JP6672805B2 - 波長可変干渉フィルター、電子部品、電子部品の製造方法、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、波長可変干渉フィルター、電子部品、電子部品の製造方法、および電子機器に関する。

従来、対向配置された一対の反射膜の間隔を静電引力によって調節し、その反射膜間の多重干渉によって、所望の波長の光を取り出す波長可変干渉フィルターが知られていた。この波長可変干渉フィルターの反射膜は、所望の波長の光を精度よく取り出すために、所定の反射率や面精度を備えている。
例えば、特許文献１には、一対の反射膜として、銀または銀合金の単層膜を用いた波長可変干渉フィルターが提案されている。

特開２０１２−２２０７６５号公報

しかしながら、特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターでは、印加される熱負荷に起因して、場合によっては、反射膜を構成する銀または銀合金に変質が発生しやすくなるという課題があった。詳しくは、銀や銀合金は、例えば金などと比べて化学的な安定性が低く、原子が移動しやすい材質である。そのため、熱負荷や経時の影響によって原子が移動し、凝集が起こることで、反射膜の表面に微細な隆起が発生する可能性があった。反射膜の表面に微細な隆起が発生すると、反射膜の面精度および反射率の低下や乱反射の発生を招く。従って、銀または銀合金の反射膜の変質は、波長可変干渉フィルターの波長分解能などの光学的特性および品質を悪化させるおそれがあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係る波長可変干渉フィルターは、第１の基板と、第１の基板と対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置された第１の反射膜と、第１の反射膜と第２の基板との間に配置された第２の反射膜と、を含み、第１の基板は光を透過させ、第１の反射膜は銀を含み、第１の基板が含む水酸基の濃度は、５００ｐｐｍ以下、または１０００ｐｐｍ以上であることを特徴とする。

本適用例によれば、第１の基板の水酸基濃度を所定の範囲とすることにより、銀を含む第１の反射膜における銀の凝集が抑制される。これによって、第１の反射膜が熱負荷や経時の影響を受けにくくなり、第１の反射膜の変質が抑えられて隆起の発生が抑制される。第１の反射膜における隆起の発生が抑えられることによって、第１の反射膜の反射率や面精度などの波長可変干渉フィルターの光学的特性および品質が、長期にわたって維持可能になる。すなわち、第１の反射膜の変質の発生を抑制することにより、信頼性が向上した波長可変干渉フィルターを提供することができる。

上記適用例に記載の波長可変干渉フィルターにおいては、第１の基板は石英基板であることが好ましい。

これによれば、第１の基板が含む水酸基の濃度を、容易に上記の範囲とすることができる。

上記適用例に記載の波長可変干渉フィルターにおいては、第１の基板が含む水酸基の濃度は、１００ｐｐｍ以下、または１０００ｐｐｍ以上であることが好ましい。

これによれば、第１の反射膜における銀の凝集がさらに抑制され、第１の反射膜表面における隆起の発生をより抑えることができる。

上記適用例に記載の波長可変干渉フィルターにおいては、第１の反射膜を覆う保護膜を有することが好ましい。

これによれば、第１の反射膜の表面が保護膜により保護されるため、第１の反射膜が外界（気相）から受ける影響を緩和することにより、第１の反射膜の変質を抑制することができる。

上記適用例に記載の波長可変干渉フィルターにおいては、保護膜が酸化インジウムガリウムを含むことが好ましい。

これによれば、第１の反射膜表面の保護が強化されて、外界の影響が更に緩和されるため、第１の反射膜の変色や変質を低減することができる。

上記適用例に記載の波長可変干渉フィルターにおいては、第１の反射膜の厚さが、１０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下であることが好ましい。

これによれば、波長可変干渉フィルターに必要な透過率を確保した上で、緻密な膜が形成される。そのため、第１の基板と第１の反射膜との界面の保護が強化され、隆起の発生をさらに抑えることができる。

上記適用例に記載の波長可変干渉フィルターにおいては、第２の基板は石英基板であり、第２の反射膜は銀を含み、第２の基板が含む水酸基の濃度は、５００ｐｐｍ以下、または１０００ｐｐｍ以上であり、第２の反射膜を覆う保護膜を有することが好ましい。

これによれば、第２の反射膜における銀の凝集が抑制され、また第２の反射膜の保護が強化されるため、第２の反射膜表面における隆起の発生を低減することができる。これにより、波長可変干渉フィルターにおける信頼性がさらに向上する。

上記適用例に記載の電子部品は、上記波長可変干渉フィルターと、ベース基板と、ベース基板に対向して配置され、ベース基板との間に、波長可変干渉フィルターを収納するための収納部を形成する第１蓋部と、ベース基板および第１蓋部を接合する接合部材と、を備えることが好ましい。

これによれば、光学的特性や品質が安定した波長可変干渉フィルターを搭載することにより、信頼性が向上した電子部品を提供することができる。

上記適用例に記載の電子部品の製造方法は、接合部材を介して、ベース基板と第１蓋部とを配置して筐体を構成する工程と、接合部材を加熱して筐体を封止する工程と、を含むことが好ましい。

これによれば、熱負荷の影響を受けにくい第１の反射膜を備えているため、加熱される工程を含んでいても良好な光学的特性および品質を有する電子部品を製造できる。

上記適用例に記載の電子機器は、上記波長可変干渉フィルターを備えることが好ましい。

これによれば、光学的特性や品質が安定した波長可変干渉フィルターを備え、信頼性が向上した電子部品を用いた電子機器を提供することができる。

実施形態１に係る波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。 実施例に係る石英基板の条件および評価結果を示す図表。 水酸基濃度と隆起数の関係を示すグラフ図。 実施形態２に係る電子部品の概略構成を示す断面図。 電子部品の製造方法を示す概略断面図。 電子部品の製造方法を示す概略断面図。 電子部品の製造方法を示す概略断面図。 実施形態３に係るプリンターの概略構成を示す斜視図。 プリンターに搭載された分光器の概略構成を示す断面図。 プリンターの概略構成を示すブロック図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。

（実施形態１）
＜波長可変干渉フィルターの構成＞
本実施形態に係る波長可変干渉フィルターの構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図である。図２は、図１における波長可変干渉フィルターを、Ａ−Ａで切断した断面図である。

