JP7022615B2 - インプリント方法、インプリント装置、モールドの製造方法、および、物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント技術に関し、特に、インプリント方法、インプリント装置、モールドの製造方法、および、物品の製造方法に関する。

インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、磁気記憶媒体および半導体デバイス等の物品の量産向けのリソグラフィ技術の一つとして注目されている。この技術の最も一般的な形態は、微細な凹凸パターンが形成されたモールド（型）と基板の上に配置されたインプリント材とを接触させ、その状態でインプリント材を硬化させた後に、硬化したインプリント材とモールドとを分離するものである。

インプリント技術を用いたリソグラフィ工程においても、露光装置を用いたフォトリソグラフィ工程と同様に、基板上にあらかじめ作り込まれたパターンまたは構造に対して、新たに形成すべきパターンを重ね合わせることが一般的に行われている。その重ね合わせ精度の向上がインプリント技術によって製造される物品の性能および歩留まりの向上のために重要である。

特許文献１には、反りを持つ基板が基板チャックによって保持された際の基板のショット領域のディストーション成分を求め、このディストーション成分に応じて型および基板の少なくとも一方の形状または位置を制御することが記載されている。特許文献２には、基板に光を照射することによって基板を変形させ、重ね合わせ精度を向上させることが記載されている。

特開２０１７－５０４２８号公報 特許第５９３２２８６号公報

基板の表面に凹凸が存在する場合、基板上のインプリント材とモールドのパターン部とを接触させた際に、基板の表面の凹凸にならった撓みを有するようにモールドのパターン部や相対する基板のショット領域が変形しうる。この撓みによってモールドのパターン部に形成されているパターンと相対する基板のショット領域に形成されているパターンとが設計上の位置関係（面方向の位置関係）からシフトしうる。また、モールドのパターン部の表面に凹凸が存在する場合においても、基板上のインプリント材とパターン部とを接触させた際に、パターン部や相対する基板のショット領域が変形しうる。このような変形によっても、モールドのパターン部に形成されているパターンと相対する基板のショット領域に形成されているパターンとが設計上の位置関係（面方向の位置関係）からシフトしうる。

図１６には、基板のショット領域１６００が例示されている。ショット領域１６００は、少なくとも一方のチップ領域１６０２と、スクライブライン１６０３と、複数のアライメントマーク１６０１とを有しうる。複数のアライメントマーク１６０１は、スクライブライン１６０３に配置されうる。モールドのパターン部も、ショット領域１６００に対応するように、少なくとも一方のチップ領域と、スクライブラインと、複数のアライメントマークとを有しうる。

基板のショット領域１６００の上に配置されたインプリント材にモールドのパターン部を接触させた後にインプリント材を硬化させてインプリント材の硬化物からなるパターンを形成するインプリント処理において、アライメント処理がなされる。アライメント処理では、基板のショット領域１６００のアライメントマークとモールドのパターン部のアライメントマークとの相対位置が検出される。その検出結果に基づいて、基板とモールドとの相対位置、相対形状および相対回転が調整され、また、ショット領域およびパターン部の少なくとも一方の形状が調整される。

上記のようなアライメント処理では、基板の上のインプリント材とモールドのパターン部との接触によって起こる面方向におけるパターンのシフトがあったとしても、アライメントマークが存在する領域の近傍では、比較的高い重ね合わせ精度が得られる。しかし、アライメントマークから離れた領域では、基板の上のインプリント材とモールドのパターン部との接触によって起こるパターン部の局所的な変形による面方向におけるパターンのシフトを補償することができない。

なお、特許文献１では、基板が基板チャックによって矯正されることによるディストーションが考慮されているが、基板の上のインプリント材とモールドのパターン部とが接触することによるパターンのシフトは考慮されてない。

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、重ね合わせ精度の向上に有利な技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、基板のショット領域の上のインプリント材とモールドのパターン部とが接触した接触状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うインプリント方法に係り、前記インプリト方法は、前記接触状態での前記パターン部の厚さ方向における前記ショット領域および前記パターン部の少なくとも一方の表面の形状を示す形状情報に応じて、前記厚さ方向に直交する面方向における前記ショット領域の歪および前記面方向における前記パターン部の歪の少なくとも一方の調整を行う調整工程を含む。

本発明によれば、重ね合わせ精度の向上に有利な技術が提供される。

第１実施形態のインプリント装置を示す図。 第１実施形態のインプリント方法の手順を示す図。 基板の構成を例示する図。 インプリント材とパターン部との接触前のパターン部の厚さ方向における形状（ａ）および接触後のパターン部の厚さ方向における形状（ｂ）を模式的に示す図。 インプリント材とパターン部との接触前のパターン部の面方向における歪（ａ）、接触後のパターン部の面方向における歪（ｂ）、アライメントマークの配置（ｃ）を模式的に示す図。 インプリント材とパターン部との接触前のパターン部の面方向における歪（ａ）および接触後のパターン部の面方向における歪（ｂ）を模式的に示す図。 インプリント材とパターン部との接触前のパターン部におけるパターンのシフト（ａ）、接触後のパターン部の面方向におけるパターンのシフト（ｂ）、アライメントマークの配置（ｃ）を模式的に示す図。 インプリント材とパターン部との接触前のパターン部の面方向におけるパターンのシフト（ａ）および接触後のパターン部の面方向におけるパターンのシフト（ｂ）を模式的に示す図。 第２実施形態のインプリント装置を示す図。 第２実施形態のインプリント方法の手順を示す図。 インプリント材とパターン部との接触前のパターン部の面方向における歪（ａ）および接触後のパターン部の面方向における歪（ｂ）を模式的に示す図。 インプリント材とパターン部との接触前のパターン部の面方向におけるパターンのシフト（ａ）および接触後のパターン部の面方向におけるパターンのシフト（ｂ）を模式的に示す図。 基板の表面の凹凸を階調によって示す図（ａ）およびモールドのパターン部またはインプリント材の表面の凹凸を階調によって示す図（ｂ）。 インプリント材とパターン部との接触前のパターン部の面方向における歪（ａ）および接触後のパターン部の面方向における歪（ｂ）を模式的に示す図。 インプリント材とパターン部との接触前のパターン部の面方向におけるパターンのシフト（ａ）および接触後のパターン部の面方向におけるパターンのシフト（ｂ）を模式的に示す図。 基板のショット領域を例示する図。 物品の製造方法を例示する図。 物品の製造方法を例示する図。

