的与主面11相反的一侧的面(背面12)具有俯视下包含第2台阶构造22的凹陷部40。其原因在于：易于实施脱模等步骤。
更详细而言，其原因在于：通过将形成有转印图案23的区域(转印图案区域)的模板1的厚度减薄而使其易于弯曲，可在脱模时，使模板1的转印图案区域向被转印基板侧呈凸状弯曲，从而自形成在被转印基板50之上的光硬化性树脂60的转印区域61的外缘部依次部分地脱模。
进而，凹陷部40较佳为如图1所示俯视下包含第1台阶构造21。其原因在于：可防止在上述弯曲时形成在第1台阶构造21的上表面的遮光膜31剥落等不良状况。
对上述内容更详细地进行说明，凹陷部40的内侧因模板1的厚度较薄故在上述弯曲时易于变形，相对于此，凹陷部40的外侧因模板1的厚度较厚故在上述弯曲时难以变形。
因此，在俯视下第1台阶构造21不包含于凹陷部40的情况下，换言之，在俯视下第1台阶构造21不仅存在于凹陷部40的内侧亦存在于凹陷部40的外侧的情况下，第1台阶构造21具有易于变形的区域(即，凹陷部40的内侧)与难以变形的区域(即，凹陷部40的外侧)的交界。
而且，在该交界处，有如下之虞，即，因在上述弯曲时应力集中，故在反复实施压印的过程中，形成在第1台阶构造21的上表面的遮光膜31剥落，从而成为缺陷的根源。
因此，为避免此种交界形成在第1台阶构造21，而设定为如图1所示，凹陷部40俯视下包含第1台阶构造21的形态。
其次，对构成模板1的材料进行说明。
构成模板1的主要材料、即构成基部10、第1台阶构造21、第2台阶构造22、及转印图案23的材料可用于光压印法，且可透过压印时的曝光的光。
该曝光的光一般可使用波长200nm～400nm的范围(尤其是300nm～380nm的范围)内的紫外光。
作为上述材料，例如，可列举石英玻璃、耐热玻璃、氟化钙(CaF2)、氟化镁(MgF2)、及丙烯酸玻璃等透明材料、或该等透明材料的层叠构造物。尤其是合成石英，因刚性高，热膨胀系数低，且在一般所用的波长即300nm～380nm的范围内透过率佳，故较为合适。
再者，通常，在用于纳米压印光刻的模板中，构成基部的主要材料与构成具有转印图案的台阶构造的主要材料是同一材料，在模板1中，亦为第1台阶构造21及具有转印图案23的第2台阶构造22由与基部10相同的材料所构成。
作为构成遮光膜31的材料，例如，可列举包含金属材料及其氧化物、氮化物、氮氧化物等中的1种以上的材料。作为上述金属材料的具体例，例如，可列举铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、锆(Zr)、钛(Ti)等。
此处，为防止曝光的光的照射，遮光膜31较佳为波长365nm下的透过率为10％以下。
例如，在使用铬(Cr)作为构成遮光膜31的材料的情况下，该遮光膜31的膜厚只要为15nm以上即可。
再者，第1实施方式的压印用模板的转印图案既可为线与间隙图案，此外，亦可为柱形图案。作为一例，关于该转印图案的大小，在为线与间隙图案的情况下，线宽是30nm左右，且其高度是60nm左右。此外，在为柱形图案的情况下，直径是50nm左右，且其高度是60nm左右。
再者，俯视模板1的情况下的第1台阶构造21或第2台阶构造22的纵向宽度及横向宽度只要为满足上述条件的宽度即可，并不加以特别限定，纵向宽度及横向宽度既可相同亦可不同。
B.第2实施方式
其次，对第2实施方式的模板进行说明。图5是对第2实施方式的模板的构成例进行说明的图。
例如，如图5所示，模板1在基部10的主面11之上具有第1台阶构造21，在第1台阶构造21之上具有第2台阶构造22，在第2台阶构造22的上表面具有转印图案23，且第1台阶构造21的上表面的、第2台阶构造22的外侧的区域被遮光膜31所覆盖。
模板1在第2台阶构造22的上表面具有构成转印图案23的第1凹凸构造体22a及构成对准标记的第2凹凸构造体22b。在遮光膜31之上及第2凹凸构造体22b的凹部的底面之上，形成有由与构成基部10的材料不同的材料膜构成的高对比度膜32。
再者，高对比度膜32形成在第2凹凸构造体22b的凹部的下侧。此外，在模板1中，第2凹凸构造体22b的上表面成为转印图案区域。
因具有如上所述的构成，故模板1与图1所示的模板1同样地，可一面维持必要的转印图案区域的高度(与基部10的主面11相距的距离)，一面抑制压印时曝光的光泄漏(向计划以外的区域照射)的影响。
此外，在如上所述的构成中，在构成对准标记的第2凹凸构造体22b的凹部的底面之上形成有上述高对比度膜32，且第1台阶构造21的上表面的、第2台阶构造22的外侧的区域依次层叠有上述遮光膜31和高对比度膜32。因此，在图5所示的模板1中，可满足提高对位时的对准标记的对比度及防止压印时光向计划以外的区域照射这两个要求。此外，依次层叠有遮光膜31和高对比度膜32的层叠构造的遮光性与仅设有图1所示的遮光膜31时的遮光性相比更高，故而例如可较图1所示的模板1更有效地遮挡图2所示的原本不需要的照射区域92的曝光的光82。
另一方面，在图5所示的模板1中，与图1所示的模板1的遮光膜31的上表面与转印图案23的凹部的底面之间同样地，在形成在遮光膜31之上的高对比度膜32的上表面与转印图案23的凹部的底面之间，有间隙(空间)为佳。
换言之，较佳为如图5所示，在将自基部10的主面11至形成在遮光膜31之上的高对比度膜32的上表面为止的垂直方向的距离设为H11，将自基部10的主面11至第2台阶构造22的上表面的转印图案23的凹部的底面为止的垂直方向的距离设为H12的情况下，成为H11＜H12的关系。
此外，在图5所示的模板1中，作为满足抑制压印时曝光的光泄漏的影响的目的及防止压印时光硬化性树脂附着于遮光膜31的目的这两者的范围，例如，转印图案23的凹部的底面与形成在遮光膜31之上的高对比度膜32的上表面之间的距离(H12-H11)的值可设定成1μm以上且5μm以下的范围。
此外，在图5所示的模板1中，基于与图1所示的模板1的H11及H13的关系相同的理由，较佳为在将自基部10的主面11至形成在遮光膜31之上的高对比度膜32的上表面为止的垂直方向的距离设为H11，将自基部10的主面11至第2台阶构造22的上表面为止的垂直方向的距离设为H13，将自基部10的主面11的外缘至第1台阶构造21的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D11，将自基部10的主面11的外缘至第2台阶构造22的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D12的情况下，成为H11≤H13×(D11/D12)的关系。
此外，在图5所示的模板1中，基于与图1所示的模板1相同的理由，较佳为在基部10的与主面11相反的一侧的面(背面12)具有俯视下包含第2台阶构造22的凹陷部40。
进而，基于与图1所示的模板1相同的理由，凹陷部40较佳为俯视下包含第1台阶构造21。
其次，对构成转印图案23的第1凹凸构造体22a与构成对准标记的第2凹凸构造体22b的深度关系进行说明。
图6是对第2实施方式的模板的主要部分的一例进行说明的图。
在图5所示的模板1中，较佳为如图6所示，在将自第1凹凸构造体22a的凸部的上表面至凹部的底面为止的距离设为D13，将自第2凹凸构造体22b的凸部的上表面至凹部的底面之上的高对比度膜32的上表面为止的距离设为D14的情况下，满足D13≤D14的关系。
其原因在于：若为此种构成，则在制造本发明的压印用模板时，可进一步加厚残留在第2凹凸构造体22b的凹部的底面之上的高对比度膜32之上的、作为蚀刻掩模的树脂层(图38(j)所示的形成在第2凹凸构造体22b的凹部的底面之上的第5树脂层55)的膜厚，从而可更切实地防止蚀刻时第2凹凸构造体22b的凹部的底面之上的高对比度膜32消失的不良状况。
如上所述的形态例如可通过日本专利特愿2014-193694号中所记载的方法而获得。
即，可通过如下方式而获得：在下述本发明的压印用模板的制造方法中，在将形成第1凹凸构造体22a和第2凹凸构造体22b时成为蚀刻掩模的硬质掩模图案形成后，在通过树脂层覆盖用以形成第1凹凸构造体22a的硬质掩模图案区域的状态下，对第2凹凸构造体22b进行半蚀刻，之后，将上述树脂层去除，而蚀刻形成第1凹凸构造体22a及第2凹凸构造体22。
其次，对构成图5所示的模板1的材料及各膜的膜厚进行说明。
构成图5所示的模板1的主要材料、即构成基部10、第1台阶构造21、及第2台阶构造22的材料与图1所示的模板1相同，故而此处省略说明。此外，构成图5所示的模板1的第1凹凸构造体22a及第2凹凸构造体22b的材料与构成图1所示的模板1的转印图案23的材料相同，故而此处省略说明。
作为构成遮光膜31的材料，只要为与构成基部10的材料不同且具有遮光性的材料，便可加以使用。例如，可使用与图1所示的模板1的遮光膜31相同的材料。
此处，为防止曝光的光的照射，遮光膜31较佳为波长365nm下的透过率为10％以下。
例如，在使用铬(Cr)作为构成遮光膜31的材料的情况下，遮光膜31的膜厚只要为15nm以上即可。其中，以35nm～1000nm的范围内尤其是55nm～1000nm的范围内为佳。其原因在于：通过使遮光膜31的膜厚较该等范围的下限厚，在波长365nm下的透过率成为1％以下，在波长365nm下的透过率成为0.1％以下，且通过使遮光膜31的膜厚较该等范围的上限薄，可避免膜剥落。
作为构成高对比度膜32的材料，只要为折射率与构成基部10的材料不同且对于对准光具有遮光性的材料，便可加以使用。例如，可使用与图1所示的模板1的遮光膜31相同的材料。
高对比度膜32的膜厚只要为可满足对位时的对准标记的对比度要求及遮光性要求的膜厚即可，并不加以特别限定，在下述具有高对比度膜的压印用模板的制造方法中，较佳为形成尽量厚的高对比度膜32，由此制造尽量厚的压印用模板。其原因在于：由此，对准标记的对比度提高。
由于第1凹凸构造体22a及第2凹凸构造体22b的构造上、及制作上的限制，高对比度膜32的膜厚无法大幅变化，但遮光膜31的膜厚可大福变化。在由遮光膜31与高对比度膜32重叠而形成的第1台阶构造21上，较佳为以获得满足遮光要求的膜厚的方式来调整遮光膜31的膜厚。
再者，第2实施方式的压印用模板的转印图案与第1实施方式的压印用模板的转印图案相同，故而此处省略说明。
<模板坯>
其次，对本发明的模板坯进行说明。图7是对本发明的模板坯的构成例进行说明的图。
例如，如图7所示，模板坯2在基部10的主面11之上具有第1台阶构造21，在第1台阶构造21之上具有第2台阶构造22，且第1台阶构造21的上表面的、第2台阶构造22的外侧的区域被遮光膜31所覆盖。
模板坯2是用以制造模板1的模板坯，例如，可通过在模板坯2的第2台阶构造22的上表面形成凹凸构造的转印图案23来制造如图1所示的模板1。
而且，如上所述，在模板1中，可一面维持必要的转印图案区域的高度，一面抑制压印时曝光的光泄漏(向计划以外的区域照射)的影响。
此处，图7所示的模板坯2的自基部10的主面11至第2台阶构造22的上表面为止的垂直方向的距离H4相当于图1所示的模板1的在距离H2加上转印图案23的凸部的高度后得到的距离。
其中，距离H2是30μm左右，相对于此，转印图案23的凸部的高度是60nm左右(30μm的1/500左右)，因此图7所示的距离H4可视为与图1所示的距离H2大致相同的值。
图7所示的模板坯2中的距离(H4-H1)的值与图1所示的模板1中的距离(H2-H1)同样地，只要较根据所用的压印装置的机械精度等而被认为必要的高度(典型而言为30μm左右)小，便可加以应用，但如上所述，在抑制模板1压印时曝光的光泄漏的影响的目的下，该值越小越有效。
另一方面，如上所述，在防止压印时形成在被转印基板50之上的光硬化性树脂60附着于模板1的遮光膜31的目的下，如图2所示，在遮光膜31的上表面(在图2中为朝下的方向)与转印图案23的凹部的底面(在图2中与光硬化性树脂60的上表面位置相同)之间，有间隙(空间)为佳。
因此，在模板坯2中，亦较佳为如图7所示，在将自基部10的主面11至第1台阶构造21之上的遮光膜31的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，将自基部10的主面11至第2台阶构造22的上表面为止的垂直方向的距离设为H4的情况下，成为H1＜H4的关系。
作为满足抑制模板1压印时曝光的光泄漏的影响的目的及防止压印时光硬化性树脂附着于模板1的遮光膜31的目的这两者的范围，例如，上述距离(H4-H1)的值可设定成1μm以上且5μm以下的范围。
此外，在模板坯2中，亦较佳为如图8所示，在将自基部10的主面11至第1台阶构造21之上的遮光膜31的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，将自基部10的主面11至第2台阶构造22的上表面为止的垂直方向的距离设为H4，将自基部10的主面11的外缘至第1台阶构造21的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D1，将自基部10的主面11的外缘至第2台阶构造22的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D2的情况下，成为H1≤H4×(D1/D2)的关系。
再者，图8是对本发明的模板坯的各台阶构造的位置关系进行说明的图，相当于图7中以虚线圆表示的R3的主要部分放大图。
在满足此种关系的情况下，如图8所示，第1台阶构造21之上的遮光膜31的外缘E2存在于较将基部10的主面11的外缘E1与第2台阶构造22的上表面的外缘E3连接的虚线靠内侧(模板坯2侧)。
其原因在于：因该缘故，在如图2所示那样模板1压印时，即便模板1(更准确而言，模板1的第2台阶构造22的上表面)相对于被转印基板50(更准确而言，相对于形成在被转印基板50之上的光硬化性树脂60)并非水平地对置而是具有倾斜度地相接，亦可防止外缘E2(进而，第1台阶构造21之上的遮光膜31)与被转印基板50(更准确而言，形成在被转印基板50之上的光硬化性树脂60)接触。
