JP7089706B2 - 共振装置及び共振装置製造方法 - Google Patents
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Description
まず、図1及び図2を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る共振装置の概略構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る共振装置1の外観を概略的に示す斜視図である。図2は、図1に示した共振装置1の構造を概略的に示す分解斜視図である。
図12は、図5に示した接合部60の第1変形例を示す要部拡大断面図である。なお、第1変形例において、図5に示した接合部60と同一の構成については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。また、同様の構成による同様の作用効果については、逐次言及しない。
図13は、図5に示した接合部60の第2変形例を示す要部拡大断面図である。なお、第2変形例において、図5に示した接合部60と同一の構成については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。また、同様の構成による同様の作用効果については、逐次言及しない。
図14は、図5に示した接合部60の第3変形例を示す要部拡大断面図である。なお、第3変形例において、図5に示した接合部60と同一の構成については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。また、同様の構成による同様の作用効果については、逐次言及しない。
Claims (13)
- 共振子を含む第1基板と、
第2基板と、
前記共振子の振動空間を封止するように、前記第1基板と前記第2基板とを接合する接合部と、を備え、
前記接合部は、アルミニウムを主成分とする第1金属と、ゲルマニウム又はシリコンの第2金属と、チタン又はニッケルの第3金属との共晶合金を主成分とする共晶層を含む、
共振装置。 - 前記共晶層は、アルミニウム-ゲルマニウム-チタン合金を主成分とし、アルミニウムの濃度が58at%以上82at%以下、ゲルマニウムの濃度が10at%以上32at%以下、チタンの濃度が7at%以上32at%以下である、
請求項1に記載の共振装置。 - 前記共晶層は、アルミニウム-ゲルマニウム-チタン合金を主成分とし、アルミニウムとゲルマニウムとチタンとの濃度比が60at%対20at%対20at%である、
請求項1に記載の共振装置。 - 前記第1金属は、アルミニウム、アルミニウム-銅合金、又はアルミニウム-シリコン-銅合金である、
請求項1から3のいずれか一項に記載の共振装置。 - 前記接合部は、
前記第1基板側から前記共晶層にかけて連続して設けられる第1導電層と、
前記第2基板側から前記共晶層にかけて連続して設けられる第2導電層と、をさらに含み、
前記第1導電層及び前記第2導電層は、アルミニウムを主成分とする、
請求項1から4のいずれか一項に記載の共振装置。 - 前記接合部は、
前記第1基板側から前記共晶層にかけて連続して設けられる、第1密着層及び第1導電層と、
前記第2基板側から前記共晶層にかけて連続して設けられる、第2密着層及び第2導電層と、をさらに含み、
前記第1導電層及び前記第2導電層は、アルミニウムを主成分とし、
前記第1密着層及び前記第2密着層の材料は、チタンである、
請求項1から4のいずれか一項に記載の共振装置。 - 前記第1導電層及び前記第2導電層の材料は、アルミニウム、アルミニウム-銅合金、又はアルミニウム-シリコン-銅合金である、
請求項5又は6に記載の共振装置。 - 共振子を含む第1基板と第2基板とを用意する工程と、
前記第1基板における前記共振子の振動部の周囲に、アルミニウムを主成分とする第1金属の第1金属層を含む第1層を形成する工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを対向させたときの前記第2基板における前記第1金属層に対向する位置に、前記第1基板側から連続して設けられる、ゲルマニウム又はシリコンの第2金属の第2金属層とチタン又はニッケルの第3金属の第3金属層とを含む第2層を形成する工程と、
前記共振子の振動空間を封止するように、前記第1基板と前記第2基板とを接合する工程であって、前記第1金属と、前記第2金属と、前記第3金属との共晶合金を主成分とする共晶層を含む接合部を形成する、接合する工程と、を含む、
共振装置製造方法。 - 前記第1金属は、アルミニウム、アルミニウム-銅合金、又はアルミニウム-シリコン-銅合金である、
請求項8に記載の共振装置製造方法。 - 前記第3金属は、チタンであり、
前記第1層を形成する工程は、前記接合部における前記第1基板側から前記第1金属層にかけて、チタン層を連続して設けることを含み、
前記接合する工程は、前記第1金属と、前記チタン層のチタンと、前記第2金属と、前記第3金属層のチタンとの共晶合金を主成分とする前記共晶層を形成することを含む、
請求項8又は9に記載の共振装置製造方法。 - 前記第3金属は、チタンであり、
前記第1層を形成する工程は、前記接合部における前記第1基板側から前記第1金属層にかけて、第1導電層及びチタン層を連続して設けることを含み、
前記第2層を形成する工程は、前記接合部における前記第2基板側から前記第3金属層にかけて、第2導電層を連続して設けることを含み、
前記接合する工程は、前記第1金属と、前記チタン層のチタンと、前記第2金属と、前記第3金属層のチタンとの共晶合金を主成分とする前記共晶層を形成することを含み、
前記第1導電層及び前記第2導電層は、アルミニウムを主成分とする、
請求項8又は9に記載の共振装置製造方法。 - 前記第3金属は、チタンであり、
前記第1層を形成する工程は、前記接合部における前記第1基板側から前記第1金属層にかけて、第1密着層、第1導電層、及びチタン層を連続して設けることを含み、
前記第2層を形成する工程は、前記接合部における前記第2基板側から前記第3金属層にかけて、第2密着層及び第2導電層を連続して設けることを含み、
前記接合する工程は、前記第1金属と、前記チタン層のチタンと、前記第2金属と、前記第3金属層のチタンとの共晶合金を主成分とする前記共晶層を形成することを含み、
前記第1導電層及び前記第2導電層は、アルミニウムを主成分とし、
前記第1密着層及び前記第2密着層の材料は、チタンである、
請求項8又は9に記載の共振装置製造方法。 - 前記第1導電層及び前記第2導電層の材料は、アルミニウム、アルミニウム-銅合金、又はアルミニウム-シリコン-銅合金である、
請求項11又は12に記載の共振装置製造方法。
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