CN112689957B - 共振装置和共振装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能使接合部的气密性和接合强度提高的共振装置和共振装置的制造方法。共振装置1具备：包含共振子10的MEMS基板50，上盖30，以及接合MEMS基板50与上盖30以密封共振子10的振动空间的接合部60；接合部60包含以共晶合金为主成分的共晶层65，该共晶合金是以铝为主成分的第1金属、锗或硅的第2金属、以及钛或镍的第3金属的共晶合金。
Description
技术领域
本发明涉及共振装置和共振装置的制造方法。
背景技术
至今为止，使用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技术而制造的共振装置得到了普及。该设备例如在具有共振子的下侧基板接合上侧基板而形成。
例如，在专利文献1中公开了如下MEMS设备：在具有共振子的下侧基板、与元件对置设置的上侧基板、以及元件的周围使下侧基板与上侧基板接合的接合部；接合部具有包含过共晶合金的区域和包含共晶合金的区域。该MEMS设备通过使过共晶合金覆盖共晶合金，从而防止金属从共晶接合的接合面上突出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/047663号
发明内容
然而，在将2种元素进行共晶接合、例如将铝(Al)与锗(Ge)进行共晶接合的情况下，基本上无法形成铝-锗合金(AlGe合金)，而是形成铝(Al)单层和锗(Ge)单层。其结果是，存在大量的铝(Al)单层与锗(Ge)单层的界面。在这样的不同材质的界面中，由于热应力的不同，导致容易产生空洞、剥离(界面剥离)，接合部的气密性和接合强度会降低。
本发明正是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供能使接合部的气密性和接合强度提高的共振装置和共振装置的制造方法。
本发明的一个方面涉及的共振装置具备：包含共振子的第1基板，第2基板，以及接合第1基板与第2基板以密封共振子的振动空间的接合部；接合部包含以共晶合金为主成分的共晶层，该共晶合金是以铝为主成分的第1金属、锗或硅的第2金属以及钛或镍的第3金属的共晶合金。
本发明的另一个方面涉及的共振装置的制造方法包括如下工序：准备包含共振子的第1基板和第2基板的工序；在第1基板中的共振子的振动部的周围，形成包含以铝为主成分的第1金属的第1金属层的第1层的工序；在使第1基板与上述第2基板对置时，在第2基板中的与第1金属层对置的位置，形成从第1基板侧连续设置的、包含锗或硅的第2金属的第2金属层和钛或镍的第3金属的第3金属层的第2层的工序；以及，接合工序，是接合第1基板与第2基板以密封共振子的振动空间的工序，其形成包含以共晶合金为主成分的共晶层的接合部，该共晶合金是第1金属、第2金属和第3金属的共晶合金。
根据本发明，可以提高接合部的气密性和接合强度。
附图说明
图1为示意性地表示本发明的一个实施方式涉及的共振装置的外观的立体图。
图2为示意性地表示图1所示的共振装置的结构的分解立体图。
图3为示意性地表示图2所示的共振子的结构的平面图。
图4为示意性地表示图1至图3所示的共振装置的沿IV-IV线的剖面的构成的剖面图。
图5为示意性地表示图4所示的接合部的构成的主要部分放大剖面图。
图6为使铝(Al)、锗(Ge)、钛(Ti)三元素进行共晶反应时的状态图。
图7为表示本发明的一个实施方式涉及的共振装置的制造方法的流程图。
图8为表示图7所示的工序的剖面图。
图9为表示图7所示的工序的剖面图。
图10为表示图7所示的工序的剖面图。
图11为表示图7所示的工序的剖面图。
图12为表示图5所示的接合部的第1变形例的主要部分放大剖面图。
图13为表示图5所示的接合部的第2变形例的主要部分放大剖面图。
图14为表示图5所示的接合部的第3变形例的主要部分放大剖面图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。在以下的图例的记载中，相同或类似的构成要素用相同或类似的符号来表示。图例只是例示，各部分的尺寸、形状也都是示意性的，不应理解为本发明的技术范围限定于该实施方式。
＜实施方式＞
首先，参照图1和图2，对本发明的一个实施方式涉及的共振装置的大概构成进行说明。图1为示意性地表示本发明的一个实施方式涉及的共振装置1的外观的立体图。图2为示意性地表示图1所示的共振装置1的结构的分解立体图。
共振装置1具有下盖20，共振子10(以下，也将下盖20和共振子10合称为“MEMS基板50”。)，以及上盖30。即，共振装置1由MEMS基板50、接合部60以及上盖30依次层叠而构成。应予说明的是，MEMS基板50相当于本发明的“第1基板”的一个例子，上盖30相当于本发明的“第2基板”的一个例子。
以下，对共振装置1的各构成进行说明。应予说明的是，在以下的说明中，将共振装置1中设置有上盖30的一侧作为上侧(或表侧)，将设置有下盖20的一侧作为下侧(或里侧)，进行说明。
共振子10是使用MEMS技术制造的MEMS振动子。共振子10与上盖30经由后述的接合部60而接合。此外，共振子10与下盖20各自是使用硅(Si)基板(以下称为“Si基板”)而形成的，Si基板彼此互相接合。应予说明的是，MEMS基板50(共振子10和下盖20)可以使用SOI基板而形成。
上盖30沿XY平面扩展为平板状，在其背面上，例如形成有平坦的立方体形状的凹部31。凹部31被侧壁33围绕，形成共振子10振动的空间、即振动空间的一部分。此外，在上盖30的凹部31的共振子10侧的面上，形成有后述的消气层34。应予说明的是，上盖30也可以不具有凹部31而是平板状的构成。
下盖20具有底板22和侧壁23，底板22沿XY平面设置、且为矩形平板状，侧壁23从底板22的周缘部向Z轴方向、即下盖20和共振子10的层叠方向延伸。下盖20中，在与共振子10对置的面中形成有凹部21，凹部21是由底板22的表面和侧壁23的内面而形成的。凹部21形成了共振子10的振动空间的一部分。应予说明的是，下盖20也可以不具有凹部21而是平板状的构成。此外，在下盖20的凹部21的共振子10侧的面上，也可以形成消气层。