図１に示した波長可変干渉フィルター５は、いわゆるファブリーペローエタロンであり、平面が略矩形の板状の光学部材である。波長可変干渉フィルター５は、第１の基板としての固定基板５１と、固定基板５１と対向する第２の基板としての可動基板５２とを備えている。ここで、波長可変干渉フィルター５について、固定基板５１または可動基板５２の基板厚み方向から見た図１に示すような平面視を、以降、フィルター平面視と呼ぶ。また、フィルター平面視における、固定基板５１および可動基板５２の中心を、平面中心点Ｏとする。

固定基板５１は、第１の反射膜としての固定反射膜５４、電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２などを有している。これらは、平面中心点Ｏを略中心として環状に設けられている。また、可動基板５２は、第２の反射膜としての可動反射膜５５、可動部５２１、可動部５２１を保持する保持部５２２などを有している。これらも、平面中心点Ｏを略中心として環状に設けられている。
また、固定基板５１の一端側（辺Ｃ１−Ｃ２）は、可動基板５２の基板端縁（辺Ｃ５−Ｃ６）よりも外側に突出している。可動基板５２の一端側（辺Ｃ７−Ｃ８）は、固定基板５１の基板端縁（辺Ｃ３−Ｃ４）よりも外側に突出しており、この突出部分によって電装面５２４が形成されている。

固定基板５１および可動基板５２は、光透過性を有する石英基板によって形成されている。この透光性によって、固定基板５１側の外部から取り込まれる（入射する）光は、可動基板５２側から取り出される（射出する）ことが可能となっている。

また、図２に示すように、固定基板５１の外周部近傍には第１接合面５１３が、可動基板５２の外周部近傍には第２接合面５２３が、それぞれ設けられている。第１接合面５１３と第２接合面５２３とは、接合膜５３を介して接合されている。これにより、固定基板５１と可動基板５２とは一体となって、波長可変干渉フィルター５の筐体を構成している。接合膜５３としては、例えば、オルガノポリシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜を、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成している。

上述したように、固定基板５１には固定反射膜５４が設けられ、可動基板５２の可動部５２１には可動反射膜５５が設けられている。固定反射膜５４は、固定基板５１の可動基板５２に対向する面に配置され、可動反射膜５５は、可動基板５２の固定基板５１に対向する面に配置されている。換言すると、固定反射膜５４は、固定基板５１と可動基板５２との間に配置され、可動反射膜５５は、固定反射膜５４と可動基板５２との間に配置されている。また、これらの固定反射膜５４および可動反射膜５５は、反射膜間ギャップＧ１の間隔をもって対向配置され、一対の反射膜を構成している。

また、波長可変干渉フィルター５には、反射膜間ギャップＧ１の寸法を調整するための、静電アクチュエーター５６が設けられている。静電アクチュエーター５６は、固定基板５１側に設けられる第１電極としての固定電極５６１と、可動基板５２側に設けられる第２電極としての可動電極５６２とを備えている。なお、固定電極５６１および可動電極５６２は、固定基板５１および可動基板５２の基板表面に接した構成としているが、この構成に限定されない。例えば、他の膜部材を介して設けられる構成であってもよい。

＜固定基板＞
固定基板５１は、可動基板５２に対向する対向面５１Ａと、対向面５１Ａとは反対側に外側面５１Ｂとを有している。外側面５１Ｂは光学面を構成しており、光の散乱や乱反射などによる光量損失、光の入射角および射出角の変動が抑制されている。

また、固定基板５１は、例えば、厚さが６００μｍに調製された、石英ガラス製の石英基板を加工して形成されている。具体的には、固定基板５１の対向面５１Ａには、エッチングによって、電極配置溝５１１および反射膜設置部５１２が形成されている。エッチング方法としては、既存の処理方法を採用することができる。例えば、フッ素化合物を用いたウェットエッチング処理、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理などが挙げられる。

電極配置溝５１１の溝の底面には、固定電極面５１１Ａが配置されている。この固定電極面５１１Ａには、静電アクチュエーター５６を構成する固定電極５６１が設けられ、可動部５２１の可動電極５６２に対向している。固定電極５６１には、可動電極５６２との絶縁性を確保するために、可動電極５６２と対向する面に、絶縁膜が設けられていてもよい。

反射膜設置部５１２は略円柱状に形成され、可動基板５２と対向する面（突出先端面）には、反射膜設置面５１２Ａが設けられている。また、反射膜設置部５１２は、電極配置溝５１１から可動基板５２側に突出して形成されているため、反射膜設置面５１２Ａは、固定電極面５１１Ａよりも可動基板５２に近い位置にある。従って、固定電極５６１と可動電極５６２との距離を電極間ギャップＧ２とすると、電極間ギャップＧ２は反射膜間ギャップＧ１より大きな寸法で構成されている。

反射膜設置面５１２Ａには、可動反射膜５５と対向して固定反射膜５４が設けられている。固定反射膜５４および可動反射膜５５としては、銀または銀合金の膜が適している。銀または銀合金の膜は、可視光域から近赤外域にわたる広い波長範囲において、高い反射特性を有している。従って、銀または銀合金の膜を固定反射膜５４および可動反射膜５５に用いることにより、所望の目標波長の光を、広い対象波長域から選択的に取り出すことが可能となる。

固定反射膜５４の銀または銀合金の膜は、具体的には、既存のスパッタリング法などを用いて成膜した後、エッチング処理によって不要部分を除去して形成される。固定反射膜５４の銀または銀合金の膜の厚さは、１０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下とすることが好ましい。これらは、発明者らの光学特性のシミュレーション結果に基づくものであり、銀または銀合金の膜は厚いほど膜が緻密になり、変質などが起きにくくなる。銀または銀合金の膜の厚さを上記の範囲とすることにより、膜の緻密さを確保した上で、波長可変干渉フィルター用の反射膜に必要な光透過性を備えることができる。
ここで、本実施形態では、固定反射膜５４として銀にサマリウム、銅、ビスマス、ネオジムなどを微量含む銀合金を用いている。

また、銀や銀合金の薄膜は、銀原子が移動しやすいため、それによって凝集が起きて膜に変質が発生することがある。そのため、固定反射膜５４の表面に保護膜５４１を設けている。保護膜５４１としては、導電性および光透過性を有し、酸素や水などの分子を透過しにくい材料であればよく、特に限定されない。例えば、インジウム系酸化物、スズ系酸化物、および亜鉛系酸化物からなる群から選ばれる、少なくとも１種を含む膜からなる積層膜を用いることができる。具体的には、インジウム系酸化物としての酸化インジウムガリウム（ＩｎＧａＯ）、酸化インジウムスズ（Ｓｎドープ酸化インジウム：ＩＴＯ）、セリウムドープ酸化インジウム（ＩＣＯ）、スズ系酸化物としての酸化スズ（ＳｎＯ₂）、亜鉛系酸化物としてのアルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などが挙げられる。また、インジウム系酸化物と亜鉛系酸化物からなるインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：登録商標）なども用いることができる。これらを材料とする膜は、透明導電膜と呼ばれ、光透過性および導電性を備えている。