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。図１には、本発明の第１実施形態のインプリント装置１００の構成が示されている。インプリント装置１００は、基板１０６のショット領域の上のインプリント材１０５とモールド１０３のパターン部１０４とが接触した状態でインプリント材１０５を硬化させるインプリント処理を行う。インプリント材１０５の硬化によってインプリント材１０５の硬化物からなるパターンが形成される。

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により硬化する光硬化性組成物でありうる。あるいは、硬化性組成物は、加熱により硬化する熱硬化性組成物、または、冷却により硬化する熱可塑性組成物でありうる。これらのうち、光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材は、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。あるいは、インプリント材は、スピンコート法、スリットコート法、スクリーン印刷法等の方法で基板の上に塗布あるいは配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体（ＧａＮ、ＳｉＣ）ウエハ、石英ガラスである。

本明細書および添付図面では、基板１０６の表面に平行な方向をＸＹ平面とし、基板１０６およびモールド１０３の厚さ方向をＺ軸とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。位置合わせは、基板および型の少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。

インプリント装置１００は、基板チャック１０７、基板駆動機構１０９、基板背圧調整器１１１、ディスペンサ１１２、制御部１１３、モールドチャック１０２、モールド駆動機構１１５、モールド背圧調整器１１０、硬化部１０８および計測器１１６を備えうる。基板チャック１０７は、基板１０６を保持（チャッキング）する。基板駆動機構１０９は、基板１０６が複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動されるように基板チャック１０７を駆動する。基板背圧調整器１１１は、基板チャック１０７が基板１０６を保持（チャッキング）するための圧力（負圧）を基板チャック１０７に供給する。基板チャック１０７は、複数の区画された吸引領域を含むことができ、基板背圧調整器１１１は、該複数の区画の圧力を個別に調整しうる。

モールド１０３は、パターン部１０４を有し、パターン部１０４は、凸部および凹部からなるパターンを有しうる。パターン部１０４は、その周辺部よりも突出したメサを構成しうる。基板１０６の上のインプリント材とパターン部１０４とが接触した状態において、未硬化のインプリント材１０５は、パターン部１０４の外側にはみ出すことが表面張力によって抑制されうる。モールド１０３の材質は、特に限定されないが、例えば、金属、シリコン、樹脂またはセラミックで構成されうる。インプリント材１０５として光硬化性組成物が採用される場合、モールド１０３は、石英、サファイア、透明樹脂といった光透過性の材料で構成されうる。

モールドチャック１０２は、モールド１０３を保持（チャッキング）する。モールド駆動機構１１５は、モールド１０３が複数の軸（例えば、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動されるようにモールドチャック１０２を駆動する。モールドチャック１０２には、モールド１０３の背面（基板１０６あるいはインプリント材に転写すべきパターンが形成された面の反対側の面）に圧力を加えるための密閉空間ＳＰを画定するための窓部材１０１が設けられうる。モールド背圧調整器１１０は、密閉空間ＳＰの圧力を調整する。例えば、モールド背圧調整器１１０が密閉空間ＳＰの圧力を上昇させることによって、パターン部１０４は、下方に凸形状になるように変形しうる。また、モールド背圧調整器１１０が密閉空間ＳＰの圧力を低下させることによってパターン部１０４を凹形状になるように変形しうる。

硬化部１０８は、基板１０６のショット領域の上のインプリント材１０５とモールド１０３のパターン部１０４とが接触し、パターン部１０４の凹部にインプリント材１０５が十分に充填された状態でインプリント材１０５に硬化用のエネルギーを与える。これによって、インプリント材１０５が硬化する。

計測器１１６は、基板１０６のショット領域に設けられたアライメントマークとモールド１０３のパターン部１０４に設けられたアライメントマークとの相対位置を計測する。ショット領域には複数のアライメントマークが設けられ、これに対応するようにパターン部１０４にも複数のアライメントマークが設けられている。これらのアライメントマークを利用して、ショット領域とパターン部１０４との相対位置、相対回転、更には、相対的な形状差を示す情報を得ることができる。この情報に基づいて、ショット領域とパターン部１０４とがアライメントされうる。アライメントには、基板駆動機構１０９、モールド駆動機構１１５、ショット領域を変形させる基板変形機構（不図示）、および、パターン部１０４を変形させるモールド変形機構（不図示）の少なくとも１つが使用されうる。

インプリント材１０５は、インプリント装置１００の外部において、スピンコート法、スリットコート法、スクリーン印刷法等の方法で基板１０６の上に塗布あるいは配置されうる。あるいは、インプリント材１０５は、インプリント装置１００に備えられたディスペンサ１１２によって基板１０６の上に供給あるいは配置されうる。ディスペンサ１１２は、例えば、空圧式、機械式、インクジェット式等の方式でインプリント材１０５の基板１０６の上に供給あるいは吐出しうる。このような方式は、基板１０６の上に形成すべきパターンの密度に応じて基板１０６の上に供給するインプリント材１０５の分布を調整するために有利である。基板１０６へのインプリント材１０５の供給からインプリント材１０５とモールド１０３のパターン部１０４との接触までの時間を短時間で行うことによって、揮発性が高く粘度が低いインプリント材１０５の使用が可能になる。これにより、充填時間（パターン部１０４のパターンへのインプリント材１０５の充填時間）を短縮することができる。

以下、インプリント装置１００の動作を例示的に説明する。この動作は、制御部１１３によって制御される。まず、インプリント材１０５が塗布された基板１０６がインプリント装置１００に供給されるか、または、基板１０６の１又は複数のショット領域にディスペンサ１１２によってインプリント材１０５が配置される。次に、パターンを形成すべきショット領域が基板駆動機構１０９によってモールド１０３のパターン部１０４の直下に位置決めされる。