接下来，参照图3，对本发明的一个实施方式涉及的共振子10的大概构成进行说明。该图为示意性地表示图2所示的共振子10的结构的平面图。
如图3所示，共振子10为使用MEMS技术制造的MEMS振动子，在图3的正交坐标系中的XY平面内进行面外振动。应予说明的是，共振子10并不限定于使用面外弯曲振动模式的共振子。共振装置1的共振子也可以使用例如扩展振动模式、厚度纵向振动模式、冲压波振动模式、面内弯曲振动模式、表面波振动模式。这些振动子可应用于例如定时装置、RF滤波器、双工器、超声波换能器、陀螺仪传感器、加速度传感器等。此外，也可以用于具有致动器功能的压电镜、压电陀螺、具有压力传感器功能的压电麦克风、超声波振动传感器等。进而，也可以适用于静电MEMS元件、电磁驱动MEMS元件、压电电阻MEMS元件。
共振子10具有振动部120、保持部140和保持臂110。
保持部140以沿XY平面、且包围住振动部120的外侧的方式，形成矩形的框状。例如，保持部140从方柱形状的框体而形成为一体。应予说明的是，保持部140只要设置在振动部120周围的至少一部分即可，不限定于框状的形状。
保持臂110设置在保持部140的内侧，与振动部120和保持部140连接。
振动部120设置在保持部140的内侧，在振动部120与保持部140之间，以规定的间隔形成有空间。在图3所示的例子中，振动部120具有基部130和4根振动臂135A～135D(以下，也合称为“振动臂135”)。应予说明的是，振动臂的数量不限定于4根，例如可以设定为1根以上的任意的数量。在本实施方式中，各振动臂135A～135D与基部130形成为一体。
在平面视图中，基部130在X轴方向上具有长边131a、131b，在Y轴方向上具有短边131c、131d。长边131a为基部130的前端的面(以下也称为“前端131A”)的一个边，长边131b为基部130的后端的面(以下也称为“后端131B”)的一个边。基部130中，前端131A与后端131B以互相对置的方式设置。
前端131A中，基部130与振动臂135连接，后端131B中，基部130与后述的保持臂110连接。应予说明的是，在图3所示的例子中，在平面视图中基部130具有大致为长方形的形状，但不限定于此。基部130只要相对于沿长边131a的垂直平分线而规定的虚拟平面P形成大致的面对称即可。例如，基部130可以是长边131b比131a短的梯形，也可以是以长边131a为直径的半圆形。此外，基部130的各面不限定于平面，也可以是弯曲的面。应予说明的是，虚拟平面P是振动部120中的、通过与振动臂135并列的方向的中心的平面。
基部130中，从前端131A朝向后端131B的方向上的、前端131A与后端131B的最长距离为基部长度，基部长度为35μm左右。此外，在与基部长度方向正交的宽度方向上，基部130的侧端彼此的最长距离为基部宽度，基部宽度为265μm左右。
振动臂135在Y轴方向上延伸，各自具有相同的尺寸。就振动臂135而言，各自在基部130和保持部140之间平行地设置于Y轴方向，一端与基部130的前端131A连接，作为固定端，另一端为开放端。此外，各个振动臂135以规定的间隔并列设置于X轴方向。应予说明的是，对于振动臂135而言，例如X轴方向的宽度为50μm左右，Y轴方向的长度为465μm左右。
对于各个振动臂135而言，例如，距开放端150μm左右的部分与振动臂135的其它部位相比，X轴方向的宽度变宽。该宽度变宽了的部位被称为锤部G。例如，锤部G与振动臂135的其他部位相比，沿X轴方向的左右宽度各加宽10μm，X轴方向的宽度为70μm左右。锤部G可通过与振动臂135相同的工艺形成为一体。通过形成锤部G，在振动臂135中，固定端侧的每单位长度的重量与开放端侧的每单位长度的重量相比更重。因此，通过使各个振动臂135在开放端侧具有锤部G，从而可以增大各振动臂中的上下方向的振动的振幅。
在振动部120的表面(与上盖30对置的面)上，以覆盖其全面的方式形成有后述的保护膜235。此外，在振动臂135A～135D的开放端侧的先端上的保护膜235的表面上，各自形成有调频膜236。通过保护膜235和调频膜236，可以调节振动部120的共振频率。
应予说明的是，在本实施方式中，共振子10的表面(与上盖30对置一侧的面)几乎整个面都被保护膜235覆盖。进而，对于保护膜235的表面而言，其几乎整个面都被寄生电容降低膜240覆盖。但是，保护膜235至少覆盖振动臂135即可，并不限定于覆盖共振子10的几乎整个面的构成。
接下来，参照图4，对本发明的一个实施方式涉及的共振装置1的层叠结构进行说明。该图为示意性地表示图1至图3所示的共振装置1的沿IV-IV线的剖面的构成的剖面图。
如图4所示，在共振装置1中，在下盖20的侧壁23上结合共振子10的保持部140，进而使共振子10的保持部140与上盖30的侧壁33接合。以这样的方式，在下盖20与上盖30之间保持共振子10，通过下盖20、上盖30和共振子10的保持部140，从而形成振动臂135振动的振动空间。此外，在上盖30的上表面(与共振子10对置的面处于相反侧的面)形成有端子T4。端子T4与共振子10通过穿通电极V3、连接配线70和接触电极76A、76B而电连接。
上盖30由具有规定厚度的硅(Si)晶片(以下称为“Si晶片”)L3而形成。上盖30中，在其周边部(侧壁33)通过后述的接合部60而与共振子10的保持部140接合。上盖30中的与共振子10对置的表面、背面和穿通电极V3的侧面优选被氧化硅膜L31覆盖。氧化硅膜L31例如通过Si晶片L3的表面的氧化、化学气相蒸镀(CVD:Chemical Vapor Deposition)而在Si晶片L3的表面形成。
此外，上盖30的凹部31中的与共振子10对置一侧的面上形成有消气层34。消气层34由例如钛(Ti)等形成，吸附在振动空间中产生的脱气。本实施方式涉及的上盖30中，由于凹部31中与共振子10对置的面的几乎整个面上形成有消气层34，因此，可以抑制振动空间的真空度的降低。
