JP2014164019A - 波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】反射膜と接続電極との導通を確実にし、配線の接続信頼性を向上させる。
【解決手段】第１駆動電極３６の厚み寸法は、第１反射膜３５の厚み寸法と第１導電膜３７の厚み寸法との和よりも大きく形成され、第１駆動電極３６は固定基板３０の表面から第１導電膜３７の外縁部の表面に延出して接触し、第２駆動電極４６の厚み寸法は、第２反射膜４５の厚み寸法と第２導電膜４７の厚み寸法との和よりも大きく形成され、第２接続電極４６は可動基板４０の表面から第２導電膜４７の外縁部の表面に延出して接触している。
【選択図】図３

Description

本発明は、波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器に関する。

波長可変干渉フィルターを用い、入射した光のスペクトルを測定する装置が知られている。
特許文献１に記載の可変干渉装置は、反射膜を駆動用電極として機能させる構成、及び反射膜を静電容量モニター用電極として機能させる構成が開示されている。

特開平１−９４３１２号公報

上記の特許文献１の構造において、反射膜を駆動用電極や静電容量モニター用電極として機能させるには、反射膜と接続する接続電極を配線する必要がある。
反射膜は光の透過特性と反射特性を兼ね備えるために厚み寸法が、接続電極に対して薄く形成される。
しかしながら、厚い膜厚の接続電極と薄い膜厚の反射膜とを重ねて形成した場合、熱などの外的要因や経時変化により、薄い膜厚の反射膜の金属原子が接続電極側に拡散して断線するおそれがある。

本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］ 本適用例にかかる波長可変干渉フィルターは、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する第１反射膜と、前記第２基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する前記第１反射膜に対向して配置された第２反射膜と、前記第１反射膜に積層される導電性の第１導電膜と、前記第２反射膜に積層される導電性の第２導電膜と、前記第１基板に設けられ、前記第１基板上で前記第１導電膜と電気的に接続される第１接続電極と、前記第２基板に設けられ、前記第２基板上で前記第２導電膜と電気的に接続される第２接続電極と、を備え、前記第１接続電極の厚み寸法は、前記第１反射膜の厚み寸法と前記第１導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、前記第１接続電極は前記第１基板の表面から前記第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触し、前記第２接続電極の厚み寸法は、前記第２反射膜の厚み寸法と前記第２導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、前記第２接続電極は前記第２基板の表面から前記第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触していることを特徴とする。

この構成によれば、第１接続電極は第１基板の表面から第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触され、第１反射膜と第１導電膜との厚み寸法の和よりも第１接続電極の厚み寸法は大きい。
また、第２接続電極は第２基板の表面から第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触され、第２反射膜と第２導電膜との厚み寸法の和よりも第２接続電極の厚み寸法は大きい。
このように、厚み寸法の小さい第１反射膜、第２反射膜と厚み寸法の大きい第１接続電極、第２接続電極とが第１導電膜、第２導電膜を介して接続されている。
この第１導電膜、第２導電膜を設けることで、接続部における第１反射膜、第２反射膜と第１反射膜、第２反射膜との電気的接続を確保できる。そして、第１導電膜、第２導電膜が接続部における第１反射膜、第２反射膜から第１接続電極、第２接続電極への金属原子の拡散を防止し、配線の断線を抑制することができる。
このことから、第１反射膜と第１接続電極との導通及び、第２反射膜と第２接続電極との導通を確実にし、配線の接続信頼性を向上することができる。

［適用例２］ 上記適用例にかかる波長可変干渉フィルターにおいて、少なくとも前記第１接続電極及び前記第２接続電極の一方は、前記第１導電膜または前記第２導電膜の外縁部の全周において接触していることが好ましい。

この構成によれば、第１接続電極、第２接続電極は第１導電膜、第２導電膜の外縁部の全周において覆って接触している。
このことから、配線の接続における電気抵抗を下げることができ、良好な接続をすることができる。

［適用例３］ 上記適用例にかかる波長可変干渉フィルターにおいて、前記第１導電膜及び前記第２導電膜は透明導電膜であることが好ましい。

この構成によれば、第１導電膜及び第２導電膜は透明導電膜である。
このことから、第１反射膜及び第２反射膜の光透過特性を阻害することなく導電膜を形成することができる。

［適用例４］ 上記適用例にかかる波長可変干渉フィルターにおいて、前記第１導電膜及び前記第２導電膜の材料はインジウム系酸化物、スズ系酸化物、亜鉛系酸化物及びこれらの混合物から選択される材料であることが好ましい。

この構成によれば、第１導電膜及び第２導電膜の材料はインジウム系酸化物、スズ系酸化物、亜鉛系酸化物及びこれらの混合物から選択される材料である。
第１導電膜及び第２導電膜として、これらの材料を用いることで、第１反射膜、第２反射膜から第１接続電極、第２接続電極への拡散を効果的に防止できる。また、これらの材料を用いることで製造工程における薬液から第１反射膜、第２反射膜を保護することができる。

［適用例５］ 上記適用例にかかる波長可変干渉フィルターにおいて、前記第１反射膜及び前記第２反射膜の材料は、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金であることが好ましい。

この構成によれば、第１反射膜及び第２反射膜の材料は、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金である。
第１反射膜及び第２反射膜としてＡｇまたはＡｇを主成分とする合金を用いることで、光の透過特性、反射特性の両者に優れた特性を得ることができる。

［適用例６］ 上記適用例にかかる波長可変干渉フィルターにおいて、前記第２基板は、前記第２反射膜が設けられた可動部と、前記第２基板を基板厚み方向から見た平面視において前記可動部の外側に設けられ、前記可動部の厚み寸法より小さく、前記可動部を進退可能に保持する保持部と、を備えていることが好ましい。

この構成によれば、第２基板は、第２反射膜が設けられた可動部と、可動部の外側に設けられ、可動部の厚み寸法より小さく、可動部を保持する保持部と、を備えている。
この構造では、外力により保持部が撓むことで可動部を変位させることができる。そして、この変位により第１反射膜と第２反射膜の間のギャップを変化させることができ、反射膜間のギャップを可変とする波長可変干渉フィルターを容易に構成できる。

［適用例７］ 本適用例にかかる波長可変干渉フィルターは、入射した光の一部を反射し一部を透過する反射膜と、前記反射膜に積層される導電性の導電膜と、前記導電膜と電気的に接続される接続電極と、を備え、前記接続電極の厚み寸法は、前記反射膜の厚み寸法と前記導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、前記接続電極は前記導電膜の外縁部の表面に重なって接触していることを特徴とする。

この構成によれば、反射膜に積層される導電性の導電膜を備え、接続電極の厚み寸法は、反射膜の厚み寸法と導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、接続電極は導電膜の外縁部の表面に重なって接触している。
この導電膜を設けることで、接続部における反射膜と反射膜との電気的接続を確保できる。そして、導電膜が接続部における反射膜から接続電極への金属原子の拡散を防止し、配線の断線を抑制することができる。
このことから、反射膜と接続電極との導通を確実にし、配線の接続信頼性を向上することができる。

［適用例８］ 本適用例にかかる光学フィルターデバイスは、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する第１反射膜と、前記第２基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する前記第１反射膜に対向して配置された第２反射膜と、前記第１反射膜に積層される導電性の第１導電膜と、前記第２反射膜に積層される導電性の第２導電膜と、前記第１基板に設けられ、前記第１基板上で前記第１導電膜と電気的に接続される第１接続電極と、前記第２基板に設けられ、前記第２基板上で前記第２導電膜と電気的に接続される第２接続電極と、を備えた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、を備え、前記第１接続電極の厚み寸法は、前記第１反射膜の厚み寸法と前記第１導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、前記第１接続電極は前記第１基板の表面から前記第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触し、前記第２接続電極の厚み寸法は、前記第２反射膜の厚み寸法と前記第２導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、前記第２接続電極は前記第２基板の表面から前記第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触していることを特徴とする。