次に、モールド背圧調整器１１０による密閉空間ＳＰの加圧によってパターン部１０４を下方に凸形状に変形させる。そして、その状態で、ショット領域の上のインプリント材１０５とパターン部１０４とが接触するようにモールド駆動機構１１５によってモールド１０３が駆動される。この動作は、基板駆動機構１０９が基板１０６を駆動することによってなされてもよい。その後、モールド背圧調整器１１０が密閉空間ＳＰの圧力を低下させることによってパターン部１０４が平坦に戻されながら、インプリント材１０５とパターン部１０４との接触領域が拡大される。

パターン部１０４の全域がインプリント材１０５と接触し、パターン部１０４の凹部にインプリント材１０５が十分に充填された後、硬化部１０８によってインプリント材１０５に硬化用のエネルギーが供給され、インプリント材１０５が硬化する。インプリント材１０５が光硬化性組成物である場合には、硬化用のエネルギーとして、光、例えば、紫外光が使用されうる。インプリント材１０５が熱硬化性組成物である場合には、硬化用のエネルギーとして熱が使用されうる。インプリント材１０５が熱可塑性組成物である場合には、インプリント材１０５を冷却するためのエネルギーが使用されうる。

図２には、本発明の第１実施形態のインプリント方法の手順が示されている。工程Ｓ２０１～Ｓ２０５は、情報処理工程であり、典型的には、プログラムが組み込まれた情報処理装置（コンピュータ）２００によって実行されうる。以下では、該情報処理工程が情報処理装置２００によって実行される例を説明する。情報処理装置２００は、ＣＰＵと、工程Ｓ２０１～Ｓ２０５を実行するためのプログラムが格納されたメモリと、を含みうる。該プログラムは、電気通信回線を通して転送可能であり、また、半導体メモリまたは光学ディスク等のメモリ媒体を介して提供されうる。なお、本発明は、該情報処理工程の全部または一部が手計算によってなされることを排除するものではない。

工程Ｓ２０１では、情報処理装置２００は、モールド１０３および基板１０６に関する情報である部材情報を取得する。部材情報は、例えば、モールド１０３の厚さ方向における形状（厚さ方向における位置（高さ）の分布）、モールド１０３の面方向（厚さ方向に直交する方向）における形状に関する情報を含みうる。また、部材情報は、基板１０６の厚さ方向における形状、基板１０６の面方向における形状に関する情報を含みうる。モールド１０３および基板１０６の厚さ方向における形状に関する情報および面方向における形状に関する情報の少なくとも一部は、光学式計測装置または触針式計測装置等の計測装置による計測を通して準備されてもよい。モールド１０３および基板１０６の厚さ方向における形状に関する情報および面方向における形状に関する情報は、モールド１０３および基板１０６がそれぞれ有するパターンに関する情報を含みうる。部材情報は、更に、モールド１０３および基板１０６の材質、ヤング率、ポアソン比等に関する情報を含みうる。

工程Ｓ２０２では、情報処理装置２００は、インプリント装置１００において実行されるプロセスに関するプロセス情報を取得する。プロセス情報は、例えば、インプリント材１０５の材質、供給量、基板１０６上における分布、粘度、表面エネルギー、モールド１０３および基板１０６との接触角を含みうる。また、プロセス情報は、インプリント材１０５に対するモールド１０３の押し付け力、押し付け時間、モールド１０３に加えられる背圧、基板１０６に加えられる背圧等を含みうる。

工程Ｓ２０３では、情報処理装置２００は、工程Ｓ２０１、Ｓ２０２で取得した情報に基づいて、基板１０６のショット領域の上のインプリント材１０５とモールド１０３のパターン部１０４とが接触した状態（以下、「接触状態」という。）でのパターン部１０４の厚さ方向におけるパターン部１０４の表面の形状を示す形状情報を計算する。この例では、代替的に、接触状態におけるインプリント材１０５の表面の形状を形状情報として計算する。ここで、接触状態におけるインプリント材１０５の表面の形状は、接触状態におけるパターン部１０４の表面の形状と一致しているものと見做すことができる。

図３には、基板１０６の構成が例示されている。図３（ａ）には、基板１０６の全域が例示されている。基板１０６は、複数のショット領域３０１を有しうる。図３（ｂ）には、１つのショット領域３０１が例示されている。図３（ｃ）には、図３（ｂ）のＡ－Ａ’線における断面が例示されている。各ショット領域３０１は、１又は複数のチップ領域３０３を有しうる。また、各ショット領域３０１は、凸部３０２を含みうる。この例では、凸部３０２は、スクライブラインで構成されている。ショット領域３０１は、種々の原因により、凹凸を有しうる。１つの例において、基板１０６のショット領域は、パターン化された層を有し、接触状態での厚さ方向におけるショット領域の形状は、該パターン化された層による凹凸を有し、形状情報は、該凹凸を示す情報を含みうる。該凹凸は、ショット領域３０１あるいはチップ領域３０３の寸法を空間的な１つの周期とする局所的なものでありうる。

パターン部１０４は、アライメントマークを有し、形状情報は、パターン部１０４のうち該アライメントマークを有しない領域内にある複数の箇所について、厚さ方向における位置（高さ）を示す情報を含みうる。これにより、アライメントマークを有しない領域についても、基板１０６のパターンと、その上にインプリント処理によって形成されるパターン（または、パターン部１０４のパターン）との重ね合わせ精度を向上させることができる。これは、接触状態においてパターン部１０４に局所的な歪が存在する場合に有利である。これにより、従来方式と比較して仮に重ね合わせ検査の数値が同じであったとしても、歩留まりおよびデバイス性能を向上させることができる。

図４（ａ）は、インプリント装置１００において図３（ｂ）、（ｃ）に例示されるような凹凸を有する基板１０６のショット領域３０１の上にディスペンサ１１２によってインプリント材１０５が配置された状態が模式的に示されている。図４（ｂ）には、図４（ａ）におけるインプリント材１０５にモールド１０３のパターン部１０４を接触させた状態（接触状態）が模式的に示されている。パターン部１０４は、接触状態において、基板１０６の表面の形状に応じた形状を有する。しかし、基板１０６とパターン部１０４との間にはインプリント材１０５が存在し、また、パターン部１０４が相応の剛性を有することにより、パターン部１０４の表面の形状は、基板１０６の表面の形状とは一致しない。図４（ｂ）の例では、パターン部１０４は、スロープ４０１を有している。パターン部１０４の表面の形状は、パターン部１０４の表面に接するインプリント材１０５の表面の形状に一致しうる。図１３（ａ）には、図４（ａ）、（ｂ）に示される基板１０６の表面の凹凸が階調によって示されている。図１３（ｂ）には、モールド１０３のパターン部１０４またはインプリント材１０５の表面の凹凸が階調によって示されている。

