JP2000100984A - 減圧容器の製造方法 - Google Patents
減圧容器の製造方法Info
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- JP2000100984A JP2000100984A JP10266836A JP26683698A JP2000100984A JP 2000100984 A JP2000100984 A JP 2000100984A JP 10266836 A JP10266836 A JP 10266836A JP 26683698 A JP26683698 A JP 26683698A JP 2000100984 A JP2000100984 A JP 2000100984A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】密閉容器のキャビティの圧力を所定の真空度
（減圧度）に調整して均一化し、キャビティに封入した
機能素子の動作特性の揃った減圧容器の製造方法を提供
する。 【解決手段】機能素子２の形成された支持基板１を、凹
部４の形成された蓋基板３で真空中で密閉し、この密閉
した容器１０ａを真空チャンバ６内に収容した後、真空
チャンバ６内に拡散係数の大きいガスを導入してキャビ
ティ４ａ内に浸透させ、キャビティ４ａの圧力を調整す
る減圧容器の製造方法。
（減圧度）に調整して均一化し、キャビティに封入した
機能素子の動作特性の揃った減圧容器の製造方法を提供
する。 【解決手段】機能素子２の形成された支持基板１を、凹
部４の形成された蓋基板３で真空中で密閉し、この密閉
した容器１０ａを真空チャンバ６内に収容した後、真空
チャンバ６内に拡散係数の大きいガスを導入してキャビ
ティ４ａ内に浸透させ、キャビティ４ａの圧力を調整す
る減圧容器の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、可動部を減圧下
に保持しなければならない、角速度センサ、加速度セン
サ、真空圧計などの機能素子を収納する減圧容器の製造
方法に関する。
に保持しなければならない、角速度センサ、加速度セン
サ、真空圧計などの機能素子を収納する減圧容器の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に、図４を参照して、従来の減圧容
器２０の製造方法について説明する。２１はシリコン基
板からなる支持基板で、この支持基板２１の上には、角
速度センサなどの機能素子２２が形成されている。ま
た、この機能素子２２から離れて、支持基板２１の上に
は非蒸発性の固形のゲッター材２３が設けられている。
また、２４はパイレックスガラス基板からなる蓋基板
で、その下面側には２つの凹部２５、２６が仕切り壁２
７に区切られて形成されている。そして、この仕切り壁
２７の先端部は、凹部２５、２６を連通するチャネルを
形成するために切除されている。
器２０の製造方法について説明する。２１はシリコン基
板からなる支持基板で、この支持基板２１の上には、角
速度センサなどの機能素子２２が形成されている。ま
た、この機能素子２２から離れて、支持基板２１の上に
は非蒸発性の固形のゲッター材２３が設けられている。
また、２４はパイレックスガラス基板からなる蓋基板
で、その下面側には２つの凹部２５、２６が仕切り壁２
７に区切られて形成されている。そして、この仕切り壁
２７の先端部は、凹部２５、２６を連通するチャネルを
形成するために切除されている。
【０００３】支持基板２１と蓋基板２４とは、凹部２５
が機能素子２２を蓋被するように、また、凹部２６がゲ
ッター材２３を蓋被するように、重ねられて陽極接合さ
れる。この陽極接合により、機能素子２２を収容するキ
ャビティ２５ａとゲッター材２３を収容するキャビティ
（ゲッター室）２６ａが形成される。また、キャビティ
２５ａと２６ａとを連通するチャネル２７ａも形成され
る。
が機能素子２２を蓋被するように、また、凹部２６がゲ