上述した材料は、酸化や硫化などの原因となるガスの透過を抑制する効果があり、耐熱性、光透過性などを備えていることから、反射膜の保護膜として適している。また、これらは、銀および銀合金との密着性や、光学膜としての信頼性も有している。中でも、ＩｎＧａＯは銀と反応しにくいため安定であり、保護膜に好適である。さらに、ＩｎＧａＯは、可視光域において概ね８０％以上の高い透過率と、０．００１Ω・ｃｍ以下の導電性とを有している。そのため、本実施形態では、保護膜５４１の材料としてＩｎＧａＯを用いている。なお、保護膜５４１としてのＩｎＧａＯ膜は、具体的には、既存のスパッタリング法などを用いて成膜した後、エッチング処理によって不要部分を除去して形成される。

＜可動基板＞
可動基板５２は、例えば、厚さが６００μｍに調製された石英ガラス製の石英基板に、エッチング加工を施して形成されている。加工の方法としては、上述した固定基板５１と同様な方法を用いている。

可動基板５２に設けられた可動部５２１は、保持部５２２よりも厚さが大きく形成され、可動基板５２の厚さと同一寸法に形成されている。また、可動部５２１は、固定基板５１に対向する面として、対向面５２Ａを有している。この対向面５２Ａには、固定反射膜５４と反射膜間ギャップＧ１の距離をもって対向する可動反射膜５５、および固定電極５６１と電極間ギャップＧ２の距離をもって対向する可動電極５６２が設けられている。また、可動基板５２において、対向面５２Ａの反対側には外側面５２Ｂが設けられている。外側面５２Ｂは、固定基板５１の外側面５１Ｂと同様な光学面を構成している。

可動反射膜５５は、上述した固定反射膜５４と同様の銀合金を用いて、固定反射膜５４と同様な方法で形成されている。また、固定反射膜５４の表面に保護膜５４１を設けたのと同様に、可動反射膜５５の表面に保護膜５５１を設けている。保護膜５５１は、保護膜５４１と同様にＩｎＧａＯを用いて、保護膜５４１と同様な方法で形成されている。

保持部５２２は、可動部５２１よりも厚さが小さく、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムを構成している。そのため、保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力によって可動部５２１を固定基板５１側へ変位させることが可能になっている。このように可動部５２１が変位した状態では、厚さが大きい可動部５２１の剛性が保持部５２２の剛性に勝るため、保持部５２２が撓んでも、可動部５２１の形状変化は抑制される。従って、可動部５２１に設けられた可動反射膜５５においても、撓みは発生しにくく、一対の反射膜を構成する固定反射膜５４と可動反射膜５５とは、常に略平行状態が維持される構成となっている。ここで、本実施形態では、保持部５２２をダイヤフラム状としているが、これに限定されない。例えば、平面中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられた構成などであってもよい。

保持部５２２の外側には、基板外周部５２５が配置されている。この基板外周部５２５が固定基板５１と対向する面には、第２接合面５２３が設けられている。第２接合面５２３は、上述したように、固定基板５１の第１接合面５１３と、接合膜５３を介して接合されている。

＜固定基板および可動基板の平面配置＞
図１に示すように、固定基板５１のフィルター平面視において、電極配置溝５１１は、反射膜設置部５１２より大きな径寸法で構成されている。また、対向面５１Ａには、電極配置溝５１１から固定基板５１の辺Ｃ３−Ｃ４まで連通する配線溝（図示せず）が設けられている。また、固定電極５６１は、平面中心点Ｏを略中心として環状に設けられている。この環状の形状としては、円環状や一部から引出電極が突出する形状、一部が欠けた形状、一部が分断された形状なども含まれる。

固定電極５６１の外周縁の一部には、固定引出電極５６３が設けられている。固定引出電極５６３は、電極配置溝５１１から辺Ｃ３−Ｃ４側に向かって設けられた配線溝に沿って引き出されている。さらに、配線溝には、可動基板５２側に向かって突設されたバンプ部５６５Ａが設けられ、固定引出電極５６３は、バンプ部５６５Ａまで達している。また、固定引出電極５６３は、バンプ部５６５Ａ上で可動基板５２側に設けられた固定接続電極５６５に当接して電気的に接続されている。固定接続電極５６５は、配線溝に対向する領域から電装面５２４まで延びて、電装面５２４において固定電極パッド５６５Ｐを構成している。

ここで、固定電極５６１や固定引出電極５６３の電極材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（Ｓｎドープ酸化インジウム：ＩＴＯ）、チタンタングステンおよび金の薄膜積層体、クロムおよび金の薄膜積層体などを用いることができる。固定電極５６１や固定引出電極５６３は、例えば、蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成された後、エッチングによって電極または配線としてパターニングされている。

可動基板５２のフィルター平面視において、可動部５２１は、少なくとも反射膜設置部５１２の外周縁の径寸法よりも大きい径寸法にて、略円状に形成されている。また、可動電極５６２は、固定電極５６１と略同一形状となる環状に形成されている。上述した通り、この可動電極５６２は、固定電極５６１とともに静電アクチュエーター５６を構成している。

さらに、可動基板５２には、可動電極５６２の外周縁に接続された可動引出電極５６４が設けられている。可動引出電極５６４は、可動部５２１から配線溝に対向する領域に沿って、電装面５２４に亘って設けられており、電装面５２４において可動電極パッド５６４Ｐを構成している。また、上述したように、可動基板５２に設けられた固定接続電極５６５は、バンプ部５６５Ａを介して固定引出電極５６３に接続されている。可動電極５６２や可動引出電極５６４などの電極および配線の形成には、上述した固定基板５１と同様な方法を用いている。