この構成によれば、第１接続電極は第１基板の表面から第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触され、第１反射膜と第１導電膜との厚み寸法の和よりも第１接続電極の厚み寸法は大きい。
また、第２接続電極は第２基板の表面から第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触され、第２反射膜と第２導電膜との厚み寸法の和よりも第２接続電極の厚み寸法は大きい。
このように、厚み寸法の小さい第１反射膜、第２反射膜と厚み寸法の大きい第１接続電極、第２接続電極とが第１導電膜、第２導電膜を介して接続されている。
この第１導電膜、第２導電膜が第１反射膜、第２反射膜から第１接続電極、第２接続電極への原子の拡散を防止することができ、配線の断線を抑制することができる。
このことから、第１反射膜と第１接続電極との導通及び、第２反射膜と第２接続電極との導通を確実にし、配線の接続信頼性を向上することができ、光学フィルターデバイスの信頼性を向上させることができる。
また、波長可変干渉フィルターが筐体に収容される構成であるため、例えば運搬時における衝撃などから波長可変干渉フィルターを保護することができる。また波長可変干渉フィルターの第１反射膜、第２反射膜に異物が付着するのを防止することができる。

［適用例９］ 本適用例にかかる光学モジュールは、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する第１反射膜と、前記第２基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する前記第１反射膜に対向して配置された第２反射膜と、前記第１反射膜に積層される導電性の第１導電膜と、前記第２反射膜に積層される導電性の第２導電膜と、前記第１基板に設けられ、前記第１基板上で前記第１導電膜と電気的に接続される第１接続電極と、前記第２基板に設けられ、前記第２基板上で前記第２導電膜と電気的に接続される第２接続電極と、前記第１反射膜及び前記第２反射膜により取り出された光を検出する検出部と、を備え、前記第１接続電極の厚み寸法は、前記第１反射膜の厚み寸法と前記第１導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、前記第１接続電極は前記第１基板の表面から前記第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触し、前記第２接続電極の厚み寸法は、前記第２反射膜の厚み寸法と前記第２導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、前記第２接続電極は前記第２基板の表面から前記第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触していることを特徴とする。

この構成によれば、第１接続電極は第１基板の表面から第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触され、第１反射膜と第１導電膜との厚み寸法の和よりも第１接続電極の厚み寸法は大きい。
また、第２接続電極は第２基板の表面から第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触され、第２反射膜と第２導電膜との厚み寸法の和よりも第２接続電極の厚み寸法は大きい。
このように、厚み寸法の小さい第１反射膜、第２反射膜と厚み寸法の大きい第１接続電極、第２接続電極とが第１導電膜、第２導電膜を介して接続されている。
この第１導電膜、第２導電膜が第１反射膜、第２反射膜から第１接続電極、第２接続電極への原子の拡散を防止することができ、配線の断線を抑制することができる。
このことから、第１反射膜と第１接続電極との導通及び、第２反射膜と第２接続電極との導通を確実にし、配線の接続信頼性を向上することができ、光学モジュールの信頼性を向上させることができる。したがって、光学モジュールにより精度の高い光量検出を実施することができる。

［適用例１０］ 本適用例にかかる電子機器は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する第１反射膜と、前記第２基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する前記第１反射膜に対向して配置された第２反射膜と、前記第１反射膜に積層される導電性の第１導電膜と、前記第２反射膜に積層される導電性の第２導電膜と、前記第１基板に設けられ、前記第１基板上で前記第１導電膜と電気的に接続される第１接続電極と、前記第２基板に設けられ、前記第２基板上で前記第２導電膜と電気的に接続される第２接続電極と、を備えた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを制御する制御部と、を備え、前記第１接続電極の厚み寸法は、前記第１反射膜の厚み寸法と前記第１導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、前記第１接続電極は前記第１基板の表面から前記第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触し、前記第２接続電極の厚み寸法は、前記第２反射膜の厚み寸法と前記第２導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、前記第２接続電極は前記第２基板の表面から前記第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触していることを特徴とする。

この構成によれば、第１接続電極は第１基板の表面から第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触され、第１反射膜と第１導電膜との厚み寸法の和よりも第１接続電極の厚み寸法は大きい。
また、第２接続電極は第２基板の表面から第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触され、第２反射膜と第２導電膜との厚み寸法の和よりも第２接続電極の厚み寸法は大きい。
このように、厚み寸法の小さい第１反射膜、第２反射膜と厚み寸法の大きい第１接続電極、第２接続電極とが第１導電膜、第２導電膜を介して接続されている。
この第１導電膜、第２導電膜が第１反射膜、第２反射膜から第１接続電極、第２接続電極への原子の拡散を防止することができ、配線の断線を抑制することができる。
このことから、第１反射膜と第１接続電極との導通及び、第２反射膜と第２接続電極との導通を確実にし、配線の接続信頼性を向上することができ、電子機器の信頼性を向上させることができる。したがって、電子機器は波長可変干渉フィルターにより取り出された光に基づいた精度の高い処理を実施することができる。

第１実施形態の分光測定装置の構成を示す概略図。 第１実施形態に係る波長可変干渉フィルターの平面図。 第１実施形態に係る波長可変干渉フィルターの断面図。 図３のＢ部の拡大図。 第１実施形態に係る波長可変干渉フィルターの固定基板を可動基板側から見た平面図。 第１実施形態に係る波長可変干渉フィルターの可動基板を固定基板側から見た平面図。 第１実施形態に係る波長可変干渉フィルターの固定基板の製造工程を示す説明図。 第１実施形態に係る波長可変干渉フィルターの可動基板の製造工程を示す説明図。 第１実施形態に係る波長可変干渉フィルターの接合工程を示す説明図。 第１実施形態における第１駆動電極の形状の変形例を示す平面図。 第１実施形態における第１駆動電極の接続状態の変形例を示す模式断面図。 第２実施形態における光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。 第３実施形態における電子機器としての測色装置の構成を示す概略図。 第４実施形態における電子機器としてのガス検出装置の構成を示す概略図。 第４実施形態における電子機器としてのガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。 第５実施形態における電子機器としての食物分析装置の構成を示す概略図。 第６実施形態における電子機器としての分光カメラの構成を示す概略図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。
［第１実施形態］

（分光測定装置の構成）
図１は、本発明に係る第１実施形態の分光測定装置の構成を示す概略図である。
分光測定装置１は、本発明の電子機器であり、測定対象Ｘで反射された測定対象光に基づいて、測定対象光のスペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Ｘで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Ｘとして、例えば液晶パネル等の発光体を用いる場合、発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
この分光測定装置１は、図１に示すように、光学モジュール１０と、制御部２０と、を備えている。

（光学モジュールの構成）
光学モジュール１０は、波長可変干渉フィルター５と、ディテクター１１と、Ｉ−Ｖ変換器１２と、アンプ１３と、Ａ／Ｄ変換器１４と、電圧制御部１５とを備えて構成される。

ディテクター１１は、光学モジュール１０の波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光し、受光した光の光強度に応じた検出信号（電流）を出力する。
Ｉ−Ｖ変換器１２は、ディテクター１１から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ１３に出力する。
アンプ１３は、Ｉ−Ｖ変換器１２から入力された検出信号に応じた電圧（検出電圧）を増幅する。
Ａ／Ｄ変換器１４は、アンプ１３から入力された検出電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、制御部２０に出力する。
電圧制御部１５は、波長可変干渉フィルター５の後述する駆動電極に電圧を印加する。そして、波長可変干渉フィルター５から印加電圧に応じた目的波長の光を透過させる。

（波長可変干渉フィルターの構成）
図２は本実施形態に係る波長可変干渉フィルターの平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ断線に沿う断面図である。図４は図３のＢ部拡大図である。
本実施形態の波長可変干渉フィルター５は、いわゆるファブリーペローエタロンである。この波長可変干渉フィルター５は、固定基板（第１基板）３０と、可動基板（第２基板）４０とを備えている。これらの固定基板３０及び可動基板４０は、それぞれ例えば石英ガラス、ソーダガラス、結晶性ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶、シリコンなどにより形成されている。
そして、これらの固定基板３０と可動基板４０とは、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜４９により接合され、一体に構成されている。