ッター材２３を蓋被するように、重ねられて陽極接合さ
れる。この陽極接合により、機能素子２２を収容するキ
ャビティ２５ａとゲッター材２３を収容するキャビティ
（ゲッター室）２６ａが形成される。また、キャビティ
２５ａと２６ａとを連通するチャネル２７ａも形成され
る。
【０００４】前記陽極接合の際に、接合面から酸素ガス
が発生して、キャビティ２５ａ、２６ａに流入して残留
することになる。一方、ゲッター材２３は、陽極接合時
のほぼ４００℃の温度で活性化し、キャビティ２５ａに
残留しているガスをチャネル２７ａを介して吸着して、
キャビティ２５ａの真空度を高めることになる。このよ
うにして、従来の減圧容器２０は製造される。
が発生して、キャビティ２５ａ、２６ａに流入して残留
することになる。一方、ゲッター材２３は、陽極接合時
のほぼ４００℃の温度で活性化し、キャビティ２５ａに
残留しているガスをチャネル２７ａを介して吸着して、
キャビティ２５ａの真空度を高めることになる。このよ
うにして、従来の減圧容器２０は製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
減圧容器２０の製造方法においては、数ミリ角の固形ゲ
ッター材２３を収納するゲッター室２６ａを設けるの
で、製造された減圧容器２０の寸法が大きくなる。ま
た、ゲッター材２３からの発塵で支持基板２１と蓋基板
２４とが接合不良を起こす懸念がある。
減圧容器２０の製造方法においては、数ミリ角の固形ゲ
ッター材２３を収納するゲッター室２６ａを設けるの
で、製造された減圧容器２０の寸法が大きくなる。ま
た、ゲッター材２３からの発塵で支持基板２１と蓋基板
２４とが接合不良を起こす懸念がある。
【０００６】例えば、パイレックスガラス親基板とシリ
コン親基板とを陽極接合して密閉した複数個の密閉容器
は、陽極接合の際に流入した酸素ガスをそのキャビティ
に残留させている。この残留酸素ガスの量は親基板の場
所において各密閉容器ごとに異なっているので、密閉容
器のキャビティの真空度（減圧度）が各密閉容器ごとに
ばらつくことになる。このように、真空度（減圧度）が
ばらつくと、製造された各密閉容器に封入されている角
速度センサなどの機能素子の動作特性が一定せず、信頼
性に欠けることになる。
コン親基板とを陽極接合して密閉した複数個の密閉容器
は、陽極接合の際に流入した酸素ガスをそのキャビティ
に残留させている。この残留酸素ガスの量は親基板の場
所において各密閉容器ごとに異なっているので、密閉容
器のキャビティの真空度（減圧度）が各密閉容器ごとに
ばらつくことになる。このように、真空度（減圧度）が
ばらつくと、製造された各密閉容器に封入されている角
速度センサなどの機能素子の動作特性が一定せず、信頼
性に欠けることになる。
【０００７】そこで、本発明は、密閉容器のキャビティ
の圧力を所定の真空度（減圧度）に調整して均一化した
減圧容器の製造方法を提供することを目的とする。
の圧力を所定の真空度（減圧度）に調整して均一化した
減圧容器の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、キャビティを内部に有する容器を真空中で密閉し、
該密閉容器をチャンバ内に収容した後、該チャンバ内に
拡散係数の大きいガスを導入して前記密閉容器のキャビ
ティ内に浸透させ、該キャビティの圧力を調整するもの
である。
は、キャビティを内部に有する容器を真空中で密閉し、
該密閉容器をチャンバ内に収容した後、該チャンバ内に
拡散係数の大きいガスを導入して前記密閉容器のキャビ
ティ内に浸透させ、該キャビティの圧力を調整するもの
である。
【０００９】例えば、パイレックスガラス親基板とシリ
コン親基板とを陽極接合して密閉した複数個の密閉容器
は、陽極接合の際に流入した酸素ガスをそのキャビティ
に残留させている。この残留酸素ガスの量は親基板の場
所において各密閉容器ごとに異なっているので、密閉容
器のキャビティの真空度（減圧度）が各密閉容器ごとに
ばらつくことになる。このように、真空度（減圧度）が