此外，在模板坯2中，亦较佳为如图7所示，在基部10的与主面11相反的一侧的面(背面12)具有俯视下包含第2台阶构造22的凹陷部40。其原因在于：易于实施模板1的脱模等步骤。
更详细而言，其原因在于：若为此种构成，则可使形成有第2台阶构造22的区域的模板坯2的厚度减薄，其结果，在模板1中，可将形成有转印图案23的区域(转印图案区域)的厚度减薄而使其易于弯曲，从而可在脱模时，使模板1的转印图案区域向被转印基板侧呈凸状弯曲，从而自形成在被转印基板50之上的光硬化性树脂60的转印区域61的外缘部依次部分地脱模。
进而，凹陷部40较佳为如图7所示俯视下包含第1台阶构造21。其原因在于：可防止在上述弯曲时形成在第1台阶构造21的上表面的遮光膜31剥落等不良状况。
对上述内容更详细地进行说明，凹陷部40的内侧因模板坯2的厚度较薄故成为在上述模板1弯曲时易于变形的区域，相对于此，凹陷部40的外侧因模板坯2的厚度较厚故成为在上述模板1弯曲时难以变形的区域。
因此，在俯视下第1台阶构造21不包含于凹陷部40的情况下，换言之，在俯视下第1台阶构造21不仅存在于凹陷部40的内侧亦存在于凹陷部40的外侧的情况下，第1台阶构造21具有易于变形的区域(即，凹陷部40的内侧)与难以变形的区域(即，凹陷部40的外侧)的交界。
而且，在该交界处，有如下之虞，即，因在上述模板1弯曲时应力集中，故在反复实施压印的过程中，形成在第1台阶构造21的上表面的遮光膜31剥落，从而成为缺陷的根源。
因此，为避免此种交界形成在第1台阶构造21，而设定为如图7所示，凹陷部40俯视下包含第1台阶构造21的形态。
构成模板坯2的材料可使用与构成模板1的上述材料相同的材料。
<模板坯的制造方法>
其次，对本发明的模板坯的制造方法进行说明。
图9是表示本发明的模板坯的制造方法的一例的流程图。此外，图10、11是表示本发明的模板坯的制造方法的一例的概略步骤图。
再者，本发明的模板可通过使用本发明的模板坯，利用与现有技术相同的方法在第2台阶构造22的上表面形成转印图案23来制造。因此，对于本发明的模板的制造方法，省略使用附图而进行的说明。
例如，在通过本制造方法来制造模板坯2时，首先，准备在基部10的主面11之上具有台面状的台阶构造201的第1模板坯200(图9的S1，图10(a))。
该第1模板坯200不具有如模板坯2那样的第1台阶构造21、第2台阶构造22、及遮光膜31，例如，可使用与现有技术的光压印法中所用的模板坯相同的模板坯。
该第1模板坯200例如由合成石英所构成。
自基部10的主面11至台阶构造201的上表面为止的距离H201与图7所示的模板坯2的距离H4为同等程度，典型而言为30μm左右。
此外，在基部10的背面12侧，较佳为具有凹陷部40。
其次，在台阶构造201的上表面形成第1蚀刻掩模210(图9的S2，图10(b))。
例如，可使用铬(Cr)实施溅镀成膜，之后图案加工为掩模形状，由此形成第1蚀刻掩模210。
其次，通过将第1蚀刻掩模210用作掩模的干式蚀刻，从而形成第1台阶构造21及第2台阶构造22(图9的S3，图10(c))。作为蚀刻气体，例如可使用氟系气体。
此处，图10(c)所示的距离H202(相当于蚀刻深度)是数μm左右(1μm以上且5μm以下的范围)。
其次，将第1蚀刻掩模210去除(图11(d))，继而，将之后会成为遮光膜31的遮光材料层220形成在基部10的主面11、第1台阶构造21的上表面、及第2台阶构造22的上表面，进而，在第1台阶构造21的上表面的、第2台阶构造22的外侧的区域，形成第2蚀刻掩模230(图9的S4、S5，图11(e))。
例如，可使用铬(Cr)，以膜厚成为15nm以上的方式实施溅镀成膜，由此形成遮光材料层220。
此外，可将树脂滴在第1台阶构造21的上表面的、第2台阶构造22的外侧的区域，由此形成由树脂构成的第2蚀刻掩模230。
其次，将自第2蚀刻掩模230露出的遮光材料层220去除，之后，将第2蚀刻掩模230去除而获得模板坯2，该模板坯2在基部10的主面11之上具有第1台阶构造21，在第1台阶构造21之上具有第2台阶构造22，且第1台阶构造21的上表面的、第2台阶构造22的外侧的区域被遮光膜31所覆盖(图9的S6，图11(f))。
以上，对本发明的模板和模板坯进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式仅为例示，具有与本发明的权利要求书中所记载的技术思想实质上相同的构成且起到同样作用效果的技术方案，无论为何种情况均包含在本发明的技术范围内。
II.压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、及模板
使用附图对本发明的压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、及模板进行详细说明。
<压印用模板基板、及压印用模板>
首先，对通过本发明的制造方法而制造的压印用模板基板、及压印用模板进行说明。
再者，为避免繁琐，将上述压印用模板基板、及压印用模板适当亦简称为模板基板、及模板。
图13是对本发明的模板基板的一例进行说明的图。此外，图14是对本发明的模板的一例进行说明的图。
例如，如图13所示，模板基板4在基部10的主面11之上具有第1台阶构造21，在第1台阶构造21之上具有第2台阶构造22，且第1台阶构造21的上表面(露台、阶面)的、第2台阶构造22的外侧的区域被遮光膜31所覆盖。
模板基板4是用以制造如图14所示的具有遮光膜31的模板1的模板基板，例如，可通过在模板基板4的第2台阶构造22的上表面形成凹凸构造的转印图案，从而制造如图14所示的模板1。再者，在图14所示的模板1中，第2台阶构造22的上表面成为转印图案区域。
而且，在模板1中，可一面维持必要的转印图案区域的高度，一面抑制压印时曝光的光泄漏(向计划以外的区域照射)的影响。
例如，通过将图14所示的模板1的、第1台阶构造21的台阶与第2台阶构造22的台阶合计所得的高度制造成必要的高度(例如30μm)，模板1可将转印图案区域的高度(与基部10的主面11相距的距离)维持于必要的高度(例如30μm)。
此外，因模板1在第1台阶构造21的上表面具有遮光膜31，故与如现有技术那样仅在基部10的主面11之上设置有遮光构件的形态(例如，与专利文献5的图7(C))相比，遮光膜31存在于在垂直方向(图中的Z方向)上与转印图案区域即第2台阶构造22的上表面更为接近的距离。因此，可抑制压印时曝光的光泄漏(向计划以外的区域照射)的影响。
例如，第2台阶构造22的台阶(H1)的值可设定成1μm以上且5μm以下的范围。若为此种数μm以下的台阶，则即便以干式蚀刻来形成，时间上亦充分。
而且，通过以干式蚀刻来形成，第2台阶构造22与第1台阶构造21的上表面相接的部位的剖面形状较以湿式蚀刻来形成的情况更可形成为直角。
因此，即便在第2台阶构造22与第1台阶构造21的上表面相接的部位，亦易于以与其他部位相同的膜厚形成遮光膜31，从而更易抑制曝光的光L1的泄漏。
<压印用模板基板的制造方法>
其次，对本发明的压印用模板基板的制造方法进行说明。
图15是表示本发明的压印用模板基板的制造方法的一例的流程图。此外，图16是表示本发明的树脂层形成步骤的一例的流程图。此外，图17、18是表示本发明的压印用模板基板的制造方法的一例的概略步骤图。
本发明的压印用模板基板的制造方法是在基部的主面之上具有第1台阶构造，在第1台阶构造之上具有第2台阶构造，且在第1台阶构造的上表面之上具有遮光膜的压印用模板基板的制造方法，如图15所示，依次包括：具遮光材料层的多级模板基板准备步骤(S10)，准备具有第1台阶构造及第2台阶构造，且在第1台阶构造的上表面之上及第2台阶构造的上表面之上具有遮光材料层的具遮光材料层的多级模板基板；树脂层形成步骤(S20)，在形成在第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成第1树脂层，在形成在第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成厚度较第1树脂层薄的第2树脂层；第2树脂层去除步骤(S30)，通过干式蚀刻，一面将第1树脂层保留，一面将第2树脂层去除；以及遮光膜形成步骤(S40)，将残存的第1树脂层用作掩模而对遮光材料层进行蚀刻，一面将形成在第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层保留，一面将形成在第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层去除。
而且，树脂层形成步骤(S20)的特征在于：包含树脂厚度规定步骤(图16的S21)，该树脂厚度规定步骤使用在与树脂接触的主面侧具有俯视矩形形状的凹部的树脂厚度规定用的模板，将树脂厚度规定用的模板的该凹部的外周部的上表面压抵于第1树脂，将树脂厚度规定用的模板的凹部的底面压抵于第2树脂，上述第1树脂是滴在形成在第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，上述第2树脂是滴在形成在第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，且树脂厚度规定用的模板的凹部的深度小于自第1台阶构造的上表面至上述第2台阶构造的上表面为止的高度。
以下，按各步骤，依次进行说明。
(具遮光材料层的多级模板基板准备)
例如，在通过本制造方法来制造模板基板4时，首先，准备具有第1台阶构造21及第2台阶构造22，且在第1台阶构造21的上表面(露台、阶面)之上及第2台阶构造22的上表面之上具有遮光材料层170的具遮光材料层的多级模板基板300(图15的S10，图17(a))。
在具遮光材料层的多级模板基板300中，第1台阶构造21与第2台阶构造22合计所得的高度是与现有技术的光压印法中所用的具有1级的台阶构造的模板基板的台阶相同或同等程度的高度，典型而言为30μm左右。此外，在基部10的背面12侧，较佳为具有凹陷部40。
该具遮光材料层的多级模板基板300例如可如图22～24所示，利用现有技术的光压印法中所用的具有1级的台阶构造的模板基板来制造。详细内容将在下述的具遮光材料层的多级模板基板的制造方法中进行说明。
(树脂层形成)
其次，如图17(b)所示，将第1树脂51a滴在形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光材料层170之上，将第2树脂52a滴在形成在第2台阶构造22的上表面之上的遮光材料层170之上，继而，如图17(c)所示，压抵树脂厚度规定用的模板400，规定各树脂的厚度(图16的S21)，在该状态下使第1树脂51a及第2树脂52a硬化(图16的S22)，之后，将树脂厚度规定用的模板400脱模，从而如图18(d)所示，获得膜厚被分别规定的第1树脂层51及第2树脂层52(图15的S20)。
此处，在本制造方法中，通过使用具有特定形态的树脂厚度规定用的模板400，可将第2树脂层52的膜厚形成为较第1树脂层51的膜厚薄。
此外，通过使用树脂厚度规定用的模板400，如图18(d)所示，可使第1树脂层51成为膜厚均匀的树脂层。例如，可使第1树脂层51的膜厚的高低差处于50nm以下。
(第2树脂层去除)
其次，如图18(e)所示，通过使用蚀刻气体75的干式蚀刻(回蚀)，一面将第1树脂层51保留，一面将第2树脂层52去除。
如上所述，第2树脂层52的膜厚较第1树脂层51的膜厚薄，因此通过回蚀的方法，可一面将第1树脂层51保留，一面将第2树脂层52去除。
作为蚀刻气体75，例如可使用氧气。
(遮光膜形成)
其次，将残存的第1树脂层51用作掩模而对自第1树脂层51露出的遮光材料层170进行蚀刻，一面将形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光材料层170保留，一面将形成在第2台阶构造22的上表面之上的遮光材料层170去除。在该步骤中保留的形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光材料层170成为模板基板4的遮光膜31。
例如，在遮光材料层170中使用含铬(Cr)材料的情况下，可使用干式蚀刻及湿式蚀刻中的任一者对其进行蚀刻。例如在干式蚀刻的情况下，可为使用氧气与氯气的混合气体的干式蚀刻。此外，在湿式蚀刻的情况下，可为使用包含硝酸铈铵与高氯酸的水溶液的湿式蚀刻。
之后，将残存的第1树脂层51去除，由此如图18(f)所示，可获得模板基板4，该模板基板4在基部10的主面11之上具有第1台阶构造21，在第1台阶构造21之上具有第2台阶构造22，且在第1台阶构造21的上表面(露台、阶面)之上具有遮光膜31。
对于残存的第1树脂层51的去除，例如，可使用通过氧气而进行的灰化等方法。
(现有技术的问题点1)
此处，在图17(b)所示的步骤中，不将第2树脂52a滴在形成在第2台阶构造22的上表面之上的遮光材料层170之上(即，在形成在第2台阶构造22的上表面之上的遮光材料层170之上不形成树脂层)，而欲将形成在第2台阶构造22的上表面之上的遮光材料层170蚀刻去除的情况下，有如下问题，即，无法避免第1树脂51a因滴下第1树脂51a时的飞沫等而附着于形成在第2台阶构造22的上表面之上的遮光材料层170之上，由于该无用的第1树脂51a，无用的遮光材料层170亦会残存于图18(f)所示的模板基板4的第2台阶构造22的上表面。
(现有技术的问题点2)
此外，若如图17(b)所示，只是将第1树脂51a滴在形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光材料层170之上，则所形成的树脂层会因该所滴的第1树脂51a的密度分布而具有缺损部(无树脂的部分)或薄膜部(树脂较薄的部分)。而且，若实施图18(e)所示的干式蚀刻(回蚀)，则此种缺损部或薄膜部会进一步增加。