固定基板３０には、第１反射膜３５が設けられ、可動基板４０には、第２反射膜４５が設けられており、これらの第１反射膜３５および第２反射膜４５は、反射膜間ギャップを介して対向配置されている。さらに、第１反射膜３５の上に導電性の第１導電膜３７が積層され、第２反射膜４５の上に導電性の第２導電膜４７が積層されている。これらの第１導電膜３７、第２導電膜４７は、それぞれ第１反射膜３５、第２反射膜４５と同じ大きさに形成されている。そして、波長可変干渉フィルター５には、この反射膜間ギャップのギャップ量を変更するのに用いられる静電アクチュエーターが設けられている。この静電アクチュエーターは、固定基板３０に設けられた第１駆動電極３６（第１接続電極）と、可動基板４０に設けられた第２駆動電極４６（第２接続電極）とにより構成されている。この一対の第１駆動電極３６、第２駆動電極４６は、電極間ギャップを介して対向し、静電アクチュエーターとして機能する。なお、電極間ギャップのギャップ量は反射膜間ギャップよりもギャップ量が大きくなる構成、または小さくなる構成のどちらであっても良い。

第１駆動電極３６はリング形状に形成されている。第１駆動電極３６の構成については特に限定されないが、例えば下地層をＣｒ膜とし、その上に電極層としてＡｕ膜を積層した構成の電極を利用できる。この場合、Ｃｒ膜の厚み寸法は約１０ｎｍ、Ａｕ膜の厚み寸法は１００ｎｍ〜２００ｎｍに構成されている。なお、下地膜のＣｒ膜に変えて、Ｔｉ，ＮｉＣｒ，ＴｉＷなどの膜を用いても良い。また、第１駆動電極３６はＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明導電膜を利用しても良い。

第１駆動電極３６は、第１反射膜３５の上に形成された第１導電膜３７の外周縁の全周において接触している。第１反射膜３５はＡｇまたはＡｇを主成分とする合金で形成され、第１反射膜３５の厚み寸法は１０ｎｍ〜８０ｎｍである。
第１反射膜３５として、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金を用いることで、光の透過特性、反射特性の両者に優れた特性を得ることができる。
第１導電膜３７はインジウム系酸化物、スズ系酸化物、亜鉛系酸化物などの透明導電膜で形成されている。具体的にはＩＴＯ、ＩＣＯ（セリウムドープ酸化インジウム）、ＡＺＯ（アルミドープ酸化亜鉛）、ＳｎＯなどが用いられる。また、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を利用することもできる。そして、第１導電膜３７の厚み寸法は５ｎｍ〜３０ｎｍである。
このようにして、第１反射膜３５の光透過特性を阻害することなく第１導電膜３７を形成することができる。

ここで、図４に示すように、第１反射膜３５の厚み寸法Ｔ１と第１導電膜３７の厚み寸法Ｔ２の和をＴ（Ｔ＝Ｔ１＋Ｔ２）、第１駆動電極３６の厚み寸法をｔとすると、Ｔ＜ｔという関係にある。
このため、第１駆動電極３６が第１導電膜３７の上から覆っても固定基板３０との段差が小さいため、第１駆動電極３６が第１導電膜３７の端部に形成でき断線することがない。
このように、第１反射膜３５、第１導電膜３７と第１駆動電極３６とが電気的に接続され導通が図られている。

また、この接続部において、第１駆動電極３６と第１反射膜３５と間に第１導電膜３７が設けられていることで、第１反射膜３５のＡｇ原子が第１駆動電極３６のＣｒ膜、Ａｕ膜へ拡散するのを防止することができ、接続配線の断線を抑制することができる。

第２駆動電極４６も第１駆動電極３６と同様にリング形状に形成され、第２駆動電極４６の構成については特に限定されないが、例えば下地層をＣｒ膜とし、その上に電極層としてＡｕ膜を積層した構成の電極を利用できる。このＣｒ膜、Ａｕ膜は、それぞれ第１駆動電極３６と同様の厚み寸法で形成されている。

第２駆動電極４６は、第２反射膜４５の上に形成された第２導電膜４７の外周縁の全周において接触している。第２反射膜４５は、第１反射膜３５と同様にＡｇまたはＡｇを主成分とする合金で形成され、第２反射膜４５の厚み寸法は１０ｎｍ〜８０ｎｍである。
第２導電膜４７はインジウム系酸化物、スズ系酸化物、亜鉛系酸化物などの透明導電膜で形成されている。具体的にはＩＴＯ、ＩＣＯ（セリウムドープ酸化インジウム）、ＡＺＯ（アルミドープ酸化亜鉛）、ＳｎＯなどが用いられる。また、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を利用することもできる。そして、第２導電膜４７の厚み寸法は５ｎｍ〜３０ｎｍである。
このようにして、第２反射膜４５の光透過特性を阻害することなく第２導電膜４７を形成することができる。

ここで、第２反射膜４５の厚み寸法と第２導電膜４７の厚み寸法の和は、第２駆動電極４６の厚み寸法よりも小さい関係にある。
このため、第２駆動電極４６が第２導電膜４７の上から形成しても可動基板４０との段差が小さいため、第２駆動電極４６が第２導電膜４７の端部に十分に形成でき断線することがない。
このように、第２反射膜４５、第２導電膜４７と第２駆動電極４６とが電気的に接続され導通が図られている。

また、この接続部において、第２駆動電極４６と第２反射膜４５との間に第２導電膜４７が設けられていることで、第２反射膜４５のＡｇ原子が第２駆動電極４６のＣｒ膜、Ａｕ膜へ拡散するのを防止することができ、接続配線の断線を抑制することができる。

上記の波長可変干渉フィルター５は、第１反射膜３５と第１駆動電極３６、第２反射膜４５と第２駆動電極４６が電気的に接続され、第１反射膜３５、第２反射膜４５に帯電する静電気を外部に逃がす構成となっている。

（固定基板の構成）
図５は、固定基板３０を可動基板４０側から見た平面図である。
固定基板３０は、静電アクチュエーターによる静電引力や、固定基板３０上に形成される膜部材の内部応力により、固定基板３０に撓みが生じないように充分な厚みで形成されている。
この固定基板３０は、図５に示すように、例えばエッチング等により形成された凹部３１および第１反射膜３５が配置される凸部３２を備える。また、固定基板３０の外周縁の一部（頂点Ｃ３）には、切欠部３３が設けられており、この切欠部３３から後述する可動基板４０の電極パッド４８ｂが波長可変干渉フィルター５の表面に露出される構成となる。

凹部３１は、固定基板３０の厚み方向の平面視で、固定基板３０のフィルター中心点Ｏを中心としたリング状に形成されている。凸部３２は、固定基板３０の厚み方向の平面視において、凹部３１の中心部から可動基板４０側に突出して形成されている。
この凹部３１の底面は、静電アクチュエーターの第１駆動電極３６が配置される電極設置面となる。また、凸部３２の突出先端面は、第１反射膜３５が配置される反射膜設置面となる。

また、固定基板３０には、凹部３１から、固定基板３０の頂点Ｃ２に向かって延出する電極引出溝３１ａが設けられている。そして、電極引出溝３１ａは凹部３１と同じ深さに形成されている。

凹部３１の底面には、フィルター中心点Ｏを中心とした仮想円上に沿って設けられる第１駆動電極３６が設けられている。第１駆動電極３６は凸部３２と同心円状に形成されている。
そして、固定基板３０には、第１駆動電極３６の外周縁から、頂点Ｃ２に向かう電極引出溝３１ａに沿って、頂点Ｃ２まで延出する引出電極３８ａが設けられている。この引出電極３８ａの先端部は、電圧制御部１５に接続される電極パッド３８ｂを構成する。