此外，上盖30的穿通电极V3是在形成于上盖30的穿通孔中，填充导电性材料而形成的。填充的导电性材料例如有掺杂了杂质的多晶硅(Poly-Si)、铜(Cu)、金(Au)、掺杂了杂质的单晶硅等。穿通电极V3承担作为将端子T4与电压施加部141进行电连接的配线的功能。
下盖20的底板22和侧壁23通过Si晶片L1而形成一体。此外，下盖20通过侧壁23的上表面与共振子10的保持部140接合。规定于Z轴方向的下盖20的厚度例如为150μm，凹部21的深度例如为50μm。应予说明的是，Si晶片L1由非简并的硅形成，其电阻率例如为16mΩ·cm以上。
共振子10中的保持部140、基部130、振动臂135和保持臂110可以用相同工艺而成型为一体。共振子10中，在作为基板的一个例子的硅(Si)基板(以下称为“Si基板”)F2上，以覆盖Si基板F2的方式形成压电薄膜F3，进而在压电薄膜F3上层叠金属层E2。然后，在金属层E2上以覆盖金属层E2的方式层叠压电薄膜F3，进而，在压电薄膜F3上层叠金属层E1。在金属层E1上以覆盖金属层E1的方式层叠保护膜235，在保护膜235上层叠寄生电容降低膜240。
Si基板F2由例如由厚度6μm左右的简并后的n型硅(Si)半导体形成，作为n型掺杂物，可以包含磷(P)、砷(As)、锑(Sb)等。用于Si基板F2的简并硅(Si)的电阻值例如小于16mΩ·cm，更优选为1.2mΩ·cm以下。进而，作为温度特性校正层的一个例子，在Si基板F2的下表面可以形成氧化硅(例如，SiO2)层F21。由此，可以使温度特性提高。应予说明的是，氧化硅层F21也可以形成于Si基板F2的上表面，还可以形成于Si基板F2的上表面和下表面这两面。
此外，金属层E1、E2例如为厚度0.1μm以上且0.2μm以下左右，在成膜后，通过蚀刻等可以图案化为期望的形状。金属层E1、E2可以使用晶体结构为体心立方结构的金属。具体来说，金属层E1、E2可以使用Mo(钼)、钨(W)等形成。
金属层E1例如可以形成在振动部120上，承担作为上部电极的功能。此外，金属层E1可以形成在保持臂110、保持部140上，承担作为将上部电极与设置在共振子10的外部的交流电源连接的配线的功能。
另一方面，金属层E2可以形成在振动部120上，承担作为下部电极的功能。此外，金属层E2可以形成在保持臂110、保持部140上，承担作为将下部电极与设置在共振子10的外部的回路连接的配线的功能。
压电薄膜F3是将施加的电压变换为振动的压电体的薄膜。压电薄膜F3由晶体结构具有纤锌矿型六方晶结构的材质形成，例如能够以氮化铝(AlN)、氮化钪铝(ScAlN)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)等氮化物、氧化物作为主成分。应予说明的是，氮化钪铝是氮化铝中的铝的一部分被钪置换，也可以代替钪而被镁(Mg)和铌(Nb)、或镁(Mg)和锆(Zr)等2种元素置换。此外，压电薄膜F3具有例如1μm的厚度，但也可以使用0.2μm至2μm左右的厚度。
压电薄膜F3根据由金属层E1、E2施加到压电薄膜F3的电场而在XY平面的面内方向即Y轴方向上伸缩。通过该压电薄膜F3的伸缩，振动臂135使其自由端向着下盖20和上盖30的内面变位，以面外弯曲振动模式进行振动。
在本实施方式中，将施加于外侧的振动臂135A、135D的电场的相位与施加于内侧的振动臂135B、135C的电场的相位设定为互相相反的相位。由此，外侧的振动臂135A、135D与内侧的振动臂135B、135C互相向相反方向进行变位。例如，外侧的振动臂135A、135D使其自由端向着上盖30的内面变位时，内侧的振动臂135B、135C使其自由端向着下盖20的内面变位。
保护膜235防止作为压电振动用的上部电极的金属层E1发生氧化。保护膜235优选由因蚀刻而导致的质量减少速度比调频膜236慢的材料形成。质量减少速度以蚀刻速度、即、每单位时间所除去的厚度与密度的积来表示。除氮化铝(AlN)、氮化钪铝(ScAlN)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)等的压电膜之外，保护膜235例如可以由氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)等的绝缘膜而形成。保护膜235的厚度例如为0.2μm左右。
调频膜236在振动部120的几乎整个面上形成后，通过蚀刻等加工而仅形成在规定的区域中。调频膜236は、由因蚀刻而导致的质量减少速度比保护膜235快的材料形成。具体而言，调频膜236由钼(Mo)、钨(W)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等金属构成。
应予说明的是，保护膜235与调频膜236只要质量减少速度的关系如上所述，则蚀刻速度的大小关系是任意的。
寄生电容降低膜240由原硅酸四乙酯(TEOS)形成。寄生电容降低膜240的厚度为1μm左右。具有如下功能：减少敷设式配线部中的寄生电容且作为不同电位的配线交叉时的绝缘层，以及作为用于扩大振动空间的托脚(Stand off)。
连接配线70经由穿通电极V3而与端子T4电连接，并且与接触电极76A、76B电连接。
接触电极76A以与共振子10的金属层E1接触的方式形成，与连接配线70和共振子10电连接。接触电极76B以与共振子10的金属层E2接触的方式形成，与连接配线70和共振子10电连接。具体而言，在接触电极76A与金属层E1连接时，以金属层E1露出的方式，除去金属层E1上层叠的压电薄膜F3、保护膜235和寄生电容降低膜240的一部分，形成导通孔V1。在形成的导通孔V1的内部填充与接触电极76A相同的材料，与金属层E1和接触电极76A连接。同样的，在接触电极76B与金属层E2连接时，以金属层E2露出的方式，除去金属层E2上层叠的压电薄膜F3和寄生电容降低膜240的一部分，形成导通孔V2。在形成的导通孔V2的内部填充与接触电极76B相同的材料，与金属层E2和接触电极76B连接。接触电极76A、76B由例如铝(Al)、金(Au)、锡(Sn)等金属构成。应予说明的是，金属层E1与接触电极76A的连接处、以及金属层E2与接触电极76B的连接处优选为振动部120的外侧的区域，在本实施方式中与保持部140连接。