工程Ｓ２０３における計算は、流体解析ツール、構造解析ツール等のシミュレーションツールを利用して行うことができる。あるいは、工程Ｓ２０３における計算は、過去に製造されたサンプルにおける、基板の表面形状とその上に配置された硬化したインプリント材の表面形状との関係から得られる予測式に基づいて行うことができる。

工程Ｓ２０４では、情報処理装置２００は、工程Ｓ２０１で取得した部材情報、および、工程Ｓ２０３において得られたインプリント材１０５の表面形状に基づいて、面方向におけるモールド１０３のパターン部１０４の歪を計算する。この計算は、構造解析ツール等のシミュレーションツールを利用して行われうる。あるいは、この計算は、過去に製造されたサンプルの評価結果に基づいて得られる予測式に基づいて行われうる。

図５（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図４（ａ）、（ｂ）に対応するパターン部１０４の平面図である。図５（ｃ）は、アライメントマークの配置をＸ印で示す平面図である。図５（ａ）において、黒丸は、基板１０６の上のインプリント材１０５にパターン部１０４が接触していない状態（非接触状態）でのパターン部１０４における注目点を例示している。図５（ｂ）において、矢印の長さおよび方向は、基板１０６の上のインプリント材１０５にパターン部１０４が接触した状態（接触状態）でのパターン部１０４における注目点のシフト、即ち、パターン部１０４の歪を例示している。この例では、基板１０６の上のインプリント材１０５に対するパターン部１０４の接触（押し付け）によって、全体的に注目点が外方向にシフトしている。図６（ａ）、（ｂ）には、それぞれ図５（ａ）、（ｂ）のＸ方向における位置と歪との関係が例示されている。横軸は、Ｘ方向における位置を示し、縦軸は各位置における歪の大きさおよび方向を例示している。

工程Ｓ２０５では、情報処理装置２００は、工程Ｓ２０４で計算したパターン部１０４の歪を低減、好ましく相殺するためのパターン部データを生成する。ここで、パターン部データは、例えば、パターン部１０４の形状、および、パターン部１０４に配置される個々のパターン（例えば、ラインパターン、コンタクトパターン）の位置を示すデータを含みうる。図７（ａ）には、図５（ｂ）に示されるパターン部１０４の歪を低減あるいは相殺するためのパターン部データが視覚化して示されている。図７（ｂ）には、図７（ａ）に示されたパターン部データに基づいて後の工程Ｓ２０６でパターン部１０４が作製されたモールド１０３を使って工程Ｓ２０７で基板１０６のショット領域の上に形成される個々のパターンのシフトが示されている。図７（ｃ）は、アライメントマークの配置がＸ印で示されている。

図７（ａ）において、矢印の長さおよび方向は、パターン部１０４に意図的に与えるべき注目点のシフト、即ち、パターン部１０４に意図的に与えるべき歪を示している。図７（ｂ）に示されるように、図５（ｂ）に示されるパターン部データに基づいて作製されたモールド１０３を使うことによって、インプリント材１０５とパターン部１０４との接触によって起こるパターンのシフトを低減することができる。図８（ａ）、（ｂ）には、それぞれ図７（ａ）、（ｂ）のＸ方向における位置と歪との関係が示されている。横軸は、Ｘ方向における位置を示し、縦軸は各位置におけるパターンのシフトの大きさおよび方向を示している。

工程Ｓ２０５では、情報処理装置２００は、設計上のパターン情報と、工程Ｓ２０４で得られた面方向におけるモールド１０３（パターン部１０４）の歪とに基づいて、歪を低減するためのデータを生成する。例えば、情報処理装置２００は、工程Ｓ２０４で得られた面方向におけるモールド１０３（パターン部１０４）の歪を－１倍して設計上のパターン情報に加算することによって歪を低減するためのパターン部データを生成することができる。

工程Ｓ２０６では、工程Ｓ２０５で生成されたデータに基づいて、パターン部１０４にパターンを形成することによって、モールド１０３が作製される。工程Ｓ２０７では、工程Ｓ２０６で作製されたモールド１０３を使ってインプリント装置１００において、基板１０６の各ショット領域に対してインプリント処理によってパターンが形成される。ここで、上記の方法でモールド１０３が作製されることによって、工程Ｓ２０７のインプリント処理において、基板および／またはモールドの変形機構によるショット領域および／またはパターン部１０４の変形を不要化、低減または最小化することができる。また、簡略化されたインプリント装置は、そのような変形機構を備えなくてもよい。そのようなインプリント装置では、複数のアライメントマークの計測結果に基づいてショット領域とパターン部１０４との相対的な位置および回転が調整されればよく、ショット領域とパターン部１０４との形状差は考慮されない。

工程Ｓ２０１～Ｓ２０７は、接触状態でのパターン部１０４の厚さ方向におけるパターン部１０４の表面の形状を示す形状情報に応じて、面方向におけるパターン部１０４の歪の調整を行う調整工程の一例である。

ここまでは、基板１０６が基板チャック１０７に十分な強さで保持され、インプリント材１０５とパターン部１０４との接触時における基板１０６の変形が無視できるものとして説明した。しかし、パターン部１０４のパターンへのインプリント材１０５の充填時の毛細管力に対して基板背圧調整器１１１の能力が小さいなどの理由によって、基板１０６が基板チャック１０７から浮き上がる場合がありうる。この浮き上がりにより、モールド１０３と同様に、厚さ方向に関して基板１０６が局所的に変形することになる。このような場合には、接触状態での面方向におけるモールド１０３の歪に加えて、面方向における基板１０６の歪を計算し、これらの歪の差分に基づいてパターン部１０４の歪およびパターン部１０４の歪の少なくも一方の調整を行うことが望ましい。

接触状態での基板１０６のショット領域の面方向における歪は、接触状態でのパターン部１０４の面方向における歪の計算と同様に、接触状態での厚さ方向における基板１０６のショット領域の表面の形状に基づいて計算することができる。