第１駆動電極３６、引出電極３８ａ、電極パッド３８ｂは、下地層をＣｒ膜とし、その上に電極層としてＡｕ膜を積層した構造を有している。
電極層としてＡｕ膜を用いる場合、波長可変干渉フィルター５を電圧制御部１５に接続する際の端子接続性が良好となり、また、導電性が良好であるため、電気抵抗の増大を抑えることができる。また、下地層として、Ａｕとの密着性、及びガラス基板（固定基板３０）との密着性が高いＣｒ膜を用いることで、第１駆動電極３６、引出電極３８ａ、電極パッド３８ｂの剥離を防止できる。
なお、本実施形態では、下地層をＣｒ膜、電極層をＡｕ膜とした２層構成の電極を例示したが、ガラス基板に対して密着性があり、かつ導電性を有する他の金属膜（Ａｌなど）を単層で用いてもよい。

また、第１駆動電極３６上に、第１駆動電極３６及び第２駆動電極４６の間の絶縁性を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。
なお、本実施形態では、凹部３１の底面に１つの第１駆動電極３６が設けられる構成を示すが、例えば、フィルター中心点Ｏを中心とした同心円となる２つの電極が設けられる構成（二重電極構成）などとしてもよい。

凸部３２は、凹部３１と同軸上で略円柱状に形成され、可動基板４０に対面する反射膜設置面を備えている。
この反射膜設置面から凹部３１の底面に延出して第１反射膜３５が設置されている。この第１反射膜３５の上に第１導電膜３７が形成されている。
そして、第１駆動電極３６が第１反射膜３５の上に形成された第１導電膜３７の外周の外縁部の全周において接続され、第１反射膜３５、第１導電膜３７と第１駆動電極３６とが電気的に接続されて導通が図られている。このように、第１駆動電極３６は第１導電膜３７の外縁部の全周において接触していることから、配線の接続における電気抵抗を下げることができ、良好な接続をすることができる。

（可動基板の構成）
図６は、可動基板４０を固定基板３０側から見た平面図である。なお、図６における可動基板４０の各頂点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は、図５に示す固定基板３０の各頂点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４に対応する。
可動基板４０は、図３及び図６に示すように、可動基板４０の厚み方向の平面視で、フィルター中心点Ｏを中心とした円形状の可動部４１と、可動部４１と同軸であり可動部４１を保持する保持部４２と、を備えている。
また、可動基板４０には、図６に示すように、頂点Ｃ２に切欠部４３が設けられ、上述したように、この切欠部４３から固定基板３０の電極パッド３８ｂが露出する。

可動部４１は、保持部４２よりも厚み寸法が大きく形成されている。この可動部４１は、可動基板４０の厚み方向の平面視において、少なくとも反射膜設置面の外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。そして、この可動部４１の固定基板３０に対向する面には、第２反射膜４５、第２導電膜４７及び第２駆動電極４６が設けられている。
なお、可動部４１の固定基板３０と対向する面とは反対側の面には、反射防止膜が形成されていてもよい。

第２駆動電極４６は、図６に示すように、可動基板４０の厚み方向の平面視において、第２反射膜４５の外側で、第１駆動電極３６に対向する領域に設けられている。
そして、第２駆動電極４６には、頂点Ｃ３方向に延出する引出電極４８ａが設けられている。この引出電極４８ａの先端部は、電圧制御部１５に接続される電極パッド４８ｂを構成する。
上述したような電極構成では、図３に示すように、第１駆動電極３６及び第２駆動電極４６が重なる円弧領域により、静電アクチュエーターが構成されている。

第２駆動電極４６、引出電極４８ａ、電極パッド４８ｂは、下地層をＣｒ膜とし、その上に電極層としてＡｕ膜を積層した構造を有している。
電極層としてＡｕ膜を用いる場合、波長可変干渉フィルター５を電圧制御部１５に接続する際の端子接続性が良好となり、また、導電性が良好であるため、電気抵抗の増大を抑えることができる。また、下地層として、Ａｕとの密着性、及びガラス基板（可動基板４０）との密着性が高いＣｒを用いることで、第２駆動電極４６、引出電極４８ａ、電極パッド４８ｂの剥離を防止できる。
なお、本実施形態では、下地層をＣｒ膜、電極層をＡｕ膜とした２層構成の電極を例示したが、ガラス基板に対して密着性があり、かつ導電性を有する他の金属膜（Ａｌなど）を単層で用いてもよい。

また、第２駆動電極４６上に、第１駆動電極３６及び第２駆動電極４６の間の絶縁性を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。
なお、本実施形態では、１つの第２駆動電極４６が設けられる構成を示すが、例えば、フィルター中心点Ｏを中心とした同心円となる２つの電極が設けられる構成（二重電極構成）としてもよい。

第２反射膜４５は、第１反射膜３５と同様の材料により構成される。この第２反射膜４５の上に第２導電膜４７が形成されている。
そして、第２駆動電極４６が第２反射膜４５の上に形成された第２導電膜４７の外周の外縁部の全周において接続され、第２反射膜４５、第２導電膜４７と第２駆動電極４６とが電気的に接続されて導通が図られている。このように、第２駆動電極４６は第２導電膜４７の外縁部の全周において接触していることから、配線の接続における電気抵抗を下げることができ、良好な接続をすることができる。

保持部４２は、可動部４１の周囲を囲うダイヤフラムであり、可動部４１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部４２は、可動部４１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により変位し、可動部４１を固定基板３０側に進退可能に保持する。この際、可動部４１が保持部４２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、保持部４２が静電引力により固定基板３０側に引っ張られた場合でも、可動部４１の形状変化が抑制される。したがって、可動部４１に設けられた第２反射膜４５の撓みも抑制され、第１反射膜３５及び第２反射膜４５を平行状態に維持することが可能となる。
なお、本実施形態では、ダイヤフラムの保持部４２を例示するが、これに限定されず、例えば、フィルター中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。

（電圧制御部の構成）
図１に戻り、電圧制御部１５は、上述の波長可変干渉フィルター５の電極パッド３８ｂ、４８ｂに接続されている。
そして、電圧制御部１５は、制御部２０から測定対象波長に対応した電圧指令信号を受信すると、対応する電圧を電極パッド３８ｂ、４８ｂ間に印加する。これにより、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター（第１駆動電極３６及び第２駆動電極４６間）に、印加電圧に基づいた静電引力が発生し、可動部４１が固定基板３０側に変位して、反射膜間ギャップのギャップ量が変化する。

（制御部の構成）
制御部２０は、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置１の全体動作を制御する。この制御部２０は、図１に示すように、波長設定部２１と、光量取得部２２と、分光測定部２３と、を備える。
また、制御部２０は、各種データを記憶する記憶部２４を備え、記憶部２４には、静電アクチュエーターを制御するためのＶ−λ（電圧−波長）データが記憶される。
このＶ−λデータは、静電アクチュエーターに印加する電圧（Ｖ）に対する、波長可変干渉フィルター５を透過する光のピーク波長（λ）の関係を示すデータである。

波長設定部２１は、波長可変干渉フィルター５により取り出す光の目的波長を設定するとともに、記憶部２４に記憶されたＶ−λデータから設定した目的波長に対応する目標電圧値を読み込む。そして、波長設定部２１は、読み込んだ目標電圧値を印加させる旨の制御信号を電圧制御部１５に出力する。これにより、電圧制御部１５から静電アクチュエーターに目標電圧値の電圧が印加される。
光量取得部２２は、ディテクター１１により取得された光量に基づいて、波長可変干渉フィルター５を透過した目的波長の光の光量を取得する。
分光測定部２３は、光量取得部２２により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。

分光測定部２３における分光測定方法としては、例えば、測定対象波長に対してディテクター１１により検出された光量を、測定対象波長の光量として分光スペクトルを測定する方法や、複数の測定対象波長の光量に基づいて分光スペクトルを推定する方法等が挙げられる。
分光スペクトルを推定する方法としては、例えば、複数の測定対象波長に対する光量のそれぞれを行列要素とした計測スペクトル行列を生成し、この計測スペクトル行列に対して、所定の変換行列を作用させることで、測定対象となる光の分光スペクトルを推定する。この場合、分光スペクトルが既知である複数のサンプル光を、分光測定装置１により測定し、測定により得られた光量に基づいて生成される計測スペクトル行列に変換行列を作用させた行列と、既知の分光スペクトルとの偏差が最小となるように、変換行列を設定する。