接合部60在共振子10中的振动部120的周围、例如保持部140上在MEMS基板50(共振子10和下盖20)与上盖30之间、沿XY平面形成矩形的框状。接合部60以密封共振子10的振动空间的方式，与MEMS基板50和上盖30接合。由此，振动空间被气密地密封，可以维持真空状态。
本实施方式中，接合部60包含形成于MEMS基板50的第1层80和形成于上盖30的第2层90，通过使第1层80与第2层90共晶接合，从而MEMS基板50与上盖30接合。
接下来，参照图5，对本发明的一个实施方式涉及的接合部60的层叠结构进行说明。该图为示意性地表示图4所示的接合部60的构成的主要部分放大剖面图。
如图5所示，接合部60包含以共晶合金为主成分的共晶层65。共晶层65包含共晶合金，该共晶合金为：以铝(Al)为主成分的第1金属的层即第1金属层61、锗(Ge)或硅(Si)的第2金属的层即第2金属层62、钛(Ti)或镍(Ni)的第3金属的层即第3金属层63。
接合部60中，第1金属层61包含于第1层80。另一方面，第2金属层62和第3金属层63包含于第2层90。
图5所示的例子中，第1金属层61、第2金属层62、第3金属层63被记载为各自独立的层，但实际上这些界面是共晶接合的。即，共晶层65将共晶合金作为主成分而构成，该共晶合金为以铝(Al)为主成分的第1金属、锗(Ge)或硅(Si)的第2金属、钛(Ti)或镍(Ni)的第3金属的共晶合金。
以下的说明中，除特别说明的情况之外，第1金属层61的第1金属为铝(Al)，第2金属层62的第2金属为锗(Ge)，第3金属层63的第3金属为钛(Ti)，共晶层65以铝-锗-钛合金(AlGeTi合金)为主成分。该情况下，共晶层65中除铝-锗-钛合金(AlGeTi合金)以外，还可以包含铝(Al)、锗(Ge)、铝-钛(AlTi)、锗-钛(GeTi)、铝-锗(AlGe)。
第1金属层61的第1金属优选为铝(Al)、铝-铜合金(AlCu合金)或铝-硅-铜合金(AlSiCu合金)。铝或铝合金是在共振装置等中经常被用于例如配线等的金属，因此，通过将铝(Al)、铝-铜合金(AlCu合金)或铝-硅-铜合金(AlSiCu合金)用作第1金属层61的第1金属，从而可以与第2金属层62的第2金属和第3金属层63的第3金属容易地共晶接合，且可以使制造工序简单化，容易地形成密封共振子10的振动空间的接合部60。
在此，在使2种元素进行共晶反应而接合、例如使铝(Al)与锗(Ge)进行共晶反应而接合的情况下，基本上无法形成铝-锗合金(AlGe合金)，而是形成了铝(Al)单层和锗(Ge)单层。其结果是，存在大量的铝(Al)单层与锗(Ge)单层的界面。在这样的不同材质的界面中，由于热应力的不同，导致容易产生空洞、剥离(界面剥离)，接合部的气密性和接合强度会降低。
接下来，参照图6，对本发明的一个实施方式涉及的接合部60的状态进行说明。该图为使铝(Al)、锗(Ge)、钛(Ti)三元素进行共晶反应时的状态图。图6中，横轴为锗(Ge)的比例(at％)，纵轴为温度(℃)。
对此，在使3种元素进行共晶反应而接合、例如使铝(Al)、锗(Ge)和钛(Ti)进行共晶反应而接合的情况下，在图6所示的粗线围住的范围中，会产生共晶熔融金属的液体(图6中记为L)、铝-锗-钛合金(AlGeTi合金)(图6中记为τ1)。同样地，对于使铝(Al)、锗(Ge)和镍(Ni)进行共晶反应的情况，使铝(Al)、硅(Si)和钛(Ti)进行共晶反应的情况，以及使铝(Al)、硅(Si)和镍(Ni)进行共晶反应的情况而言，都会产生共晶熔融金属的液体和合金。以这样的方式，在规定的三元共晶反应中可以形成合金，不会形成不同材质的界面。
因此，接合部60通过包含将以铝(Al)为主成分的第1金属层61、为锗(Ge)或硅(Si)的第2金属层62、为钛(Ti)或镍(Ni)的第3金属层63的共晶合金为主成分的共晶层65，从而在接合部60中，可以抑制不同材质的界面的形成。因此，接合部60中可能产生的空洞和界面剥离减少，可以使接合部60的气密性和接合强度提高。
此外，在形成共晶层65时，如上述那样，在共晶点以上，液体的共晶熔融金属与固体的合金同时形成，因此，共晶熔融金属的流动性会降低，可以抑制共晶熔融金属向平面方向的飞溅(Splash)。因此，可以减少因接合部60的飞溅而导致的短路(Short)，可以使共振装置1的布局自由度提高。
共晶层65的各元素优选为规定的浓度比例。例如，共晶层65以铝-锗-钛合金(AlGeTi合金)为主成分的情况下，共晶层65中优选：铝(Al)的浓度为58at％以上且82at％以下，锗(Ge)的浓度为10at％以上且32at％以下，钛(Ti)的浓度为7at％以上且32at％以下。由此，可以容易地实现气密性和接合强度提高了的接合部60。
此外，共晶层65的各元素优选为规定的浓度比。例如，共晶层65以铝-锗-钛合金(AlGeTi合金)为主成分的情况下，共晶层65中优选铝(Al)、锗(Ge)和钛(Ti)的浓度比为3：1：1。由此，可以进一步抑制接合部60中形成不同材质的界面。
接下来，参照图7至图11，对本发明的一个实施方式涉及的共振装置的制造方法进行说明。图7为表示本发明的一个实施方式涉及的共振装置1的制造方法的流程图。图8为表示图7所示的工序S301的剖面图。图9为表示图7所示的工序S302的剖面图。图10为表示图7所示的工序S303的剖面图。图11为表示图7所示的工序S304的剖面图。应予说明的是，在图8至图11中，出于方便，示出使用制造方法制造的多个共振装置1中的1个共振装置1进行说明。
如图7所示，首先准备MEMS基板50和上盖30(S301)。具体而言，如图8所示，准备上述包含共振子10的MEMS基板50、具有穿通电极V3的上盖30。但是，连接穿通电极V3和共振子10的、图4所示的连接配线70尚未形成。
回到图7，接下来，在工序S301里准备的MEMS基板50中，于共振子10的振动部120的周围，形成包含以铝(Al)为主成分的第1金属层61的第1层80(S302)。