＜石英基板の水酸基濃度＞
固定基板５１および可動基板５２は、上述したように、光を透過可能な石英基板で構成されている。この石英基板に含まれる水酸基の濃度は、５００ｐｐｍ以下、または１０００ｐｐｍ以上としている。より好ましくは、１００ｐｐｍ以下、または１０００ｐｐｍ以上である。本実施形態においては、上記水酸基の濃度が、１００ｐｐｍ以下、または１０００ｐｐｍ以上の石英基板を用いている。上記の濃度範囲は、発明者らの実験結果に基づくものであり、石英基板を用いることによって、上記の濃度範囲とすることが容易となる。実験結果については、後述する実施例にて詳しく説明する。なお、本発明において濃度単位としてのｐｐｍは、質量ｐｐｍをいう。
ここで、石英基板に含まれる水酸基の濃度は、赤外分光法によって求めることができる。以下、その方法について説明する。

赤外分光法には、赤外分光光度計を用いる。赤外分光光度計としては、ＦＴ−ＩＲ（Fourier Transform Infrared Spectroscopy：フーリエ変換赤外分光光度計）が一般的に用いられる。ＦＴ−ＩＲによって得られた、石英基板の赤外線吸収スペクトルにおける、特定波数の水酸基由来の吸収ピークの高さから、水酸基の濃度が算出可能である。

まず、ＦＴ−ＩＲの試料室内を乾燥窒素によって十分に置換する（窒素パージ）。窒素パージは、装置内の赤外線光路において、大気に含まれる水分の影響を低減することを目的とする。従って、測定中も上記の窒素パージは継続する。

次いで、ＦＴ−ＩＲの赤外線照射光路上の試料室に、試料としての石英基板を設置する。その後、上記の窒素パージを行ってから、石英基板の透過測定を実施する。具体的には、赤外線を光路上に照射し、石英基板を透過した透過光を検出器で受光することにより、測定を行う。これにより赤外線吸収スペクトルが得られる。ここで、上記測定の赤外線吸収スペクトルから、試料を設置せずに測定したブランクの赤外線吸収スペクトルを差し引いて、石英基板の赤外線吸収スペクトルとする。これは、窒素パージ後も微量に残存する大気中の水に由来する水酸基の分を排除するためである。

次に、得られた石英基板の赤外線吸収スペクトルにおいて、３６００ｃｍ^-1付近に出現する水酸基由来の、Ｏ−Ｈ伸縮の吸収ピークの高さ（吸光度）を求める。ここで、このピーク高さをＡ、水酸基の濃度をＣ（単位：ｐｐｍ）、石英基板の厚さ寸法をＬ（ｃｍ）、モル吸光係数をε（単位：ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）、水素の原子量をＭ_H、酸素の原子量をＭ_O、石英基板の密度をρとすると、式Ｃ＝Ａ／（Ｌ×ε）×（Ｍ_O＋Ｍ_H）／ρ×１０³が成り立つ。上記式において、ε＝７７．５、Ｍ_O＝１６、Ｍ_H＝１、ρ＝２．２、およびＡとＬの数値を代入することにより、水酸基の濃度Ｃが得られる。

本実施形態では、気相合成法に分類される、直接法またはスート法のＶＡＤ（Vapor Axial-phase Deposition）法によって製造された石英ガラスを用いている。一般に、直接法で製造された石英ガラス中の水酸基の濃度は、概ね５００ｐｐｍ以上であり、ＶＡＤ法では概ね２００ｐｐｍ以下となる。

＜銀合金反射膜の評価＞
次に、固定反射膜５４および可動反射膜５５として用いる、銀合金反射膜における変質（隆起）発生の評価方法を説明する。なお、この評価では、石英基板表面に形成した反射膜の変質を確認するため、波長可変干渉フィルターには組み込まずに、石英基板単体を試験片として評価を行った。
まず、上述した方法にて、水酸基の濃度が１０３９ｐｐｍであった石英基板を用い、この石英基板の表面に、反射膜として銀合金を２６．６ｎｍの厚さで成膜した。さらに、この反射膜の表面に、保護膜としてＩｎＧａＯを積層して形成した。

次いで、この石英基板に対して、真空下、２８０℃で３時間の熱負荷を与えた。その後、走査型電子顕微鏡を用いて銀合金膜の表面の微細な隆起を観察した。具体的には、銀合金膜の表面を撮像し、画像にコントラスト調整を施した。これによって、上記の隆起は明点として表示される。そこで、この撮像画像において、石英基板の面積０．０１ｍｍ²に相当する領域について、画像解析により明点（上記の隆起）を計数した。その結果、上記石英基板において、銀合金膜表面の隆起の発生数は０個であった。ここで、波長可変干渉フィルターの信頼性を確保するためには、上記評価における隆起の発生数は０個である必要がある。

以下に、本実施形態の波長可変干渉フィルターに係わる石英基板について、実施例と比較例とを示し、本実施形態の効果をより具体的に説明する。

＜石英基板および反射膜の準備＞
図３は、実施例および比較例の石英基板における、水酸基の濃度および反射膜の隆起の個数などの条件を示した図表である。
各実施例および各比較例の石英基板について、上述した方法により水酸基のピーク高さを求め、水酸基の濃度を算出した。水酸基濃度は、実施例１から実施例４が１００ｐｐｍ以下、実施例５から実施例８が１０００ｐｐｍ以上、比較例１から比較例６が５００ｐｐｍ超、１０００ｐｐｍ未満の区分に分かれている。ここで、これらの石英基板に用いた石英ガラスは、実施例１から実施例４がスート法（ＶＤＡ法）、実施例５から実施例８、および比較例１から比較例６が直接法、によって製造されたものを用いている。

次いで、各実施例および各比較例の石英基板を用いて、上記実施形態と同一構成の銀合金の反射膜を形成した。また、保護膜についても、上記実施形態と同様にＩｎＧａＯを積層して形成した。なお、実施例および比較例においても、上記実施形態と同様に、石英基板単体を試験片として評価を行った。

＜反射膜の評価結果＞
各実施例および各比較例の反射膜について、上記実施形態と同様に、熱負荷を印加して反射膜表面の隆起の個数を調査した。その結果を図３に示す。また、図４は、水酸基の濃度と隆起数との関係を示すグラフ図である。図４のグラフでは、図３の表に示した各実施例および各比較例のデータについて、横軸に水酸基の濃度、縦軸に隆起数をプロットしている。

図３に示したように、実施例１から実施例８の石英基板に形成した反射膜は、いずれも隆起の発生が０個であり、隆起の発生が抑制されていることがわかった。これに対して、比較例１から比較例６の石英基板に形成した反射膜では、いずれも多くの隆起の発生があり、信頼性が劣っていることが示された。
また、図４に示したように、水酸基の濃度が１００ｐｐｍ以下または１０００ｐｐｍ以上である実施例の範囲では、隆起の発生が見られない。これに対して、水酸基の濃度が５００ｐｐｍを超え、１０００ｐｐｍ未満である比較例の範囲では、最大で８００個近い隆起が発生している。このように、実施例に係る石英基板では変質が抑えられ、波長可変干渉フィルターとしても信頼性が向上するものであることが示された。