ばらつくと、製造された各密閉容器に封入されている角
速度センサなどの機能素子の動作特性が一定せず、信頼
性に欠けることになる。
コン親基板とを陽極接合して密閉した複数個の密閉容器
は、陽極接合の際に流入した酸素ガスをそのキャビティ
に残留させている。この残留酸素ガスの量は親基板の場
所において各密閉容器ごとに異なっているので、密閉容
器のキャビティの真空度（減圧度）が各密閉容器ごとに
ばらつくことになる。このように、真空度（減圧度）が
ばらつくと、製造された各密閉容器に封入されている角
速度センサなどの機能素子の動作特性が一定せず、信頼
性に欠けることになる。
【００１０】そこで、一度、密閉された容器（密閉容
器）の真空度の再調整を行うことにより、真空度（減圧
度）の均一化した減圧容器を得ることができる。即ち、
真空度の異なる密閉容器を真空チャンバ内に収容し、該
真空チャンバ内に拡散係数の大きい不活性ガスを所定圧
力、即ち密閉容器のキャビティの圧力よりも高い圧力に
なるまで導入する。すると、真空チャンバ内の高い圧力
の不活性ガスは、密閉容器を通して低い圧力のキャビテ
ィに浸透していき、時間の経過と共にキャビティの圧力
が真空チャンバ内の圧力と等しくなる。このようにし
て、複数の容器のキャビティの真空度（減圧度）を一定
にすることができる。これにより、例えば、密閉されて
いる機能素子の動作特性の揃った減圧容器を得ることが
できる。
器）の真空度の再調整を行うことにより、真空度（減圧
度）の均一化した減圧容器を得ることができる。即ち、
真空度の異なる密閉容器を真空チャンバ内に収容し、該
真空チャンバ内に拡散係数の大きい不活性ガスを所定圧
力、即ち密閉容器のキャビティの圧力よりも高い圧力に
なるまで導入する。すると、真空チャンバ内の高い圧力
の不活性ガスは、密閉容器を通して低い圧力のキャビテ
ィに浸透していき、時間の経過と共にキャビティの圧力
が真空チャンバ内の圧力と等しくなる。このようにし
て、複数の容器のキャビティの真空度（減圧度）を一定
にすることができる。これにより、例えば、密閉されて
いる機能素子の動作特性の揃った減圧容器を得ることが
できる。
【００１１】請求項２に記載の発明は、前記容器が、シ
リコン基板と凹部を有するガラス基板とからなり、前記
ガラス基板の凹部形成面を前記シリコン基板に接合して
形成したことを特徴とするものである。
リコン基板と凹部を有するガラス基板とからなり、前記
ガラス基板の凹部形成面を前記シリコン基板に接合して
形成したことを特徴とするものである。
【００１２】この発明においては、容器がシリコン基板
と凹部（キャビティ）を有するガラス基板とよりなり、
拡散係数の大きい不活性ガスは、これらのシリコン基板
とガラス基板とを通してキャビティに浸透していき、時
間の経過と共に複数の密閉容器のキャビティの圧力が真
空チャンバ内の圧力と等しくなる。
と凹部（キャビティ）を有するガラス基板とよりなり、
拡散係数の大きい不活性ガスは、これらのシリコン基板
とガラス基板とを通してキャビティに浸透していき、時
間の経過と共に複数の密閉容器のキャビティの圧力が真
空チャンバ内の圧力と等しくなる。
【００１３】請求項３に記載の発明は、前記ガスはヘリ
ウムであることを特徴とするものである。
ウムであることを特徴とするものである。
【００１４】この発明においては、導入ガスが拡散係数
の大きいヘリウムであるので、該ヘリウムが支持基板お
よび蓋基板を通して浸透していき、短時間で複数の密閉
容器のキャビティの圧力が真空チャンバ内の圧力とほぼ
等しくなる。
の大きいヘリウムであるので、該ヘリウムが支持基板お
よび蓋基板を通して浸透していき、短時間で複数の密閉
容器のキャビティの圧力が真空チャンバ内の圧力とほぼ
等しくなる。
【００１５】請求項４に記載の発明は、前記密閉された
容器を前記チャンバ内で加熱して前記ガスの拡散圧力を
高めることを特徴とするものである。
容器を前記チャンバ内で加熱して前記ガスの拡散圧力を
高めることを特徴とするものである。
【００１６】この発明においては、真空チャンバ内に収