具体而言，如图9所示，在准备的MEMS基板50(共振子10)中，在压电薄膜F3上形成的寄生电容降低膜240上层叠例如铝(Al)。接下来，通过蚀刻等使层叠的铝(Al)成为期望的形状，在MEMS基板50中，于振动部120的外侧形成第1金属层61。第1金属层61在将MEMS基板50作为平面视图时，形成在共振子10的共振空间的周围。
在形成第1层80后，在高温如435℃左右，对MEMS基板50进行用于脱气的加热处理。第1层80由于仅包含第1金属层61，因此即使在高温进行加热处理，因热扩散而导致的影响也少。
返回图7，接下来，在工序S301里准备的上盖30中，在使MEMS基板50与上盖30对置时，形成从MEMS基板50侧连续设置的、包含锗(Ge)的第2金属层62、钛(Ti)的第3金属层63的第2层90(S303)。
具体而言，如图10所示，在上盖30的背面中的氧化硅膜L31的表面层叠例如钛(Ti)。接下来，通过蚀刻等使层叠的钛(Ti)成为期望的形状，在上盖30中，于规定的位置形成第3金属层63。对于形成第3金属层63的规定的位置而言，例如为如下位置：在使MEMS基板50的表面与上盖30的背面对置时，在上盖30的背面中，与MEMS基板50上形成的第1层80为对置或大致对置的位置。然后，在第3金属层63上(图10中为第3金属层63下)层叠例如锗(Ge)而设置第2金属层62。
在形成第2层90后，在高温如435℃左右，对上盖30进行用于脱气的加热处理。由此，可以充分地释放(蒸发)上盖30和第2层90所包含的气体，可以减少脱气的产生。
回到图7，接下来，以密封共振子10的振动空间的方式，将工序S302中形成有第1层80的MEMS基板50、工序S303中形成有第2层90的上盖30接合(S304)。该工序S304包含：形成接合部60，该接合部60包含以共晶合金为主成分的共晶层65，该共晶合金为以铝(Al)为主成分的第1金属、锗(Ge)或硅(Si)的第2金属、钛(Ti)或镍(Ni)的第3金属的共晶合金。
具体而言，以第1层80与第2层90相一致的方式，使MEMS基板50与上盖30的位置重合。将位置重合后，通过加热器等将MEMS基板50与上盖30夹住，进行用于进行三元共晶反应的加热处理。此时，使上盖30向着MEMS基板50移动。其结果是，如图11所示，第2层90的第2金属层62与第1层80的第1金属层61接触。
用于三元共晶反应的加热处理中的温度优选为共晶点的温度以上，并且小于第1金属的铝(Al)单体的情况的熔点。即，在第2金属为锗(Ge)且第3金属为钛(Ti)的情况下，优选为：共晶点的422℃以上，并且小于铝(Al)单体的熔点即620℃左右。此外，在第2金属为锗(Ge)且第3金属为镍(Ni)的情况下，优选为：共晶点的423±2℃(共晶点根据各金属的比例(％)而不同)以上，并且小于第1金属的铝(Al)单体的熔点即620℃左右。此外，第2金属为硅(Si)且第3金属为钛(Ti)的情况下，优选为：共晶点的577℃以上，并且小于第1金属的铝(Al)单体的熔点即620℃左右。进而，第2金属为硅(Si)且第3金属为镍(Ni)的情况下，优选为：共晶点的567℃或568℃(共晶点根据各金属的比例(％)而不同)以上，并且小于第1金属的铝(Al)单体的熔点即620℃左右。
此外，加热时间优选为5分钟以上且30分钟以下左右。本实施方式中，在440℃左右的温度以15分左右的加热时间来进行加热处理。
加热时，上盖30和MEMS基板50如图11中黑色箭头所示，从上盖30向MEMS基板50挤压。挤压的压力例如为15Mpa左右，优选为5MPa以上且25MPa以下左右。
此外，在用于三元共晶反应的加热处理后，例如可通过自然放冷来进行冷却处理。应予说明的是，冷却处理不限于自然放冷，只要能形成接合部60中以共晶合金为主成分的共晶层65即可，其冷却温度、冷却速度可进行各种各样的选择。
进行了图7所示的工序S304的结果是，如图5所示，形成了以第1金属、第2金属和第3金属的共晶合金为主成分的共晶层65的接合部60。
此外，在形成第1层80时形成铝(Al)膜，在形成第2层90时形成锗(Ge)膜，通过将它们共晶接合，从而可以设置用于连接穿通电极V3与共振子10的、图4所示的连接配线70。
本实施方式中，在图5至图11中示出了接合部60仅包含以第1金属、第2金属和第3金属的共晶合金为主成分的共晶层65的例子，但不限定于此。例如，接合部60也可以包含共晶层65以外的层。
(第1变形例)
图12为表示图5所示的接合部60的第1变形例的主要部分放大剖面图。应予说明的是，第1变形例中，对与图5所示的接合部60相同的构成赋予相同的符号，并适当省略其说明。此外，对于同样的构成所起到的同样的作用效果，也不再一一提及。
如图12所示，第3金属层63的第3金属为钛(Ti)，接合部60的共晶层65除第1金属层61、第2金属层62和第3金属层63外还包含钛(Ti)层64而构成。钛(Ti)层64包含于第1层80，从MEMS基板50侧至第1金属层61连续设置。
钛(Ti)层64的材料为钛(Ti)。因此，钛(Ti)层64作为用于使共晶层65密合的密合层而发挥作用。因此，第1层80通过包含从MEMS基板50侧至第1金属层61连续设置的钛(Ti)层64，从而使接合部60与MEMS基板50的密合性提高。因此，可以使接合部60的接合强度进一步提高。
在第1变形例的制造方法中，在图9所示的工序S302中，从MEMS基板50侧至第1金属层61连续设置钛(Ti)层64。
具体而言，在形成于压电薄膜F3上的寄生电容降低膜240上层叠钛(Ti)来设置钛(Ti)层64。接下来，在钛(Ti)层64上层叠例如铝(Al)。接下来，通过蚀刻等使层叠的铝(Al)成为期望的形状，形成第1金属层61。
此外，图11所示的工序S304中，形成以第1金属、钛(Ti)层64的钛(Ti)、第2金属、和第3金属的钛(Ti)的共晶合金为主成分的共晶层65。用于三元共晶反应的加热处理与上述的例子相同。
(第2变形例)