因此，有如下问题，即，若在之后的步骤中对遮光材料层170进行蚀刻，则成为遮光膜31的形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光材料层170亦会产生缺损部或薄膜部。
(本发明的制造方法的效果)
另一方面，在本发明的压印用模板基板的制造方法中，如图17(c)所示，通过使用具有特定形态的树脂厚度规定用的模板400，可将包含滴下第1树脂51a时的飞沫等的第2树脂层52的膜厚形成为较第1树脂层51的膜厚薄。此外，可使第1树脂层51及第2树脂层52两者成为膜厚均匀的树脂层。
而且，如图18(e)所示，通过回蚀的方法，可一面将第1树脂层51保留，一面将第2树脂层52去除。
因此，通过在之后的步骤中，对自第1树脂层51露出的遮光材料层170进行蚀刻，如图18(f)所示，可在第2台阶构造22的上表面，将遮光材料层170毫无残留地去除。
此外，可使第1树脂层51成为无缺损部且膜厚均匀的树脂层，因此成为遮光膜31的形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光材料层170亦可成为无缺损部及薄膜部的膜。
(树脂)
第1树脂51a、第2树脂52a由利用热或光而硬化的材料所构成，较佳为纳米压印光刻领域中所用的紫外线硬化性树脂。
在第1树脂51a、第2树脂52a是紫外线硬化性树脂的情况下，对于使上述第1树脂51a及第2树脂52a硬化的步骤(图16的S22)，如图17(c)所示，可使用照射紫外线65的方法。
再者，关于第1树脂51a、第2树脂52a，只要在下述第2树脂层去除步骤(图15的S30，图18(e))中，可通过干式蚀刻一面将第1树脂层51保留一面将第2树脂层52去除，便亦可由不同的材料所构成。但自使用的容易性方面而言，较佳为由相同的材料所构成。
(树脂厚度规定用的模板)
图19是对本发明的树脂厚度规定用的模板的一例进行说明的图。此处，图19(a)表示树脂厚度规定用的模板400的概略仰视图，图19(b)表示图19(a)的A-A剖视图。
例如，图19所示的树脂厚度规定用的模板400在与树脂接触的主面侧(在图19(b)中为下侧)具有凹部402，且凹部402的周围被俯视框状的凸部403所包围。即，在树脂厚度规定用的模板400中，凹部402的外周部的上表面相当于俯视框状的凸部403的上表面。
更详细而言，树脂厚度规定用的模板400的凹部402具有如下大小，即，俯视下内含具遮光材料层的多级模板基板300的第2台阶构造22的上表面，且内含于具遮光材料层的多级模板基板300的被第1台阶构造21的上表面的外缘所包围的区域内，树脂厚度规定用的模板400的凹部402的深度小于具遮光材料层的多级模板基板300的自第1台阶构造21的上表面至第2台阶构造22的上表面为止的高度。
图20是对本发明的树脂厚度规定用的模板的作用效果进行说明的图。该图20相当于图17(c)的主要部分放大图。
例如，如图20所示，在压抵树脂厚度规定用的模板400而规定第1树脂层51及第2树脂层52的各膜厚时，在将具遮光材料层的多级模板基板300的自第1台阶构造21的上表面至第2台阶构造22的上表面为止的高度(与压印用模板基板4的自第1台阶构造21的上表面至第2台阶构造22的上表面为止的高度相同)设为H1，将凹部402的深度(在图19所示的树脂厚度规定用的模板400中与凸部403的高度相同)设为H2，将所形成的第1树脂层51的膜厚设为T1，将所形成的第2树脂层52的膜厚设为T2的情况下，以H2＜H1的方式进行设计，由此成为T2＜T1。
例如，凹部402的深度H2可设定成0.3μm以上且10μm以下的范围。
因此，若在图17(c)所示的步骤中使用该树脂厚度规定用的模板400，则可将第2树脂层52的膜厚形成为较第1树脂层51的膜厚薄。此外，通过使用树脂厚度规定用的模板400，如图18(d)所示，可使第1树脂层51成为膜厚均匀的树脂层。
其结果，如图18(f)所示，可在第2台阶构造22的上表面，将遮光材料层170毫无残留地去除，且可使成为遮光膜31的形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光材料层170成为无缺损部及薄膜部的膜。
此处，树脂厚度规定用的模板400的凹部402的底面较佳为具有内含具遮光材料层的多级模板基板300的第2台阶构造22的上表面(与压印用模板基板4的第2台阶构造22的上表面相同)的大小。
更具体而言，较佳为在将图19(b)所示的树脂厚度规定用的模板400的凹部402的底面的宽度设为L21，将图13所示的压印用模板基板4的第2台阶构造22的上表面的宽度设为L11的情况下，L21＞L11。
其原因在于：更易实施压抵树脂厚度规定用的模板400的步骤、及将树脂厚度规定用的模板400自具遮光材料层的多级模板基板300脱模的步骤。
例如，凹部402的底面尺寸可设定成10mm×10mm以上且70mm×70mm以下的范围。
此外，树脂厚度规定用的模板400的被凹部402的外周部的上表面的外缘所包围的区域较佳为具有与具遮光材料层的多级模板基板300的被第1台阶构造21的上表面(与压印用模板基板的第1台阶构造21的上表面相同)的外缘所包围的区域相同的形状及相同的面积，或具有内含具遮光材料层的多级模板基板300的被第1台阶构造21的上表面(与压印用模板基板的第1台阶构造21的上表面相同)的外缘所包围的区域的大小。
更具体而言，较佳为在将图19(b)所示的树脂厚度规定用的模板400的被凸部403的上表面的外缘所包围的区域的宽度设为L22，将图13所示的压印用模板基板4的被第1台阶构造21的上表面的外缘所包围的区域的宽度设为L12的情况下，L22≥L12。
其原因在于：直至具遮光材料层的多级模板基板300的第1台阶构造21的上表面(与压印用模板基板4的第1台阶构造21的上表面相同)的外缘为止，均可使第1树脂层51成为无缺损部且膜厚均匀的树脂层。
此外，树脂厚度规定用的模板400较佳为在凸部403的外周侧具有深度与凹部402相等的区域404。
通常难以直接计测凹部402的高度位置，以便例如，如图17(c)所示，在压抵树脂厚度规定用的模板400时，使树脂厚度规定用的模板400的凹部402的底面与具遮光材料层的多级模板基板300的第2台阶构造22的上表面均匀地接触。
其原因在于：计测用的光等会被凸部403或具遮光材料层的多级模板基板300所遮挡。
另一方面，若树脂厚度规定用的模板400具有如上所述的区域404，则在压抵树脂厚度规定用的模板400时，计测用的光等不会被凸部403或具遮光材料层的多级模板基板300遮挡，从而可计测区域404的高度位置。然后，根据该计测结果，可掌握凹部402的高度位置。
此外，树脂厚度规定用的模板400较佳为在主面侧具有对位用的标记。
其原因在于：如图17(c)所示，在压抵树脂厚度规定用的模板400时，可使其与具遮光材料层的多级模板基板300的相对位置对齐，从而可位置精度良好地进行压抵。
图21是对本发明的树脂厚度规定用的模板的另一例进行说明的图。
例如，图21(a)所示的树脂厚度规定用的模板410在与主面侧相反的一侧的面，具有俯视下包含凹部412的凹陷部415。
若为此种形态，则可使树脂厚度规定用的模板410的设置有凹部412的区域的厚度减薄而使其易于弯曲，从而在压抵时可进一步排除气泡混入的状况，在脱模时可自凹部412的外缘部依次部分地脱模。
此外，本发明的树脂厚度规定用的模板除如图19所示的树脂厚度规定用的模板400那样，凹部402的周围被俯视框状的凸部403所包围的形态以外，亦可为如图21(b)所示的树脂厚度规定用的模板420那样，凹部422的外周部的上表面的外缘形成至树脂厚度规定用的模板的外缘的形态。
其原因在于：即便为此种形态，亦与图19所示的树脂厚度规定用的模板400同样地，可将第2树脂层52的膜厚形成为较第1树脂层51的膜厚薄。此外，亦可使第1树脂层51成为膜厚均匀的树脂层。
进而，除此种形态以外，亦可如图21(a)所示的树脂厚度规定用的模板410那样，在与主面侧相反的一侧的面，具有俯视下包含凹部422的凹陷部。
其原因在于：若为此种形态，则可使树脂厚度规定用的模板420的设置有凹部422的区域的厚度减薄而使其易于弯曲，从而在压抵时可进一步排除气泡混入的状况，在脱模时可自凹部422的外缘部依次部分地脱模。
<具遮光材料层的多级模板基板的制造方法>
其次，对本发明的具遮光材料层的多级模板基板的制造方法进行说明。
图22是表示本发明的具遮光材料层的多级模板基板的制造方法的一例的流程图。此外，图23、24是表示本发明的具遮光材料层的多级模板基板的制造方法的一例的概略步骤图。
本发明的具遮光材料层的多级模板基板的制造方法依次包括：1级模板基板准备步骤(图22的S11)，准备在基部的主面之上具有1级的台阶构造的1级模板基板；蚀刻掩模形成步骤(图22的S12)，在1级模板基板的台阶构造的上表面的成为转印图案区域的区域形成蚀刻掩模；多级化步骤(图22的S13)，使用该蚀刻掩模对台阶构造进行蚀刻，从而形成下级的第1台阶构造及上级的第2台阶构造；以及遮光材料层形成步骤(图22的S14)，在第1台阶构造的上表面之上及第2台阶构造的上表面之上形成遮光材料层。
以下，按各步骤依次进行说明。
(1级模板基板准备)
例如，在通过本制造方法来制造具遮光材料层的多级模板基板300时，首先，准备在基部10的主面11之上具有1级的台阶构造151的1级模板基板150(图23(a))。
构成1级模板基板150的材料是可用于光压印法且可透过压印时的曝光的光的材料。
该曝光的光一般可使用波长200nm～400nm的范围(尤其是300nm～380nm的范围)内的紫外光。
作为上述材料，例如，可列举石英玻璃、耐热玻璃、氟化钙(CaF2)、氟化镁(MgF2)、及丙烯酸玻璃等透明材料、或该等透明材料的层叠构造物。尤其是合成石英，因刚性高，热膨胀系数低，且于一般所用波长即300nm～380nm的范围内透过率佳，故较为合适。
在1级模板基板150中，台阶构造151的高度H101是与现有技术的光压印法中所用的、具有1级的台阶构造的模板基板的台阶相同或同等程度的高度，典型而言为30μm左右。
此外，在1级模板基板150的基部10的背面12侧，较佳为具有凹陷部40。
(蚀刻掩模形成)
其次，在1级模板基板150的台阶构造151的上表面的成为转印图案区域的区域形成蚀刻掩模160(图23(b))。
再者，上述所谓的“成为转印图案区域的区域”是指，在经由利用该1级模板基板150而制造的具遮光材料层的多级模板基板300从而最终所制造的压印用模板1(图14)中，形成转印图案23的区域。在图14所示的模板1中，第2台阶构造22的上表面相当于转印图案区域。
作为构成蚀刻掩模160的材料，只要为在之后的多级化步骤中，对构成1级模板基板150的材料进行干式蚀刻时，作为蚀刻掩模而起作用的材料，便可加以使用。
例如，可列举包含金属材料及其氧化物、氮化物、氮氧化物等中的1种以上的材料。作为上述金属材料的具体例，例如，可列举铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、锆(Zr)、钛(Ti)等。
例如，可利用溅镀成膜来成膜膜厚30nm以上且200nm以下的铬(Cr)膜，并涂布光致抗蚀剂，在图案化后，对自光致抗蚀剂露出的铬(Cr)膜进行蚀刻，由此形成所期望的蚀刻掩模160。对于铬(Cr)膜的蚀刻，例如，可使用通过氧气与氯气的混合气体而进行的干式蚀刻。
(多级化)
其次，将蚀刻掩模160用作掩模对台阶构造151进行蚀刻，从而形成下级的第1台阶构造21及上级的第2台阶构造22(图23(c))，之后，将蚀刻掩模160去除(图24(d))。
图23(c)所示的第2台阶构造22的台阶(H102)的值与图13所示的模板基板4的第2台阶构造22的台阶(H1)的值相同，可设定成1μm以上且5μm以下的范围。若为此种数μm以下的台阶，则即便以干式蚀刻来形成，时间上亦充分。
而且，通过使用干式蚀刻，第2台阶构造22与第1台阶构造21的上表面相接的部位的剖面形状较以湿式蚀刻来形成的情况更可形成为直角。
此处，构成1级模板基板150的材料一般为合成石英，对于上述蚀刻，可较佳地使用通过氟系气体而进行的干式蚀刻。
此外，对于蚀刻掩模160的去除，例如，在使用含铬(Cr)材料的情况下，可通过使用氧气与氯气的混合气体的干式蚀刻进行去除。
此外，亦可通过使用包含硝酸铈铵与高氯酸的水溶液的湿式蚀刻进行去除。
(遮光材料层形成)
其次，在第1台阶构造21的上表面之上及第2台阶构造22的上表面之上形成遮光材料层170，从而获得具遮光材料层的多级模板基板300(图24(e))。
再者，在图24(e)所示的具遮光材料层的多级模板基板300中，在基部10的主面11之上亦形成有遮光材料层170，但在本发明的压印用模板基板的制造方法中，通常会在上述图18(e)～(f)的步骤中，将该主面11之上的遮光材料层170去除。
作为构成遮光材料层170的材料，例如，可列举包含金属材料及其氧化物、氮化物、氮氧化物等中的1种以上的材料。作为上述金属材料的具体例，例如，可列举铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、锆(Zr)、钛(Ti)等。
此处，为防止曝光的光的照射，遮光材料层170较佳为波长365nm下的透过率为10％以下。
例如，在使用铬(Cr)作为构成遮光材料层170的材料的情况下，该遮光材料层170的膜厚只要为15nm以上即可。
作为形成遮光材料层170的方法，可较佳地列举在光掩模等的制造方面拥有实绩的溅镀成膜。
<压印用模板的制造方法>
其次，对本发明的压印用模板的制造方法进行说明。
本发明的压印用模板的制造方法大致分为第1实施方式和第2实施方式。以下，对第1实施方式及第2实施方式进行说明。
A.第1实施方式
首先，对本发明的压印用模板的制造方法的第1实施方式进行说明。