以上をまとめると、第１実施形態の調整工程によれば、まず、接触状態でのパターン部の厚さ方向におけるショット領域およびパターン部の少なくとも一方の表面の形状を示す形状情報が取得される。第１実施形態の調整工程によれば、次いで、この形状情報に応じて、面方向におけるショット領域の歪および面方向におけるパターン部の歪の少なくとも一方が調整される。

以下、上記の第１実施形態をより具体化した第１実施例のインプリント方法を説明する。モールド１０３を製造するためのブランクモールドとして、合成石英からなり、パターン部１０４の厚さが１ｍｍ、Ｘ方向、Ｙ方向の外形寸法がそれぞれ２６ｍｍ、３３ｍｍであるブランクモールドを準備した。

基板１０６として、ＳＥＭＩ規格に従う直径が３００ｍｍのＳｉウエハを準備した。ショット領域３０１のＸ方向、Ｙ方向の寸法は、それぞれ２６ｍｍ、３３ｍｍである。これらの寸法は、パターン部１０４の寸法と一致する。基板１０６は、パターン化された層を有し、この層によって凸部３０２が構成されている。凸部３０２は、高さが２５ｎｍであり、幅が全周にわたって１００μｍである。

インプリント材１０５としては、粘度が５ｃＰのＵＶ硬化性組成物を使用した。残膜部分（接触状態においてパターン部１０４の凸部と、それに相対する基板１０６の表面との間の部分）の厚さが２０ｎｍとなるようにショット領域３０１に配置した。ディスペンサ１１２としては、インクジェット方式のディスペンサを用いて、インプリント材１０５をショット領域３０１に離散的に配置した。接触状態においてインプリント材１０５が均一に広がるように、ショット領域３０１の全域において均一な密度となるようにインプリント材１０５を配置した。

インプリント材１０５にパターン部１０４を接触させる際のプロセス条件については、押し付け力を３Ｎ、押し付け時間を５ｓｅｃ、モールド１０３の背圧を＋５ｋＰａ、基板１０６の背圧を－９０ｋＰａとした。基板１０６の背圧を－９０ｋＰａとした場合、基板チャック１０７から基板１０６が浮き上がることはないことが確認されている。

以上の情報を過去の加工実績に基づく予測式に照らし合わせ、接触状態におけるインプリント材１０５の厚さ方向における表面形状を計算した。具体的には、基板１０６の凸部３０２の上におけるインプリント材１０５の膜厚が５ｎｍ、スロープ４０１の幅が片側１．２ｍｍ、これら以外の部分の膜厚が２０ｎｍであった。図１３（ａ）には、基板１０６の表面の凹凸が階調によって示されている。図１３（ｂ）には、モールド１０３のパターン部１０４またはインプリント材１０５の表面の凹凸が階調によって示されている。

次いで、計算によって得られた厚さ方向におけるインプリント材１０５の表面形状と、モールド１０３の形状および材質に関する情報とに基づいて、面方向におけるモールド１０３の歪を構造解析ツールにより計算した。具体的には、モールド１０３の外形形状、材質に基づいて３次元モデルを計算機上で作成し、インプリント材１０５の表面の形状の垂直方向成分（Ｚ方向の座標）を強制変位として有限要素法解析を行い、パターン部１０４の表面各点の面方向の移動量を計算した。より具体的には、有限要素法解析ソフトとしてはダッソー・システムズ社製のＡｂａｑｕｓを使用し、図１３（ｂ）に示すパターン部１０４の厚さ方向における表面形状から図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すパターン部１０４の表面各点の面方向のシフト量を計算した。図１６に例示されるように配置されたアライメントマークを使ったアライメント計測の結果からは予想し難い複雑な変形が生じていることがわかる。

次に、計算によって得られた面方向におけるモールド１０３の歪と設計上のパターン情報とに基づいて、歪を相殺するパターン部データを計算した。具体的には、設計上のパターンの各点のＸＹ座標から、パターン部１０４の表面各点の面方向におけるシフト量を差し引いたものを、修正後のパターンの各点のＸＹ座標とした。

次に、計算によって得られたパターン部データを用いてモールド１０３のパターン部１０４を形成した。パターン部１０４の形成に際しては、一般的な半導体製造向けフォトマスクの製造に用いられるのと同じ、電子線リソグラフィとエッチング工程を用いた。

以上ようにして作製されたモールド１０３を用いて、インプリント装置１００を用いて基板１０６の各ショット領域３０１にインプリント材１０５の硬化物からなるパターンを形成した。得られたインプリント材１０５の硬化物からなるパターンと、基板１０６の下地パターンとの重ね合わせ精度（重ね合わせ誤差）を重ね合わせ検査装置を用いて確認した。その結果、設計上のパターンそのままのモールド１０３を使用した場合が１５．８ｎｍであったのに対し、本実施例で作製したモールド１０３を使用した場合は８．２ｎｍであり、大幅な改善が見られた。歩留まりについては９２．７％から９６．９％へと向上した。

以下、本発明の第２実施形態のインプリント装置およびインプリント方法を説明する。なお、第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。図９には、第２実施形態のインプリント装置１００’の構成が示されている。第２実施形態のインプリント装置１００’は、モールド１０３（のパターン部１０４）の歪を調整するモールド歪調整部９０１、および、基板１０６（のショット領域）の歪を調整する基板歪調整部９０２を備えうる。モールド歪調整部９０１および基板歪調整部９０２は、モールド１０３のパターン部１０４の歪と基板１０６のショット領域の歪との差分を低減あるいは調整する歪調整部を構成するものと理解されてもよい。なお、これら歪の調整により、モールド１０３（のパターン部１０４）と基板１０６（のショット領域）のサイズの差の調整（倍率補正）も同時になされうる。

モールド歪調整部９０１は、例えば、モールド１０３の側面に面方向の力を与えることによってモールド１０３を変形させ、パターン部１０４の歪を調整する。基板歪調整部９０２は、例えば、特許文献２に開示されるように、ＤＭＤ（デジタル・ミラー・デバイス）を用いて基板１０６に対して制御された強度分布を有する光を照射し、これによって形成される温度分布により、基板１０６のショット領域の歪を調整する。図９に示された例では、硬化部１０８は、硬化用のエネルギーとしてインプリント材１０５に光を照射するように構成され、ハーフミラー９０３によって、硬化部１０８からの光と基板歪調整部９０２からの光が合成される。