ここで、石英基板の水酸基の濃度が、１００ｐｐｍ以下または１０００ｐｐｍ以上であれば、銀合金の膜の変質が抑制され、隆起の発生が抑えられる機構について考察する。
銀合金は、銀自体が有する凝集しやすさ（凝集性）と、銀合金中の添加元素が凝集を抑制する作用（抑制性）とを備えていると考えられる。そのため、凝集性と抑制性との強弱によって隆起の発生しやすさが決まるが、さらに、そこへ石英基板の水酸基濃度が影響していると推察される。詳細な因果関係は検討中であるが、水酸基濃度の影響として、例えば、水酸基濃度が、１００ｐｐｍ以下では凝集性が減衰され、１０００ｐｐｍ以上では抑制性が強化されるといった影響が推測される。

以上に述べたように、本実施形態に係わる波長可変干渉フィルターによれば、以下の効果を得ることができる。
本実施形態の波長可変干渉フィルターによれば、銀合金の反射膜の表面における隆起の発生を抑制し、波長分解能などの光学的特性および品質が維持可能で、信頼性が向上した波長可変干渉フィルターを提供することができる。詳しくは、従来技術では、銀または銀合金の反射膜表面に隆起が発生するおそれがあったが、本実施形態によれば、石英基板の水酸基濃度を所定の範囲とすることによって、反射膜における銀の凝集が抑制される。そのため、反射膜が熱負荷や経時の影響を受けにくくなり、銀合金の変質が抑えられて上記隆起の発生が抑制される。これにより、波長可変干渉フィルターの反射膜における反射率や面精度が変化しにくくなり、長期にわたって波長分解能を安定に保つことができる。

また、反射膜の銀合金の膜の厚さを所定の範囲とすることによって、反射膜に必要な透過率を確保した上で、緻密な膜とすることができる。これにより、反射膜と石英基板との界面の保護が強化され、隆起の発生をより抑えることができる。
さらには、銀合金の反射膜をＩｎＧａＯの保護膜で覆うことによって、反射膜の保護が強化されて変色や変質が低減される。これにより、反射膜の耐久性がより改善されて、波長可変干渉フィルターの信頼性が一層向上する。

（実施形態２）
＜電子部品の構成＞
本実施形態に係わる電子部品の構成について、図５を参照して説明する。図５は、波長可変干渉フィルターを備えた電子部品の概略構成を示す断面図である。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。

図５に示した電子部品２００は、ベース基板としての収納用パッケージ１００、第１蓋部３０、接合部材２２、波長可変干渉フィルター５、収納部２を有している。換言すれば、電子部品２００は、内部の収納部２に波長可変干渉フィルター５が実装された、光学フィルターデバイスである。この電子部品２００は、入射した光から、内蔵する波長可変干渉フィルター５によって、所望の波長の光を取り出して射出させる機能を有している。

収納用パッケージ１００は、波長可変干渉フィルター５を収納する収納部２、基部１０、側壁部２０、第１蓋部３０、開口部２１、第２蓋部４０などを備えている。
基部１０には、波長可変干渉フィルター５と対向する領域に、光を透過させる円形の開口部２１が形成されている。なお、開口部２１の形状は円形に限定するものではなく、三角形、矩形、多角形、楕円形などや、これらを組み合わせた形状であってもよい。
電子部品２００の形状は直方体である。また、基部１０、第１蓋部３０の平面形状は、略矩形としている。

基部１０の外側面１０ｓ（波長可変干渉フィルター５が搭載される面とは反対側の面）には、外部接続端子１６が設けられている。また、基部１０の波長可変干渉フィルター５が搭載される面には、導電パターン１４が設けられている。導電パターン１４と外部接続端子１６とは、基部１０の内部に形成された配線パターン（図示せず）により、電気的に接続されている。

導電パターン１４は、上述した、波長可変干渉フィルター５の固定電極パッド５６５Ｐおよび可動電極パッド５６４Ｐ（図１参照）と電気的に接続されている。これらの接続には、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）を適用して、銀ペースト、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）などを用いることができる。これらの中でも、アウトガス成分が少ない銀ペーストを用いることが好ましい。また、ＦＰＣによる接続を用いずに、例えばワイヤーボンディングなどによる配線接続を採用してもよい。

側壁部２０は、収納部２の側面部を構成する枠状体であり、例えば、積層セラミック基板によって構成されている。この側壁部２０は、基部１０に積層するように基部１０と一体に成形されている。

第１蓋部３０は、収納部２の底部に対向する天部を構成するガラス基板である。この第１蓋部３０は、収納部２を覆うように、側壁部２０に接合部材２２を介して接合され、収納部２の天部を気密封止している。また、第２蓋部４０は、開口部２１を収納部２の外側から覆うガラス基板である。この第２蓋部４０は、開口部２１を形成する基部１０の外側面１０ｓに、接合部材２３を介して接合され、開口部２１を気密封止している。
換言すれば、収納部２は、基部１０、側壁部２０、第１蓋部３０、第２蓋部４０によって囲まれる空洞部を形成している。これにより、収納部２では、第１蓋部３０および第２蓋部４０によって気密状態が保たれている。

ここで、接合部材２２，２３による接合方法としては、例えば、低融点ガラス接合、ガラスフリット接合、ガラス封着、ろう付けなどが挙げられるが、この中でも低融点ガラス（ガラスペースト）を用いることが好ましい。ガラスペーストは、低融点ガラスに液体を添加してペースト状としたもので、低融点ガラスのガラス転移点を超える温度に加熱することにより接合が可能となる。ガラスペーストは、他の接合部材と比べて低温で接合できるため、本実施形態に適している。

開口部２１の平面中心を通り、基部１０に対して略垂直な直線を直線Ｂとすると、第１蓋部３０および第２蓋部４０の略平面中心は、直線Ｂ上に配置されている。また、波長可変干渉フィルター５の平面中心点Ｏも、この直線Ｂ上に位置するように構成されている。上記の配置により、第１蓋部３０から光が入射し、波長可変干渉フィルター５により取り出された所定の波長の光が、第２蓋部４０から射出される。