作为制造在基部10的主面之上具有第1台阶构造21，在第1台阶构造21之上具有第2台阶构造22，在第1台阶构造21的上表面之上具有遮光膜31，且在第2台阶构造22的上表面具有凹凸构造的转印图案23的如图14所示的模板1的方法，可列举如下方法，即，准备如图13所示的通过上述本发明的压印用模板基板的制造方法而制造出的模板基板4，对该第2台阶构造22的上表面实施与现有技术的压印用模板的制造方法相同的步骤，由此形成所期望的凹凸构造的转印图案23。
上述现有技术的压印用模板的制造方法中包含使用电子束光刻技术等来形成转印图案23的抗蚀剂图案的方法、及使用压印技术来形成转印图案23的树脂图案的方法。
B.第2实施方式
其次，对本发明的压印用模板的制造方法的第2实施方式进行说明。
在本制造方法中，准备已形成有凹凸构造的转印图案的具遮光材料层的多级模板700，实施与上述本发明的压印用模板基板的制造方法相同的步骤，由此例如制造在基部10的主面之上具有第1台阶构造21，在第1台阶构造21之上具有第2台阶构造22，在第1台阶构造21的上表面之上具有遮光膜31，且在第2台阶构造22的上表面具有凹凸构造的转印图案23的如图14所示的模板1。
上述具遮光材料层的多级模板700例如可通过如下方式来制造：准备具有与现有技术的模板相同的构成的模板，即，准备在基部的主面之上具有1级的台阶构造且在该台阶构造的上表面具有凹凸构造的转印图案23的1级模板500，实施与上述本发明的具遮光材料层的多级模板基板的制造方法相同的步骤(下述第1实施态样)。
以下，首先，对制造第2实施方式的具遮光材料层的多级模板的方法进行说明，继而，对利用具遮光材料层的多级模板制造本发明的压印用模板的方法(制造第2实施方式的压印用模板的方法)进行说明。此外，紧随其后，对利用具遮光材料层的多级模板制造本发明的具有高对比度膜的压印用模板的方法(制造第2实施方式的压印用模板的方法)进行说明。
再者，为避免繁琐，对与已在上述本发明的压印用模板基板的制造方法中进行过详细说明的事项重复的事项，适当省略说明。
<具遮光材料层的多级模板的制造方法>
第2实施方式的具遮光材料层的多级模板的制造方法大致分为第1实施态样和第2实施态样。以下，对第1实施态样及第2实施态样进行说明。
a.第1实施态样
图25是表示第1实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法的一例的流程图。此外，图26、27是表示第1实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法的一例的概略步骤图。
(1级模板准备)
例如，在通过本实施方式的制造方法来制造具遮光材料层的多级模板700时，首先，准备在基部10的主面11之上具有1级的台阶构造501且在台阶构造501的上表面具有凹凸构造的转印图案23的1级模板500(图25的S111，图26(a))。
该1级模板500由与现有技术的压印用模板相同的材料所构成。
此外，该1级模板500具有与现有技术的压印用模板相同的构成，例如，台阶构造501的高度H501是与现有技术的光压印法中所用的、具有1级的台阶构造的模板的台阶相同或同等程度的高度，典型而言为30μm左右。
此外，在1级模板500的基部10的背面12侧，较佳为具有凹陷部40。
其中，1级模板500的台阶构造501的上表面具有较最终所获得的模板1的第2台阶构造22的上表面大的面积。
其原因在于：如下所述，1级模板500的台阶构造501的上表面的外周部受到蚀刻而形成第1台阶构造21的上表面。
即，1级模板500的台阶构造501的上表面较模板1的转印图案区域(与模板1的第2台阶构造22的上表面等同)宽广，形成在1级模板500上的转印图案23在模板1中形成在成为转印图案区域的区域。
(蚀刻掩模形成)
其次，在1级模板500的台阶构造501的上表面的成为转印图案区域的区域形成蚀刻掩模160(图25的S112，图26(b))。
(多级化)
其次，使用蚀刻掩模160对台阶构造501进行蚀刻，从而形成下级的第1台阶构造21及上级的第2台阶构造22，之后，将蚀刻掩模160去除(图25的S113，图26(c)、图27(d))。
图26(c)所示的第2台阶构造22的台阶(H502)的值与图14所示的模板1的第2台阶构造22的台阶(H1)的值相同，可设定成1μm以上且5μm以下的范围。若为此种数μm以下的台阶，则即便以干式蚀刻来形成，时间上亦充分。
而且，通过使用干式蚀刻，第2台阶构造22与第1台阶构造21的上表面相接的部位的剖面形状较以湿式蚀刻来形成的情况更可形成为直角。
(遮光材料层形成)
其次，在第1台阶构造21的上表面之上及第2台阶构造22的上表面之上形成遮光材料层170，从而获得具遮光材料层的多级模板700(图25的S114，图27(e))。
再者，在图27(e)所示的具遮光材料层的多级模板700中，在基部10的主面11之上亦形成有遮光材料层170，但在之后的本发明的压印用模板的制造方法中，通常会将该主面11之上的遮光材料层170去除。
b.第2实施态样
图28是表示第2实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法的另一例的流程图。此外，图29、30是表示第2实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法的另一例的概略步骤图。
(1级模板基板准备)
例如，在通过本实施方式的制造方法来制造具遮光材料层的多级模板700时，首先，准备在基部10的主面11之上具有1级的台阶构造151的1级模板基板150(图28的S211，图29(a))。
构成图29(a)所示的1级模板基板150的材料与图23所示的1级模板基板150相同，故而此处省略说明。
在图29(a)所示的1级模板基板150中，台阶构造151的高度H201与图23所示的1级模板基板150的台阶构造151的高度H101相同，故而此处省略说明。
此外，在图29(a)所示的1级模板基板150的基部10的背面12侧，与图23所示的1级模板基板150同样地，较佳为具有凹陷部40。
(蚀刻掩模形成)
其次，在1级模板基板150的台阶构造151的上表面的成为构成转印图案的第1凹凸构造体及构成对准标记的第2凹凸构造体的区域形成蚀刻掩模160(图28的S212，图29(b))。
再者，上述所谓的“成为构成转印图案的第1凹凸构造体及构成对准标记的第2凹凸构造体的区域”是指，在经由利用该1级模板基板150而制造的具遮光材料层的多级模板700(图30(f))从而最终所制造的压印用模板1(图38(1))中，形成第1凹凸构造体22a及第2凹凸构造体22b的区域。
构成蚀刻掩模160的材料与图23(b)所示的蚀刻掩模160相同，故而此处省略说明。
形成蚀刻掩模160的方法与形成图23(b)所示的蚀刻掩模160的方法相同，故而此处省略说明。
(多级化)
其次，将蚀刻掩模160用作掩模对台阶构造151进行蚀刻，从而形成下级的第1台阶构造21及上级的第2台阶构造22，之后，将蚀刻掩模160去除(图28的S213，图29(c)、图30(d))。
图29(c)所示的第2台阶构造22的台阶(H202)的值与图14所示的模板1的第2台阶构造22的台阶(H1)的值相同，可设定成1μm以上且5μm以下的范围。若为此种数μm以下的台阶，则即便以干式蚀刻来形成，时间上亦充分。
而且，通过使用干式蚀刻，第2台阶构造22与第1台阶构造21的上表面相接的部位的剖面形状较以湿式蚀刻来形成的情况更可形成为直角。
此处，对于上述蚀刻，与对图23(b)所示的1级模板基板150的1级的台阶构造151进行蚀刻的情况下同样地，可较佳地使用通过氟系气体而进行的干式蚀刻。
此外，去除蚀刻掩模160的方法与图23(c)所示的蚀刻掩模160的去除方法相同，故而此处省略说明。
(转印图案形成)
其次，在第2台阶构造22的上表面，形成构成转印图案23的第1凹凸构造体22a及构成对准标记的第2凹凸构造体22b，从而获得多级模板600(图28的S214，图30(e))。
作为形成第1凹凸构造体22a及第2凹凸构造体22b的方法，可列举通过实施与现有技术的压印用模板的制造方法相同的步骤，从而形成所期望的第1凹凸构造体22a及所期望的第2凹凸构造体22b的方法。
上述现有技术的压印用模板的制造方法中包含使用电子束光刻技术等来形成第1凹凸构造体22a及第2凹凸构造体22b的抗蚀剂图案的方法、及使用压印技术来形成第1凹凸构造体22a及第2凹凸构造体22b的树脂图案的方法。
(遮光材料层形成)
其次，在基部10的主面11之上、第1台阶构造21的上表面之上、及第2台阶构造22的上表面之上形成遮光材料层170，从而获得具遮光材料层的多级模板700(图28的S215，图30(f))。
再者，在图30(f)所示的具遮光材料层的多级模板700中，在基部10的主面11之上亦形成有遮光材料层170，但在之后的本发明的压印用模板的制造方法中，通常会将该主面11之上的遮光材料层170去除。
构成遮光材料层170的材料与构成图5所示的模板1的遮光膜31的材料相同，故而此处省略说明。遮光材料层170的膜厚与构成图5所示的模板1的遮光膜31的膜厚相同，故而此处省略说明。
c.第2实施方式的具遮光材料层的多级模板的制造方法
如上所述，作为第2实施方式的具遮光材料层的多级模板的制造方法，可为如图25、26、27所示的第1实施态样及如图28、29、30所示的第2实施态样中的任一者，但相较于第1实施态样而言第2实施态样更佳。其原因在于：与第1实施态样不同，在第2实施态样中，在上述多级化的步骤后的上述转印图案形成的步骤中，进行了较上述多级化更微细的加工，即在第2台阶构造22的上表面形成凹凸构造体，因此凹凸构造体的损伤、破坏的风险降低。
<压印用模板的制造方法>
其次，对利用通过上述步骤而获得的具遮光材料层的多级模板700来制造本发明的压印用模板1的方法(制造第2实施方式的压印用模板的方法)进行说明。
图31是表示第2实施方式的模板的制造方法的一例的流程图。此外，图32、33是表示第2实施方式的模板的制造方法的一例的概略步骤图。
(具遮光材料层的多级模板准备)
例如，在通过本制造方法来制造模板1时，首先，准备具有第1台阶构造21及第2台阶构造22，在第2台阶构造22的上表面具有凹凸构造的转印图案23，且在第1台阶构造21的上表面之上及第2台阶构造22的上表面之上具有遮光材料层170的具遮光材料层的多级模板700(图31的S100，图32(a))。
在具遮光材料层的多级模板700中，第1台阶构造21与第2台阶构造22合计所得的高度是与现有技术的光压印法中所用的、具有1级的台阶构造的模板基板的台阶相同或同等程度的高度，典型而言为30μm左右。此外，在基部10的背面12侧，较佳为具有凹陷部40。
该具遮光材料层的多级模板700例如可通过上述第1实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法(图25～27)来制造。
(树脂层形成)
其次，如图32(b)所示，将第1树脂51a滴在形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光材料层170之上，将第2树脂52a滴在形成在第2台阶构造22的上表面之上的遮光材料层170之上，继而，如图32(c)所示，压抵树脂厚度规定用的模板400，规定各树脂的厚度，在该状态下使第1树脂51a及第2树脂52a硬化，之后，将树脂厚度规定用的模板400脱模，从而如图33(d)所示，获得膜厚被分别规定的第1树脂层51及第2树脂层52(图31的S200)。
通过使用具有特定形态的树脂厚度规定用的模板400，可将第2树脂层52的膜厚形成为较第1树脂层51的膜厚薄。
此外，通过使用树脂厚度规定用的模板400，可使第1树脂层51成为膜厚均匀的树脂层。
(第2树脂层去除)
其次，如图33(e)所示，通过使用蚀刻气体75的干式蚀刻(回蚀)，一面将第1树脂层51保留，一面将第2树脂层52去除。
如上所述，第2树脂层52的膜厚较第1树脂层51的膜厚薄，因此通过回蚀的方法，可一面将第1树脂层51保留，一面将第2树脂层52去除。
(遮光膜形成)
其次，将残存的第1树脂层51用作掩模而对自第1树脂层51露出的遮光材料层170进行蚀刻，一面将成为遮光膜31的形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光材料层170保留，一面将形成在第2台阶构造22的上表面之上的遮光材料层170去除。
之后，将残存的第1树脂层51去除，由此如图33(f)所示，可获得模板1，该模板1在基部10的主面11之上具有第1台阶构造21，在第1台阶构造21之上具有第2台阶构造22，在第2台阶构造22的上表面具有凹凸构造的转印图案23，且在第1台阶构造21的上表面之上具有遮光膜31。
<具有高对比度膜的压印用模板的制造方法>
其次，对利用通过上述步骤而获得的具遮光材料层的多级模板700来制造本发明的具有高对比度膜的压印用模板1的方法(制造第2实施方式的压印用模板的方法)进行说明。
图34是表示第2实施方式的模板的制造方法的另一例的流程图。此外，图35、36、37、38是表示第2实施方式的模板的制造方法的另一例的概略步骤图。
(具遮光材料层的多级模板准备)
例如，在通过本制造方法来制造模板1时，首先，准备具有第1台阶构造21及第2台阶构造22，在第2台阶构造22的上表面具有构成转印图案23的第1凹凸构造体22a及构成对准标记的第2凹凸构造体22b，且在第1台阶构造21的上表面之上及第2台阶构造22的上表面之上具有遮光材料层170的具遮光材料层的多级模板700(图34的S100，图35(a))。
在具遮光材料层的多级模板700中，第1台阶构造21与第2台阶构造22合计所得的高度是与现有技术的光压印法中所用的、具有1级的台阶构造的模板基板的台阶相同或同等程度的高度，典型而言为30μm左右。此外，在基部10的背面12侧，较佳为具有凹陷部40。
