CN104007497A - 波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光模块及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光模块及电子设备。第一驱动电极（36）的厚度尺寸形成得大于第一反射膜（35）的厚度尺寸及第一导电膜（37）的厚度尺寸的和，第一驱动电极（36）从固定基板（30）的表面延伸至第一导电膜（37）的外缘部的表面并接触，第二驱动电极（46）的厚度尺寸形成得大于第二反射膜（45）的厚度尺寸及第二导电膜（47）的厚度尺寸的和，第二驱动电极（46）从可动基板（40）的表面延伸至第二导电膜（47）的外缘部的表面并接触。

Description

波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光模块及电子设备

技术领域

本发明涉及波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光模块及电子设备。

背景技术

公知有使用波长可变干涉滤波器来测定入射的光的光谱的装置。

在专利文献1中记载的可变干涉装置公开了使反射膜作为驱动用电极而发挥功能的结构、以及使反射膜作为静电电容监视器而发挥功能的结构。

【先行技术文献】

【专利文献】

专利文献1：日本特开平1-94312号公报

在上述专利文献1的构造中，对于使反射膜作为驱动用电极、静电电容监视器而发挥功能则需要布线与反射膜连接的连接电极。

反射膜为了兼具光的透过特性和反射特性的厚度尺寸而相对于连接电极形成得较薄。

但是，在重叠形成了厚的膜厚的连接电极和薄的膜厚的反射膜的情况下，由于热等外在因素、随时间变化，所以存在薄的膜厚的反射膜的金属原子在连接电极侧扩散而发生断线这样的问题。

发明内容

本发明为了解决上述问题而提出，其可以作为以下的实施方式或适用例而实现。

[适用例1]本适用例涉及的波长可变干涉滤波器具备：第一基板；第二基板，与所述第一基板相对；第一反射膜，设置于所述第一基板，反射入射的光的一部分并使一部分透过；第二反射膜，设置于所述第二基板，与反射入射的光的一部分并使一部分透过的所述第一反射膜相对配置；导电性的第一导电膜，层叠于所述第一反射膜；导电性的第二导电膜，层叠于所述第二反射膜；第一连接电极，设置于所述第一基板，在所述第一基板上与所述第一导电膜电连接；以及第二连接电极，设置于所述第二基板，在所述第二基板上与所述第二导电膜电连接，所述第一连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第一反射膜的厚度尺寸和所述第一导电膜的厚度尺寸的和，所述第一连接电极从所述第一基板的表面延伸至所述第一导电膜的外缘部的表面并接触，所述第二连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第二反射膜的厚度尺寸和所述第二导电膜的厚度尺寸的和，所述第二连接电极从所述第二基板的表面延伸至所述第二导电膜的外缘部的表面并接触。

根据该结构，第一连接电极从第一基板的表面延伸至第一导电膜的外缘部的表面并接触，第一连接电极的厚度尺寸也大于第一反射膜及第一导电膜的厚度尺寸的和。

并且，第二连接电极从第二基板的表面延伸至第二导电膜的外缘部的表面并接触，第二连接电极的厚度尺寸也大于第二反射膜及第二导电膜的厚度尺寸的和。

这样，通过第一导电膜、第二导电膜连接厚度尺寸小的第一反射膜、第二反射膜、以及厚度尺寸大的第一连接电极、第二连接电极。

通过设置该第一导电膜、第二导电膜，从而可以确保连接部中的第一反射膜、第二反射膜和第一反射膜、第二反射膜之间的电连接。并且，可以防止第一导电膜、第二导电膜从连接部中的第一反射膜、第二反射膜向第一连接电极、第二连接电极的金属原子的扩散，且可以抑制布线的断线。

据此，可以确保第一反射膜和第一连接电极之间的导通、第二反射膜和第二连接电极之间的导通，且可以提高布线的连接可靠性。

[适用例2]在上述适用例涉及的波长可变干涉滤波器中，优选至少所述第一连接电极及所述第二连接电极中的一个与所述第一导电膜或所述第二导电膜的外缘部的整周接触。

根据该结构，第一连接电极、第二连接电极覆盖第一导电膜、第二导电膜的外缘部的整周而接触。

据此，可以降低布线连接中的电阻抗，且可以进行良好的连接。

[适用例3]在上述适用例涉及的波长可变干涉滤波器中，优选所述第一导电膜及所述第二导电膜是透明导电膜。

根据该结构，第一导电膜及第二导电膜是透明导电膜。

据此，可以通过不会损坏第一反射膜及第二反射膜的透光特性的方式形成导电膜。

[适用例4]在上述适用例涉及的波长可变干涉滤波器中，优选所述第一导电膜及所述第二导电膜的材料是从铟类氧化物、锡类氧化物、锌类氧化物及他们的混合物中选择的材料。

根据该结构，第一导电膜及所述第二导电膜的材料是从铟类氧化物、锡类氧化物、锌类氧化物及他们的混合物中选择的材料。

通过使用这些材料作为第一导电膜及第二导电膜，从而可以有效地防止从第一反射膜、第二反射膜向第一驱动电极、第二驱动电极的扩散。并且，通过使用这些材料，从而可以从制造工序中的药液中保护第一反射膜、第二反射膜。

[适用例5]在上述适用例涉及的波长可变干涉滤波器中，优选所述第一反射膜及所述第二反射膜的材料是Ag或以Ag为主成分的合金。

根据该结构，第一反射膜及第二反射膜的材料是Ag或以Ag为主成分的合金。

通过使用Ag或以Ag为主成分的合金作为第一反射膜及第二反射膜，从而可以获得透光特性、反射特性两者都卓越的特性。

[适用例6]在上述适用例涉及的波长可变干涉滤波器中，优选所述第二基板具备：可动部，设置有所述第二反射膜；以及保持部，在从基板厚度方向俯视观察所述第二基板时，设置在所述可动部的外侧，所述保持部的厚度尺寸小于所述可动部的厚度尺寸，所述保持部保持所述可动部能进退。

根据该结构，具备：可动部，设置有第二反射膜；以及保持部，设置在外动部的外侧，小于可动部的厚度尺寸，保持可动部能进退。

在该构造中，通过外力挠曲保持部从而使可动部位移。并且，通过该位移使第一反射膜和第二反射膜之间的间隔变化，且可以容易地构成设反射膜间间隔可变的波长可变干涉滤波器。

[适用例7]本适用例涉及的波长可变干涉滤波器具备：反射膜，反射入射的光的一部分并使一部分透过；导电性的导电膜，层叠于所述反射膜；以及连接电极，与所述导电膜电连接，所述连接电极的厚度尺寸形成得大于所述反射膜的厚度尺寸和所述导电膜的厚度尺寸的和，所述连接电极与所述导电膜的外缘部的表面重叠接触。

根据该结构，具备层叠于反射膜的导电性的导电膜，连接电极的厚度尺寸形成得大于反射膜的厚度尺寸及导电膜的厚度尺寸的和，连接电极与导电膜的外缘部的表面重叠接触。

通过设置该导电膜，从而可以确保连接部中的反射膜和反射膜之间的电连接。并且，可以防止导电膜从连接部中的反射膜向连接电极的金属原子的扩散，且可以抑制布线的断线。

据此，可以确保反射膜和连接电极之间的导通，且可以提高布线的连接可靠性。

[适用例8]本适用例涉及的滤光器设备具备：波长可变干涉滤波器；以及壳体，收容所述波长可变干涉滤波器，所述波长可变干涉滤波器具备：第一基板；第二基板，与所述第一基板相对；第一反射膜，设置于所述第一基板，反射入射的光的一部分并使一部分透过；第二反射膜，设置于所述第二基板，与反射入射的光的一部分并使一部分透过的所述第一反射膜相对配置；导电性的第一导电膜，层叠于所述第一反射膜；导电性的第二导电膜，层叠于所述第二反射膜；第一连接电极，设置于所述第一基板，在所述第一基板上与所述第一导电膜电连接；以及第二连接电极，设置于所述第二基板，在所述第二基板上与所述第二导电膜电连接，所述第一连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第一反射膜的厚度尺寸和所述第一导电膜的厚度尺寸的和，所述第一连接电极从所述第一基板的表面延伸至所述第一导电膜的外缘部的表面并接触，所述第二连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第二反射膜的厚度尺寸和所述第二导电膜的厚度尺寸的和，所述第二连接电极从所述第二基板的表面延伸至所述第二导电膜的外缘部的表面并接触。