インプリント装置１００’は、表面形状取得部９０６、歪計算部９０５および歪制御部９０４を備えうる。表面形状取得部９０６は、厚さ方向におけるモールド１０３および基板１０６の表面の形状を取得する。歪計算部９０５は、面方向におけるモールド１０３および基板１０６の歪を計算する。歪制御部９０４は、歪計算部９０５によって計算された歪に基づいてモールド歪調整部９０１および基板歪調整部９０２を制御する。表面形状取得部９０６、歪計算部９０５および歪制御部９０４は、制御部１１３に組み込まれてもよい。

図１０には、本発明の第１実施形態のインプリント方法の手順が示されている。工程Ｓ１００２～Ｓ１００５は、情報処理工程であり、典型的には、プログラムが組み込まれたコンピュータで構成されうる制御部１１３によって実行されうる。以下では、該情報処理工程が制御部１１３によって実行される例を説明する。制御部１１３は、ＣＰＵと、工程Ｓ１００２～Ｓ１００５を実行するためのプログラムが格納されたメモリと、を含みうる。該プログラムは、電気通信回線を通して転送可能であり、また、半導体メモリまたは光学ディスク等のメモリ媒体を介して提供されうる。なお、本発明は、該情報処理工程の全部または一部が手計算によってなされることを排除するものではない。

工程Ｓ１００１では、インプリント装置１００’によりモールド１０３を用いてテスト基板のショット領域の上にインプリント処理を実行し、インプリント材の硬化物を形成するテストインプリト工程がなされる。テスト基板は、工程Ｓ１００５においてインプリント処理がなされる基板１０６と同一の基板であってもよいし、基板１０６と異なる基板であってもよい。テストインプリント工程では、テスト基板のショット領域に設けられたアライメントマークと、モールド１０３に設けられたアライメントマークとを用いて、アライメント計測がなされうる。また、アライメント計測の結果に基づいて、モールド歪調整部９０１、基板歪調整部９０２によってモールド１０３のパターン部１０４の歪、基板１０６のショット領域の歪がそれぞれ調整されうる。これによって基板１０６のショット領域とモールド１０３のパターン部１０４とが重ね合わされる。

工程Ｓ１００２では、制御部１１３（表面形状取得部９０６）は、工程Ｓ１００１（テストインプリント工程）でテスト基板に形成されたインプリント材１０５の硬化物からなるパターンの表面の形状を示す情報を計測装置から取得する。この情報は、テスト基板に形成されたパターンを計測することによって取得されうる。計測の方法は、光学式計測装置、触針式計測装置等の計測装置を使用する方法の他、エリプソメトリ等の膜厚計測装置によってインプリント材１０５の硬化物の膜厚を計測し、その結果をテスト基板の表面の高さ分布に加算する方法が有用である。表面形状取得部９０６は、以上のような計測装置であってもよく、この場合、表面形状取得部９０６は、制御部１１３と別体をなしうる。

工程Ｓ１００３では、制御部１１３は、モールド１０３および基板１０６に関する情報である部材情報を取得する。部材情報は、例えば、モールド１０３の厚さ方向における形状、モールド１０３の面方向における形状、基板１０６の厚さ方向における形状、基板１０６の面方向における形状に関する情報を含みうる。部材情報は、更に、モールド１０３および基板１０６の材質、ヤング率、ポアソン比等に関する情報を含みうる。

工程Ｓ１００４では、制御部１１３（歪計算部９０５）は、工程Ｓ１００３で取得した部材情報、および、工程Ｓ１００２において得られたインプリント材１０５の表面形状に基づいて、面方向におけるモールド１０３のパターン部１０４の歪を計算する。ここで、厚さ方向におけるパターン部１０４の表面の形状が面方向におけるパターン部１０４の歪に与える影響について説明する。

図１１（ａ）には、基板１０６の上のインプリント材１０５にパターン部１０４が接触していない状態（非接触状態）でのパターン部１０４のＸ方向における位置と歪との関係が例示されている。図１１（ｂ）には、基板１０６の上のインプリント材１０５にパターン部１０４が接触した状態（接触状態）でのパターン部１０４のＸ方向における位置と歪との関係が例示されている。図１１（ａ）、（ｂ）において、横軸は、Ｘ方向における位置を示し、縦軸は各位置における歪の大きさおよび方向を例示している。この例では、テストインプリント工程においてモールド歪調整部９０１、基板歪調整部９０２によってモールド１０３のパターン部１０４の歪、基板１０６のショット領域の歪がそれぞれ調整されている。したがって、パターン部１０４の左端および右端では、歪がゼロに補正されている。一方、パターン部１０４の左端および右端以外の領域では、高次の空間周波数の歪が存在する。この歪については、第１実施形態と同様の方法で計算されうる。

図１４（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図４（ａ）、（ｂ）に対応するパターン部１０４の平面図である。図１４（ａ）において、黒丸は、基板１０６の上のインプリント材１０５にパターン部１０４が接触していない状態（非接触状態）でのパターン部１０４における注目点を例示している。図４（ｂ）において、矢印の長さおよび方向は、基板１０６の上のインプリント材１０５にパターン部１０４が接触した状態（接触状態）でのパターン部１０４における注目点のシフト、即ち、パターン部１０４の歪を例示している。図１６に例示されるように配置されたアライメントマークを使ったアライメント計測の結果からは予想し難い複雑な変形が生じていることがわかる。

工程Ｓ１００５では、制御部１１３（歪制御部９０４）は、工程Ｓ１００４で計算したパターン部１０４の歪を低減、好ましく相殺するための補正データを生成する。具体的には、制御部１１３（歪制御部９０４）は、図１２（ａ）に例示されるように、工程Ｓ１００４で計算された歪を－１倍した歪が与えられるようにモールド歪調整部９０１を制御する補正データを補正しうる。これにより、図１２（ｂ）に例示されるように、インプリント材１０５とパターン部１０４との接触によって起こるパターンのシフトを低減し、重ね合わせ精度を向上させることができる。図１５（ａ）には、基板１０６の上のインプリント材１０５にパターン部１０４が接触していない状態（非接触状態）でモールド歪調整部９０１によってモールド１０３のパターン部１０４に与えられる歪が例示されている。図１５（ｂ）には、基板１０６の上のインプリント材１０５にパターン部１０４が接触した状態（接触状態）におけるモールド１０３のパターン部１０４の歪が例示されている。

