JPH1082705A - 小型電子部品の製造方法 - Google Patents
小型電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH1082705A JPH1082705A JP23547896A JP23547896A JPH1082705A JP H1082705 A JPH1082705 A JP H1082705A JP 23547896 A JP23547896 A JP 23547896A JP 23547896 A JP23547896 A JP 23547896A JP H1082705 A JPH1082705 A JP H1082705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer
- joint
- board
- recess
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】支持基板と封止基板との接合面の一部にスペ−
サを介在させて陽極接合を行うことにより、機能部（凹
部）の真空度の低下を防止することを目的とする。 【解決手段】機能部２の形成された支持基板１の接合面
１ａと、機能部２を蓋被する凹部８ａの形成された封止
基板８の接合面８ｂとの間の一部にスペ−サ３を介在さ
せて、支持基板１と封止基板８とを陽極接合し、スペ−
サ３を反応または溶融させ、スペ−サ３を接合面１ａ，
８ｂから除去する小型電子部品の製造方法。
サを介在させて陽極接合を行うことにより、機能部（凹
部）の真空度の低下を防止することを目的とする。 【解決手段】機能部２の形成された支持基板１の接合面
１ａと、機能部２を蓋被する凹部８ａの形成された封止
基板８の接合面８ｂとの間の一部にスペ−サ３を介在さ
せて、支持基板１と封止基板８とを陽極接合し、スペ−
サ３を反応または溶融させ、スペ−サ３を接合面１ａ，
８ｂから除去する小型電子部品の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、機能部を真空に
保持しなければならない、加速度センサ、ジャイロセン
サなどの小型電子部品の製造方法に関する。
保持しなければならない、加速度センサ、ジャイロセン
サなどの小型電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、機能部が密閉された小型電子部
品の製造方法を図８に示す。１１はシリコンよりなる支
持基板で、その中央部に可動電極１１ａなどの機能素子
が形成されている機能部１２を有し、その周辺に接合面
１３（点集合部）を有している。
品の製造方法を図８に示す。１１はシリコンよりなる支
持基板で、その中央部に可動電極１１ａなどの機能素子
が形成されている機能部１２を有し、その周辺に接合面
１３（点集合部）を有している。
【０００３】また、１４はパイレックスガラスよりなる
封止基板で、裏面中央部に、支持基板１１の機能部１２
と大きさのほぼ等しい凹部１５を有し、その周辺は接合
面１６（点集合部）となっている。これらの支持基板１
１と封止基板１４とは、それぞれの接合面１３、１６を
重ね合わせて真空中で陽極接合され、機能部１２及び凹
部１５は外部から密閉される。
封止基板で、裏面中央部に、支持基板１１の機能部１２
と大きさのほぼ等しい凹部１５を有し、その周辺は接合
面１６（点集合部）となっている。これらの支持基板１
１と封止基板１４とは、それぞれの接合面１３、１６を
重ね合わせて真空中で陽極接合され、機能部１２及び凹
部１５は外部から密閉される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
小型電子部品の製造方法は、機能部１２の周囲４辺に接
合面１３があって、陽極接合の面積が広く、この陽極接
合による酸素発生ガスの量が多くなり、真空中で陽極接
合を行ったにしても、機能部１２（凹部１５）に充満す
る酸素ガスの量が多くなり、機能部１２（凹部１５）の
真空度の低下を招いていた。
小型電子部品の製造方法は、機能部１２の周囲４辺に接
合面１３があって、陽極接合の面積が広く、この陽極接
合による酸素発生ガスの量が多くなり、真空中で陽極接
合を行ったにしても、機能部１２（凹部１５）に充満す
る酸素ガスの量が多くなり、機能部１２（凹部１５）の
真空度の低下を招いていた。
【０００５】そこで、本発明は、支持基板と封止基板と
の接合面の一部にスペーサを介在させて陽極接合を行う
ことにより、機能部（凹部）の真空度の低下を防止した
小型電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
の接合面の一部にスペーサを介在させて陽極接合を行う
ことにより、機能部（凹部）の真空度の低下を防止した
小型電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、機能部の形成
された支持基板の接合面と、前記機能部を蓋被する凹部
の形成された封止基板の接合面との間の一部にスペーサ
を介在させて、前記支持基板と前記封止基板とを陽極接
合し、前記スペーサを反応または溶融させ、前記接合後
に前記スペーサを前記接合面から除去するものである。
された支持基板の接合面と、前記機能部を蓋被する凹部
の形成された封止基板の接合面との間の一部にスペーサ
を介在させて、前記支持基板と前記封止基板とを陽極接
合し、前記スペーサを反応または溶融させ、前記接合後
に前記スペーサを前記接合面から除去するものである。