根据该结构，第一连接电极从第一基板的表面延伸至第一导电膜的外缘部的表面并接触，第一连接电极的厚度尺寸也大于第一反射膜及第一导电膜的厚度尺寸的和。

并且，第二连接电极从第二基板的表面延伸至第二导电膜的外缘部的表面并接触，第二连接电极的厚度尺寸也大于第二反射膜及第二导电膜的厚度尺寸的和。

这样，通过第一导电膜、第二导电膜连接厚度尺寸小的第一反射膜、第二反射膜、以及厚度尺寸大的第一连接电极、第二连接电极。

该第一导电膜、第二导电膜可以防止从第一反射膜、第二反射膜向第一连接电极、第二连接电极的金属原子的扩散，且可以抑制布线的断线。

据此，可以确保第一反射膜和第一连接电极之间的导通、第二反射膜和第二连接电极之间的导通，且可以提高布线的连接可靠性，可以提供滤光器设备的可靠性。

并且，由于是在壳体内收容波长可变干涉滤波器的结构，所以可以保护波长可变干涉滤波器不受例如搬运时的冲击等。并且，可以防止异物附着于波长可变干涉滤波器的第一反射膜、第二反射膜。

[适用例9]本适用例涉及的光模块具备：第一基板；第二基板，与所述第一基板相对；第一反射膜，设置于所述第一基板，反射入射的光的一部分并使一部分透过；第二反射膜，设置于所述第二基板，与反射入射的光的一部分并使一部分透过的所述第一反射膜相对配置；导电性的第一导电膜，层叠于所述第一反射膜；导电性的第二导电膜，层叠于所述第二反射膜；第一连接电极，设置于所述第一基板，在所述第一基板上与所述第一导电膜电连接；第二连接电极，设置于所述第二基板，在所述第二基板上与所述第二导电膜电连接；以及检测部，对通过所述第一反射膜及所述第二反射膜取出的光进行检测，所述第一连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第一反射膜的厚度尺寸和所述第一导电膜的厚度尺寸的和，所述第一连接电极从所述第一基板的表面延伸至所述第一导电膜的外缘部的表面并接触，所述第二连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第二反射膜的厚度尺寸和所述第二导电膜的厚度尺寸的和，所述第二连接电极从所述第二基板的表面延伸至所述第二导电膜的外缘部的表面并接触。

根据该结构，第一连接电极从第一基板的表面延伸至第一导电膜的外缘部的表面并接触，第一连接电极的厚度尺寸也大于第一反射膜及第一导电膜的厚度尺寸的和。

并且，第二连接电极从第二基板的表面延伸至第二导电膜的外缘部的表面并接触，第二连接电极的厚度尺寸也大于第二反射膜及第二导电膜的厚度尺寸的和。

这样，通过第一导电膜、第二导电膜连接厚度尺寸小的第一反射膜、第二反射膜、以及厚度尺寸大的第一连接电极、第二连接电极。

该第一导电膜、第二导电膜可以防止从第一反射膜、第二反射膜向第一连接电极、第二连接电极的金属原子的扩散，且可以抑制布线的断线。。

据此，可以确保第一反射膜和第一连接电极之间的导通、第二反射膜和第二连接电极之间的导通，且可以提高布线的连接可靠性，可以提供滤光器设备的可靠性。因此，可以通过光模块实施高精度的光量检测。

[适用例10]本适用例涉及的电子设备具备：波长可变干涉滤波器；以及控制部，控制所述波长可变干涉滤波器，所述波长可变干涉滤波器具有：第一基板；第二基板，与所述第一基板相对；第一反射膜，设置于所述第一基板，反射入射的光的一部分并使一部分透过；第二反射膜，设置于所述第二基板，与反射入射的光的一部分并使一部分透过的所述第一反射膜相对配置；导电性的第一导电膜，层叠于所述第一反射膜；导电性的第二导电膜，层叠于所述第二反射膜；第一连接电极，设置于所述第一基板，在所述第一基板上与所述第一导电膜电连接；以及第二连接电极，设置于所述第二基板，在所述第二基板上与所述第二导电膜电连接，所述第一连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第一反射膜的厚度尺寸和所述第一导电膜的厚度尺寸的和，所述第一连接电极从所述第一基板的表面延伸至所述第一导电膜的外缘部的表面并接触，所述第二连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第二反射膜的厚度尺寸和所述第二导电膜的厚度尺寸的和，所述第二连接电极从所述第二基板的表面延伸至所述第二导电膜的外缘部的表面并接触。

根据该结构，第一连接电极从第一基板的表面延伸至第一导电膜的外缘部的表面并接触，第一连接电极的厚度尺寸也大于第一反射膜及第一导电膜的厚度尺寸的和。

并且，第二连接电极从第二基板的表面延伸至第二导电膜的外缘部的表面并接触，第二连接电极的厚度尺寸也大于第二反射膜及第二导电膜的厚度尺寸的和。

这样，通过第一导电膜、第二导电膜连接厚度尺寸小的第一反射膜、第二反射膜、以及厚度尺寸大的第一连接电极、第二连接电极。

该第一导电膜、第二导电膜可以防止从第一反射膜、第二反射膜向第一连接电极、第二连接电极的金属原子的扩散，且可以抑制布线的断线。

据此，可以确保第一反射膜和第一连接电极之间的导通、第二反射膜和第二连接电极之间的导通，且可以提高布线的连接可靠性，可以提供电子设备的可靠性。因此，电子设备根据通过波长可变干涉滤波器取出的光实施高精度的光量检测。

附图说明

图1是第一实施方式的分光测定装置的结构的概略图。

图2是第一实施方式涉及的波长可变干涉滤波器的俯视图。

图3是第一实施方式涉及的波长可变干涉滤波器的截面图。

图4是图3的B部的放大图。

图5是第一实施方式涉及的从可动基板侧观察波长可变干涉滤波器的固定基板的俯视图。

图6是第一实施方式涉及的从固定基板侧观察波长可变干涉滤波器的可动基板的俯视图。

图7的（a）～（e）是第一实施方式涉及的波长可变干涉滤波器的固定基板的制造工序的说明图。

图8的（a）～（e）是第一实施方式涉及的波长可变干涉滤波器的可动基板的制造工序的说明图。

图9是第一实施方式涉及的波长可变干涉滤波器的接合工序的说明图。

图10是第一实施方式中的第一驱动电极的形状的变形例的俯视图。

图11的（a）、（b）是表示第一实施方式中的第一驱动电极的连接状态的变形例的模式截面图。

图12是第二实施方式中的滤光器设备的概略结构的截面图。

图13是第三实施方式中的作为电子设备的测色装置的结构的概略图。

图14是第四实施方式中的作为电子设备的气体检测装置的结构的概略图。

图15是第四实施方式中的作为电子设备的气体检测装置的控制系统的框图。

图16是第五实施方式中的作为电子设备的食物分析装置的结构的概略图。

图17是第六实施方式中的作为电子设备的分光照相机的结构的概略图。

具体实施方式

下面，参照附图对使本发明具体化的实施方式进行说明。此外，在以下的各图中，为了提高能识别各部件的程度而适当改变各部件的尺寸的比例。

[第一实施方式]

（分光测定装置的结构）

图1是表示本发明涉及的第一实施方式的分光测定装置的结构的概略图。

分光测定装置1是本发明的电子设备，其是根据例如对被测定对象X反射的测定对象光来测定测定对象光的光谱的装置。此外，在本实施方式中，虽然示出了对被测定对象X反射的测定对象光进行测定的例子，但是在使用例如液晶面板等发光体作为测定对象X的情况下，也可以将从发光体发出的光作为测定对象光。