该具遮光材料层的多级模板700例如可通过上述第2实施态样的具遮光材料层的多级模板的制造方法(图28～30)来制造。
(第1及第2树脂层形成)
其次，如图35(b)所示，将第1树脂51a滴在形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光材料层170之上，将第2树脂52a滴在形成在第2台阶构造22的上表面之上的遮光材料层170之上，继而，如图35(c)所示，压抵第1及第2树脂厚度规定用的模板430，规定各树脂的厚度，在该状态下使第1树脂51a及第2树脂52a硬化，之后，将第1及第2树脂厚度规定用的模板430脱模，从而如图36(d)所示，获得膜厚被分别规定的第1树脂层51及第2树脂层52(图34的S200)。
通过使用具有特定形态的第1及第2树脂厚度规定用的模板430，可将第2树脂层52的膜厚形成为较第1树脂层51的膜厚薄。具体而言，作为此种第1及第2树脂厚度规定用的模板430的形态，例如，可列举与树脂厚度规定用的模板400的形态同样地，与树脂接触的主面侧的凹部432的深度较具遮光材料层的多级模板700的自第1台阶构造21的上表面至第2台阶构造22的上表面为止的高度(与下述压印用模板1的自第1台阶构造21的上表面至第2台阶构造22的上表面为止的高度相同)小的形态。
此外，通过使用第1及第2树脂厚度规定用的模板430，与如上所述使用树脂厚度规定用的模板400的情况下同样地，可使第1树脂层51成为膜厚均匀的树脂层。
(第2树脂层去除)
其次，如图36(e)所示，通过使用蚀刻气体75的干式蚀刻(回蚀)，一面将第1树脂层51保留，一面将第2树脂层52去除(图34的S300)。
如上所述，第2树脂层52的膜厚较第1树脂层51的膜厚薄，因此通过回蚀的方法，可一面将第1树脂层51保留，一面将第2树脂层52去除。
(遮光膜形成)
其次，将残存的第1树脂层51用作掩模而对自第1树脂层51露出的遮光材料层170进行蚀刻，一面将成为遮光膜31的形成在第1台阶构造21的上表面之上的遮光材料层170保留，一面将形成在基部10的主面11之上及第2台阶构造22的上表面之上的遮光材料层170去除。
之后，将残存的第1树脂层51去除，由此如图36(f)所示，可获得模板1，该模板1在基部10的主面11之上具有第1台阶构造21，在第1台阶构造21之上具有第2台阶构造22，在第2台阶构造22的上表面具有构成转印图案23的第1凹凸构造体22a及构成对准标记的第2凹凸构造体22b，且在第1台阶构造21的上表面之上具有遮光膜31(图34的S400)。
(高对比度层形成)
其次，在第1台阶构造21的上表面之上具有遮光膜31的模板1中，在基部10的主面11之上、遮光膜31之上、第1凹凸构造体22a的凸部的上表面及凹部的底面、以及第2凹凸构造体22b的凸部的上表面及凹部的底面之上，形成高对比度层330(图34的S500，图37(g))。
构成高对比度层330的材料与构成图5所示的模板1的高对比度膜32的材料相同，故而此处省略说明。高对比度层330的膜厚与构成图5所示的模板1的高对比度膜32的膜厚相同，故而此处省略说明。
(第3～第5树脂层形成)
其次，将第3树脂53a滴在形成在遮光膜31之上的高对比度层330之上，将第4树脂54a滴在形成在第1凹凸构造体22a的凸部的上表面及凹部的底面之上的高对比度层330之上，将第5树脂55a滴在形成在第2凹凸构造体22b的凸部的上表面及凹部的底面之上的高对比度层330之上(图37(h))。
其次，压抵第3～第5树脂厚度规定用的模板440，在该状态下使第3树脂53a、第4树脂54a、及第5树脂55a硬化(图37(i))。之后，将第3～第5树脂厚度规定用的模板440脱模(图38(j))。由此，在形成在遮光膜31之上的高对比度层330之上形成第3树脂层53，在形成在第1凹凸构造体22a的凸部的上表面及凹部的底面之上的高对比度层330之上形成膜厚较第3树脂层53薄的第4树脂层54，在形成在第2凹凸构造体22b的凸部的上表面及凹部的底面之上的高对比度层330之上形成膜厚较第4树脂层54厚的第5树脂层55(图34的S600，图38(j))。
此处，在本发明中，所谓“膜厚较第3树脂层薄的第4树脂层”表示如下述图40所示，在将第3树脂层53的膜厚设为T53，将形成在第1凹凸构造体22a的凹部的底面之上的第4树脂层54的膜厚设为T54的情况下，T54＜T53的第4树脂层54。此外，所谓“膜厚较第4树脂层厚的第5树脂层”表示如下述图40所示，在将形成在第1凹凸构造体22a的凹部的底面之上的第4树脂层54的膜厚设为T54，将形成在第2凹凸构造体22b的凹部的底面之上的第5树脂层55的膜厚设为T55的情况下，T54＜T55的第5树脂层55。
在形成该等树脂层时，如图37(i)所示，使用在与树脂接触的主面侧具有凹部442且具有形成在凹部442的底面侧的凹陷442a的第3～第5树脂厚度规定用的模板440，将第3～第5树脂厚度规定用的模板440的凹部442的外周部的上表面压抵于第3树脂53a，将第3～第5树脂厚度规定用的模板440的凹部442的底面压抵于第4树脂54a及第5树脂55a，将凹陷442a的底面压抵于第5树脂55a。由此，可按上文所述来规定第3树脂层53、第4树脂层54、及第5树脂层55的膜厚。此外，可使第3树脂层53、第4树脂层54、及第5树脂层55成为膜厚均匀的树脂层。
第3树脂53a、第4树脂54a、及第5树脂55a由利用热或光而硬化的材料所构成，较佳为纳米压印光刻领域中所用的紫外线硬化性树脂。
在第3树脂53a、第4树脂54a、及第5树脂55a是紫外线硬化性树脂的情况下，对于使上述第3树脂53a、第4树脂54a、及第5树脂55a硬化的步骤，如图37(i)所示，可使用照射紫外线65的方法。
再者，第3树脂53a、第4树脂54a、及第5树脂55a只要在下述第4树脂层去除步骤(图34的S700，图38(k))中，可通过干式蚀刻一面将第3树脂层53及第5树脂层55的下侧保留，一面将第3树脂层53及第5树脂层55的上侧、以及第4树脂层54去除，便亦可由不同的材料所构成。但自使用的容易性方面而言，较佳为由相同的材料所构成。
(第4树脂层去除)
其次，通过使用蚀刻气体75的干式蚀刻(回蚀)，一面将第3树脂层53及第5树脂层55的下侧保留，一面将第3树脂层53及第5树脂层55的上侧、以及第4树脂层54去除(图34的S700，图38(k))。
如上所述，第4树脂层54的膜厚T54较第3树脂层53的膜厚T53及第5树脂层55的膜厚T55薄，因此通过回蚀的方法，可一面将第3树脂层53及第5树脂层55的下侧保留，一面将第4树脂层54去除。
作为蚀刻气体75，例如可使用氧气。
(高对比度膜形成)
将残存的第3树脂层53及第5树脂层55的下侧用作掩模而对高对比度层330进行蚀刻，一面将形成在遮光膜31之上及第2凹凸构造体22b的凹部的底面之上的高对比度层330保留，一面将形成在基部10的主面11之上、第1凹凸构造体22a的凸部的上表面及凹部的底面、以及第2凹凸构造体22b的凸部的上表面之上的高对比度层330去除，并将残存的第3树脂层53及第5树脂层55去除(图34的S800，图38(1))。
由此，可获得模板1，该模板1在第2台阶构造22的上表面具有构成转印图案23的第1凹凸构造体22a及构成对准标记的第2凹凸构造体22b，且在遮光膜31之上及第2凹凸构造体22b的凹部的底面之上形成有高对比度膜32(图38(1))。再者，图38(1)所示的具有高对比度膜32的压印用模板1与图5所示的模板1相同。
(树脂厚度规定用的模板)
图39是对本发明的树脂厚度规定用的模板的另一例进行说明的图。此处，图39(a)表示第3～第5树脂厚度规定用的模板440的概略仰视图，图39(b)表示图39(a)的A-A剖视图。再者，图39所示的第3～第5树脂厚度规定用的模板440与图37(i)所示的第3～第5树脂厚度规定用的模板440相同。
例如，图39所示的第3～第5树脂厚度规定用的模板440在与树脂接触的主面侧(图39(b)中为下侧)具有凹部442，且具有形成在凹部442的底面侧的凹陷442a。第3～第5树脂厚度规定用的模板440的形态是凹部442的外周部的上表面的外缘形成至第3～第5树脂厚度规定用的模板440的外缘的形态。
更详细而言，第3～第5树脂厚度规定用的模板440的凹部442具有如下大小，即，在俯视下，如图37(i)所示，内含形成有高对比度层330的模板1的第2台阶构造22的上表面，且内含于形成有高对比度层330的模板1的被第1台阶构造21的上表面的外缘所包围的区域内。
图40是对本发明的树脂厚度规定用的模板的作用效果进行说明的图。该图40相当于图37(i)的主要部分放大图。
例如，如图40所示，在压抵第3～第5树脂厚度规定用的模板440而规定第3树脂层53、第4树脂层54、及第5树脂层55的各膜厚时，在将自形成在遮光膜31之上的高对比度层330的上表面至形成在第1凹凸构造体22a的凹部的底面之上的高对比度层330的上表面为止的高度设为H53，将凹部442的凹陷442a以外的部分的深度设为H54，将所形成的第3树脂层53的膜厚设为T53，将所形成的第4树脂层54的膜厚(形成在第1凹凸构造体22a的凹部的底面之上的第4树脂层54的膜厚)设为T54的情况下，以H54＜H53的方式进行设计，由此成为T54＜T53。此外，如图40所示，在将形成在凹部442的底面侧的凹陷442a的深度设为H55的情况下，以H55＜H54的方式进行设计，从而在将所形成的第5树脂层55的膜厚(形成在第2凹凸构造体22b的凹部的底面之上的第4树脂层54的膜厚)设为T55的情况下，成为T54＜T55。
因此，若在图37(i)所示的步骤中使用该第3～第5树脂厚度规定用的模板440，则可将第4树脂层54的膜厚T54形成为较第3树脂层53的膜厚T53薄，将第5树脂层55的膜厚T55形成为较第4树脂层54的膜厚T54厚。此外，通过使用第3～第5树脂厚度规定用的模板440，可使第3树脂层53、第4树脂层54、及第5树脂层55成为膜厚均匀的树脂层。
其结果，如图38(k)所示，可在通过干式蚀刻一面将第3树脂层53及第5树脂层55的下侧保留一面将第3树脂层53及第5树脂层55的上侧、以及第4树脂层54去除后，如图38(1)所示，通过将残存的第3树脂层53及第5树脂层55的下侧作为掩模对高对比度层330进行蚀刻，从而将形成在遮光膜31之上及第2凹凸构造体22b的凹部的底面之上的高对比度层330的下侧保留。此外，可使残留于遮光膜31之上的高对比度层330即高对比度膜32、及残留于第2凹凸构造体22b的凹部的底面之上的高对比度层330即高对比度膜32成为无缺损部及薄膜部的膜。
例如，凹部442的凹陷442a以外的部分的深度H54可设定成0.3μm以上且10μm以下的范围。此外，如图40所示，在将形成在凹部442的底面侧的凹陷442a的深度设为H55，将第1凹凸构造体22a及第2凹凸构造体22b的凹部的深度设为H60的情况下，设定为H55≥H60。由此，可自第1凹凸构造体22a之上，不留残渣地将高对比度膜32(高对比度层330)去除。具体而言，例如，H55设定成H60×1.0～H60×2.0的范围。
此处，第3～第5树脂厚度规定用的模板440的凹部442的底面较佳为具有内含图37(i)所示的形成有高对比度层330的模板1的第2台阶构造22的上表面的大小。
更具体而言，较佳为在将图39(b)所示的第3～第5树脂厚度规定用的模板440的凹部442的底面的宽度设为L21，将图37(i)所示的形成有高对比度层330的模板1的第2台阶构造22的上表面的宽度设为L11的情况下，L21＞L11。
其原因在于：更易实施压抵第3～第5树脂厚度规定用的模板440的步骤、及将第3～第5树脂厚度规定用的模板440自形成有高对比度层330的模板1脱模的步骤。
例如，凹部442的底面尺寸可设定成10mm×10mm以上且70mm×70mm以下的范围。
此外，第3～第5树脂厚度规定用的模板440的被凹部442的外周部的上表面的外缘所包围的区域较佳为具有与图37(i)所示的形成有高对比度层330的模板1的被第1台阶构造21的上表面的外缘所包围的区域相同的形状及相同的面积，或具有内含形成有高对比度层330的模板1的被第1台阶构造21的上表面的外缘所包围的区域的大小。
更具体而言，较佳为在将图39(b)所示的第3～第5树脂厚度规定用的模板440的被凹部442的外周部的上表面的外缘所包围的区域的宽度设为L22，将图37(i)所示的形成有高对比度层330的模板1的被第1台阶构造21的上表面的外缘所包围的区域的宽度设为L12的情况下，L22≥L12。
其原因在于：直至形成有高对比度层330的模板1的第1台阶构造21的上表面的外缘为止，均可使第3树脂层53成为无缺损部且膜厚均匀的树脂层。
此外，图35(c)所示的第1及第2树脂厚度规定用的模板430在主面侧具有对位用的标记435。因此，如图35(c)所示，在压抵第1及第2树脂厚度规定用的模板430时，可使其与形成有对应的对准标记(未图示)的具遮光材料层的多级模板700的相对位置对齐，从而可位置精度良好地进行压抵。
再者，图35(c)所示的对位用的标记435是在第1及第2树脂厚度规定用的模板430的主面侧形成在凹部432的外侧的凹陷435a。在第1及第2树脂厚度规定用的模板430中，凹部432及形成在凹部432的外侧的凹陷435a通过不同的步骤形成。具体而言，在实施凹部432及凹陷435a中的一者的加工后，通过对准绘图进行对位而实施另一者的加工。此外，形成在凹部432的外侧的凹陷435a成为具有可读取标记的程度的深度(例如20nm～300nm)的凹陷。
进而，图39所示的第3～第5树脂厚度规定用的模板440亦在主面侧具有对位用的标记435。因此，如图37(i)所示，在压抵第3～第5树脂厚度规定用的模板440时，可使其与形成有对应的对准标记(未图示)的模板1的相对位置对齐，从而可位置精度良好地进行压抵。