容されている密閉容器を加熱することにより、真空チャ
ンバ内に導入されているガスも加熱されて、そのガスの
拡散圧力が高まり、密閉容器のキャビティへのガスの浸
透時間が速くなる。密閉容器が常温に戻ったときは、ガ
スの拡散圧力は低下しているので、ガスはキャビティに
閉じ込められてキャビティの圧力を経時的に一定に保つ
ことができる。これにより、均一化した圧力を有する複
数の減圧容器が得られる。
容されている密閉容器を加熱することにより、真空チャ
ンバ内に導入されているガスも加熱されて、そのガスの
拡散圧力が高まり、密閉容器のキャビティへのガスの浸
透時間が速くなる。密閉容器が常温に戻ったときは、ガ
スの拡散圧力は低下しているので、ガスはキャビティに
閉じ込められてキャビティの圧力を経時的に一定に保つ
ことができる。これにより、均一化した圧力を有する複
数の減圧容器が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の減圧容器１０の
製造方法の実施例について図面を参照して説明する。図
１Ａにおいて、１はシリコン基板よりなる支持基板で、
その上面の中央部には、例えば機能素子として角速度セ
ンサ２がフォトエッチング技術などの半導体微細加工技
術を用いて形成される。この角速度センサ２は別名ジャ
イロとも呼ばれ、自動車、ロボットなどの回転角速度を
コリオリ力を利用して検出するものである。３は支持基
板１と同じ大きさのパイレックスガラス基板よりなる蓋
基板で、その下面側には角速度センサ２を収容する凹部
４が形成される。
製造方法の実施例について図面を参照して説明する。図
１Ａにおいて、１はシリコン基板よりなる支持基板で、
その上面の中央部には、例えば機能素子として角速度セ
ンサ２がフォトエッチング技術などの半導体微細加工技
術を用いて形成される。この角速度センサ２は別名ジャ
イロとも呼ばれ、自動車、ロボットなどの回転角速度を
コリオリ力を利用して検出するものである。３は支持基
板１と同じ大きさのパイレックスガラス基板よりなる蓋
基板で、その下面側には角速度センサ２を収容する凹部
４が形成される。
【００１８】ついで、蓋基板３の凹部４内に角速度セン
サ２が収容されるように、支持基板１に蓋基板３を重合
わせて真空陽極接合槽５内にセットする。ついで、支持
基板１と蓋基板３との陽極接合を行い、凹部４の空間領
域に角速度センサ２を収容するキャビティ４ａが形成さ
れる。
サ２が収容されるように、支持基板１に蓋基板３を重合
わせて真空陽極接合槽５内にセットする。ついで、支持
基板１と蓋基板３との陽極接合を行い、凹部４の空間領
域に角速度センサ２を収容するキャビティ４ａが形成さ
れる。
【００１９】この陽極接合の際に、従来例においても説
明したように、接合面から酸素ガスが発生する。そし
て、この発生した酸素ガスが密閉容器１０ａのキャビテ
ィ４ａに流入して残留することになる。その結果、キャ
ビティ４ａの圧力は、真空陽極接合槽５の真空度より低
下して数十〜数千Ｐａ程度になる。この真空度の値が示
すように、密閉容器１０ａのキャビティ４ａの圧力は、
複数個同時に製造される単一の親基板において接合条件
が場所において異なり、また別個の親基板間においても
真空度の相違などにより、ばらつくことになる。
明したように、接合面から酸素ガスが発生する。そし
て、この発生した酸素ガスが密閉容器１０ａのキャビテ
ィ４ａに流入して残留することになる。その結果、キャ
ビティ４ａの圧力は、真空陽極接合槽５の真空度より低
下して数十〜数千Ｐａ程度になる。この真空度の値が示
すように、密閉容器１０ａのキャビティ４ａの圧力は、
複数個同時に製造される単一の親基板において接合条件
が場所において異なり、また別個の親基板間においても
真空度の相違などにより、ばらつくことになる。
【００２０】そこで、図２Ａに示すように、密閉容器１
０ａを真空チャンバ６中にセットして、密閉容器１０ａ
のキャビティ４ａの圧力を減圧下に調整する。この圧力
の調整はつぎのようにして行われる。即ち、密閉容器１