如图1所示，该分光测定装置1具备光模块10以及控制部20。

（光模块的结构）

光模块10构成为具备波长可变干涉滤波器5、检测部11、I-V转换器12、放大器13、A/D转换器14以及电压控制部15。

探测器11接收透过光模块10的波长可变干涉滤波器5的光，并输出对应于接收到的光的光强度的检测信号（电流）。

I-V转换器12将从探测器11被输入的检测信号变换为电压值，并输出至放大器13。

放大器13将对应于从I-V转换器12被输出的检测信号的电压（检测电压）进行放大。

A/D转换器14将从放大器13被输入的检测电压（模拟信号）变换为数字信号，并输出至控制部20。

电压控制部15对波长可变干涉滤波器5的后述驱动电极施加电压。并且，从波长可变干涉滤波器5使与施加电压对应的目标波长的光透过。

（波长可变干涉滤波器的结构）

图2是本实施方式涉及的波长可变干涉滤波器5的俯视图，图3是图2的A-A断线的截面图。图4是图3的B部放大图。

本实施方式的波长可变干涉滤波器5是所谓的法布里－珀罗标准具。该波长可变干涉滤波器5具备固定基板（第一基板）30以及可动基板（第二基板）40。这些固定基板30及可动基板40分别有例如石英玻璃、钠玻璃、结晶性玻璃、铅玻璃、钾玻璃、硼硅玻璃、无碱玻璃等各种玻璃、水晶、硅等形成。

并且，这些固定基板30和可动基板40由接合膜49接合而构成为一体，该接合膜49由以例如硅氧烷为主要成分的等离子体聚合膜等构成。

在固定基板30上设置有第一反射膜35，在可动基板40上设置有第二反射膜45，这些第一反射膜35及第二反射膜45隔着反射膜间间隔G而相对配置。此外，在第一反射膜35上层叠有导电性的第一导电膜37，在第二反射膜45上层叠有导电性的第二导电膜47。这些第一导电膜37、第二导电膜47分别形成为与第一反射膜35、第二反射膜45相同大小。并且，在波长可变干涉滤波器5上设置有用于变更该反射膜间间隔G的间隔量的静电致动器。该静电致动器由设置于固定基板30的第一驱动电极36（第一连接电极）和设置于可动基板40的第二驱动电极46（第二连接电极）构成。该一对第一驱动电极36、第二驱动电极46隔着电极间间隔而相对，且作为静电致动器而发挥作用。此外，电极间间隔的间隔量可以是比反射膜间间隔G的间隔量大的结构和小的结构中的任一个。

第一驱动电极36形成为环状，对第一驱动电机36的结构没有特别限定，例如，可以利用例如将Cr膜作为底层、在其上层叠Au膜作为电极层的结构的电极。在这种情况下，Cr膜的厚度尺寸构成为约10nm，Au膜的厚度尺寸构成为100nm～200nm。此外，也可以改变底膜的Cr膜而是用Ti、NiCr、TiW等膜。并且，第一驱动电极36也可以利用ITO（氧化铟锡）等透明导电膜。

第一驱动电极36在形成于第一反射膜35上的第一导电膜37的整个外周接触。第一反射膜35通过Ag或以Ag为主要成分的合金形成，第一反射膜35的厚度尺寸是10nm～80nm的厚度。

通过使用Ag或以Ag为主要成分的合金作为第一反射膜35，从而可以获得光的透过特性、反射特性两者都卓越的特性。

第一导电膜37由铟类氧化物、锡类氧化物、锌类氧化物等透明导电膜形成。具体而言，可以使用ITO、ICO（氧化铟铈）、AZO（氧化锌铝）、SnO等。并且，可以利用DLC（diamond-like carbon，类金刚石碳）。并且，第一导电膜37的厚度尺寸是5nm～30nm。

这样，可以通过不会损坏第一反射膜35的透光特性的方式形成第一导电膜37。

这里，如图4所示，如果设定第一反射膜35的厚度尺寸T与第一反射膜37的厚度尺寸T2的和为T（T=T1+T2）、第一驱动电极36的厚度尺寸为t，则处于T>t这样的关系。

因此，第一驱动电极36即使从第一导电膜37上覆盖，由于与固定基板30之间的阶梯较小，所以第一驱动电极36可以形成在第一导电膜37的端部而不会断线。

这样，可以实现第一反射膜35、第一导电膜37和第一驱动电极36的电连接导通。

并且，在该连接部，通过在第一驱动电极36和第一反射膜35之间设置第一导电膜37，从而可以防止第一反射膜35的Ag原子向第一驱动电机36的Cr膜、Au膜扩散，且可以抑制连接配线的断线。

第二驱动电极46也与第一驱动电极36同样地形成为环状，对第二驱动电机46的结构没有特别限定，例如，可以利用例如将Cr膜作为底层、在其上层叠Au膜作为电极层的结构的电极。该Cr膜、Au膜分别通过与第一驱动电极36相同的厚度尺寸形成。

第二驱动电极46在形成于第二反射膜45上的第二导电膜47的整个外周接触。第二反射膜45与第一反射膜35同样地通过Ag或以Ag为主要成分的合金形成，第二反射膜45的厚度尺寸是10nm～80nm的厚度。

第二导电膜47由铟类氧化物、锡类氧化物、锌类氧化物等透明导电膜形成。具体而言，可以使用ITO、ICO（氧化铟铈）、AZO（氧化锌铝）、SnO等。并且，可以利用DLC（类金刚石碳）。并且，第二导电膜47的厚度尺寸是5nm～30nm。

这样，可以通过不会损坏第二反射膜45的透光特性的方式形成第二导电膜47。

这里，第二反射膜45的厚度尺寸和第二导电膜47的厚度尺寸之和处于小于第二驱动电极46的厚度尺寸的关系。

因此，第二驱动电极46即使从第二导电膜47上覆盖，由于与可动基板40之间的阶梯较小，所以第二驱动电极46可以形成在第二导电膜47的端部而不会断线。

这样，可以实现第二反射膜45、第二导电膜47和第二驱动电极46的电连接导通。

并且，在该连接部，通过在第二驱动电极46和第二反射膜45之间设置第二导电膜47，从而可以防止第二反射膜45的Ag原子向第二驱动电机46的Cr膜、Au膜扩散，且可以抑制连接配线的断线。

上述波长可变干涉滤波器5构成为电连接第一反射膜35和第一驱动电极36、第二反射膜45和第二驱动电极46，在第一反射膜35、第二反射膜45带电的静电逃逸到外部。

（固定基板的结构）

图5是从可动基板40侧观察固定基板30的俯视图。

固定基板30形成为充分的厚度，以使基于静电致动器的静电引力、形成在固定基板30上的膜部件的内部应力不会引起固定基板30的挠曲。

如图5所示，该固定基板30具备例如通过蚀刻等形成的凹部31及配置有第一反射膜35的凸部32。并且，在固定基板30的外周缘的一部（顶点C3）构成为设置有切口部33，后述可动基板40的电极垫48b从该切口部33露出到波长可变干涉滤波器5的表面。

在从固定基板30的厚度方向俯视时，凹部31形成为以固定基板30的滤波器中心点O为中心的环状。在动固定基板30的厚度方向俯视时，凸部32从凹部31的中心部向可动基板40侧突出地形成。

该凹部31的底面成为静电致动器的配置有第一驱动电极36的电极设置面。并且，凸部32的突出前端面成为配置有第一反射膜35的反射膜设置面。

此外，在固定基板30上设置有从凹部31向固定渐变30的顶点C2延伸的电极引出槽31a。并且，电极引出槽31a形成为与凹部31相同的深度。

在凹部31的底面上设置有沿以滤波器中心点O为中心的假想圆上设置的第一驱动电极36。第一驱动电极36形成为与凸部32同心圆状。

此外，在固定基板30上，设置有沿向顶点C2的电极引出槽31a从第一驱动电极36的外周缘至顶点C2延伸的引出电极38a。该引出电极38a的前端部构成与电压控制部15连接的电极垫38b。

第一驱动电极36、引出电极38a、电极垫38b具有将Cr膜作为底层、在其上层叠Au膜作为电极层的构造。

在使用Au膜作为电极层的情况下，将波长可变干涉滤波器5与电压控制部15连接时的端子连接性良好且导电性良好，所以可以抑制电阻抗的增大。并且，通过使用与Au贴紧性及与玻璃基板（固定基板30）的贴紧性高的Cr膜作为底层，从而可以防止第一驱动电极36、引出电极38a、电极垫38b的剥离。

此外，在本实施方式中，虽然例示了以Cr膜作为底层、以Au膜作为电极层的两层结构的电极，但是也可以通过单层使用相对于玻璃基板具有贴近性且具有导电性的其他金属膜（Al等）。

并且，在第一驱动电极36上也可以构成为层叠有用于确保第一驱动电极36及第二驱动电极46之间的绝缘性的绝缘膜。

此外，在本实施方式中，虽然示出了在凹部31的底面上设置有一个驱动电极36的结构，但也可以是例如设置以滤波器中心点O为中心的作为同心圆的两个电极的结构（双重电极结构）。