また、第１蓋部３０および第２蓋部４０は、ガラス基板に限定するものではなく、透過させる光の波長に応じて、石英、シリコン、ゲルマニウムなどを用いてもよい。
なお、電子部品２００の外形寸法は特に限定されないが、例えば基部１０の平面矩形の端辺が１０ｍｍを超える程度である。

＜電子部品の製造方法＞
次に、波長可変干渉フィルターを備えた電子部品の製造方法について、図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃを参照して説明する。図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃは、電子部品の製造方法を示す概略断面図である。

本実施形態の電子部品２００の製造方法は、収納用パッケージ１００および第１蓋部３０を配置して電子部品２００の筐体を構成する工程と、接合部材２２を加熱して収納用パッケージ１００を気密封止する工程とを含んでいる。

まず、収納用パッケージ１００に、導電パターン１４および外部接続端子１６を形成する。また、第１蓋部３０および第２蓋部４０を所定の大きさに切断して準備する。次いで、図６Ａに示すように、外側面１０ｓの開口部２１の周囲に、接合部材２３としてガラスペースト（低融点ガラス）を塗布する。この塗布されたガラスペーストに第２蓋部４０を圧着してガラスペーストを押し広げると共に、第２蓋部４０と外側面１０ｓとを位置合わせして仮接合する。その後、仮接合したガラスペーストを低融点ガラスのガラス転移点を超える温度に加熱して焼成し、第２蓋部４０と外側面１０ｓとを接合する。

次に、図６Ｂに示すように、収納部２に波長可変干渉フィルター５を収納して、搭載する。このとき、波長可変干渉フィルター５の外部端子としての固定電極パッド５６５Ｐおよび可動電極パッド５６４Ｐ（図１参照）と、導電パターン１４とを電気的に接続して実装する。また併せて、波長可変干渉フィルター５を、接着剤などを用いて収納用パッケージ１００に固定してもよい。

次に、図６Ｃに示すように、側壁部２０と第１蓋部３０との接合箇所に、接合部材２２としてのガラスペースト（低融点ガラス）を塗布する。この塗布されたガラスペーストに第１蓋部３０を圧着してガラスペーストを押し広げると共に、第１蓋部３０と側壁部２０とを位置合わせして仮接合する。その後、仮接合したガラスペーストを低融点ガラスのガラス転移点を超える温度に加熱して焼成し、第１蓋部３０と側壁部２０とを接合して気密封止する。このとき、波長可変干渉フィルター５にも上記の温度に近い熱が印加される。
ここで、上記の工程（接合工程）において、熱負荷がかかることにより、従来の銀または銀合金の反射膜では変質（微細な隆起）が発生しやすかった。本発明によれば、熱負荷が印可されても、銀合金の反射膜における隆起の発生を抑制することが可能である。

以上の工程を経て、波長可変干渉フィルター５は外界に対して気密封止され、図５に示した電子部品２００が製造される。
なお、電子部品２００の製造方法は、上記の工程に限定されるものではない。各工程の順序が逆であってもよく、二つの工程を並行して実施してもよい。例えば、ガラスペーストを焼成する工程は併合が可能であり、接合部材２２および接合部材２３の加熱は同時に実施してもよい。

以上に述べたように、本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
本実施形態によれば、波長可変干渉フィルター５が電子部品２００の内部に気密封止されるため、波長可変干渉フィルター５の光学的特性や品質が維持され、信頼性が向上した電子部品２００を提供することができる。詳しくは、気密封止によって、波長可変干渉フィルター５が外界から遮断され、水や酸素などの影響を受けにくくなる。そのため、波長可変干渉フィルター５における、反射膜の銀の凝集が抑制され、加えて保護膜形成によって信頼性が向上する。さらに、電子部品２００の製造時に印可される熱負荷に対しても、反射膜の隆起発生が抑えられる。これにより、電子部品２００としての信頼性をも向上させることができる。

また、電子部品２００の気密封止に低融点ガラスを用いているため、ガラス接合やろう付けと比べて比較的低温で接合が可能となる。そのため、接合工程において波長可変干渉フィルター５にかかる熱負荷が低減され、銀合金の反射膜の変質が抑制される。これにより、信頼性を向上させた電子部品と電子部品の製造方法とを、提供することができる。

（実施形態３）
＜プリンターの構成＞
次に、波長可変干渉フィルター５を備えた電子機器について、プリンターを例に挙げ、図７を参照して説明する。図７は、プリンターの概略構成を示す斜視図である。

図７に示した、プリンター３００は、インクジェットプリンターである。インクジェットプリンターは、被印刷物上にインクの液滴を吐出して、画像などを印刷する電子機器である。

プリンター３００は、搬送ユニット１２０、キャリッジ１３０、キャリッジ移動ユニット１４０、分光器１７０、制御ユニット１５０などを有している。分光器１７０は、キャリッジ１３０に載置され、内部に波長可変干渉フィルター５を搭載した電子部品２００を有している。従って、プリンター３００は、分光器１７０を備えることにより、印刷が実施された印刷部の色調を分光測定する機能を有している。さらに、測定した色調データを解析して、所望の色調に補正する機能も有している。

キャリッジ１３０の底面には分光器１７０と隣り合ってヘッドユニット（図示せず）が配置されている。このヘッドユニットの複数のノズルから、インクが液滴として吐出される。ヘッドユニットは、被印刷物としての媒体Ａと対向して配置され、インクの液滴が媒体Ａに着弾して印刷がなされる。また、キャリッジ１３０には、ヘッドユニットへインクを供給するための複数のインクカートリッジ１６１が搭載されている。このインクカートリッジ１６１には、異なる色種のインクが個別に収納されており、それらの微小な液滴を吐出することで、カラー画像の印刷を可能としている。また、インクカートリッジ１６１は、キャリッジ１３０に対して着脱自在であり、インク残量のなくなったものを交換可能としている。
また、キャリッジ１３０は、キャリッジ移動ユニット１４０に駆動されて、キャリッジガイド軸１４１上を往復運動が可能としている。これによって、キャリッジ１３０の底面に設置されたヘッドユニットも、往復運動が自在となっている。