［波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、上述した波長可変干渉フィルター５の製造方法について、図面に基づいて説明する。波長可変干渉フィルター５の製造は、固定基板の製造工程、可動基板の製造工程、基板の接合工程から成り立っている。

（固定基板の製造工程）
図７は、固定基板の製造工程を示す説明図である。
まず、図７（ａ）に示すように、固定基板３０の材料である石英ガラス基板などで形成された第１基材３０ａを用意し、第１基材３０ａの両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで精密研磨する。

次に、そして、図７（ｂ）に示すように、第１基材３０ａの基板表面をエッチングにより加工する。
具体的には、第１基材３０ａの基板表面にレジストを塗布して、塗布されたレジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像することで、凹部３１と凸部３２を形成するための開口部をパターニングする。
そして、第１基材３０ａの両面に対して、例えばフッ酸系溶液を用いたウェットエッチングを施す。この時、凸部３２の上面までの深さのエッチングを行う。この後、凹部３１の所定の深さまでエッチングするための開口部をレジストでパターニングし、ウェットエッチングを実施する。
これにより、図７（ｂ）に示すように、固定基板３０の外形状が決定された第１基材３０ａが形成される。

次に、図７（ｃ）に示すように、凸部３２の上面から凹部３１の底面に延出する第１反射膜３５を形成する。
本実施形態では、第１反射膜３５として、Ａｇ膜またはＡｇ合金膜を用いる。第１反射膜３５として、Ａｇ膜やＡｇ合金膜を用いる場合、第１基材３０ａの凹部３１に、真空蒸着法やスパッタリング法により第１反射膜３５の膜層を形成する。この後、フォトリソグラフィ法を用いて第１反射膜３５の形状を形成する。Ａｇ膜またはＡｇ合金膜のエッチングには、リン硝酢酸水溶液が用いられる。

そして、図７（ｄ）に示すように、第１反射膜３５の上に第１導電膜３７を形成する。この第１導電膜３７は第１反射膜３５と同じ形状に形成される。
本実施形態では、第１導電膜３７としてＩＴＯ膜を用いる。第１基材３０ａの凹部３１にスパッタリング法により第１導電膜３７の膜層を形成する。この後、フォトリソグラフィ法を用いて第１導電膜３７の形状を形成する。なお、ＩＴＯ膜のエッチングには、酸性の溶液が用いられる。

次に、第１基材３０ａの凹部３１に第１導電膜３７の上から、第１駆動電極３６、引出電極３８ａ、電極パッド３８ｂを形成する電極材料を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜する。ここでは、下地層としてＣｒ膜を成膜した後、電極層としてＡｕ膜を成膜する。そして、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることで、図７（ｅ）に示すように、第１駆動電極３６、引出電極３８ａ、電極パッド３８ｂを形成する。
Ａｕ膜のエッチングにおいては、ヨウ素とヨウ化カリウムの混合液が用いられ、Ｃｒ膜のエッチングには硝酸セリウムアンモニウム水溶液が用いられる。
なお、図７（ｅ）において、引出電極３８ａ、電極パッド３８ｂの図示は省略している。
ここで、第１駆動電極３６の厚み寸法は、第１反射膜３５の厚み寸法よりも大きいため、第１反射膜３５による固定基板３０との段差をカバーして、この段差の部分での断線を防止することができる。
また、第１反射膜３５の上に第１導電膜３７が形成されているため、第１駆動電極３６を形成する工程における薬液などによる第１反射膜３５の損傷を防止することができる。

さらに、第１基材３０ａの上面（可動基板４０と接する面）にシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜４９を形成する。接合膜４９は、例えばプラズマＣＶＤ法等により成膜する。接合膜４９の厚みとしては、例えば１０ｎｍ〜１０００ｎｍとすればよい。
このようにして、固定基板３０が製造される。

（可動基板の製造工程）
次に、可動基板の製造工程について説明する。図８は、可動基板の製造工程を示す説明である。
まず、図８（ａ）に示すように、可動基板４０の材料である石英ガラス基板などで形成された第２基材４０ａを用意し、第２基材４０ａの両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで精密研磨する。
そして、第２基材４０ａの全面にレジストを塗布し、塗布されたレジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して、保持部４２が形成される箇所をパターニングする。
次に、第１基材３０ａと同様にフッ酸系溶液を用いて、第２基材４０ａをウェットエッチングすることで、図８（ｂ）に示すように、可動部４１、保持部４２を形成する。これにより、可動基板４０の基板形状が決定された第２基材４０ａが製造される。

次に、図８（ｃ）に示すように、第２基材４０ａの可動部４１、保持部４２を形成した面とは反対の面の中央部に第２反射膜４５を形成する。
本実施形態では、第２反射膜４５として、Ａｇ膜またはＡｇ合金膜を用いる。第２反射膜４５として、Ａｇ膜やＡｇ合金膜を用いる場合、真空蒸着法やスパッタリング法により第２反射膜４５の膜層を形成する。この後、フォトリソグラフィ法を用いて第２反射膜４５の形状を形成する。Ａｇ膜またはＡｇ合金膜のエッチングには、リン硝酢酸水溶液が用いられる。

そして、図８（ｄ）に示すように、第２反射膜４５の上に第２導電膜４７を形成する。この第２導電膜４７は第２反射膜４５と同じ形状に形成される。
本実施形態では、第２導電膜４７としてＩＴＯ膜を用いる。第２基材４０ａにスパッタリング法により第２導電膜４７の膜層を形成する。この後、フォトリソグラフィ法を用いて第２導電膜４７の形状を形成する。なお、ＩＴＯ膜のエッチングには、酸性の溶液が用いられる。

次に、第２基材４０ａに第２導電膜４７の上から、第２駆動電極４６、引出電極４８ａ、電極パッド４８ｂを形成する電極材料を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜する。ここでは、下地層としてＣｒ膜を成膜した後、電極層としてＡｕ膜を成膜する。そして、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることで、図８（ｅ）に示すように、第２駆動電極４６、引出電極４８ａ、電極パッド４８ｂを形成する。
Ａｕ膜のエッチングにおいては、ヨウ素とヨウ化カリウムの混合液が用いられ、Ｃｒ膜のエッチングには硝酸セリウムアンモニウム水溶液が用いられる。
なお、図８（ｅ）において、引出電極４８ａ、電極パッド４８ｂの図示は省略している。
ここで、第２駆動電極４６の厚み寸法は、第２反射膜４５の厚み寸法よりも大きいため、第２反射膜４５による可動基板４０との段差をカバーして、この段差の部分での断線を防止することができる。
また、第２反射膜４５の上に第２導電膜４７が形成されているため、第２駆動電極４６を形成する工程における薬液などによる第２反射膜４５の損傷を防止することができる。

さらに、第２基材４０ａの上面（固定基板３０と接する面）にシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜４９を形成する。接合膜４９は、例えばプラズマＣＶＤ法等により成膜する。接合膜４９の厚みとしては、例えば１０ｎｍ〜１０００ｎｍとすればよい。
このようにして、可動基板４０が製造される。

（基板の接合工程）
次に、基板の接合工程について説明する。図９は、固定基板と可動基板との接合工程を示す説明図である。
まず、固定基板３０と可動基板４０の接合膜４９に対して活性化エネルギーを付与するために、Ｏ₂プラズマ処理、Ｎ₂プラズマ処理またはＵＶ処理を行う。
プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、これらの固定基板３０と可動基板４０のアライメント調整を行い、接合膜４９を介して固定基板３０と可動基板４０を重ね合わせ、接合部分に荷重をかける。これにより、固定基板３０と可動基板４０が接合される。
このような工程を経て、波長可変干渉フィルター５が製造される。

