JP6176286B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、本発明の半導体装置を、自動車等に搭載されてオイルポンプから排出されたオイルの圧力(物理量)を検出する圧力センサに適用した例について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して第1〜第4拡散配線層19a〜19dの形成箇所を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
10a 一面
18a〜18d 第1〜第4ゲージ抵抗
19a〜19d 第1〜第4拡散配線層
30 第2基板
30a 一面
40 気密室
Claims (4)
- 一面(10a)を有し、前記一面に、物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(18a〜18d)が形成されていると共に、前記センシング部と電気的に接続され、不純物を拡散させることによって構成された複数の拡散配線層(19a〜19d)が形成されている第1基板(10)と、
一面(30a)を有し、当該一面が前記第1基板の一面と接合される第2基板(30)と、を備え、
前記第1基板と前記第2基板との間に気密室(40)が構成され、当該気密室内に前記センシング部が封止される半導体装置において、
前記第1基板は、前記一面において、内縁部に前記複数の拡散配線層が構成されていると共に前記複数の拡散配線層を取り囲む部分が外縁部(15)とされ、
前記外縁部は、前記第1基板の端部に沿った周方向において不純物濃度が一定とされていることを特徴とする半導体装置。 - 前記複数の拡散配線層のうちの1つの拡散配線層は、前記気密室を取り囲んでおり、前記気密室を取り囲む方向に沿った不純物濃度が一定とされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 一面(10a)を有し、前記一面に、物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(18a〜18d)が形成されていると共に、前記センシング部と電気的に接続され、不純物を拡散させることによって構成された複数の拡散配線層(19a〜19d)が形成されている第1基板(10)と、
一面(30a)を有し、当該一面が前記第1基板の一面と接合される第2基板(30)と、を備え、
前記第1基板と前記第2基板との間に気密室(40)が構成され、当該気密室内に前記センシング部が封止される半導体装置において、
前記第1基板は、前記一面において、内縁部に前記複数の拡散配線層が構成されており、
前記複数の拡散配線層のうちの1つの拡散配線層は、前記気密室を取り囲んでおり、前記気密室を取り囲む方向に沿った不純物濃度が一定とされていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1基板に不純物をイオン注入すると共に熱拡散させることによって前記拡散配線層を形成する工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを接合する工程と、を含み、
前記拡散配線層を形成する工程では、前記第1基板の一面に、前記気密室を取り囲む前記1つの拡散配線層と対応する枠状の開口部が形成されたマスクを用いて前記不純物をイオン注入する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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