图13为表示图5所示的接合部60的第2变形例的主要部分放大剖面图。应予说明的是，第2变形例中，对与图5所示的接合部60相同的构成赋予相同的符号，并适当省略其说明。此外，对于同样的构成所起到的同样的作用效果，也不再一一提及。
如图13所示，第3金属层63的第3金属为钛(Ti)，接合部60进一步包含：从MEMS基板50侧至共晶层65连续设置的第1导电层66、以及从上盖30侧至共晶层65连续设置的第2导电层67。应予说明的是，共晶层65与第1变形例同样地包含钛(Ti)层64。
第1导电层66包含于第1层80，第2导电层67包含于第2层90。第1导电层66和第2导电层67以铝(Al)为主成分。以这样的方式，接合部60通过进一步包含从MEMS基板50侧至共晶层65连续设置的以铝(Al)为主成分的第1导电层66、以及从上盖30侧至共晶层65连续设置的以铝(Al)为主成分的第2导电层67，从而可以在MEMS基板50中从第1导电层66敷设配线，并在上盖30中从第2导电层67敷设配线。
此外，第1导电层66和第2导电层67的材料优选为铝(Al)、铝-铜合金(AlCu合金)或铝-硅-铜合金(AlSiCu合金)。由此，第1导电层66和第2导电层67可以具有导电性，并且使制造工序简单化，可以容易地形成密封共振子10的振动空间的接合部60。
在第2变形例的制造方法中，在图9所示的工序S302中，从MEMS基板50侧至第1金属层61连续设置第1导电层66和钛(Ti)层64。
具体而言，在形成于压电薄膜F3上的寄生电容降低膜240上层叠例如铝(Al)。接下来，通过蚀刻等使层叠的铝(Al)成为期望的形状，形成第1导电层66。接下来，在第1导电层66上层叠钛(Ti)来设置钛(Ti)层64。接下来，在钛(Ti)层64上层叠例如铝(Al)。然后，通过蚀刻等使层叠的铝(Al)成为期望的形状，形成第1金属层61。
此外，在图10所示的工序S303中，从上盖30侧至共晶层65连续设置第2导电层67。
具体而言，在氧化硅膜L31的表面层叠例如铝(Al)。接下来，通过蚀刻等使层叠的铝(Al)成为期望的形状，形成第2导电层67。接下来，在第2导电层67上(图13中为第2导电层67下)层叠钛(Ti)。接下来，通过蚀刻等使层叠的钛(Ti)成为期望的形状，形成第3金属层63。然后，在第3金属层63上(图13中为第3金属层63下)层叠例如锗(Ge)而设置第2金属层62。
进而，与第1变形例相同，在图11所示的工序S304中，形成以第1金属、钛(Ti)层64的钛(Ti)、第2金属、和第3金属的钛(Ti)的共晶合金为主成分的共晶层65。用于三元共晶反应的加热处理与上述的例子相同。
(第3变形例)
图14为表示图5所示的接合部60的第3变形例的主要部分放大剖面图。应予说明的是，第3变形例中，对与图5所示的接合部60相同的构成赋予相同的符号，并适当省略其说明。此外，对于同样的构成所起到的同样的作用效果，也不再一一提及。
如图14所示，第3金属层63的第3金属为钛(Ti)，接合部60进一步包含：从MEMS基板50侧至共晶层65连续设置的第1密合层68和第1导电层66、从上盖30侧至共晶层65连续设置的第2密合层69和第2导电层67。应予说明的是，共晶层65与第1变形例同样地包含钛(Ti)层64。
第1密合层68和第1导电层66包含于第1层80，第2密合层69和第2导电层67包含于第2层90。第1导电层66和第2导电层67以铝(Al)为主成分。
此外，第1导电层66和第2导电层67的材料优选为铝(Al)、铝-铜合金(AlCu合金)或铝-硅-铜合金(AlSiCu合金)。
第1密合层68和第2密合层69的材料为钛(Ti)。因此，钛(Ti)层64作为用于使共晶层65密合的密合层而发挥作用。因此，接合部60通过进一步包含从MEMS基板50侧至共晶层65连续设置的钛(Ti)的第1密合层68和第1导电层66、以及从上盖30侧至共晶层65连续设置的钛(Ti)的第2密合层69和第2导电层67，从而使接合部60与MEMS基板50和上盖30的密合性提高。因此，可以使接合部60的接合强度进一步提高。
在第3变形例的制造方法中，在图9所示的工序S302中，从MEMS基板50侧至第1金属层61连续设置第1密合层68、第1导电层66和钛(Ti)层64。
具体而言，在形成于压电薄膜F3上的寄生电容降低膜240上层叠钛来设置第1密合层68。接下来，在第1密合层68上层叠例如铝(Al)。接下来，通过蚀刻等使层叠的铝(Al)成为期望的形状，形成第1导电层66。接下来，在第1导电层66上层叠钛(Ti)来设置钛(Ti)层64。接下来，在钛(Ti)层64上层叠例如铝(Al)。然后，通过蚀刻等使层叠的铝(Al)成为期望的形状，形成第1金属层61。
此外，在图10所示的工序S303中，从上盖30侧至共晶层65连续设置第2密合层69和第2导电层67。
具体而言，在氧化硅膜L31的表面层叠钛来设置第2密合层69。接下来，在第2密合层69上(图14中为第2密合层69下)层叠例如铝(Al)。接下来，通过蚀刻等使层叠的铝(Al)成为期望的形状，形成第2导电层67。接下来，在第2导电层67上(图14中为第2导电层67下)层叠钛(Ti)。接下来，通过蚀刻等使层叠的钛(Ti)成为期望的形状，形成第3金属层63。然后，在第3金属层63上(图14中为第3金属层63下)层叠例如锗(Ge)而设置第2金属层62。
进而，第1变形例与第2变形例相同，在图11所示的工序S304中，形成以第1金属、钛(Ti)层64的钛(Ti)、第2金属、和第3金属的钛(Ti)的共晶合金为主成分的共晶层65。用于三元共晶反应的加热处理与上述的例子相同。
以上，对本发明所例示的实施方式进行了说明。本发明的一个实施方式涉及的共振装置中，接合部包含以共晶合金为主成分的共晶层，该共晶合金为以铝(Al)为主成分的第1金属、为锗(Ge)或硅(Si)的第2金属、为钛(Ti)或镍(Ni)的第3金属的共晶合金。由此，可以抑制在接合部中形成不同材质的界面。因此，接合部中可能产生的空洞和界面剥离减少，可以使接合部的气密性和接合强度提高。此外，在形成共晶层时，如上述那样，在共晶点以上，液体的共晶熔融金属与固体的合金同时形成，因此，共晶熔融金属的流动性会降低，可以抑制共晶熔融金属向平面方向的飞溅(Splash)。因此，可以减少因接合部的飞溅而导致的短路(Short)，可以使共振装置的布局自由度提高。