（第１実施形態の作用効果）
以上、本実施形態に係る波長可変干渉フィルター５は、第１反射膜３５を覆う第１導電膜３７が形成され、第１反射膜３５と第１導電膜３７との厚み寸法の和よりも厚み寸法の大きい第１駆動電極３６が第１導電膜３７の上から形成されている。
このように、第１駆動電極３６の厚み寸法は、第１反射膜３５の厚み寸法よりも大きいため、第１反射膜３５による固定基板３０との段差をカバーして、この段差の部分での断線を防止することができる。
また、第２反射膜４５を覆う第２導電膜４７が形成され、第２反射膜４５と第２導電膜４７との厚み寸法の和よりも厚み寸法の大きい第２駆動電極４６が第２導電膜４７の上から形成されている。
このように、第２駆動電極４６の厚み寸法は、第２反射膜４５の厚み寸法よりも大きいため、第２反射膜４５による可動基板４０との段差をカバーして、この段差の部分での断線を防止することができる。
さらに、第１導電膜３７、第２導電膜４７を設けることで第１反射膜３５、第２反射膜４５のＡｇ原子が第１駆動電極３６、第２駆動電極４６のＣｒ膜、Ａｕ膜への拡散を防止することができ、配線の断線を抑制することができる。
このことから、第１反射膜３５と第１駆動電極３６との導通及び、第２反射膜４５と第２駆動電極４６との導通を確実にし、配線の接続信頼性を向上することができる。

また、第１導電膜３７及び第２導電膜４７の材料はインジウム系酸化物、スズ系酸化物、亜鉛系酸化物及びこれらの混合物から選択される材料である。
第１導電膜３７及び第２導電膜４７として、これらの材料を用いることで、第１反射膜３５、第２反射膜４５から第１駆動電極３６、第２駆動電極４６への拡散を効果的に防止できる。また、これらの材料を用いることで製造工程における薬液から第１反射膜３５、第２反射膜４５を保護することができる。

また、本実施形態に係る光学モジュール１０は、上記の配線の接続信頼性を向上する波長可変干渉フィルター５を備えているため、光学モジュール１０の信頼性を向上させることができる。

さらに、電子機器としての分光測定装置１は、上記の配線の接続信頼性を向上する波長可変干渉フィルター５を備えているため、分光測定装置１の信頼性を向上させることができる。

（駆動電極と導電膜の接続状態の変形例）
次に、波長可変干渉フィルター５における、駆動電極（第１駆動電極、第２駆動電極）と反射膜（第１反射膜、第２反射膜）の上に設けられた導電膜（第１導電膜、第２導電膜）の接続状態の変形例について説明する。固定基板３０と可動基板４０にそれぞれ駆動電極と反射膜、導電膜を有するが、ここでは、固定基板３０側について説明する。そして、第１実施形態と同様な構成については、同符号を付し説明を省略する。

図１０は第１実施形態における第１駆動電極の形状の変形例を示す平面図である。
本変形例では第１実施形態と第１駆動電極の形状が異なる。
固定基板３０に形成された第１駆動電極３６は、リング状の内周縁から延出する複数の延出部３６ａが形成され、このそれぞれの延出部３６ａが第１導電膜３７と接触している。
このように、上記の形状の第１駆動電極３６を用いて、第１導電膜３７との導通をとっても良く、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

図１１は第１実施形態における第１駆動電極と第１導電膜との接触状態の変形例を示す固定基板の断面図である。
図１１（ａ）に示すように、第１反射膜３５および第１導電膜３７は固定基板３０の中央から凹部３１の底面にかけて円形状に形成されている。そして、第１導電膜３７の外周部に沿ってリング状の第１駆動電極３６が、第１導電膜３７の上に載った状態で形成されている。このように、第１駆動電極３６と第１導電膜３７との接触面積を大きくすることで配線の接続における電気抵抗を下げることができ、良好な接続をすることができる。

また、図１１（ｂ）に示すように、固定基板３０の中央に設けられた第１反射膜３５よりも大きい面積で第１反射膜３５と重なる第１導電膜３７が形成されている。そして、平面視で第１反射膜３５と重ならない第１導電膜３７の外縁部にて第１駆動電極３６と接触している。このように、第１反射膜３５の外縁部の側面まで第１導電膜３７が形成できることになり、第１駆動電極３６の製造工程において薬液が第１反射膜３５と触れる部分がなくなり、第１反射膜３５に損傷を与えることがない。

なお、上記の実施形態および変形例では、固定基板３０と可動基板４０との両者に同じ構成の駆動電極と反射膜を有する例を説明したが、両者が同じ構造でなくても良く、第１実施形態、変形例で説明した構造を組み合わせて実施しても良い。
また、第１反射膜と接続する第１接続電極として第１駆動電極、第２反射膜と接続する第２接続電極として第２駆動電極、を説明したが、この例に限らず、反射膜と接続する接続電極として、静電容量を測定するモニター電極などと接続する構成であっても良い。
［第２実施形態］

次に、本発明の第２実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第１実施形態の分光測定装置１では、光学モジュール１０に対して、波長可変干渉フィルター５が直接設けられる構成とした。しかしながら、光学モジュールとしては、複雑な構成を有するものもあり、特に小型化された光学モジュールに対して、波長可変干渉フィルター５を直接設けることが困難な場合がある。本実施形態では、そのような光学モジュールに対しても、波長可変干渉フィルター５を容易に設置可能にする光学フィルターデバイスについて、以下に説明する。
図１２は、本発明に係る第２実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図である。

図１２に示すように、光学フィルターデバイス６０は、波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルター５を収納する筐体６１と、を備えている。
筐体６１は、ベース基板６２と、リッド７０と、ベース側ガラス基板７５と、リッド側ガラス基板７６と、を備える。

ベース基板６２は、例えば単層セラミック基板により構成される。このベース基板６２には、波長可変干渉フィルター５の可動基板４０が設置される。ベース基板６２への可動基板４０の設置としては、例えば接着層等を介して配置されるものであってもよく、他の固定部材等に嵌合等されることで配置されるものであってもよい。また、ベース基板６２には、光通過孔６３が開口形成される。そして、この光通過孔６３を覆うように、ベース側ガラス基板７５が接合される。ベース側ガラス基板７５の接合方法としては、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリットを用いたガラスフリット接合、エポキシ樹脂等による接着などを利用できる。

このベース基板６２のリッド７０に対向するベース内側面６４には、波長可変干渉フィルター５の各電極パッドに対応して内側端子部６７が設けられている。なお、各電極パッドと内側端子部６７との接続は、例えばＦＰＣ６７ａを用いることができ、例えばＡｇペースト、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）等により接合する。また、ＦＰＣ６７ａによる接続に限られず、例えばワイヤーボンディング等による配線接続を実施してもよい。
また、ベース基板６２は、各内側端子部６７が設けられる位置に対応して、貫通孔６６が形成されており、各内側端子部６７は、貫通孔６６に充填された導電性部材を介して、ベース基板６２のベース内側面６４とは反対側のベース外側面６５に設けられた外側端子部６８に接続されている。
そして、ベース基板６２の外周部には、リッド７０に接合されるベース接合部６９が設けられている。

リッド７０は、図１２に示すように、ベース基板６２のベース接合部６９に接合されるリッド接合部７２と、リッド接合部７２から連続し、ベース基板６２から離れる方向に立ち上がる側壁部７３と、側壁部７３から連続し、波長可変干渉フィルター５の固定基板３０側を覆う天面部７４とを備えている。このリッド７０は、例えばコバール等の合金または金属により形成することができる。
このリッド７０は、リッド接合部７２と、ベース基板６２のベース接合部６９とが、接合されることで、ベース基板６２に密着接合されている。
この接合方法としては、例えば、レーザー溶着の他、銀ロウ等を用いた半田付け、共晶合金層を用いた封着、低融点ガラスを用いた溶着、ガラス付着、ガラスフリット接合、エポキシ樹脂による接着等が挙げられる。これらの接合方法は、ベース基板６２及びリッド７０の素材や、接合環境等により、適宜選択することができる。

リッド７０の天面部７４は、ベース基板６２に対して平行となる。この天面部７４には、光通過孔７１が開口形成されている。そして、この光通過孔７１を覆うように、リッド側ガラス基板７６が接合される。リッド側ガラス基板７６の接合方法としては、ベース側ガラス基板７５の接合と同様に、例えばガラスフリット接合や、エポキシ樹脂等による接着などを用いることができる。