重ね合わせ精度を向上させるために、ショット領域およびパターン部１０４の双方を設計上の目標に応じて調整する必要はなく、ショット領域のパターンとパターン部１０４のパターンとの相対位置を調整することが重要である。そこで、モールド歪調整部９０１によってモールド１０３のパターン部１０４の歪を調整する代わりに、基板歪調整部９０２によって基板１０６のショット領域３０１の歪を調整してもよい。あるいは、モールド歪調整部９０１によってモールド１０３のパターン部１０４の歪を調整し、かつ、基板歪調整部９０２によって基板１０６のショット領域３０１の歪を調整してもよい。更に、低次（又は高次）の空間周波数の歪をモールド歪調整部９０１によって調整し、高次（又は低次）の空間周波数の歪を基板歪調整部９０２によって調整してもよい。

第２実施形態によれば、下地となる基板１０６の局所的な凹凸が変化した場合においても、新たにモールドを作製する必要はなく、インプリント装置１００’の制御によって良好な重ね合わせ精度を得ることができる。よって、製造コストを低下しつつ、歩留まりやデバイス性能を向上させることができる。

第２実施形態においても、アライメントマークを有しない領域についても、基板１０６のパターンと、その上にインプリント処理によって形成されるパターン（または、パターン部１０４のパターン）との重ね合わせ精度を向上させることができる。これにより、従来方式と比較して仮に重ね合わせ検査の数値が同じであったとしても、歩留まりおよびデバイス性能を向上させることができる。

第１実施形態と第２実施形態とでは、厚さ方向におけるモールド１０３の表面の形状の取得方法、および、面方向における歪の補正方法がそれぞれ異なるが、これらを相互に入れ替えてもよい。例えば、第１実施形態に示すように部材情報に基づいて厚さ方向におけるモールド１０３の表面の形状を計算し、これに基づいてインプリント装置においてモールド１０３および基板１０６の少なくとも一方の歪を調整してもよい。また、第２実施形態に示すように厚さ方向におけるモールド１０３の表面の形状を計測し、これに基づいてパターン部を製造してもよい。

以下、上記の第２実施形態をより具体化した第２実施例のインプリント方法を説明する。第２実施例における第１実施例と共通する事項について説明を省略し、第２実施例に特有の事項を説明する。

図９に示されるインプリント装置１００’を使用して、実施例１と同様の条件でテスト基板にテストインプリントを行った。第１実施例との相違点は、２つある。１つは、モールド１０３としてパターン部１０４の表面に設計上のパターンがそのまま加工されたものを用いたことである。もう１つは、パターン部１０４、ショット領域３０１の四隅のアライメントマークを参照し、モールド歪調整部９０１を用いてモールドを歪ませ、両者の外形が等しく重なるように調整したことである。

次に、テストインプリントによって得られたインプリント材１０５の硬化物の表面をショット領域３０１の全域にわたり、白色干渉方式による表面プロファイラを使って計測し、該硬化物の表面形状を示す情報を取得した。次に、取得した表面形状とモールド１０３の形状、材質情報とに基づいて、面方向におけるモールド１０３の歪を構造解析により計算した。第１実施例との差異は、解析モデルにおいて、パターン部１０４の外周を固定した点である。

次に、計算によって得られた面方向におけるモールド１０３の歪に基づいて、その歪を低減あるいは相殺する補正データを生成した。具体的には、パターン部１０４の表面の任意の点に与えるべき歪を面方向において、計算によって得られた面方向におけるモールド１０３の歪と同じ大きさで逆向きとなるようにした。

次に、補正データに従って歪を補正しながらインプリント装置１００’において基板１０６の上にインプリント処理によってパターンを形成した。歪の補正に際しては、基板歪調整部９０２を用いた。その際、補正データはモールド１０３側のものであるため、基板１０６側の補正量としては、これを更に面方向において、同じ大きさで逆向きとなるようにしたもの、すなわち、先に計算したモールド１０３の歪と同じ値を用いた。

得られたインプリント材１０５の硬化物からなるパターンと、基板１０６が有する下地パターンとの重ね合わせ精度（重ね合わせ誤差）を重ね合わせ検査装置を用いて確認した。その結果、テストインプリント時の重ね合わせ精度が１１．７ｎｍであったのに対し、第２実施例で形成されたパターンでは４．８ｎｍとなり、大幅な改善が見られた。歩留まりについては９４．８％から９８．６％へと向上した。

以下、上記のインプリント装置またはインプリント方法の適用例としての物品の製造方法を説明する。

インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、モールド等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。光学素子としては、マイクロレンズ、導光体、導波路、反射防止膜、回折格子、偏光素子、カラーフィルタ、発光素子、ディスプレイ、太陽電池等が挙げられる。ＭＥＭＳとしては、ＤＭＤ、マイクロ流路、電気機械変換素子等が挙げられる。記録素子としては、ＣＤ、ＤＶＤのような光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、磁気ヘッド等が挙げられる。センサとしては、磁気センサ、光センサ、ジャイロセンサ等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、インプリント装置によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。図１７（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１７（ｂ）に示すように、インプリント用のモールド４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１７（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１とモールド４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚはモールド４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光をモールド４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１７（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、モールド４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールドの凹部が硬化物の凸部に、モールドの凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚにモールド４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１７（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１７（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

次に、物品の別の製造方法について説明する。図１８（ａ）に示すように、石英ガラス等の基板１ｙを用意し、続いて、インクジェット法等により、基板１ｙの表面にインプリント材３ｙを付与する。必要に応じて、基板１ｙの表面に金属や金属化合物等の別の材料の層を設けても良い。