搬送ユニット１２０は、搬送ローラー１２１を備えている。この搬送ローラー１２１は、媒体Ａを搬送する機能を有している。具体的には、プリンター３００背面の供給ユニット１１０から供給された媒体Ａを、印刷が実行されるプラテン１２２上を搬送し、さらにはプリンター３００の外部へ搬出する機能を有している。ここで、図７における媒体Ａの搬送方向をＹ軸方向、キャリッジ１３０の往復運動方向と略平行で、Ｙ軸方向と直交する方向をＸ軸方向、Ｘ軸方向およびＹ軸方向と直交するプリンター３００の上下方向をＺ方向と定義する。
分光器１７０は、ヘッドユニットと同様にプラテン１２２と対向して配置されている。従って、測定を実施する場合には、分光器１７０がプラテン１２２上の媒体Ａと対向して位置する。さらに、キャリッジ移動ユニット１４０および搬送ユニット１２０によって、ヘッドユニットおよび分光器１７０は、媒体Ａに対してＸ軸方向およびＹ軸方向へ相対的に走査が可能となっている。

また、制御ユニット１５０は、上述した機能を制御する制御部であって、キャリッジ１３０と配線１３１とを介して電気的に接続されている。そのため、ヘッドユニットに係る液滴吐出情報、インクカートリッジ１６１に係るインク量情報、分光器１７０に係る測色情報、キャリッジ移動ユニット１４０や搬送ユニット１２０の動作情報などが、双方の間で送受信可能な構成となっている。配線１３１としては、例えばＦＦＣ（Flexible Flat Cable）などを用いることができる。

なお、本実施形態では、インクカートリッジ１６１がキャリッジ１３０に搭載された、いわゆるオンキャリッジ型のプリンターを例に説明したが、これに限定されない。例えば、インク収納容器をキャリッジには搭載せず、インク配管によってインクをヘッドユニットへ供給する、オフキャリッジ型であってもよい。
また、プリンター３００に用いるインクとしては、例えば、水系インク、非水系インク、紫外線硬化型などの反応性インクなどが挙げられ、媒体Ａや印刷物に求める特性に合わせて選択することができる。
さらに、ヘッドユニットにおける液滴吐出手段としては、例えば、圧電素子、電気機械変換素子、電気熱変換素子を用いることができる。

＜分光器の構成＞
次に、分光器の構成について、図８を参照して説明する。図８は、分光器の概略構成を示す断面図である。なお、上記実施形態と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。

図８に示した分光器１７０は、光源部１７１、電子部品２００、受光部１７３、導光部１７４を有し、それらが筐体１７５に収容されている。筐体１７５には、媒体Ａ上の印刷部としての測定位置Ｒに対向して、測定用開口部１７６が設けられている。
分光器１７０は、測定位置Ｒに対し、測定用開口部１７６を通して、光源部１７１から照明光を照射し、測定位置Ｒで反射された光成分（反射光）を、導光部１７４によって電子部品２００に入射させる。次いで、電子部品２００は、上記の反射光から所定波長の光を射出（透過）させて、受光部１７３に到達させる。ここで、電子部品２００は、搭載する波長可変干渉フィルター５によって、所定の波長の光を選択する機能を有している。そのため、可視光域における各波長の光の光量を測定することにより、測定位置Ｒの分光測定が可能となっている。

ここで、測定位置Ｒには、プリンター３００が搭載する各色インク単色の印刷区画（以降、カラーパッチという）に加えて、２色以上のインクの液滴を所定の比率で混合印刷させた、混色のカラーパッチが含まれることが好ましい。混色のカラーパッチを分光測定することにより、印刷プロファイルデータを詳細に補正することが可能となる。

光源部１７１は、光源１７１Ａ、集光部１７１Ｂを有している。光源部１７１は、光源１７１Ａから射出された光を、媒体Ａ上の測定位置Ｒの表面に対して、法線方向（Ｚ軸方向）から照射する。
ここで、光源１７１Ａとしては、可視光域における各波長の光を射出可能なものが好ましく、例えば、ハロゲンランプ、キセノンランプ、白色発光ダイオードなどが挙げられる。光源１７１Ａとして、特に、キャリッジ１３０内の限られた空間に設置するには、小型で軽量な白色ダイオードが適している。
集光部１７１Ｂは、例えば集光レンズなどによって構成され、光源１７１Ａから射出された光を、測定位置Ｒに集光させる機能を有している。なお、本実施形態では、集光部１７１Ｂは単一の集光レンズで構成しているが、複数のレンズを組み合わせて構成してもよい。

電子部品２００は、上述のとおり、内部に波長可変干渉フィルター５を搭載している。波長可変干渉フィルター５の可動電極パッド５６４Ｐ、および固定電極パッド５６５Ｐが接続された外部接続端子１６（図５参照）は、制御ユニット１５０（図７参照）に電気的に接続されている。そして、制御ユニット１５０からの指令信号によって、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６（図２参照）に、所定の電圧が印加される。これによって、波長可変干渉フィルター５の反射膜間ギャップＧ１（図２参照）の距離が変わり、所定の波長の光が射出される構成となっている。

受光部１７３は、波長可変干渉フィルター５の平面中心点Ｏ（図１参照）の軸線上（光軸上）に配置され、波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光する。この受光部１７３は、制御ユニット１５０の制御によって、受光量に応じた検出信号（電流値）を出力する。また、受光部１７３により出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器（図示せず）、増幅器（図示せず）、ＡＤ変換器（図示せず）を介して制御ユニット１５０に入力される。

導光部１７４は、反射鏡１７４Ａ、バンドパスフィルター１７４Ｂを有している。この導光部１７４は、測定位置Ｒにおいて、媒体Ａの表面に対して４５°で反射された光を、反射鏡１７４Ａによって波長可変干渉フィルター５の光軸上に反射させる。また、バンドパスフィルター１７４Ｂは、紫外線および赤外線を透過せず、可視光域（例えば波長が３８０ｎｍから７２０ｎｍ）の光を透過させる機能を有している。このため、波長可変干渉フィルター５には可視光域の光が選択的に入射し、受光部１７３においては、可視光域から選択された所定の波長の光が受光される構成となっている。

＜制御ユニットの構成＞
次に、プリンターの制御ユニットについて、図９を参照して説明する。図９はプリンターの概略構成を示すブロック図である。

図９に示すように、プリンター３００は、制御部としての制御ユニット１５０と電気的に接続されている。制御ユニット１５０は、Ｉ／Ｆ１５１、ユニット制御回路１５２、メモリー１５３、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１５４を有している。また、制御ユニット１５０は、パーソナルコンピューターなどの外部機器４００と接続されている。
Ｉ／Ｆ１５１は、外部機器４００から入力される印刷データを、ＣＰＵ１５４に入力する。ユニット制御回路１５２は、供給ユニット１１０、搬送ユニット１２０、ヘッドユニット、キャリッジ移動ユニット１４０、上述した分光器１７０の光源１７１Ａ、電子部品２００、受光部１７３などをそれぞれ制御する制御回路を有している。このユニット制御回路１５２は、ＣＰＵ１５４からの指令信号によって、上述した各ユニットの動作を制御する。なお、各ユニットの制御回路は制御ユニット１５０とは別体で設けられ、制御ユニット１５０に接続される構成であってもよい。