上述したような本実施形態の光学フィルターデバイス６０では、筐体６１により波長可変干渉フィルター５が保護されているため、外的要因による波長可変干渉フィルター５の破損を防止できる。
［第３実施形態］

次に、上記第１実施形態で説明した波長可変干渉フィルターを使用した、電子機器について説明する。第３実施形態では、測定物の色度を測定する測色装置を例にとって説明する。
図１３は測色装置の構成を示す概略図である。
測色装置８０は、検査対象Ａに光を照射する光源装置８２と、測色センサー８４（光学モジュール）と、測色装置８０の全体動作を制御する制御装置８６とを備える。
この測色装置８０は、検査対象Ａに光源装置８２から光を照射し、検査対象Ａから反射された検査対象光を測色センサー８４にて受光し、測色センサー８４から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度を分析して測定する装置である。

光源装置８２は、光源９１、複数のレンズ９２（図１３には１つのみ図示）を備え、検査対象Ａに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ９２には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置８２は、光源９１から射出された光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Ａに向かって射出する。
なお、本実施形態では、光源装置８２を備える測色装置８０を例示するが、例えば検査対象Ａが発光部材である場合、光源装置８２を設けずに測色装置を構成してもよい。

光学モジュールとしての測色センサー８４は、波長可変干渉フィルター５と、静電アクチュエーターに印加する電圧を制御し、波長可変干渉フィルター５で透過させる光の波長を変える電圧制御部９４と、波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光する受光部９３（検出部）と、を備える。
また、測色センサー８４は、検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、波長可変干渉フィルター５に導光する光学レンズ（図示せず）を備えている。そして、この測色センサー８４は、光学レンズに入射した検査対象光を波長可変干渉フィルター５で所定波長帯域の光に分光し、分光した光が受光部９３にて受光される。
受光部９３は、検出部としてフォトダイオードなどの光電変換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光部９３は制御装置８６に接続され、生成した電気信号を受光信号として制御装置８６に出力する。

電圧制御部９４は、制御装置８６からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーターに印加する電圧を制御する。

制御装置８６は、測色装置８０の全体動作を制御する。この制御装置８６としては、例えば汎用パーソナルコンピューター、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置８６は、光源制御部９５、測色センサー制御部９７、および測色処理部９６（分析処理部）などを備えて構成されている。

光源制御部９５は、光源装置８２に接続されている。そして、光源制御部９５は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置８２に所定の制御信号を出力し、光源装置８２から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部９７は、測色センサー８４に接続されている。そして、測色センサー制御部９７は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー８４にて受光させる光の波長を設定し、この波長の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー８４に出力する。これにより、測色センサー８４の電圧制御部９４は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長を透過させるよう、静電アクチュエーターへの印加電圧を設定する。

測色処理部９６は、測色センサー制御部９７を制御して、波長可変干渉フィルター５の反射膜間のギャップ寸法を変動させて、波長可変干渉フィルター５を透過する光の波長を変化させる。また、測色処理部９６は、受光部９３から入力される受光信号に基づいて、波長可変干渉フィルター５を透過した光量を取得する。そして、測色処理部９６は、上記により得られた各波長の受光量に基づいて、検査対象Ａから反射された光の色度を算出する。

このように、本実施形態の電子機器としての測色装置８０および光学モジュールとしての測色センサー８４は、配線の接続信頼性を向上する波長可変干渉フィルター５を備えているため、測色センサー８４の信頼性を向上させることができる。
以上、第３実施形態では、電子機器として測色装置８０を例示したが、その他、様々な分野に波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器を用いることができる。
例えば、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムとして用いることができる。このようなシステムとしては、例えば、波長可変干渉フィルターを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器などのガス検出装置を例示できる。
［第４実施形態］

以下、ガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。

図１４は、波長可変干渉フィルターを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図１５は、ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置１００は、図１４に示すように、センサーチップ１１０と、吸引口１２０Ａ、吸引流路１２０Ｂ、排出流路１２０Ｃ、および排出口１２０Ｄを備えた流路１２０と、本体部１３０と、を備えて構成されている。
本体部１３０は、流路１２０を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー１３１、排出手段１３３、筐体１３４、光学部１３５、フィルター１３６、波長可変干渉フィルター５、および受光素子１３７（受光部）等を含む検出部（光学モジュール）と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部１３８、電力を供給する電力供給部１３９等から構成されている。また、光学部１３５は、光を射出する光源１３５Ａと、光源１３５Ａから入射された光をセンサーチップ１１０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子１３７側に透過するビームスプリッター１３５Ｂと、レンズ１３５Ｃ，１３５Ｄ，１３５Ｅと、により構成されている。

また、図１５に示すように、ガス検出装置１００には、操作パネル１４０、表示部１４１、外部とのインターフェイスのための接続部１４２、電力供給部１３９が設けられている。電力供給部１３９が二次電池の場合には、充電のための接続部１４３を備えてもよい。
さらに、ガス検出装置１００の制御部１３８は、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１４４、光源１３５Ａを制御するための光源ドライバー回路１４５、波長可変干渉フィルター５を制御するための電圧制御部１４６、受光素子１３７からの信号を受信する受光回路１４７、センサーチップ１１０のコードを読み取り、センサーチップ１１０の有無を検出するセンサーチップ検出器１４８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１４９、および排出手段１３３を制御する排出ドライバー回路１５０などを備えている。

次に、ガス検出装置１００の動作について、以下に説明する。
本体部１３０の上部のセンサー部カバー１３１の内部には、センサーチップ検出器１４８が設けられており、このセンサーチップ検出器１４８でセンサーチップ１１０の有無が検出される。信号処理部１４４は、センサーチップ検出器１４８からの検出信号を検出すると、センサーチップ１１０が装着された状態であると判断し、表示部１４１へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。

そして、例えば利用者により操作パネル１４０が操作され、操作パネル１４０から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１４４へ出力されると、まず、信号処理部１４４は、光源ドライバー回路１４５に光源作動の信号を出力して光源１３５Ａを作動させる。光源１３５Ａが駆動されると、光源１３５Ａから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源１３５Ａには、温度センサー、光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部１４４へ出力される。そして、信号処理部１４４は、光源１３５Ａから入力された温度および光量に基づいて、光源１３５Ａが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路１５０を制御して排出手段１３３を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口１２０Ａから、吸引流路１２０Ｂ、センサーチップ１１０内、排出流路１２０Ｃ、排出口１２０Ｄへと誘導される。

また、センサーチップ１１０は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ１１０では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、およびレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部１３５を通ってフィルター１３６に入射し、フィルター１３６によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター５に入射する。そして、信号処理部１４４は、電圧制御部１４６を制御し、波長可変干渉フィルター５に印加する電圧を調整し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５で分光させる。この後、分光した光が受光素子１３７で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１４７を介して信号処理部１４４に出力される。
信号処理部１４４は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ＲＯＭに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部１４４は、表示部１４１にその結果情報を表示させたり、接続部１４２から外部へ出力したりする。

なお、図１４、図１５において、ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置１００を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置１００を本発明の電子機器とする。このような構成でも、本発明の波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。

また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物、生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
［第５実施形態］

次に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。

図１６は、波長可変干渉フィルター５を利用した電子機器の一例である食物分析装置の構成を示す概略図である。
この食物分析装置２００は、検出器（光学モジュール）２１０と、制御部２２０と、表示部２３０と、を備えている。検出器２１０は、光を射出する光源２１１と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ２１２と、撮像レンズ２１２から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター５と、分光された光を検出する撮像部（受光部）２１３と、を備えている。
また、制御部２２０は、光源２１１の点灯・消灯制御、点灯時の明るさの制御を実施する光源制御部２２１と、波長可変干渉フィルター５を制御する電圧制御部２２２と、撮像部２１３を制御し、撮像部２１３で撮像された分光画像を取得する検出制御部２２３と、信号処理部２２４と、記憶部２２５と、を備えている。