凸部32在与凹部31同轴上形成为大致圆柱状，且具备与可动基板40面对的反射膜设置面。

从该反射膜设置面在凹部31的底面延伸地设置有第一反射膜35。在该第一反射膜35上形成有第一导电膜37。

并且，第一驱动电极36在形成于第一反射膜35上的第一导电膜37的外周的外缘部的整周连接，电连接第一反射膜35、第一导电膜37和第一驱动电极36，以实现导通。这样，第一驱动电极36由于在第一导电膜37的外缘部的整周接触，所以可以降低配线连接中的电阻抗，且可进行良好的连接。

（可动基板的结构）

图6是从固定基板30侧观察可动基板40的俯视图。此外，图6中的可动基板40的各顶点C1、C2、C3、C4与如图5所示的固定基板30的各顶点C1、C2、C3、C4相对应。

如图3及图6所示，在从可动基板40的厚度方向俯视时，可动基板40具备以滤波器中心点O为中心的圆状的可动部41、以及与可动部41同轴且保持可动部41的保持部42。

并且，如图6所示，在可动基板40上，在顶点C2设置有切口部43，如上所述，固定基板30的电极垫38b从该切口部43露出。

可动部41的厚度尺寸形成为大于保持部42的厚度尺寸。在从可动基板40的厚度方向俯视时，该可动部41被形成为至少比反射膜设置面的外周缘的直径尺寸大的直径尺寸。并且，在该可动部41的与固定基板30相对的面上设置有第二反射膜45、第二导电膜47以及第二驱动电极46。

此外，也可以在可动部41的与固定基板30相对的面的反对侧的面上形成防止反射膜。

如图6所示，在从可动基板40的厚度方向俯视时，第二驱动电极46被设置在第二反射膜45的外侧、与第一驱动电极36相对的区域。

并且，在第二驱动电极46设置有沿顶点C3方向延伸的引出电极48a。该引出电极48a的前端部构成与电压控制部15连接的电极垫48b。

在如上所述的电极结构中，如图3所示，由第一驱动电极36及第二驱动电极46重叠的圆弧区域构成静电致动器。

第二驱动电极46、引出电极48a、电极垫48b具有将Cr膜作为底层、在其上层叠Au膜作为电极层的构造。

在使用Au膜作为电极层的情况下，将波长可变干涉滤波器5与电压控制部15连接时的端子连接性良好且导电性良好，所以可以抑制电阻抗的增大。并且，通过使用与Au贴紧性及与玻璃基板（可动基板40）的贴紧性高的Cr膜作为底层，从而可以防止第二驱动电极46、引出电极48a、电极垫48b的剥离。

此外，在本实施方式中，虽然例示了以Cr膜作为底层、以Au膜作为电极层的双层结构的电极，但是也可以通过单层使用相对于玻璃基板具有贴近性且具有导电性的其他金属膜（Al等）。

并且，在第二驱动电极46上也可以层叠有用于确保第一驱动电极36及第二驱动电极46之间的绝缘性的绝缘膜。

此外，在本实施方式中，虽然示出了设置有一个第二驱动电极46的结构，但例如也可以是例如设置以滤波器中心点O为中心的作为同心圆的两个电极的结构（双重电极结构）。

第二反射膜45通过与第一反射膜35同样的材料构成。在该第二反射膜45上形成有第二导电膜47。

并且，第二驱动电极46在形成于第二反射膜45上的第二导电膜47的外周的外缘部的整周连接，电连接第二反射膜45、第二导电膜47和第一驱动电极46，以实现导通。这样，第二驱动电极46由于在第二导电膜47的外缘部的整周接触，所以可以降低配线连接中的电阻抗，且可进行良好的连接。

保持部42是包围可动部41的周围的隔膜（diaphragm），保持部42的厚度尺寸形成得比可动部41的厚度尺寸小。这样的保持部42比可动部41更易于挠曲，通过微小的静电引力就能够使可动部41向固定基板30侧位移。此时，由于可动部41的厚度尺寸比保持部42的厚度尺寸大，刚性变大，因此，即使保持部42由于静电引力而被拉向固定基板30侧的情况下，也可以抑制可动部41的形状变化。因此，设在可动部41上的第二反射膜45的挠曲得以抑制，进而能够将第一反射膜35和第二反射膜45维持为平行状态。

此外，在本实施方式中，虽然例示隔膜状的保持部42，但不限定于此，例如，也可以形成为设有以滤波器中心点O为中心、以等角度间隔配置的梁状的保持部的结构等。

（电压控制部的结构）

返回图1，电压控制部15与上述波长可变干涉滤波器5的电极垫38b、48b连接。

并且，电压控制部15在从控制部20接受与测定对象波长对应的电压指令信号时，将对应的电压施加给电极垫38b、48b间。由此，在波长可变干涉滤波器5的静电致动器（第一驱动电极36及第二驱动电极46间）产生基于施加电压的静电引力，可动部41向固定基板31侧移位，反射膜间间隔的间隔量变化。

（控制部的结构）

控制部20通过组合例如CPU、存储器等而构成，用于控制分光测定装置1的整体动作。如图1所示，该控制部20具备波长设定部21、光量取得部22以及分光测定部23。

并且，控制部20具备存储各种数据的存储部24，在存储部24中，存储有用于控制静电致动器的V－λ（电压－波长）数据。

该V－λ数据是相对于施加于静电致动器的电压（V）的、透过波长可变干涉滤波器5的光的峰值波长（λ）的关系。

波长设定部21设定通过波长可变干涉滤波器5取出的光的目标波长，同时根据存储于存储部24的V－λ数据读入与设定的目标波长相对应的目标电压值。并且，波长设定部21将用于表示施加读入的目标电压值的控制信号输出至电压控制部15。由此，目标电压值的电压从电压控制部15施加给静电致动器。

光量获取部22基于由探测器11获取的光量，获取透过波长可变干涉滤波器5的目标波长的光的光量。

分光测定部23基于由光量获取部22获取到的光量，对测定对象光的光谱特性进行测定。

作为分光测定部23中的分光测定方法，例如可以列举有如下的方法等：将通过探测器11对测定对象波长检测出的光量作为测定对象波长的光量测定分光光谱的方法、根据多个测定对象波长的光量推定分光光谱的方法。

作为推定分光光谱的方法，例如，生成将针对多个测定对象波长中的各个光量作为矩阵要素的计测光谱矩阵，使规定的转换矩阵作用于该计测光谱矩阵，从而推定作为测定对象的光的分光光谱。在这种情况下，通过分光测定装置1测定分光光谱已知的多个采样光，并设定转换矩阵，以使转换矩阵作用于根据通过测定获得的光量生成的计测光谱矩阵的矩阵、和已知的分光光谱之间的偏差最小。

[波长可变干涉滤波器的制造方法]

下面，根据附图对上述波长可变干涉滤波器5的制造方法进行说明。波长可变干涉滤波器5的制造方法由固定基板的制造工序、可动基板的制造工序、以及基板的接合工序组成。

（固定基板的制造工序）

图7是表示固定基板的制造工序的说明图。

首先，如图7的（a）所示，准备固定基板30的由作为材料的石英玻璃基板等形成的第一基材30a，将第一基材30a的两面精密研磨至表面粗糙度Ra为1nm以下。

然后，并且，如图7的（b）所示，通过蚀刻对第一基材30a的基板表面进行加工。

具体而言，在第一基材30a的基板表面涂覆抗蚀剂，利用光刻法将涂覆的抗蚀剂进行曝光、显影，从而将形成凹部31以及凸部32的开口部形成图案（patterning）。

然后，对第一基材30a的双面进行使用例如氟酸类溶液的湿式蚀刻。此时，进行直至凸部32的上表面的深度的蚀刻。然后，通过抗蚀剂对用于蚀刻至凹部31的规定的深度的开口部形成图案，并实施湿式蚀刻。

由此，如图7的（b）所示，形成确定固定基板30的外形的第一基材30a。

然后，如图7的（c）所示，形成从凸部32的上表面延伸至凹部31的底面的第一反射膜35。

在本实施方式中，使用Ag膜或Ag合金膜作为第一反射膜35。在Ag膜或Ag合金膜作为第一反射膜35的情况下，通过真空蒸镀法、溅射法，在第一基材30a的凹部31形成第一反射膜35的膜层。然后，使用光刻法形成第一反射膜35的形状。Ag膜或Ag合金膜的蚀刻中使用磷酸硝酸醋酸（phosphoric-nitric-acetic-acid）水溶液。

并且，如图7的（d）所示，在第一反射膜35上形成第一导电膜37。该第一导电膜37形成为与第一反射膜35相同的形状。

在本实施方式中，使用ITO膜作为第一导电膜37。通过溅射法在第一基材30a的凹部31形成第一导电膜37的膜厚。然后，使用光刻法形成第一导电膜37的形状。此外，在ITO膜的蚀刻中可以使用酸性溶液。

然后，在第一基材30a的凹部31从第一导电膜37上，通过使用蒸镀法、溅射法等，将形成第一驱动电极36、引出电极38a、电极垫38b的电极材料进行成膜。这里，在成膜Cr膜作为底层之后，成膜Au膜作为电极层。并且，通过使用光刻法形成图案，从而如图7的（e）所示，形成第一驱动电极36、引出电极38a、电极垫38b。

在Au膜的蚀刻中，使用碘素和碘化钾的混合液，Cr膜的蚀刻中使用硝酸铈铵（ceric ammonium nitrate）水溶液。

此外，在图7的（e）中，省略了引出电极38a、电极垫38b的图示。

这里，第一驱动电极36的厚度尺寸由于大于第一反射膜35的厚度尺寸，所以可以覆盖（cover）由第一反射膜35引起的与固定基板30之间的平面差异，可以防止在该平面差异的部分的断线。

并且，由于在第一反射膜35上形成有第一导电膜37，所以可以防止由于形成第一驱动电极36的工序中的药液等引起的第一反射膜35的损伤。

此外，在第一基材30a的上表面（与可动基板40接触的面）形成通过以硅氧烷为主要成分的等离子体聚合膜等构成的接合膜49。接合膜49例如通过等离子CVD法等成膜。作为接合膜49的厚度，设定例如10nm～100nm即可。

由此，可以制造固定基板30。

（可动基板的制造工序）

下面，对可动基板的制造工序进行说明。图8是表示可动基板的制造工序的说明图。

首先，如图8的（a）所示，准备可动基板40的由作为材料的石英玻璃基板等形成的第二基材40a，将第二基材40a的两面精密研磨至表面粗糙度Ra为1nm以下。

并且，在第二基材40a的整个面上涂覆抗蚀剂，利用光刻法将涂覆的抗蚀剂进行曝光、显影，从而将形成有保持部42的地方形成图案。

然后，与第一基材30a同样地使用氟酸类溶液，对第二基材40a进行湿式蚀刻，从而如图8的（b）所示，形成可动部41、保持部42。由此，可以制造确定可动基板40的基板形状的第二基材40a。

然后，如图8的（c）所示，在与第二基材40a的形成了可动部41、保持部42的面相反的面的中央部形成第二反射膜45。

在本实施方式中，使用Ag膜或Ag合金膜作为第二反射膜45。在Ag膜或Ag合金膜作为第二反射膜45的情况下，通过真空蒸镀法、溅射法形成第二反射膜45的膜层。然后，使用光刻法形成第二反射膜45的形状。Ag膜或Ag合金膜的蚀刻中使用磷酸硝酸醋酸水溶液。

并且，如图8的（d）所示，在第二反射膜45上形成第二导电膜47。该第二导电膜47形成为与第二反射膜45相同的形状。

在本实施方式中，使用ITO膜作为第二导电膜47。通过溅射法在第二基材40a形成第二导电膜47的膜厚。然后，使用光刻法形成第二导电膜47的形状。此外，在ITO膜的蚀刻中可以使用酸性溶液。

然后，在第二基材40a从第二导电膜47上，通过使用蒸镀法、溅射法等，将形成第二驱动电极46、引出电极48a、电极垫48b的电极材料进行成膜。这里，在成膜Cr膜作为底层之后，成膜Au膜作为电极层。并且，通过使用光刻法形成图案，从而如图8的（e）所示，形成第二驱动电极46、引出电极48a、电极垫48b。

在Au膜的蚀刻中，使用碘素和碘化钾的混合液，Cr膜的蚀刻中使用硝酸铈铵水溶液。

此外，在图8的（e）中，省略了引出电极48a、电极垫48b的图示。

这里，第二驱动电极46的厚度尺寸由于大于第二反射膜45的厚度尺寸，所以可以覆盖（cover）由第二反射膜45引起的与可动基板40之间的平面差异，可以防止在该平面差异的部分的断线。

并且，由于在第二反射膜45上形成有第二导电膜47，所以可以防止由于形成第二驱动电极46的工序中的药液等引起的第二反射膜45的损伤。

此外，在第二基材40a的上表面（与固定基板30接触的面）形成通过以硅氧烷为主要成分的等离子体聚合膜等构成的接合膜49。接合膜49例如通过等离子CVD法等成膜。作为接合膜49的厚度，设定例如10nm～100nm即可。

由此，可以制造可动基板40。

（基板的接合工序）

下面，对基板的接合工序进行说明。图9是固定基板和可动基板的接合工序的说明图。

首先，为了对固定基板30和可动基板40的接合膜49赋予活化能量而进行O₂等离子处理、N₂等离子处理货UV处理。

在对等离子聚合膜赋予了活化能量后，进行这些固定基板30和可动基板40的校准调整，使固定基板30和可动基板40隔着接合膜49重合，对接合部分施加负荷。由此，固定基板30和可动基板40被接合。

通过这样的工序，可以制造波长可变干涉滤波器5。

（第一实施方式的效果）

以上，本实施方式涉及的波长可变干涉滤波器5形成覆盖第一反射膜35的第一导电膜37，且从第一导电膜37上形成厚度尺寸大于第一反射膜35和第一导电膜37的厚度尺寸之和的第一驱动电极36。

这样，第一驱动电极36的厚度尺寸大于第一反射膜35的厚度尺寸，所以可以覆盖由第一反射膜35引起的与固定基板30之间的平面差异，可以防止在该平面差异的部分的断线。

并且，形成覆盖第二反射膜45的第二导电膜47，且从第二导电膜47上形成厚度尺寸大于第二反射膜45和第二导电膜47的厚度尺寸之和的第二驱动电极46。

这样，第二驱动电极46的厚度尺寸大于第二反射膜45的厚度尺寸，所以可以覆盖由第二反射膜45引起的与可动基板40之间的平面差异，可以防止在该平面差异的部分的断线。

此外，通过设置第一导电膜37、第二导电膜47，可以防止第一反射膜35、第二反射膜45的Ag原子向第一驱动电机36、第二驱动电极46的Cr膜、Au膜扩散，且可以抑制连接配线的断线。

据此，可以确保第一反射膜35和第一驱动电极36之间导通、第二反射膜45和第二驱动电极46之间的导通，且可以提高布线的连接可靠性。

并且，第一导电膜37及第二导电膜47的材料是从铟类氧化物、锡类氧化物、锌类氧化物及他们的混合物中选择的材料。

通过使用这些材料作为第一导电膜37及第二导电膜47，从而可以有效地防止从第一反射膜35、第二反射膜45向第一驱动电极36、第二驱动电极37的扩散。并且，通过使用这些材料，从而可以从制造工序中的药液中保护第一反射膜35、第二反射膜45。

并且，本实施方式涉及的光模块10由于具备上述配线的连接可靠性得以提高的波长可变干涉滤波器5，所以可以提高光模块10的可靠性。

此外，作为电子设备的分光测定装置1具有具备上述配线的连接可靠性得以提高的波长可变干涉滤波器5，所以可以提高分光测定装置1的可靠性。

（驱动电极和导电膜的连接状态的变形例）

下面，对波长可变干涉滤波器5中的、驱动电极（第一驱动电极、第二驱动电极）和设置于反射膜（第一反射膜、第二反射膜）上的导电膜（第一导电膜、第二导电膜）的连接状态的变形例进行说明。在固定基板30和可动基板40分别具有驱动电极、反射膜和导电膜，这里，对固定基板30侧进行说明。并且，对与第一实施方式相同的结构标注相同的符号并省略说明。

图10是表示第一实施方式中的第一驱动电极的形状的变形例的俯视图。

在本变形例中，第一驱动电极的形状与第一实施方式不同。

形成于固定基板30的第一驱动电极36形成有从外周缘延伸的多个延伸部36a，该各个延伸部36a与第一阶梯部37接触。

这样，也可以使用上述形状的第一驱动电极36取得与第一驱动电极36之间的导通，可以发挥与第一实施方式相同的效果。

图11是表示第一实施方式中的第一驱动电极和第一导电膜之间的接触状态的变形例的固定基板的截面图。

如图11的（a）所示，第一反射膜35及第一导电膜37从固定基板30的中央至凹部31的底面形成为圆状。并且，沿第一导电膜37的外周部，环状的第一驱动电极36在被承载在第一导电膜37上而形成。这样，通过增大第一驱动电极36和第一导电膜37之间的接触面积，从而可以降低布线连接中的电阻抗，且可以进行良好的连接。

并且，如图11的（b）所示，通过比设置于固定基板30的中央的第一反射膜35大的面积形成与第一反射膜35重叠的第一导电膜37。并且，在俯视时不与第一反射膜35重叠的第一导电膜37的外缘部与第一驱动电极36接触。这样，第一导电膜37可以形成至第一反射膜35的外缘部的侧面，在第一驱动电极36的制造工序中不存在药液与第一反射膜35接触的部分，不会对第一反射膜35赋予损伤。

此外，在上述实施方式及变形例中，虽然对固定基板30和可动基板40两者具有相同结构的驱动电极和反射膜的例子进行了说明，但是两者也可以不是相同的构造，也可以组合第一实施方式、变形例中说明的构造并实施。

此外，虽然已经对将第一驱动电极作为与第一反射膜连接的第一连接电极、将第二驱动电极作为与第二反射膜连接的第二连接电极的情况进行了说明，但是并不仅限于该例，也可以是作为与反射膜连接的连接电极而连接测定静电电容的监视电极等的结构。

[第二实施方式]

接着，根据附图对本发明的第二实施方式进行说明。

在上述第一实施方式的分光测定装置1中，形成直接对光模块10设置波长可变干涉滤波器5的结构。但是，作为光模块，也存在具有复杂的结构的情况，尤其对于小型化的光模块，存在直接设置波长可变干涉滤波器5困难的情况。在本实施方式中，对能够容易将波长可变干涉滤波器5设置于这样的光模块的滤光器设备进行说明。

图12是示出本发明的第三实施方式涉及的滤光器设备的概略结构的剖视图。

如图12所示，滤光器设备60具备波长可变干涉滤波器5以及收容该波长可变干涉滤波器5的壳体61。

壳体61具备底部基板62、盖板（lid）70、底部侧玻璃基板75以及盖板侧玻璃基板76。

底部基板62由例如单层陶瓷基板构成。在该底部基板62上设置有波长可变干涉滤波器5的可动基板40。作为将可动基板40向底部基板62设置的方法，可以通过例如粘合层配置，还可以通过嵌合于其他固定部件等而配置。并且，在底部基板62上，开口形成有光通过孔63。并且，为了覆盖该光通过孔63，接合底部侧玻璃基板75。作为底部侧玻璃基板75的接合方法，例如，可以使用以高温将玻璃原料熔解，并使用作为骤冷后的玻璃碎片的玻璃料（frit）的玻璃料接合、基于环氧树脂等的接合等。

在该底部基板62的与盖板70相对的底部内侧面64，对应于波长可变干涉滤波器5的各电极垫中的每个电极垫而设置内侧端子部67。并且，各电极垫与内侧端子部67的连接能够使用例如FPC67a，通过例如Ag膏（Ag paste）、ACF（Anisotropic Conductive Film，异方性导电膜）、ACP（Anisotropic Conductive Paste，异方性导电膏）等接合。并且，并不仅限于FPC67a连接，也可以实施例如引线接合法等布线连接。

并且，底部基板62与设有各内侧端子部67的位置相对应地形成有贯通孔66，各内侧端子部67经由填充入贯通孔66的导电性部件与设置在底部基板62的底部内侧面64相反一侧的底部外侧面65上的外侧端子部68连接。

而且，在底部基板62的外周部设有与盖板70接合的底部接合部69。

如图12所示，盖板70具备：盖板接合部72，与底部基板62的底部接合部69接合；侧壁部73，从盖板接合部72连续，并沿从底部基板62分离的方向立起；以及顶面部74，从侧壁部73连续，并覆盖波长可变干涉滤波器5的固定基板30侧。该盖板70能够由例如科瓦铁镍钴合金（kovar）等合金或者金属形成。

通过使盖板接合部72与底部基板62的底部接合部69接合，该盖板70被紧贴接合在底部基板62上。

作为该接合方法，例如，除了激光焊接以外，还可以列举出：使用了银钎焊等的焊锡、使用了共晶合金层（eutectic alloy layer）的密封、使用了低熔点玻璃的熔敷、玻璃粘接（glass adhesion）、玻璃介质键合（glass fritbonding）、环氧树脂的粘结等。这些接合方法能够根据底部基板62以及盖板70的材料或者接合环境等不同，适当地选择。

盖板70的顶面部74相对于底部基板62平行。该顶面部74上开口形成有光通过孔71。并且，为了覆盖该光通过孔71而接合有盖板侧玻璃基板76。作为盖板侧玻璃基板76的接合方法，与底部侧玻璃基板75的接合同样地，可以使用例如玻璃介质键合、环氧树脂的粘结等。

在上述这样的本实施方式的滤波器设备60中，由于通过壳体61保护波长可变干涉滤波器5，所以可以防止由于外在因素引起的波长可变干涉滤波器5的破损。

[第三实施方式]

下面，对使用上述第一实施方式说明的波长可变干涉滤波器的电子设备进行说明。在第三实施方式中，以测定物的色度进行测定的测色装置为例进行说明。

图13是表示测色装置的结构的概略图。

测色装置80具备：向检查对象A射出光的光源装置82、测色传感器84（光模块）以及控制测色装置80的整体动作的控制装置86。

而且，该测色装置80是如下的装置：使检查对象A反射由光源装置82射出的光，由测色传感器84接收被反射的检查对象光，根据从测色传感器84输出的检测信号来分析并测定检查对象光的色度、即检查对象A的颜色。

光源装置82具备光源91和多个透镜92（在图13中仅示出一个），对检查对象A射出白色光。另外，在多个透镜92中可以含有准直透镜，在这种情况下，光源装置82通过准直透镜将从光源91射出的基准光变为平行光，再从未图示的投射透镜向检查对象A射出。

此外，在本实施方式中，虽然例示了具备光源装置82的测色装置80，但是在例如检查对象A为液晶面板等发光元件时，也可以是不设置光源装置82的结构。

作为光模块的测色传感器84具备：波长可变干涉滤波器5；电压控制部94，控制施加给静电致动器的电压，并改变在波长可变干涉滤波器5透过的光的波长；以及受光部93（检测部），接收透过了波长可变干涉滤波器5的光。

并且，测色传感器84具备光学透镜（未图示），该光学透镜将被检查对象A反射的反射光（检查对象光）导光到波长可变干涉滤波器5。此外，该测光传感器84通过波长可变干涉滤波器5对入射光学透镜的检查对象光中的规定波长的光进行分光，并通过受光部93接收分光的光。

受光部93作为检测部由光电二极管等光电转换元件构成，其生成与受光量相对应的电信号。并且，受光部93与控制装置86连接，将生成的电信号作为受光信号输出给控制装置86。

电压控制部94根据从控制装置86输入的控制信号，控制施加给静电致动器的电压。

控制装置86控制测色装置80的整体动作。作为该控制装置86，可以使用例如，通用个人计算机、便携式信息终端以及其它测色专用计算机等。

而且，控制装置86构成为具备光源控制部95、测色传感器控制部97以及测色处理部96（分析处理部）等。

光源控制部95与光源装置82连接。并且，光源控制部95根据例如用户的设定输入，将规定的控制信号输出至光源装置82，进而从光源装置82射出规定亮度的白色光。

测色传感器控制部97与测色传感器84连接.并且，测色传感器97根据例如用户的设定输入，设定由测色传感器84接收的光的波长，并将表示检测该波长的光的受光量的控制信号输出至测色传感器84。由此，测色传感器84的电压控制部94根据控制信号，对静电致动器施加的电压，以使用户所期望的光的波长透过。

测色处理部96控制测色传感器控制部97，使波长可变干涉滤波器5的反射膜间的间隔尺寸变动，使透过波长可变干涉滤波器5的光的波长变化。并且，测色处理部96根据从受光部93输入的受光信号，取得透过了波长可变干涉滤波器5的光量。并且，测色处理部96根据通过上述获得的各波长的受光量，计算从检测对象A反射的光的色度。

这样，作为本实施方式的电子设备的测色装置80及作为光模块的测色传感器84由于具备布线的连接可靠性得以提高的波长可变干涉滤波器5，所以可以提高测色传感器84的可靠性。

以上，在第三实施方式中，虽然例示了测色装置80作为电子设备，但可以在其他各种领域使用波长可变干涉滤波器、光模块、电子设备。

例如，可以使用用于检测指定物质存在的光基板的系统。作为这种系统，例如，能够例示采用使用了本发明的波长可变干涉滤波器的分光测量方式而高灵敏度检测指定气体的车载用漏气检测器或者呼吸检查用的光声稀有气体检测器等气体检测装置。

[第四实施方式]

以下，根据下面的附图，对气体检测装置的一例进行说明。

图14是表示具备波长可变干涉滤波器的气体检测装置的一例的概略图。

图15是气体检测装置的控制系统的结构的框图。

如图14所示，该气体检测装置100构成为包括传感器芯片110、流道120以及主体部130，该流道120具备吸引口120A、吸引流道120B、排出流道120C以及排出口120D。

主体部130由检测部（光模块）、处理被检测的信号并控制检测部的控制部138、以及供电的供电部139等构成，其中，该检测部包括：具有可装卸流道120的开口的传感器部盖131、排出单元133、壳体134、光学部135、滤波器136、波长可变干涉滤波器5以及受光元件137（受光部）。另外，光学部135构成为包括：射出光的光源135A；将从光源135A射入的光向传感器芯片110侧反射，并使从传感器芯片侧射入的光向受光元件137侧透过的光束分离器135B；以及透镜135C、135D、135E。

另外，如图15所示，在气体检测装置100的表面上设置有操作面板140、显示部141、用于与外部的接口的连接部142、供电部139。在供电部139是蓄电池的情况下，也可以具备用于充电的连接部143。

并且，气体检测装置100的控制部138具备如下部件等：信号处理部144，由CPU等构成；光源驱动器电路145，用于控制光源135A；电压控制部146，用于控制波长可变干涉滤波器5；受光电路147，接收来自受光元件137的信号；传感器芯片检测电路149，接收来自传感器芯片检测器148的信号，该传感器芯片检测器148读取传感器芯片110的代码，并检测有无传感器芯片110；以及排出驱动器电路150，控制排出单元133。

接下来，将在下面说明上述那样的气体检测装置100的动作。

在主体部130的上部传感器部盖131的内部设置有传感器芯片检测器148，并通过该传感器芯片检测器148检测有无传感器芯片110。信号处理部144如果检测到来自传感器芯片检测器148的检测信号，则判断处于安装有传感器芯片110的状态，并向显示部141发出表示能实施检测操作的显示信号。

并且，当例如通过使用者操作操作面板140，并将来自操作面板140的表示开始检测处理的指示信号输出给信号处理部144时，首先，信号处理部144向光源驱动器电路145输出光源动作的信号以使光源135A动作。如果驱动光源135A，则从光源135A输出单波长且直线偏振的稳定的激光。此外，在光源135A中内置有温度传感器和光量传感器，该信息被输出给信号处理部144。然后，信号处理部144根据从光源135A输入的温度和光量，判断光源135A已稳定操作，从而控制排出驱动器电路150以使排出单元133动作。由此，包括应该检测的目标物质（气体分子）的气体试样从吸引口120A被导向吸引流道120B、传感器芯片110内、排出流道120C、排出口120D。

此外，传感器芯片110是安装有多个金属纳米构造体、利用了局部表面等离子体共振的传感器。在这样的传感器芯片110中，通过激光在金属纳米构造体间形成增强电场，当气体分子进入该增强电场内时，会产生包括分子振动信息的拉曼散射光及瑞利散射光。

这些瑞利散射光、拉曼散射光通过光学部135入射到滤波器136，通过滤波器136分离瑞利散射光，从而拉曼散射光入射到波长可变干涉滤波器5。并且，信号处理部144控制电压控制部146，调整施加给波长可变干涉滤波器5的电压，通过波长可变干涉滤波器5分光与作为检测对象的气体分子相对应的拉曼散射光。然后，当通过受光元件137接收到分光后的光时，通过受光电路147将与受光量相对应的受光信号输出至信号处理部144。

信号处理部144将上述获得的与作为检测对象的气体分子相对应的拉曼散射光的光谱数据和存储在ROM中的数据进行比较，并判断是否是目标气体分子，从而指定物质。然后，信号处理部144在显示部141上显示该结果信息、或从连接部142向外部输出。

此外，在上述图14、图15中，虽然例示了通过波长可变干涉滤波器5分光拉曼散射光并根据分光后的拉曼散射光进行气体检测的气体检测装置100的例子，但作为气体检测装置，还可以用作通过检测气体固有的吸光度以指定气体种类的气体检测装置。在这种情况下，可以使用在传感器内部流入气体且检测入射光中的被气体吸收的光的气体传感器作为本发明的光模块。此外，可以将通过这样的气体传感器分析、判断流入传感器内的气体的气体检测装置作为本发明的电子设备。即使在这样的结构中，也可以使用波长可变干涉滤波器来检测气体成分。

此外，作为用于检测指定物质存在的系统，并不仅限于检测上述这样的气体，还可以例示基于红外线分光的糖类的非侵入式测量装置、食物和生物、矿物等的信息的非侵入式测量装置等物质成分分析装置。

[第五实施方式]

下面，作为上述物质成分分析装置的一例，将说明食品分析装置。

图16是表示作为利用了波长可变干涉滤波器5的电子设备的一例的食品分析装置的概略结构的图。

该食物分析装置200包括检测器（光模块）210、控制部220、显示部230。检测器210包括用于射出光的光源211、导入来自检测对象物的光的摄像透镜212、对从摄像透镜212导入的光进行分光的波长可变干涉滤波器5、以及检测分光后的光的摄像部（受光部）213。

并且，控制部220包括：光源控制部221，用于实施光源211的点灯、灭灯控制、点灯时的亮度控制；电压控制部222，用于控制波长可变干涉滤波器5；检测控制部223，用于控制摄像部213，并取得通过摄像部213拍摄到的分光图像；信号处理部224以及存储部225。

该食物分析装置200当驱动装置时，通过光源控制部221控制光源211，从光源211向检测对象物照射光。并且，被检测对象物反射的光通过摄像透镜212入射到波长可变干涉滤波器5。波长可变干涉滤波器5在电压控制部222的控制下被施加可对想要的波长进行分光的电压，分光的光通过例如CDD摄像机等构成的摄像部213对取出的光进行拍摄。并且，将拍摄到的光作为分光图像存储在存储部225中。并且，信号处理部224控制电压控制部222使施加给波长可变干涉滤波器5的电压值变化，并取得针对各波长的分光图像。

并且，信号处理部224对存储部225存储的各图像中的各像素的数据进行运算处理，以求得各像素中的光谱。并且，在存储部225中存储有例如与光谱相对的有关食物成分的信息，信号处理部224根据存储部225所存储的有关食物的信息，对求得的光谱的数据进行分析，并求得检测对象中包括的食物成分及其含量。并且，可以根据获得的食物成分及含量计算食物卡路里和新鲜度等。此外，通过分析图像内的光谱分布，从而可以实施检查对象的食物中新鲜度降低的部分的提取出等，且可进一步实施食物内所包括的异物等的检测。

此外，信号处理部224进行以下的处理：在显示部230上显示获得的检查对象的食物成分和含量、卡路里和新鲜度等信息。

并且，在图16中，虽然例示了食物分析装置200的例子，但通过大致相同的结构也能够用作上述那样的其他信息的非侵入式测量装置。例如，可以用作进行血液等体液成分的测量、分析等的分析生物成分的生物分析装置。作为这样的生物分析装置，例如作为对血液等体液成分进行测量的装置，如果是检测乙醇的装置，则可以用作检测驾驶员的饮酒状态的防止酒后驾驶装置。此外，也可以用作包括这样的生物分析装置的电子内视镜系统。

此外，还可以用作实施矿物成分分析的矿物分析装置。

并且，作为本发明的波长可变干涉滤波器、光模块、电子设备，能够适用于如下这样的装置。

例如，通过经时变化各波长的光强度，从而还可以通过各波长的光传送数据，在这种情况下，通过设置在光模块中的波长可变干涉滤波器对指定波长的光进行分光，并通过受光部接收，从而可以提取出通过指定波长的光传送的数据，并可通过包括这样的数据选出用光模块的电子设备处理各波长的光的数据，从而可以实施光通信。

[第六实施方式]

另外，作为其他电子设备，也能够适用于通过利用本发明的波长可变干涉滤波器将光进行分光并拍摄分光图像的分光照相机、分光分析仪等。作为这样的分光照相机的一例，可以列举有内置了波长可变干涉滤波器的红外线照相机。

图17是示出分光摄像机的简要构成的模式图。如图17所示，分光摄像机300包括照相机主体310、摄像透镜单元320以及摄像部330。

摄像机主体310是由使用者把持、操作的部分。

摄像透镜单元320设置在摄像机主体310上，其将入射的图像光导向摄像部330。并且，该摄像透镜单元320构成为包括物镜321、成像透镜322以及设置在这些透镜间的波长可变干涉滤波器5。

摄像部330由受光元件构成，其对通过摄像透镜单元320导入的图像光进行拍摄。

在这样的分光摄像机300中，通过波长可变干涉滤波器5使作为摄像对象的波长的光透过，从而可以对想要的波长的光的分光图像进行拍摄。

此外，也可以将本发明的波长可变干涉滤波器用作带通滤波器，例如，也可以被用作仅将发光元件输出的规定波段的光中的以规定波长为中心的狭窄波段的光通过波长可变干涉滤波器进行分光并使其透过的光学式激光装置。

并且，也可以将本发明的波长可变干涉滤波器用作生物认证装置，例如，可以适用于使用近红外区域或可见光区域的光的血管、指纹、视网膜和虹膜等的认证装置。

并且，能够将光模块和光分析装置用作浓度检测装置。在该情况下，利用波长可变干涉滤波器，对从物质射出的红外能量（红外光）进行分光后分析，并测量采样中的被检体浓度。

如上所述，本发明的波长可变干涉滤波器、光模块以及电子设备还可以适用于从入射光中分光规定的光的任意装置。并且，如上所述，本发明的波长可变干涉滤波器由于可以通过一台设备对多个波长进行分光，所以可以高精度地实施多个波长的光谱的测量、对多个成分进行检测。因此，与通过多台设备取出想要的波长的现有的装置相比，可以促进光模块、电子设备的小型化，且可例如优选用于便携用途、车载用途。

本发明并不仅限于上述说明了的实施方式，实施本发明时的具体构造及步骤在可以达成本发明的目的的范围内可以适当变更为其他构造等。并且，在本发明的技术构思内在本领域可以通过公知常识进行多种变形。

Claims (10)

1.一种波长可变干涉滤波器，其特征在于，具备：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对；

第一反射膜，设置于所述第一基板；

第二反射膜，设置于所述第二基板，与所述第一反射膜相对配置；

导电性的第一导电膜，层叠于所述第一反射膜；

导电性的第二导电膜，层叠于所述第二反射膜；

第一连接电极，设置于所述第一基板，在所述第一基板上与所述第一导电膜电连接；以及

第二连接电极，设置于所述第二基板，在所述第二基板上与所述第二导电膜电连接，

所述第一连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第一反射膜的厚度尺寸和所述第一导电膜的厚度尺寸的和，

所述第一连接电极从所述第一基板的表面延伸至所述第一导电膜的外缘部的表面并接触，

所述第二连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第二反射膜的厚度尺寸和所述第二导电膜的厚度尺寸的和，

所述第二连接电极从所述第二基板的表面延伸至所述第二导电膜的外缘部的表面并接触。

2.根据权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，

至少所述第一连接电极及所述第二连接电极中的一个与所述第一导电膜或所述第二导电膜的外缘部的整周接触。

3.根据权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，

所述第一导电膜及所述第二导电膜是透明导电膜。

4.根据权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，

所述第一导电膜及所述第二导电膜的材料是从铟类氧化物、锡类氧化物、锌类氧化物及他们的混合物中选择的材料。

5.根据权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，

所述第一反射膜及所述第二反射膜的材料是Ag或以Ag为主成分的合金。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，

所述第二基板具备：

可动部，设置有所述第二反射膜；以及

保持部，在从基板厚度方向俯视观察所述第二基板时，设置在所述可动部的外侧，所述保持部的厚度尺寸小于所述可动部的厚度尺寸，所述保持部保持所述可动部能进退。

7.一种波长可变干涉滤波器，其特征在于，具备：

反射膜，反射入射的光的一部分并使一部分透过；

导电性的导电膜，层叠于所述反射膜；以及

连接电极，与所述导电膜电连接，

所述连接电极的厚度尺寸形成得大于所述反射膜的厚度尺寸和所述导电膜的厚度尺寸的和，

所述连接电极与所述导电膜的外缘部的表面重叠接触。

8.一种滤光器设备，其特征在于，具备：

波长可变干涉滤波器；以及

壳体，收容所述波长可变干涉滤波器，

所述波长可变干涉滤波器具备：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对；

第一反射膜，设置于所述第一基板；

第二反射膜，设置于所述第二基板，与所述第一反射膜相对配置；

导电性的第一导电膜，层叠于所述第一反射膜；

导电性的第二导电膜，层叠于所述第二反射膜；

第一连接电极，设置于所述第一基板，在所述第一基板上与所述第一导电膜电连接；以及

第二连接电极，设置于所述第二基板，在所述第二基板上与所述第二导电膜电连接，

所述第一连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第一反射膜的厚度尺寸和所述第一导电膜的厚度尺寸的和，

所述第一连接电极从所述第一基板的表面延伸至所述第一导电膜的外缘部的表面并接触，

所述第二连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第二反射膜的厚度尺寸和所述第二导电膜的厚度尺寸的和，

所述第二连接电极从所述第二基板的表面延伸至所述第二导电膜的外缘部的表面并接触。

9.一种光模块，其特征在于，具备：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对；

第一反射膜，设置于所述第一基板；

第二反射膜，设置于所述第二基板，与所述第一反射膜相对配置；

导电性的第一导电膜，层叠于所述第一反射膜；

导电性的第二导电膜，层叠于所述第二反射膜；

第一连接电极，设置于所述第一基板，在所述第一基板上与所述第一导电膜电连接；

第二连接电极，设置于所述第二基板，在所述第二基板上与所述第二导电膜电连接；以及

检测部，对通过所述第一反射膜及所述第二反射膜取出的光进行检测，

所述第一连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第一反射膜的厚度尺寸和所述第一导电膜的厚度尺寸的和，

所述第一连接电极从所述第一基板的表面延伸至所述第一导电膜的外缘部的表面并接触，

所述第二连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第二反射膜的厚度尺寸和所述第二导电膜的厚度尺寸的和，

所述第二连接电极从所述第二基板的表面延伸至所述第二导电膜的外缘部的表面并接触。

10.一种电子设备，其特征在于，具备：

波长可变干涉滤波器；以及

控制部，控制所述波长可变干涉滤波器，

所述波长可变干涉滤波器具备：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对；

第一反射膜，设置于所述第一基板；

第二反射膜，设置于所述第二基板，与所述第一反射膜相对配置；

导电性的第一导电膜，层叠于所述第一反射膜；

导电性的第二导电膜，层叠于所述第二反射膜；

第一连接电极，设置于所述第一基板，在所述第一基板上与所述第一导电膜电连接；以及

第二连接电极，设置于所述第二基板，在所述第二基板上与所述第二导电膜电连接，

所述第一连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第一反射膜的厚度尺寸和所述第一导电膜的厚度尺寸的和，

所述第一连接电极从所述第一基板的表面延伸至所述第一导电膜的外缘部的表面并接触，

所述第二连接电极的厚度尺寸形成得大于所述第二反射膜的厚度尺寸和所述第二导电膜的厚度尺寸的和，

所述第二连接电极从所述第二基板的表面延伸至所述第二导电膜的外缘部的表面并接触。