０ａのセットされた真空チャンバ６中にヘリウム、ネオ
ンなどの原子半径の小さい不活性ガスを、例えば、数千
Ｐａの所定圧力になるまで導入する。すると、不活性ガ
スは時間の経過と共に支持基板１および蓋基板３を通し
て、キャビティ４ａ内へ浸透していく。これにより、真
空チャンバ６内の圧力とキャビティ４ａ内の圧力がほぼ
等しくなる。そして、図２Ｂに示すように、真空チャン
バ６から圧力の調整された減圧容器１０を取り出す。こ
の減圧容器１０は真空度（減圧度）が均一化したものと
なる。
０ａを真空チャンバ６中にセットして、密閉容器１０ａ
のキャビティ４ａの圧力を減圧下に調整する。この圧力
の調整はつぎのようにして行われる。即ち、密閉容器１
０ａのセットされた真空チャンバ６中にヘリウム、ネオ
ンなどの原子半径の小さい不活性ガスを、例えば、数千
Ｐａの所定圧力になるまで導入する。すると、不活性ガ
スは時間の経過と共に支持基板１および蓋基板３を通し
て、キャビティ４ａ内へ浸透していく。これにより、真
空チャンバ６内の圧力とキャビティ４ａ内の圧力がほぼ
等しくなる。そして、図２Ｂに示すように、真空チャン
バ６から圧力の調整された減圧容器１０を取り出す。こ
の減圧容器１０は真空度（減圧度）が均一化したものと
なる。
【００２１】また、図２Ａにおいて、不活性ガスの浸透
時間を短縮するために、支持基板１をパイレックスガラ
ス基板よりなる蓋基板３の歪み点以下の温度で加熱す
る。すると、この加熱により不活性ガスは、同時に加熱
されて圧力が高まり、支持基板１および蓋基板３を通し
てキャビティ４ａ内に短時間で浸透ないし拡散する。そ
して、キャビティ４ａのガス圧力と真空チャンバ６のガ
ス圧力とがほぼ等しくなる。なお、この減圧容器１０
は、常温に戻ると、キャビティ４ａに浸透した不活性ガ
スは、キャビティ４ａの圧力が外部の大気圧よりも低い
ので、キャビティ４ａに経時的に閉じ込められた状態と
なり、キャビティ４ａの圧力を所定の真空度（減圧度）
に保持する。
時間を短縮するために、支持基板１をパイレックスガラ
ス基板よりなる蓋基板３の歪み点以下の温度で加熱す
る。すると、この加熱により不活性ガスは、同時に加熱
されて圧力が高まり、支持基板１および蓋基板３を通し
てキャビティ４ａ内に短時間で浸透ないし拡散する。そ
して、キャビティ４ａのガス圧力と真空チャンバ６のガ
ス圧力とがほぼ等しくなる。なお、この減圧容器１０
は、常温に戻ると、キャビティ４ａに浸透した不活性ガ
スは、キャビティ４ａの圧力が外部の大気圧よりも低い
ので、キャビティ４ａに経時的に閉じ込められた状態と
なり、キャビティ４ａの圧力を所定の真空度（減圧度）
に保持する。
【００２２】なお、図１および図２においては、一定の
圧力に調整される単一の減圧容器１０の製造方法につい
て図示したが、図３に示すように、複数個の角速度セン
サ２の形成されたシリコン親基板１ａと、複数個の凹部
４の形成されたパイレックスガラス親基板３ａとを陽極
接合し、これらの接合親基板を真空チャンバ６内にセッ
トして、複数個の減圧容器１０ａに、上記圧力の均一化
調整を一括して行ってもよい。この場合も、各減圧容器
１０ａのキャビティ４ａの真空度は、接合親基板の場所
にる接合条件の違いにより相違していたにしても、均一
化されることになる。なお、その後、接合親基板は個別
の減圧容器１０に切断される。
圧力に調整される単一の減圧容器１０の製造方法につい
て図示したが、図３に示すように、複数個の角速度セン
サ２の形成されたシリコン親基板１ａと、複数個の凹部
４の形成されたパイレックスガラス親基板３ａとを陽極
接合し、これらの接合親基板を真空チャンバ６内にセッ
トして、複数個の減圧容器１０ａに、上記圧力の均一化
調整を一括して行ってもよい。この場合も、各減圧容器
１０ａのキャビティ４ａの真空度は、接合親基板の場所
にる接合条件の違いにより相違していたにしても、均一
化されることになる。なお、その後、接合親基板は個別
の減圧容器１０に切断される。
【００２３】以上のように、密閉したとき、キャビティ
４ａの真空度（減圧度）が密閉容器１０ａごとにばらつ