图39所示的对位用的标记435是在第3～第5树脂厚度规定用的模板440的主面侧形成在凹部442的外侧的凹陷435a，且形成在凹部442的底面侧的凹陷442a的深度H55与对位用的标记435的凹陷435a的深度H56相同。因此，可使形成在凹部442的底面侧的凹陷442a和对位用的标记435的凹陷435a通过相同的步骤来形成。
本发明的树脂厚度规定用的模板较佳为如图39所示的第3～第5树脂厚度规定用的模板440那样，在主面侧具有对位用的标记，上述对位用的标记是在上述主面侧形成在上述凹部的外侧的凹陷，且形成在上述凹部的底面侧的凹陷的深度与形成在上述凹部的外侧的上述凹陷的深度相同。其原因在于：可使形成在上述凹部的底面侧的凹陷与上述对位用的标记的凹陷通过相同的步骤来形成。
以上，对本发明的模板基板的制造方法、模板的制造方法、及模板进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式仅为例示，具有与本发明的权利要求书中所记载的技术思想实质上相同的构成且达成同样作用效果的技术方案无论为何种情况均包含在本发明的技术范围内。
再者，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式仅为例示，具有与本发明的权利要求书中所记载的技术思想实质上相同的构成且达成同样作用效果的技术方案无论为何种方案均包含于本发明的技术范围内。
符号说明
1 模板
2 模板坯
10 基部
11 主面
12 背面
21 第1台阶构造
22 第2台阶构造
22a 第1凹凸构造体
22b 第2凹凸构造体
23 转印图案
31 遮光膜
32 高对比度膜32
40 凹陷部
50 被转印基板
60 光硬化性树脂
61 转印区域
62 非转印区域
70 遮光板
81、82、83 曝光的光
90、91、92 照射区域
101 模板
110 基部
111 主面
121 台阶构造
122 转印图案
131 遮光膜
200 第1模板坯
201 台阶构造
210 第1蚀刻掩模
220 遮光材料层
230 第2蚀刻掩模
4 模板基板
51a 第1树脂
52a 第2树脂
53a 第3树脂
54a 第4树脂
55a 第5树脂
51 第1树脂层
52 第2树脂层
53 第3树脂层
54 第4树脂层
55 第5树脂层
65 紫外线
75 蚀刻气体
150 1级模板基板
151 台阶构造
160 蚀刻掩模
170 遮光材料层
250 多级模板基板
300 具遮光材料层的多级模板基板
330 高对比度层
400、410、420 树脂厚度规定用的模板
401、411、421 基部
402、412、422 凹部
403、413 凸部
404、414 区域
415 凹陷部
423 凹部的外周部
430 第1及第2树脂厚度规定用的模板
432 第1及第2树脂厚度规定用的模板的凹部
440 第3～第5树脂厚度规定用的模板
442 第3～第5树脂厚度规定用的模板的凹部
442a 第3～第5树脂厚度规定用的模板的凹部的凹陷
435 对位用的标记
500 1级模板
501 台阶构造
600 多级模板
700 具遮光材料层的多级模板

Claims (35)

1.一种模板，其是用于将凹凸构造的转印图案转印到被转印基板之上的树脂的压印光刻的模板，该模板的特征在于，
在基部的主面之上具有第1台阶构造，
在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，
在上述第2台阶构造的上表面具有上述转印图案，
上述第1台阶构造的上表面的、上述第2台阶构造的外侧的区域被遮光膜所覆盖。
2.一种模板，其是用于将凹凸构造的转印图案转印到被转印基板之上的树脂的压印光刻的模板，该模板的特征在于，
在基部的主面之上具有第1台阶构造，
在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，
在上述第2台阶构造的上表面具有构成上述转印图案的第1凹凸构造体及构成对准标记的第2凹凸构造体，
上述第1台阶构造的上表面的、上述第2台阶构造的外侧的区域被遮光膜所覆盖，
在上述遮光膜之上及上述第2凹凸构造体的凹部的底面之上，形成有由与构成上述基部的材料不同的材料膜构成的高对比度膜。
3.根据权利要求1或2所述的模板，其特征在于，
在将自上述基部的主面至上述第1台阶构造之上的上述遮光膜的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，
将自上述基部的主面至上述第2台阶构造的上表面的上述转印图案的凹部的底面为止的垂直方向的距离设为H2的情况下，
成为H1＜H2的关系。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的模板，其特征在于，
在将自上述基部的主面至上述第1台阶构造之上的上述遮光膜的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，
将自上述基部的主面至上述第2台阶构造的上表面为止的垂直方向的距离设为H3，
将自上述基部的主面的外缘至上述第1台阶构造的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D1，
将自上述基部的主面的外缘至上述第2台阶构造的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D2的情况下，
成为H1≤H3×(D1/D2)的关系。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的模板，其特征在于，
在上述基部的与主面相反的一侧的面，具有俯视下包含上述第2台阶构造的凹陷部。
6.根据权利要求5所述的模板，其特征在于，
上述凹陷部俯视下包含上述第1台阶构造。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的模板，其特征在于，
上述遮光膜的波长365nm下的透过率为10％以下。
8.一种模板坯，其是用以制造用于将凹凸构造的转印图案转印到被转印基板之上的树脂的压印光刻的模板的模板坯，该模板坯的特征在于，
在基部的主面之上具有第1台阶构造，
在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，
上述第1台阶构造的上表面的、上述第2台阶构造的外侧的区域被遮光膜所覆盖。
9.根据权利要求8所述的模板坯，其特征在于，
在将自上述基部的主面至上述第1台阶构造之上的上述遮光膜的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，
将自上述基部的主面至上述第2台阶构造的上表面为止的垂直方向的距离设为H4的情况下，
成为H1＜H4的关系。
10.根据权利要求8或9所述的模板坯，其特征在于，
在将自上述基部的主面至上述第1台阶构造之上的上述遮光膜的上表面为止的垂直方向的距离设为H1，
将自上述基部的主面至上述第2台阶构造的上表面为止的垂直方向的距离设为H4，
将自上述基部的主面的外缘至上述第1台阶构造的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D1，
将自上述基部的主面的外缘至上述第2台阶构造的上表面的外缘为止的水平方向的距离设为D2的情况下，
成为H1≤H4×(D1/D2)的关系。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的模板坯，其特征在于，
在上述基部的与主面相反的一侧的面，具有俯视下包含上述第2台阶构造的凹陷部。
12.根据权利要求11所述的模板坯，其特征在于，
上述凹陷部俯视下包含上述第1台阶构造。
13.根据权利要求8～12中任一项所述的模板坯，其特征在于，
上述遮光膜的波长365nm下的透过率为10％以下。
14.一种压印用模板基板的制造方法，其是在基部的主面之上具有第1台阶构造，在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，且在上述第1台阶构造的上表面之上具有遮光膜的压印用模板基板的制造方法，该制造方法的特征在于，依次包括：
具遮光材料层的多级模板基板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造且在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上具有遮光材料层的具遮光材料层的多级模板基板；
树脂层形成步骤，在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成第1树脂层，在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成厚度较上述第1树脂层薄的第2树脂层；
第2树脂层去除步骤，通过干式蚀刻，一面将上述第1树脂层保留，一面将上述第2树脂层去除；以及
遮光膜形成步骤，将残存的上述第1树脂层用作掩模而对上述遮光材料层进行蚀刻，一面将形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层保留，一面将形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层去除，
上述树脂层形成步骤包含树脂厚度规定步骤，该树脂厚度规定步骤使用在与树脂接触的主面侧具有凹部的树脂厚度规定用的模板，将上述树脂厚度规定用的模板的该凹部的外周部的上表面压抵于第1树脂，将上述树脂厚度规定用的模板的凹部的底面压抵于第2树脂，上述第1树脂是滴在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，上述第2树脂是滴在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，
上述树脂厚度规定用的模板的上述凹部的深度小于自上述第1台阶构造的上表面至上述第2台阶构造的上表面为止的高度。
15.根据权利要求14所述的压印用模板基板的制造方法，其特征在于，
上述树脂层形成步骤包含：
上述树脂厚度规定步骤；以及
树脂硬化步骤，在压抵上述树脂厚度规定用的模板的状态下，通过紫外线照射使上述第1树脂及上述第2树脂硬化而形成上述第1树脂层及上述第2树脂层。
16.根据权利要求14或15所述的压印用模板基板的制造方法，其特征在于，
上述具遮光材料层的多级模板基板准备步骤依次包括：
多级模板基板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造的多级模板基板；以及
遮光材料层形成步骤，在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上形成遮光材料层。
17.根据权利要求16所述的压印用模板基板的制造方法，其特征在于，
上述多级模板基板准备步骤依次包括：
1级模板基板准备步骤，准备在上述基部的主面之上具有1级的台阶构造的1级模板基板；
蚀刻掩模形成步骤，在上述1级模板基板的上述台阶构造的上表面的成为转印图案区域的区域形成蚀刻掩模；以及
多级化步骤，使用上述蚀刻掩模对上述台阶构造进行蚀刻，从而形成下级的第1台阶构造及上级的第2台阶构造。
18.一种压印用模板的制造方法，其是在基部的主面之上具有第1台阶构造，在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，在上述第1台阶构造的上表面之上具有遮光膜，且在上述第2台阶构造的上表面具有凹凸构造的转印图案的压印用模板的制造方法，该制造方法的特征在于，依次包括：
具遮光材料层的多级模板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造，在上述第2台阶构造的上表面具有凹凸构造的转印图案，且在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上具有遮光材料层的具遮光材料层的多级模板；
第1及第2树脂层形成步骤，在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成第1树脂层，在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成厚度较上述第1树脂层薄的第2树脂层；
第2树脂层去除步骤，通过干式蚀刻，一面将上述第1树脂层保留，一面将上述第2树脂层去除；以及
遮光膜形成步骤，将残存的上述第1树脂层用作掩模而对上述遮光材料层进行蚀刻，一面将形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层保留，一面将形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层去除，
上述第1及第2树脂层形成步骤包含第1及第2树脂厚度规定步骤，该第1及第2树脂厚度规定步骤使用在与树脂接触的主面侧具有凹部的第1及第2树脂厚度规定用的模板，将上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的该凹部的外周部的上表面压抵于第1树脂，将上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的凹部的底面压抵于第2树脂，上述第1树脂是滴在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，上述第2树脂是滴在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，
上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的上述凹部的深度小于自上述第1台阶构造的上表面至上述第2台阶构造的上表面为止的高度。