図１８（ｂ）に示すように、インプリント用のモールド４ｙを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｙに向け、対向させる。図１８（ｃ）に示すように、インプリント材３ｙが付与された基板１ｙとモールド４ｙとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｙはモールド４ｙと基板１ｙとの隙間に充填される。この状態で光をモールド４ｙを透して照射すると、インプリント材３は硬化する。

図１８（ｄ）に示すように、インプリント材３ｙを硬化させた後、モールド４ｙと基板１ｙを引き離すと、基板１ｙ上にインプリント材３ｙの硬化物のパターンが形成される。こうして硬化物のパターンを構成部材として有する物品が得られる。なお、図１８（ｄ）の状態で硬化物のパターンをマスクとして、基板１ｙをエッチング加工すれば、モールド４ｙに対して凹部と凸部が反転した物品、例えば、インプリント用のモールドを得ることもできる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１０３：モールド、１０４：パターン部、１０６：基板、３０１：ショット領域、３０２：凸部、４０１：スロープ

Claims (20)

1. 基板のショット領域の上のインプリント材とモールドのパターン部とが接触した接触状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うインプリント方法であって、
   前記接触状態での前記パターン部の厚さ方向における前記ショット領域および前記パターン部の少なくとも一方の表面の形状を示す形状情報に応じて、前記厚さ方向に直交する面方向における前記ショット領域の歪および前記面方向における前記パターン部の歪の少なくとも一方の調整を行う調整工程を含む、
   ことを特徴とするインプリント方法。
2. 前記調整工程では、前記厚さ方向における前記ショット領域の表面の形状に基づいて前記形状情報を取得する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
3. 前記接触状態での前記厚さ方向における前記ショット領域の表面の形状は、前記基板が基板チャックによって保持された状態における前記ショット領域の表面の形状である、
   ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
4. テスト基板の上に前記インプリント処理によってインプリント材の硬化物を形成するテストインプリント工程を更に含み、
   前記調整工程では、前記厚さ方向における前記硬化物の表面の形状に基づいて前記形状情報を取得する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
5. 前記調整工程では、前記形状情報に応じて、前記接触状態での前記面方向における歪を低減するパターンを前記パターン部が備えるように前記モールドを製造する、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント方法。
6. 前記調整工程では、前記形状情報に応じて、前記インプリント処理において、前記面方向における前記ショット領域の形状および前記面方向における前記パターン部の形状の少なくとも一方の調整を行う、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント方法。
7. 前記ショット領域は、パターン化された層を有し、前記接触状態での前記厚さ方向における前記ショット領域の形状は、前記パターン化された層による凹凸を有し、
   前記形状情報は、前記凹凸を示す情報を含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント方法。
8. 前記パターン部は、アライメントマークを有し、前記形状情報は、前記パターン部のうち前記アライメントマークを有しない領域内にある複数の箇所の前記厚さ方向における位置を示す情報を含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント方法。
9. 前記接触状態は、前記ショット領域の上の前記インプリント材の表面の形状と前記パターン部の表面の形状とが一致した状態である、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント方法。
10. 前記調整工程では、前記形状情報の他、前記ショット領域の上の前記インプリント材に関する情報に応じて、前記厚さ方向に直交する面方向における前記ショット領域の歪および前記面方向における前記パターン部の歪の少なくとも一方の調整を行う、
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント方法。
11. 前記調整工程では、前記形状情報の他、前記ショット領域の上の前記インプリント材の分布に応じて、前記厚さ方向に直交する面方向における前記ショット領域の歪および前記面方向における前記パターン部の歪の少なくとも一方の調整を行う、
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
    前記工程において前記パターンが形成された基板の処理を行う工程と、
    を含み、前記処理が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
13. 基板のショット領域の上のインプリント材とモールドのパターン部とが接触した接触状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うインプリント装置であって、
    前記接触状態での前記パターン部の厚さ方向における前記ショット領域および前記パターン部の少なくとも一方の表面の形状を示す形状情報に応じて、前記厚さ方向に直交する面方向における前記ショット領域の歪および前記面方向における前記パターン部の歪の少なくとも一方の調整を行う歪調整部を含む、
    ことを特徴とするインプリント装置。
14. 前記接触状態は、前記ショット領域の上の前記インプリント材の表面の形状と前記パターン部の表面の形状とが一致した状態である、
    ことを特徴とする請求項１３に記載のインプリント装置。
15. 前記歪調整部では、前記形状情報の他、前記ショット領域の上の前記インプリント材に関する情報に応じて、前記厚さ方向に直交する面方向における前記ショット領域の歪および前記面方向における前記パターン部の歪の少なくとも一方の調整を行う、
    ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載のインプリント装置。
16. 前記歪調整部では、前記形状情報の他、前記ショット領域の上の前記インプリント材の分布に応じて、前記厚さ方向に直交する面方向における前記ショット領域の歪および前記面方向における前記パターン部の歪の少なくとも一方の調整を行う、
    ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載のインプリント装置。
17. モールドの製造方法であって、
    前記モールドは、基板のショット領域の上のインプリント材と前記モールドのパターン部とが接触した接触状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント処理において使用されるように構成され、
    前記製造方法は、前記接触状態での前記パターン部の厚さ方向における前記ショット領域および前記パターン部の少なくとも一方の表面の形状を示す形状情報に応じて、前記厚さ方向に直交する面方向における歪が調整されたパターンを前記パターン部に形成する工程を含む、
    ことを特徴とするモールドの製造方法。
18. 前記接触状態は、前記ショット領域の上の前記インプリント材の表面の形状と前記パターン部の表面の形状とが一致した状態である、
    ことを特徴とする請求項１７に記載のモールドの製造方法。
19. 前記工程では、前記形状情報の他、前記ショット領域の上の前記インプリント材に関する情報に応じて、前記厚さ方向に直交する面方向における前記ショット領域の歪および前記面方向における前記パターン部の歪の少なくとも一方の調整を行う、
    ことを特徴とする請求項１７又は１８に記載のモールドの製造方法。
20. 前記工程では、前記形状情報の他、前記ショット領域の上の前記インプリント材の分布に応じて、前記厚さ方向に直交する面方向における前記ショット領域の歪および前記面方向における前記パターン部の歪の少なくとも一方の調整を行う、
    ことを特徴とする請求項１７又は１８に記載のモールドの製造方法。

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