いていたにしても、真空チャンバ６でキャビティ４ａの
圧力を再調整することにより、均一化した所定の真空度
（減圧度）を有する減圧容器１０を得ることができる。
４ａの真空度（減圧度）が密閉容器１０ａごとにばらつ
いていたにしても、真空チャンバ６でキャビティ４ａの
圧力を再調整することにより、均一化した所定の真空度
（減圧度）を有する減圧容器１０を得ることができる。
【００２４】
【発明の効果】請求項１に記載の発明は、真空チャンバ
内において、内部圧力の異なる密閉容器に、拡散係数の
大きい不活性ガスを拡散して、そのキャビティの圧力を
所定の一定圧力に調整して均一化することができる。こ
れにより、キャビティに封入されている機能素子の動作
特性を揃えることができる。
内において、内部圧力の異なる密閉容器に、拡散係数の
大きい不活性ガスを拡散して、そのキャビティの圧力を
所定の一定圧力に調整して均一化することができる。こ
れにより、キャビティに封入されている機能素子の動作
特性を揃えることができる。
【００２５】また、本発明は、従来のように、ゲッター
材を使用しないので、ゲッター室を設ける必要がなく、
小形な減圧容器を得ることができる。更に、本発明は、
ゲッター材を使用しないことにより、ゲッター材からの
発塵に伴う支持基板と蓋基板との接合不良を回避するこ
とができる。
材を使用しないので、ゲッター室を設ける必要がなく、
小形な減圧容器を得ることができる。更に、本発明は、
ゲッター材を使用しないことにより、ゲッター材からの
発塵に伴う支持基板と蓋基板との接合不良を回避するこ
とができる。
【００２６】請求項２に記載の発明は、減圧容器がシリ
コン基板とガラス基板よりなるので、これらの基板を陽
極接合により接合することができる。この陽極接合によ
り発生した酸素ガスに伴う各キャビティの不均一圧力
は、各キャビティに拡散係数の大きい不活性ガスを拡散
することにより均一化される。
コン基板とガラス基板よりなるので、これらの基板を陽
極接合により接合することができる。この陽極接合によ
り発生した酸素ガスに伴う各キャビティの不均一圧力
は、各キャビティに拡散係数の大きい不活性ガスを拡散
することにより均一化される。
【００２７】請求項３に記載の発明は、導入ガスが拡散
係数の大きいヘリウムであるので、該ヘリウムが支持基
板および蓋基板を通して浸透していき、短時間で複数の
密閉容器のキャビティの圧力を真空チャンバ内の圧力と
ほぼ等しくすることができる。
係数の大きいヘリウムであるので、該ヘリウムが支持基
板および蓋基板を通して浸透していき、短時間で複数の
密閉容器のキャビティの圧力を真空チャンバ内の圧力と
ほぼ等しくすることができる。
【００２８】請求項４に記載の発明は、真空チャンバ内
に収容されている密閉容器を加熱することにより、真空
チャンバ内に導入されているガスも加熱して、そのガス
の拡散圧力を高めて、密閉容器のキャビティへのガスの
浸透時間を速くすることができる。密閉容器が常温に戻
ったときは、ガスの拡散圧力は低下しているので、ガス
はキャビティに閉じ込められてキャビティの圧力を経時
的に一定に保つことができる。これにより、均一化した
圧力を有する複数の減圧容器が得られる。
に収容されている密閉容器を加熱することにより、真空
チャンバ内に導入されているガスも加熱して、そのガス
の拡散圧力を高めて、密閉容器のキャビティへのガスの
浸透時間を速くすることができる。密閉容器が常温に戻
ったときは、ガスの拡散圧力は低下しているので、ガス
はキャビティに閉じ込められてキャビティの圧力を経時
的に一定に保つことができる。これにより、均一化した
圧力を有する複数の減圧容器が得られる。
【図１】 本発明の減圧容器の製造方法の一実施例を示
すもので、Ａは支持基板と蓋基板とを重ね合わせる工程
図、Ｂは支持基板と蓋基板とを陽極接合する工程図
すもので、Ａは支持基板と蓋基板とを重ね合わせる工程
図、Ｂは支持基板と蓋基板とを陽極接合する工程図
【図２】 同じく、Ａは密閉容器のキャビティの圧力を