此外，在上述的共振装置中，共晶层以铝-锗-钛合金(AlGeTi合金)为主成分，铝(Al)的浓度为58at％以上且82at％以下，锗(Ge)的浓度为10at％以上且32at％以下，钛(Ti)的浓度为7at％以上且32at％以下。由此，可以容易地实现气密性和接合强度提高了的接合部。
此外，在上述的共振装置中，共晶层以铝-锗-钛合金(AlGeTi合金)为主成分，铝(Al)、锗(Ge)和钛(Ti)的浓度比为3：1：1。由此，可以进一步抑制接合部中形成不同材质的界面。
此外，在上述的共振装置中，第1金属为铝(Al)、铝-铜合金(AlCu合金)或铝-硅-铜合金(AlSiCu合金)。铝或铝合金是在共振装置等中经常被用于例如配线等的金属，因此，通过将铝(Al)、铝-铜合金(AlCu合金)或铝-硅-铜合金(AlSiCu合金)用作第1金属，从而可以与第2金属和第3金属容易地共晶接合，且可以使制造工序简单化，容易地形成密封共振子的振动空间的接合部。
此外，在上述的共振装置中，接合部进一步包含：从第1基板侧至共晶层连续设置的以铝(Al)为主成分的第1导电层、以及从第2基板侧至共晶层连续设置的以铝(Al)为主成分的第2导电层。由此，可以在第1基板中从第1导电层敷设配线，在第2基板中从第2导电层敷设配线。
此外，在上述的共振装置中，接合部进一步包含：从第1基板侧至共晶层连续设置的钛(Ti)的第1密合层和第1导电层、以及从第2基板侧至共晶层连续设置的钛(Ti)的第2密合层和第2导电层。由此，使接合部与第1基板和第2基板的密合性提高。因此，可以使接合部的接合强度进一步提高。
此外，在上述的共振装置中，第1导电层和第2导电层的材料为铝(Al)、铝-铜合金(AlCu合金)或铝-硅-铜合金(AlSiCu合金)。由此，第1导电层和第2导电层可以具有导电性，并且使制造工序简单化，可以容易地形成密封共振子的振动空间的接合部。
本发明的一个实施方式涉及的共振装置的制造方法中，接合工序为：形成接合部，该接合部包含以共晶合金为主成分的共晶层，该共晶合金为以铝(Al)为主成分的第1金属、为锗(Ge)或硅(Si)的第2金属、为钛(Ti)或镍(Ni)的第3金属的共晶合金。由此，可以抑制在接合部中形成不同材质的界面。因此，接合部中可能产生的空洞和界面剥离减少，可以使接合部的气密性和接合强度提高。此外，在形成共晶层时，如上述那样，在共晶点以上，液体的共晶熔融金属与固体的合金同时形成，因此，共晶熔融金属的流动性会降低，可以抑制共晶熔融金属向平面方向的飞溅(Splash)。因此，可以减少因接合部的飞溅而导致的短路(Short)，可以使共振装置的布局自由度提高。
此外，在上述的共振装置的制造方法中，第1金属为铝(Al)、铝-铜合金(AlCu合金)或铝-硅-铜合金(AlSiCu合金)。铝或铝合金是在共振装置等中经常被用于例如配线等的金属，因此，通过将铝(Al)、铝-铜合金(AlCu合金)或铝-硅-铜合金(AlSiCu合金)用作第1金属，从而可以与第2金属和第3金属容易地共晶接合，且可以使制造工序简单化，容易地形成密封共振子的振动空间的接合部。
此外，上述的共振装置的制造方法中，形成第1层的工序包含：从第1基板侧至第1金属层连续设置钛(Ti)层。由此，使接合部与MEMS基板的密合性提高。因此，可以使接合部60的接合强度进一步提高。
此外，上述的共振装置的制造方法中，形成第1层的工序包含：从第1基板侧至共晶层连续设置以铝(Al)为主成分的第1导电层和钛层；形成第2层的工序包含：从第2基板侧至共晶层连续设置以铝(Al)为主成分的第2导电层。由此，可以在第1基板中从第1导电层敷设配线，在第2基板中从第2导电层敷设配线。
此外，上述的共振装置的制造方法中，形成第1层的工序包含：从第1基板侧至共晶层连续设置钛(Ti)的第1密合层、第1导电层和钛层；形成第2层的工序包含：从第2基板侧至共晶层连续设置钛(Ti)的第2密合层和第2导电层。由此，使接合部与第1基板和第2基板的密合性提高。因此，可以使接合部的接合强度进一步提高。
此外，上述的共振装置的制造方法中，第1导电层和第2导电层的材料为铝(Al)、铝-铜合金(AlCu合金)或铝-硅-铜合金(AlSiCu合金)。由此，第1导电层和第2导电层可以具有导电性，并且使制造工序简单化，可以容易地形成密封共振子的振动空间的接合部。
应予说明的是，以上说明的实施方式仅仅是为了使本发明更容易被理解，而非为了限定解释本发明。可以在不脱离本发明的主旨的情况下进行变更、改进，本发明也包含其等价物。即，本领域的技术人员即使对各实施方式施加适当的设计变更，只要具备本发明的特征，仍包含在本发明的范围之中。例如，实施方式具备的各要素和其配置、材料、条件、形状、尺寸等，并不限定于例示的内容，可以适当地变更。此外，实施方式只是示例，在不同的实施方式中示出的构成自然是可以进行部分置换或组合，这些只要包含本发明的特征，就包含在本发明的范围之中。
附图标记说明
1…共振装置、10…共振子、20…下盖、21…凹部、22…底板、23…侧壁、30…上盖、31…凹部、33…侧壁、34…消气层、50…MEMS基板、60…接合部、61…第1金属层、62…第2金属层、63…第3金属层、64…钛(Ti)层、65…共晶层、66…第1导电层、67…第2导电层、68…第1密合层、69…第2密合层、70…连接配线、76A,76B…接触电极、80…第1层、90…第2层、110…保持臂、120…振动部、130…基部、131a…长边、131A…前端、131b…长边、131B…后端、131c…短边、131d…短边、135,135A,135B,135C,135D…振动臂、140…保持部、141…电压施加部、235…保护膜、236…调频膜、240…寄生电容降低膜、E1,E2…金属层、F2…Si基板、F3…压电薄膜、F21…氧化硅层、G…锤部、L1…晶片、L3…Si晶片、L31…氧化硅膜、P…虚拟平面、T4…端子、V1,V2…导通孔、V3…穿通电极。