この食物分析装置２００は、装置を駆動させると、光源制御部２２１により光源２１１が制御されて、光源２１１から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ２１２を通って波長可変干渉フィルター５に入射する。波長可変干渉フィルター５は電圧制御部２２２の制御により所望の波長を分光可能な電圧が印加されており、分光された光が、例えばＣＣＤカメラ等により構成される撮像部２１３で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部２２５に蓄積される。また、信号処理部２２４は、電圧制御部２２２を制御して波長可変干渉フィルター５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。

そして、信号処理部２２４は、記憶部２２５に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部２２５には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部２２４は、求めたスペクトルのデータを、記憶部２２５に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、およびその含有量を求める。また、得られた食物成分および含有量から、食物カロリー、鮮度等も算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部２２４は、得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部２３０に表示させる処理をする。

また、図１６において、食物分析装置２００の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、自動車運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。

さらには、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
［第６実施形態］

また、他の電子機器として、本発明の波長可変干渉フィルターにより光を分光して、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルターを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図１７は、分光カメラの構成を示す斜視図である。分光カメラ３００は、図１７に示すように、カメラ本体３１０と、撮像レンズユニット３２０と、撮像部３３０とを備えている。
カメラ本体３１０は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット３２０は、カメラ本体３１０に設けられ、入射した画像光を撮像部３３０に導光する。また、この撮像レンズユニット３２０は、対物レンズ３２１、結像レンズ３２２、およびこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター５を備えて構成されている。
撮像部３３０は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット３２０により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ３００では、波長可変干渉フィルター５により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。

さらには、本発明の波長可変干渉フィルターをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の波長可変干渉フィルターを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管、指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。

さらには、光学モジュールおよび電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルターにより、物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。

上記に示すように、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、および電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の波長可変干渉フィルターは、上述のように、１つのデバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用途、車載用途として好適に用いることができる。

本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更することができる。そして、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有するものにより可能である。

１…分光測定装置、５…波長可変干渉フィルター、１０…光学モジュール、１１…ディテクター、１２…Ｉ−Ｖ変換器、１３…アンプ、１４…Ａ／Ｄ変換器、１５…電圧制御部、２０…制御部、２１…波長設定部、２２…光量取得部、２３…分光測定部、２４…記憶部、３０…固定基板（第１基板）、３０ａ…第１基材、３１…凹部、３２…凸部、３３…切欠部、３５…第１反射膜、３６…第１駆動電極（第１接続電極）、３６ａ…延出部、３７…第１導電膜、３８ａ…引出電極、３８ｂ…電極パッド、４０…可動基板（第２基板）、４０ａ…第２基材、４１…可動部、４２…保持部、４３…切欠部、４５…第２反射膜、４６…第２駆動電極（第２接続電極）、４７…第２導電膜、４８ａ…引出電極、４８ｂ…電極パッド、４９…接合膜、６０…光学フィルターデバイス、６１…筐体、８０…電子機器としての測色装置、１００…電子機器としてのガス検出装置、２００…電子機器としての食物分析装置、３００…電子機器としての分光カメラ。

Claims (10)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する第１反射膜と、
   前記第２基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する前記第１反射膜に対向して配置された第２反射膜と、
   前記第１反射膜に積層される導電性の第１導電膜と、
   前記第２反射膜に積層される導電性の第２導電膜と、
   前記第１基板に設けられ、前記第１基板上で前記第１導電膜と電気的に接続される第１接続電極と、
   前記第２基板に設けられ、前記第２基板上で前記第２導電膜と電気的に接続される第２接続電極と、を備え、
   前記第１接続電極の厚み寸法は、前記第１反射膜の厚み寸法と前記第１導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、
   前記第１接続電極は前記第１基板の表面から前記第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触し、
   前記第２接続電極の厚み寸法は、前記第２反射膜の厚み寸法と前記第２導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、
   前記第２接続電極は前記第２基板の表面から前記第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触している
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
2. 請求項１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   少なくとも前記第１接続電極及び前記第２接続電極の一方は、前記第１導電膜または前記第２導電膜の外縁部の全周において接触している
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
3. 請求項１または２に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記第１導電膜及び前記第２導電膜は透明導電膜である
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記第１導電膜及び前記第２導電膜の材料はインジウム系酸化物、スズ系酸化物、亜鉛系酸化物及びこれらの混合物から選択される材料である
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記第１反射膜及び前記第２反射膜の材料は、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金である
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記第２基板は、前記第２反射膜が設けられた可動部と、
   前記第２基板を基板厚み方向から見た平面視において前記可動部の外側に設けられ、前記可動部の厚み寸法より小さく、前記可動部を進退可能に保持する保持部と、を備えている
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
7. 入射した光の一部を反射し一部を透過する反射膜と、
   前記反射膜に積層される導電性の導電膜と、
   前記導電膜と電気的に接続される接続電極と、を備え、
   前記接続電極の厚み寸法は、前記反射膜の厚み寸法と前記導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、
   前記接続電極は前記導電膜の外縁部の表面に重なって接触している
   ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
8. 第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する第１反射膜と、
   前記第２基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する前記第１反射膜に対向して配置された第２反射膜と、
   前記第１反射膜に積層される導電性の第１導電膜と、
   前記第２反射膜に積層される導電性の第２導電膜と、
   前記第１基板に設けられ、前記第１基板上で前記第１導電膜と電気的に接続される第１接続電極と、
   前記第２基板に設けられ、前記第２基板上で前記第２導電膜と電気的に接続される第２接続電極と、を備えた波長可変干渉フィルターと、
   前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、を備え、
   前記第１接続電極の厚み寸法は、前記第１反射膜の厚み寸法と前記第１導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、
   前記第１接続電極は前記第１基板の表面から前記第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触し、
   前記第２接続電極の厚み寸法は、前記第２反射膜の厚み寸法と前記第２導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、
   前記第２接続電極は前記第２基板の表面から前記第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触している
   ことを特徴とする光学フィルターデバイス。
9. 第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する第１反射膜と、
   前記第２基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する前記第１反射膜に対向して配置された第２反射膜と、
   前記第１反射膜に積層される導電性の第１導電膜と、
   前記第２反射膜に積層される導電性の第２導電膜と、
   前記第１基板に設けられ、前記第１基板上で前記第１導電膜と電気的に接続される第１接続電極と、
   前記第２基板に設けられ、前記第２基板上で前記第２導電膜と電気的に接続される第２接続電極と、
   前記第１反射膜及び前記第２反射膜により取り出された光を検出する検出部と、を備え、
   前記第１接続電極の厚み寸法は、前記第１反射膜の厚み寸法と前記第１導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、
   前記第１接続電極は前記第１基板の表面から前記第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触し、
   前記第２接続電極の厚み寸法は、前記第２反射膜の厚み寸法と前記第２導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、
   前記第２接続電極は前記第２基板の表面から前記第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触している
   ことを特徴とする光学モジュール。
10. 第１基板と、
    前記第１基板に対向する第２基板と、
    前記第１基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する第１反射膜と、
    前記第２基板に設けられ、入射した光の一部を反射し一部を透過する前記第１反射膜に対向して配置された第２反射膜と、
    前記第１反射膜に積層される導電性の第１導電膜と、
    前記第２反射膜に積層される導電性の第２導電膜と、
    前記第１基板に設けられ、前記第１基板上で前記第１導電膜と電気的に接続される第１接続電極と、
    前記第２基板に設けられ、前記第２基板上で前記第２導電膜と電気的に接続される第２接続電極と、を備えた波長可変干渉フィルターと、
    前記波長可変干渉フィルターを制御する制御部と、を備え、
    前記第１接続電極の厚み寸法は、前記第１反射膜の厚み寸法と前記第１導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、
    前記第１接続電極は前記第１基板の表面から前記第１導電膜の外縁部の表面に延出して接触し、
    前記第２接続電極の厚み寸法は、前記第２反射膜の厚み寸法と前記第２導電膜の厚み寸法との和よりも大きく形成され、
    前記第２接続電極は前記第２基板の表面から前記第２導電膜の外縁部の表面に延出して接触している
    ことを特徴とする電子機器。

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