真空チャンバ内において所定の圧力に調整する工程図
真空チャンバ内において所定の圧力に調整する工程図
【図３】 シリコン親基板とパイレックス親基板とを陽
極接合する工程図
極接合する工程図
【図４】 従来の減圧容器の製造方法を示す断面形態図
１ 支持基板 １ａ シリコン親基板 ２ 角速度センサ ３ 蓋基板 ３ａ パイレックス親基板 ４ 凹部 ４ａ キャビティ ５ 真空陽極接合槽 ６ 真空チャンバ １０ 減圧容器 １０ａ 密閉容器
Claims (4)
- 【請求項１】 キャビティを内部に有する容器を真空中
で密閉し、該密閉容器をチャンバ内に収容した後、該チ
ャンバ内に拡散係数の大きいガスを導入して前記密閉容
器のキャビティ内に浸透させ、該キャビティの圧力を調
整する減圧容器の製造方法。 - 【請求項２】 前記容器は、シリコン基板と凹部を有す
るガラス基板とからなり、前記ガラス基板の凹部形成面
を前記シリコン基板に接合して形成したことを特徴とす
る請求項１に記載の減圧容器の製造方法。 - 【請求項３】 前記ガスはヘリウムであることを特徴と
する請求項１または２に記載の減圧容器の製造方法。 - 【請求項４】 前記密閉された容器を前記チャンバ内で
加熱して前記ガスの拡散圧力を高めることを特徴とする
請求項１、２または３に記載の減圧容器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10266836A JP2000100984A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 減圧容器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10266836A JP2000100984A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 減圧容器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100984A true JP2000100984A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17436343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10266836A Pending JP2000100984A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 減圧容器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000100984A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005172690A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Murata Mfg Co Ltd | 陽極接合型密閉ケース及び陽極接合型デバイスの製造方法 |
| WO2010119573A1 (ja) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | 株式会社日立製作所 | 慣性センサおよびその製造方法 |
| JP2013102144A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-23 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 電子デバイスをカプセル化する構造体およびこのような構造体を作る方法 |
-
1998
- 1998-09-21 JP JP10266836A patent/JP2000100984A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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