19.一种压印用模板的制造方法，其是在基部的主面之上具有第1台阶构造，在上述第1台阶构造之上具有第2台阶构造，在上述第1台阶构造的上表面之上具有遮光膜，且在上述第2台阶构造的上表面具有凹凸构造的转印图案的压印用模板的制造方法，该制造方法的特征在于，依次包括：
具遮光材料层的多级模板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造，在上述第2台阶构造的上表面具有构成上述转印图案的第1凹凸构造体及构成对准标记的第2凹凸构造体，且在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上具有遮光材料层的具遮光材料层的多级模板；
第1及第2树脂层形成步骤，在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成第1树脂层，在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上形成厚度较上述第1树脂层薄的第2树脂层；
第2树脂层去除步骤，通过干式蚀刻，一面将上述第1树脂层保留，一面将上述第2树脂层去除；
遮光膜形成步骤，将残存的上述第1树脂层用作掩模而对上述遮光材料层进行蚀刻，一面将形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层保留，一面将形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层去除，由此在上述第1台阶构造的上表面之上形成遮光膜；
高对比度层形成步骤，在上述遮光膜之上、上述第1凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上、以及上述第2凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上形成高对比度层；
第3～第5树脂层形成步骤，在形成在上述遮光膜之上的上述高对比度层之上形成第3树脂层，在形成在上述第1凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上的上述高对比度层之上形成膜厚较上述第3树脂层薄的第4树脂层，在形成在上述第2凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上的上述高对比度层之上形成膜厚较上述第4树脂层厚的第5树脂层；
第4树脂层去除步骤，通过干式蚀刻，一面将上述第3树脂层及上述第5树脂层保留，一面将上述第4树脂层去除；以及
高对比度膜形成步骤，将残存的上述第3树脂层及上述第5树脂层用作掩模而对上述高对比度层进行蚀刻，一面将形成在上述遮光膜之上及上述第2凹凸构造体的凹部的底面之上的上述高对比度层保留，一面将形成在上述第1凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上、以及上述第2凹凸构造体的凸部的上表面之上的上述高对比度层去除，
上述第1及第2树脂层形成步骤包含第1及第2树脂厚度规定步骤，该第1及第2树脂厚度规定步骤使用在与树脂接触的主面侧具有凹部的第1及第2树脂厚度规定用的模板，将上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的该凹部的外周部的上表面压抵于第1树脂，将上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的凹部的底面压抵于第2树脂，上述第1树脂是滴在形成在上述第1台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，上述第2树脂是滴在形成在上述第2台阶构造的上表面之上的遮光材料层之上的树脂，
上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的上述凹部的深度小于自上述第1台阶构造的上表面至上述第2台阶构造的上表面为止的高度，
上述第3～第5树脂层形成步骤包含第3～第5树脂厚度规定步骤，该第3～第5树脂厚度规定步骤使用在与树脂接触的主面侧具有凹部且具有形成在上述凹部的底面侧的凹陷的第3～第5树脂厚度规定用的模板，将上述第3～第5树脂厚度规定用的模板的凹部的外周部的上表面压抵于第3树脂，将上述第3～第5树脂厚度规定用的模板的凹部的底面压抵于第4树脂及第5树脂，将上述凹陷的底面压抵于上述第5树脂，上述第3树脂是滴在形成在上述遮光膜之上的上述高对比度层之上的树脂，上述第4树脂是滴在形成在上述第1凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上的上述高对比度层之上的树脂，上述第5树脂是滴在形成在上述第2凹凸构造体的凸部的上表面及凹部的底面之上的上述高对比度层之上的树脂，
上述第3～第5树脂厚度规定用的模板的上述凹部的除上述凹陷以外的部分的深度小于自形成在上述遮光膜之上的上述高对比度层的上表面至形成在上述第1凹凸构造体的凹部的底面之上的上述高对比度层的上表面为止的高度。
20.根据权利要求18或19所述的压印用模板的制造方法，其特征在于，
上述第1及第2树脂层形成步骤包含：
上述第1及第2树脂厚度规定步骤；以及
第1及第2树脂硬化步骤，在压抵上述第1及第2树脂厚度规定用的模板的状态下，通过紫外线照射使上述第1树脂及上述第2树脂硬化而形成上述第1树脂层及上述第2树脂层。
21.根据权利要求18～20中任一项所述的压印用模板的制造方法，其特征在于，
上述具遮光材料层的多级模板准备步骤包含：
多级模板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造且在上述第2台阶构造的上表面具有上述转印图案的多级模板；以及
遮光材料层形成步骤，在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上形成遮光材料层。
22.根据权利要求21所述的压印用模板的制造方法，其特征在于，
上述多级模板准备步骤依次包括：
1级模板准备步骤，准备在上述基部的主面之上具有1级的台阶构造且在上述台阶构造的上表面具有上述转印图案的1级模板；
蚀刻掩模形成步骤，在上述1级模板的上述台阶构造的上表面的形成有上述转印图案的区域形成蚀刻掩模；以及
多级化步骤，使用上述蚀刻掩模对上述台阶构造进行蚀刻，从而形成下级的第1台阶构造及上级的第2台阶构造。
23.根据权利要求19所述的压印用模板的制造方法，其特征在于，
上述具遮光材料层的多级模板准备步骤依次包括：
多级模板准备步骤，准备具有上述第1台阶构造及上述第2台阶构造且在上述第2台阶构造的上表面具有上述转印图案的多级模板；以及
遮光材料层形成步骤，在上述第1台阶构造的上表面之上及上述第2台阶构造的上表面之上形成遮光材料层，
上述多级模板准备步骤依次包括：
1级模板基板准备步骤，准备在上述基部的主面之上具有1级的台阶构造的1级模板基板；
蚀刻掩模形成步骤，在上述1级模板基板的上述台阶构造的上表面的成为上述转印图案的区域形成蚀刻掩模；
多级化步骤，使用上述蚀刻掩模对上述台阶构造进行蚀刻，从而形成下级的第1台阶构造及上级的第2台阶构造；以及
转印图案形成步骤，在上述第2台阶构造的上表面形成上述转印图案。
24.一种模板，其特征在于，
在与树脂接触的主面侧具有凹部。
25.一种模板，其特征在于，
在与树脂接触的主面侧具有凹部，且具有形成在上述凹部的底面侧的凹陷。
26.根据权利要求24或25所述的模板，其特征在于，
在上述主面侧具有对位用的标记。
27.根据权利要求25所述的模板，其特征在于，
在上述主面侧具有对位用的标记，
上述对位用的标记是在上述主面侧形成在上述凹部的外侧的凹陷，
形成在上述凹部的底面侧的凹陷的深度与形成在上述凹部的外侧的凹陷的深度相同。
28.根据权利要求24～27中任一项所述的模板，其特征在于，
上述凹部的底面尺寸是10mm×10mm以上且70mm×70mm以下。
29.根据权利要求24～28中任一项所述的模板，其特征在于，
上述凹部的深度是0.3μm以上且10μm以下。
30.根据权利要求24～29中任一项所述的模板，其特征在于，
该模板用于权利要求14～17中任一项所述的压印用模板基板的制造方法，
上述凹部的深度小于上述压印用模板基板的自第1台阶构造的上表面至第2台阶构造的上表面为止的高度。
31.根据权利要求30所述的模板，其特征在于，
上述凹部的底面具有内含上述压印用模板基板的第2台阶构造的上表面的大小。
32.根据权利要求30或31所述的模板，其特征在于，
被上述凹部的外周部的上表面的外缘所包围的区域具有与上述压印用模板基板的被第1台阶构造的上表面的外缘所包围的区域相同的形状及相同的面积，或具有内含上述压印用模板基板的被第1台阶构造的上表面的外缘所包围的区域的大小。
33.根据权利要求24～29中任一项所述的模板，其特征在于，
上述模板用于权利要求18所述的压印用模板的制造方法，
上述凹部的深度小于上述压印用模板的自第1台阶构造的上表面至第2台阶构造的上表面为止的高度。
34.根据权利要求33所述的模板，其特征在于，
上述凹部的底面具有内含上述压印用模板的第2台阶构造的上表面的大小。
35.根据权利要求33或34所述的模板，其特征在于，
被上述凹部的外周部的上表面的外缘所包围的区域具有与上述压印用模板的被第1台阶构造的上表面的外缘所包围的区域相同的形状及相同的面积，或具有内含上述压印用模板的被第1台阶构造的上表面的外缘所包围的区域的大小。
CN201780031739.0A 2016-05-25 2017-05-24 模板和模板坯 Active CN109155237B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410162351.6A CN117976523A (zh) 2016-05-25 2017-05-24 压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、以及模板

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-104729 2016-05-25
JP2016104729 2016-05-25
JP2016-184903 2016-09-21
JP2016184903 2016-09-21
PCT/JP2017/019415 WO2017204260A1 (ja) 2016-05-25 2017-05-24 テンプレート及びテンプレートブランクス、並びにインプリント用テンプレート基板の製造方法、インプリント用テンプレートの製造方法、及び、テンプレート

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410162351.6A Division CN117976523A (zh) 2016-05-25 2017-05-24 压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、以及模板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109155237A true CN109155237A (zh) 2019-01-04
CN109155237B CN109155237B (zh) 2024-02-23

Family

ID=60411349

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410162351.6A Pending CN117976523A (zh) 2016-05-25 2017-05-24 压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、以及模板
CN201780031739.0A Active CN109155237B (zh) 2016-05-25 2017-05-24 模板和模板坯

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410162351.6A Pending CN117976523A (zh) 2016-05-25 2017-05-24 压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、以及模板

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11340526B2 (zh)
JP (1) JP7056013B2 (zh)
KR (1) KR102336560B1 (zh)
CN (2) CN117976523A (zh)
TW (1) TWI633584B (zh)
WO (1) WO2017204260A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111061124A (zh) * 2019-12-23 2020-04-24 杭州欧光芯科技有限公司 带切割道的紫外固化纳米压印模具及方法
CN112305859A (zh) * 2020-11-17 2021-02-02 国家纳米科学中心 一种纳米压印模板及其制备方法和应用

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7022615B2 (ja) * 2018-02-26 2022-02-18 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、モールドの製造方法、および、物品の製造方法
JP7027200B2 (ja) * 2018-03-09 2022-03-01 キオクシア株式会社 レプリカテンプレートの製造方法、及び半導体装置の製造方法