メモリー１５３には、プリンター３００の動作を制御する各種プログラムや各種データが記憶されている。各種データとしては、例えば、波長可変干渉フィルター５の制御に係わる、静電アクチュエーター５６への印加電圧に対する、透過光の波長を示すＶ−λデータ、印刷データに含まれる色データに対する、各インクの吐出量を対応させた印刷プロファイルデータなどが挙げられる。また、光源１７１Ａの各波長に対する、発光特性（発光スペクトル）、受光部１７３における各波長に対する受光特性（受光感度特性）などのデータが記憶されていてもよい。

ＣＰＵ１５４は、メモリー１５３に記憶された各種プログラムを読み出し実行することにより、供給ユニット１１０、搬送ユニット１２０、キャリッジ移動ユニット１４０の駆動制御、ヘッドユニットの印刷制御、分光器１７０による測定制御（波長可変干渉フィルター５における静電アクチュエーター５６の駆動制御、受光部１７３の受光制御）、分光器１７０を用いた分光測定結果による測色処理、印刷プロファイルデータの補正（更新）処理などを実施する機能を有している。

以上に述べたように、本実施形態によれば、上記実施形態における効果に加えて、以下の効果を得ることができる。

本実施形態によれば、分光器１７０によって、安定した波長分解能で印刷部の分光測定が可能なプリンターを提供することができる。詳しくは、分光器１７０が搭載する波長可変干渉フィルター５は、銀合金の反射膜の変質が抑えられ、信頼性が向上している。そのため、波長可変干渉フィルター５からは、高い波長分解能かつ十分な光量で、目標波長の光を透過させることが可能となる。これにより、受光部１７３において上記透過光を受光することで、測定対象としてのカラーパッチの分光測定を、精度よく実施することができる。
また、従来は印刷物の色調調整（再現）には労力や時間を要したが、本実施形態によれば、印刷を実行したプリンターを用い、その場で印刷プロファイルデータを修正することが可能であり、所望の色調を容易に再現して印刷することができる。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。以下に変形例を挙げて説明する。

（変形例１）
上記実施形態の電気機器はプリンターを例に説明したが、その他、様々な分野において本発明の波長可変干渉フィルターを搭載した電子部品、および電子機器を適用することができる。
例えば、その他の電子機器として、特定物質の存在を検出するための光学系を基本としたシステムなどに用いてもよい。本発明の電子部品による分光計測方式を用いた、上記のシステムとしては、具体的には、特定ガスの高感度検出のための車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器のようなガス検出器などが挙げられる。あるいは、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定や、食物、生体、鉱物などを対象とした非侵襲的測定に用いる、物質成分分析装置などを挙げることもできる。
また、例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることによって、光でデータを伝送させることも可能となる。この場合、波長可変干渉フィルターを用いて特定波長の光を分光し、受光部にて受光させて、特定波長の光によって伝送されるデータを抽出することができる。このようなデータ抽出用電子部品を備えた電子機器を用いて、各波長の光のデータを処理することにより、光通信を実施することもできる。
さらに、電子機器としては、本発明の電子部品によって光を分光することにより、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。また、本発明の電子部品をバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定の波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルターで分光して透過することが可能となる。そのため、この構成を光学式レーザー装置として用いることができる。
あるいは、本発明の電子部品を生体認識装置に用いることも可能である。例えば、近赤外領域や可視光領域の光を利用して、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
以上に述べたように、本変形例によれば、入射光から所定の波長の光を分光する、いかなる装置にも適用が可能である。また、複数のデバイスによって所望の波長を取り出していた従来の装置に比べて、電子部品や電子機器の小型化や軽量化が容易になる。併せて、複数の波長の光を、同一の電子部品で分光できるため、処理の効率が向上する。従って、例えば、携帯用や車載用の電子部品として好適に用いることができる。

２…収納部、５…波長可変干渉フィルター、２２…接合部材、３０…第１蓋部、５１…固定基板（第１の基板）、５２…可動基板（第２の基板）、５４…固定反射膜（第１の反射膜）、５５…可動反射膜（第２の反射膜）、１００…収納パッケージ、２００…電子部品、３００…プリンター、５４１，５５１…保護膜。

Claims (10)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板に配置された第１の反射膜と、
   前記第１の反射膜と対向する第２の反射膜と、を備え、
   前記第１の反射膜は銀を含み、
   前記第１の基板が含む水酸基の濃度は、１０００ｐｐｍ以上であることを特徴とする波長可変干渉フィルター。
2. 前記第１の基板は石英基板であることを特徴とする請求項１に記載の波長可変干渉フィルター。
3. 前記第１の反射膜を覆う保護膜を有することを特徴とする、請求項１から請求項２のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルター。
4. 前記保護膜が酸化インジウムガリウムを含むことを特徴とする、請求項３に記載の波長可変干渉フィルター。
5. 前記第１の反射膜の厚さが、１０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルター。
6. 前記第１の基板と対向する第２の基板と、を備え、
   前記第２の反射膜は、前記第２の基板に配置され、
   前記第２の基板は石英基板であり、
   前記第２の反射膜は銀を含み、
   前記第２の基板が含む水酸基の濃度は、１０００ｐｐｍ以上であり、
   前記第２の反射膜を覆う保護膜を有することを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルター。
7. 前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間で光を干渉させ、可視光域の光を透過させることを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルター。
8. 請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルターと、
   ベース基板と、
   前記ベース基板に対向して配置され、前記ベース基板との間に、前記波長可変干渉フィルターを収納するための収納部を形成する第１蓋部と、
   前記ベース基板および前記第１蓋部を接合する接合部材と、を備えたことを特徴とする、電子部品。
9. 請求項８に記載の電子部品の製造方法であって、
   前記接合部材を介して、前記ベース基板と前記第１蓋部とを配置して筐体を構成する工程と、
   前記接合部材を加熱して前記筐体を封止する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
10. 請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の、波長可変干渉フィルターを備えたことを特徴とする電子機器。

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