Claims (19)
1.一种共振装置，包含：
第1基板，其包含共振子，
第2基板，以及
接合部，接合所述第1基板与所述第2基板以密封所述共振子的振动空间；
所述接合部包含以共晶合金为主成分的共晶层，所述共晶合金是以铝为主成分的第1金属、锗或硅的第2金属、和钛或镍的第3金属的共晶合金。
2.根据权利要求1所述的共振装置，其中，
所述共晶层以铝-锗-钛合金为主成分，铝的浓度为58at%~82at%，锗的浓度为10at%~32at%，钛的浓度为7at%~32at%。
3.根据权利要求1所述的共振装置，其中，
所述共晶层以铝-锗-钛合金为主成分，铝、锗和钛的浓度比为3：1：1。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的共振装置，其中，
所述第1金属为铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的共振装置，其中，
所述接合部进一步包含：
从所述第1基板侧至所述共晶层连续设置的第1导电层、以及
从所述第2基板侧至所述共晶层连续设置的第2导电层；
所述第1导电层和所述第2导电层以铝为主成分。
6.根据权利要求4所述的共振装置，其中，
所述接合部进一步包含：
从所述第1基板侧至所述共晶层连续设置的第1导电层、以及
从所述第2基板侧至所述共晶层连续设置的第2导电层；
所述第1导电层和所述第2导电层以铝为主成分。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的共振装置，其中，
所述接合部进一步包含：
从所述第1基板侧至所述共晶层连续设置的第1密合层和第1导电层、以及
从所述第2基板侧至所述共晶层连续设置的第2密合层和第2导电层；
所述第1导电层和所述第2导电层以铝为主成分，
所述第1密合层和所述第2密合层的材料为钛。
8.根据权利要求4所述的共振装置，其中，
所述接合部进一步包含：
从所述第1基板侧至所述共晶层连续设置的第1密合层和第1导电层、以及
从所述第2基板侧至所述共晶层连续设置的第2密合层和第2导电层；
所述第1导电层和所述第2导电层以铝为主成分，
所述第1密合层和所述第2密合层的材料为钛。
9.根据权利要求5所述的共振装置，其中，
所述第1导电层和所述第2导电层的材料为铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。
10.根据权利要求6所述的共振装置，其中，
所述第1导电层和所述第2导电层的材料为铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。
11.根据权利要求7所述的共振装置，其中，
所述第1导电层和所述第2导电层的材料为铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。
12.根据权利要求8所述的共振装置，其中，
所述第1导电层和所述第2导电层的材料为铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。
13.一种共振装置的制造方法，包括如下工序：
准备包含共振子的第1基板和第2基板的工序；
在所述第1基板中的所述共振子的振动部的周围，形成包含以铝为主成分的第1金属的第1金属层的第1层的工序；
在使所述第1基板与所述第2基板对置时，在所述第2基板中的与所述第1金属层对置的位置，形成从所述第1基板侧连续设置的、包含锗或硅的第2金属的第2金属层和钛或镍的第3金属的第3金属层的第2层的工序；以及
接合工序，是接合所述第1基板与所述第2基板以密封所述共振子的振动空间的工序，形成包含以共晶合金为主成分的共晶层的接合部，所述共晶合金是所述第1金属、所述第2金属和所述第3金属的共晶合金。
14.根据权利要求13所述的共振装置的制造方法，其中，
所述第1金属为铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。
15.根据权利要求13或14所述的共振装置的制造方法，其中，
所述第3金属为钛；
形成所述第1层的工序包含：从所述第1基板侧至所述第1金属层连续设置钛层；
所述接合工序包含：形成以共晶合金为主成分的所述共晶层，所述共晶合金为所述第1金属、所述钛层的钛、所述第2金属、和所述第3金属层的钛的共晶合金。
16.根据权利要求13或14所述的共振装置的制造方法，其中，
所述第3金属为钛；
形成所述第1层的工序包含：从所述第1基板侧至所述第1金属层连续设置第1导电层和钛层；
形成所述第2层的工序包含：从所述第2基板侧至所述第3金属层连续设置第2导电层；
所述接合工序包含：形成以共晶合金为主成分的所述共晶层，所述共晶合金为所述第1金属、所述钛层的钛、所述第2金属、和所述第3金属层的钛的共晶合金；
所述第1导电层和所述第2导电层以铝为主成分。
17.根据权利要求13或14所述的共振装置的制造方法，其中，
所述第3金属为钛；
形成所述第1层的工序包含：从所述第1基板侧至所述第1金属层连续设置第1密合层、第1导电层和钛层；
形成所述第2层的工序包含：从所述第2基板侧至所述第3金属层连续设置第2密合层和第2导电层；
所述接合工序包含：形成以共晶合金为主成分的所述共晶层，所述共晶合金为所述第1金属、所述钛层的钛、所述第2金属、和所述第3金属层的钛的共晶合金；
所述第1导电层和所述第2导电层以铝为主成分，
所述第1密合层和所述第2密合层的材料为钛。
18.根据权利要求16所述的共振装置的制造方法，其中，
所述第1导电层和所述第2导电层的材料为铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。
19.根据权利要求17所述的共振装置的制造方法，其中，
所述第1导电层和所述第2导电层的材料为铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。
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