WO2019198668A1 (ja) * 2018-04-09 2019-10-17 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用テンプレート及びその製造方法、並びに、２段メサブランクス及びその製造方法
JP6956869B2 (ja) * 2018-05-30 2021-11-02 富士フイルム株式会社 パターン原盤、パターン原盤の製造方法、モールドの製造方法および基体の製造方法
JP7139751B2 (ja) * 2018-07-24 2022-09-21 大日本印刷株式会社 インプリントモールドの製造方法
JP7395303B2 (ja) 2019-09-30 2023-12-11 キヤノン株式会社 インプリント用モールド、インプリント方法および物品の製造方法
JP7346268B2 (ja) * 2019-12-05 2023-09-19 キヤノン株式会社 インプリント用のテンプレート、テンプレートを用いたインプリント方法
JP2021150461A (ja) 2020-03-18 2021-09-27 キオクシア株式会社 テンプレート、パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP2023537471A (ja) * 2020-08-03 2023-09-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド シームレスソフトスタンプを製造するための装置及び方法
US20230205080A1 (en) * 2021-12-27 2023-06-29 Canon Kabushiki Kaisha Template, method of forming a template, apparatus and method of manufacturing an article
WO2023190168A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 大日本印刷株式会社 硬化膜形成方法、インプリントモールド用基板の製造方法、インプリントモールドの製造方法、凹凸構造体の製造方法、パターン形成方法、ハードマスク形成方法、絶縁膜形成方法及び半導体装置の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103915A (ja) * 2005-09-06 2007-04-19 Canon Inc モールド、インプリント方法、及びチップの製造方法
JP2009023113A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Dainippon Printing Co Ltd インプリントモールド
CN102162992A (zh) * 2010-02-24 2011-08-24 佳能株式会社 压印装置、用于压印装置中的模板、以及物品的制造方法
JP2012204429A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp インプリント用テンプレート、その製造方法及びパターン形成方法
JP2013168604A (ja) * 2012-02-17 2013-08-29 Fujifilm Corp ナノインプリント用モールドの製造方法
JP2014011254A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Dainippon Printing Co Ltd 位置合わせマーク、該マークを備えたテンプレート、および、該テンプレートの製造方法
JP2016072415A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 Hoya株式会社 基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びインプリントモールドの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6482742B1 (en) 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
JP2002093748A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> インプリント装置及びインプリント方法
US20080160129A1 (en) 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US7396475B2 (en) 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography
US8011916B2 (en) 2005-09-06 2011-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint apparatus, and process for producing structure
JP2010171109A (ja) 2009-01-21 2010-08-05 Toppan Printing Co Ltd インプリント用金型の原版及びインプリント用金型原版の製造方法
JP5407525B2 (ja) * 2009-04-27 2014-02-05 大日本印刷株式会社 ナノインプリント転写用基板およびナノインプリント転写方法
JP2013016734A (ja) * 2011-07-06 2013-01-24 Sumitomo Electric Ind Ltd ナノインプリント用モールドを作製する方法
KR20150008369A (ko) * 2012-06-13 2015-01-22 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 기능 전사체, 기능층의 전사 방법, 곤포물 및 기능 전사 필름 롤
JP5983218B2 (ja) 2012-09-11 2016-08-31 大日本印刷株式会社 ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法
JP6075129B2 (ja) * 2013-03-11 2017-02-08 大日本印刷株式会社 テンプレートの製造方法
JP2015170828A (ja) * 2014-03-11 2015-09-28 富士フイルム株式会社 プラズマエッチング方法およびパターン化基板の製造方法
JP5773024B2 (ja) * 2014-04-25 2015-09-02 大日本印刷株式会社 ナノインプリントによるパターン形成装置
JP6446943B2 (ja) 2014-09-24 2019-01-09 大日本印刷株式会社 インプリント用テンプレート及びインプリント方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103915A (ja) * 2005-09-06 2007-04-19 Canon Inc モールド、インプリント方法、及びチップの製造方法
JP2009023113A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Dainippon Printing Co Ltd インプリントモールド
US20100189839A1 (en) * 2007-07-17 2010-07-29 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Imprint mold
CN102162992A (zh) * 2010-02-24 2011-08-24 佳能株式会社 压印装置、用于压印装置中的模板、以及物品的制造方法
JP2012204429A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp インプリント用テンプレート、その製造方法及びパターン形成方法
JP2013168604A (ja) * 2012-02-17 2013-08-29 Fujifilm Corp ナノインプリント用モールドの製造方法
JP2014011254A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Dainippon Printing Co Ltd 位置合わせマーク、該マークを備えたテンプレート、および、該テンプレートの製造方法
JP2016072415A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 Hoya株式会社 基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びインプリントモールドの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111061124A (zh) * 2019-12-23 2020-04-24 杭州欧光芯科技有限公司 带切割道的紫外固化纳米压印模具及方法
CN112305859A (zh) * 2020-11-17 2021-02-02 国家纳米科学中心 一种纳米压印模板及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
US11340526B2 (en) 2022-05-24
JP2018056545A (ja) 2018-04-05
TWI633584B (zh) 2018-08-21
CN117976523A (zh) 2024-05-03
US20220236642A1 (en) 2022-07-28
KR102336560B1 (ko) 2021-12-08
TW201743368A (zh) 2017-12-16
CN109155237B (zh) 2024-02-23
JP7056013B2 (ja) 2022-04-19
KR20190013764A (ko) 2019-02-11
WO2017204260A1 (ja) 2017-11-30
US20190086798A1 (en) 2019-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109155237A (zh) 模板和模板坯、及压印用模板基板的制造方法、压印用模板的制造方法、以及模板
KR100849377B1 (ko) 리소그래픽 템플레이트
US11054740B2 (en) Imprint mold and method for manufacturing the same
JP4939994B2 (ja) パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
JP7139751B2 (ja) インプリントモールドの製造方法
JP6281592B2 (ja) レプリカテンプレートの製造方法
JP4595548B2 (ja) マスク基板及びマイクロレンズの製造方法
KR100670835B1 (ko) 나노임프린트 몰드 제작 방법
JP2007035998A (ja) インプリント用モールド
US20090285926A1 (en) Apparatus for enhancing hardness of nanoimprint mold and method thereof
JP6631271B2 (ja) インプリントモールドの製造方法
JP7124585B2 (ja) レプリカモールドの製造方法
JP7302347B2 (ja) インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法
KR101990595B1 (ko) 특정 영역에 나노 패턴을 가진 나노 임프린트 복제 몰드의 제작 방법 및 방법 및 상기 방법에 의해 제작된 나노 임프린트 복제 몰드
JP2004200577A (ja) 微細構造体の形成方法
JP2019145578A (ja) ブランクス基材、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法及びインプリント方法
KR102096180B1 (ko) 산화막 임프린팅 기법을 이용한 기판 패턴 형성 장치 및 방법
JP2012009776A (ja) 基板作製方法
JP6638493B2 (ja) 多段構造体を有するテンプレートの製造方法
JP2023131721A (ja) インプリントモールド用基板、インプリントモールド用ブランク、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法、電子部品の製造方法、および光学部品の製造方法
KR100209370B1 (ko) 중첩도 측정 마크용 마스크 및 그를 이용한 중첩도 마크 제조방법
JP2022165200A (ja) インプリントモールド及びテンプレートの製造方法、並びに描画システム
CN117348136A (zh) 离轴照明光栅及其制备方法、可分离式离轴照明光刻掩模
TW201943529A (zh) 奈米壓印用模片及其製造方法、及、2段台面基底及其製造方法
JP2001013676A (ja) 近接場光露光用マスクおよびその作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant