JP4645028B2 - 陽極接合型密閉ケース及び陽極接合型デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
2 密閉ケース
3 基板
4 外枠
5 振動子支持部
6 振動子
7 支持梁
8 電極支持部
9 固定側駆動電極
10 可動側駆動電極
11 検出電極
12 蓋板
13,13′ 密閉空間
14 引出電極
15,16 ガラス板(ガラス部材)
17 シリコンウェハ(半導体部材)
24 圧力設定ガス
Claims (3)
- 半導体部材の一面側に第1のガラス部材を陽極接合した後に、減圧雰囲気中で前記半導体部材のうち該第1のガラス部材と反対側の他側面に第2のガラス部材を陽極接合することによりガラス部材/半導体部材/ガラス部材の3層構造に囲まれた密閉空間を形成し、
前記第1,第2のガラス部材と半導体部材とを前記第1,第2のガラス部材の歪み点温度よりも低い温度で加熱したときに、加熱時間に応じて密閉容器内の圧力が双曲線的に低下するのを利用して、所望の圧力となるように加熱温度と加熱時間とを制御し、陽極接合するときに前記密閉空間内に発生した残留ガスを除去する構成としてなる陽極接合型密閉ケースの製造方法。 - 半導体部材の一面側に第1のガラス部材を陽極接合した後に、減圧状態に設定した圧力設定ガスの雰囲気中で前記半導体部材のうち該第1のガラス部材と反対側の他側面に第2のガラス部材を陽極接合することによりガラス部材/半導体部材/ガラス部材の3層構造に囲まれて前記圧力設定ガスが封入された密閉空間を形成し、
前記第1,第2のガラス部材と半導体部材とを前記第1,第2のガラス部材の歪み点温度よりも低い温度で加熱したときに、加熱時間に応じて密閉容器内の圧力が双曲線的に低下するのを利用して、所望の圧力となるように加熱温度と加熱時間とを制御し、陽極接合するときに前記密閉空間内に発生した残留ガスを除去する構成としてなる陽極接合型密閉ケースの製造方法。 - 半導体部材の一面側に第1のガラス部材を陽極接合し、前記半導体基板に減圧雰囲気中で振動する振動子を形成した後に、減圧状態に設定した圧力設定ガスの雰囲気中で前記半導体部材のうち該第1のガラス部材と反対側の他側面に第2のガラス部材を陽極接合することによりガラス部材/半導体部材/ガラス部材の3層構造に囲まれて前記振動子と圧力設定ガスとが封入された密閉空間を形成し、
前記第1,第2のガラス部材と半導体部材とを前記第1,第2のガラス部材の歪み点温度よりも低い温度で加熱したときに、加熱時間に応じて密閉容器内の圧力が双曲線的に低下するのを利用して、所望の圧力となるように加熱温度と加熱時間とを制御し、陽極接合するときに前記密閉空間内に発生した残留ガスを除去する構成としてなる陽極接合型密閉ケースの製造方法。
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