【０００７】この発明は、例えば、ＳＯＩ（Silicon On
Insulator）基板よりなる支持基板と、例えば、パイレ
ックスガラス基板よりなる封止基板とを陽極接合するに
際し、接合面の一部にスペーサを配置する。このスペー
サには、シリコン層に対し拡散係数が大きく、かつ、ガ
ラス基板の軟化点より低い温度で反応また溶融する材
料、例えば、アルミニウム、金、半田合金、低融点ガラ
スなどが使用される。例えば、４００℃程度に加熱し、
電圧を印加して行う陽極接合において、当初、支持基板
と封止基板とは、スペーサの介在していない接合面（接
合辺）から接合が開始される。このように、スペーサの
介在していない接合面（接合辺）の大部分が接合されて
も、スペーサの介在している接合面（接合辺）には、ス
ペーサの厚みのために機能部（凹部）から外部（真空陽
極装置内）に至るスペースが形成されている。それで、
当初の陽極接合において接合面の化学反応により発生し
た酸素ガスのうち、機能部（凹部）へ流れ込んだ酸素ガ
スは、このスペースを介して外部（真空陽極装置）へ排
出される。
Insulator）基板よりなる支持基板と、例えば、パイレ
ックスガラス基板よりなる封止基板とを陽極接合するに
際し、接合面の一部にスペーサを配置する。このスペー
サには、シリコン層に対し拡散係数が大きく、かつ、ガ
ラス基板の軟化点より低い温度で反応また溶融する材
料、例えば、アルミニウム、金、半田合金、低融点ガラ
スなどが使用される。例えば、４００℃程度に加熱し、
電圧を印加して行う陽極接合において、当初、支持基板
と封止基板とは、スペーサの介在していない接合面（接
合辺）から接合が開始される。このように、スペーサの
介在していない接合面（接合辺）の大部分が接合されて
も、スペーサの介在している接合面（接合辺）には、ス
ペーサの厚みのために機能部（凹部）から外部（真空陽
極装置内）に至るスペースが形成されている。それで、
当初の陽極接合において接合面の化学反応により発生し
た酸素ガスのうち、機能部（凹部）へ流れ込んだ酸素ガ
スは、このスペースを介して外部（真空陽極装置）へ排
出される。
【０００８】陽極接合の温度が上昇して、スペーサの反
応温度あるいは溶融温度になると、このスペーサは支持
基板中に徐々に拡散し若しくは外部に流れ出していき、
その厚みが徐々に薄くなっていく。そして、スペーサの
介在している接合面（接合辺）も、機能部（凹部）の内
縁から外辺に向かって徐々に接合されていく。したがっ
て、このスペーサが介在している接合面（接合辺）の陽
極接合により発生する酸素ガスは機能部（凹部）へは極
微量しか流れ込まず、大部分が外部（真空陽極装置）へ
放出される。そのため、機能部（凹部）に残留する酸素
ガスは極僅かな量となり、その圧力の上昇はスペーサを
用いない陽極接合に比べて低減することになる。
応温度あるいは溶融温度になると、このスペーサは支持
基板中に徐々に拡散し若しくは外部に流れ出していき、
その厚みが徐々に薄くなっていく。そして、スペーサの
介在している接合面（接合辺）も、機能部（凹部）の内
縁から外辺に向かって徐々に接合されていく。したがっ
て、このスペーサが介在している接合面（接合辺）の陽
極接合により発生する酸素ガスは機能部（凹部）へは極
微量しか流れ込まず、大部分が外部（真空陽極装置）へ
放出される。そのため、機能部（凹部）に残留する酸素
ガスは極僅かな量となり、その圧力の上昇はスペーサを
用いない陽極接合に比べて低減することになる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の小型電子部品の
製造方法の一実施例として、機能部が真空封止される加
速度センサの製造方法について図面を参照して説明す
る。図１および図３において、１はＳＯＩ基板よりなる
支持基板で、上層のシリコン層ｓ１、中層の酸化シリコ
ン層ｉおよび下層のシリコン層ｓ２よりなる。この支持
基板１の中央部には、真空封止される機能部２が形成さ
れる。この機能部２の周囲は、接合面１ａを構成してい
る。３はシリコン層ｓ１に吸収されやすいアルミニュー
ム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、または溶融して外部に流れ出
すようなハンド合金、ガラスなどからなる厚みが数千オン
ク゛ストロ-ムのスペーサである。このスペーサ３は、接合面
１ａの一つの辺の一部に配置されている。
製造方法の一実施例として、機能部が真空封止される加
速度センサの製造方法について図面を参照して説明す
る。図１および図３において、１はＳＯＩ基板よりなる
支持基板で、上層のシリコン層ｓ１、中層の酸化シリコ
ン層ｉおよび下層のシリコン層ｓ２よりなる。この支持
基板１の中央部には、真空封止される機能部２が形成さ
れる。この機能部２の周囲は、接合面１ａを構成してい
る。３はシリコン層ｓ１に吸収されやすいアルミニュー
ム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、または溶融して外部に流れ出
すようなハンド合金、ガラスなどからなる厚みが数千オン
ク゛ストロ-ムのスペーサである。このスペーサ３は、接合面
１ａの一つの辺の一部に配置されている。
【００１０】つぎに、前記機能部２の詳細について図２
を参照して説明する。矩形状の機能部２の領域には、合
計６個の固定電極４ａ、４ｂが３個ずつ対向して配置さ
ている。可動電極５の４隅部は支持梁６を介して、対向
する固定電極４ｂ、４ｂにそれぞれ結合されている。ま
た、可動電極５の中辺の端縁と固定電極４ａ間には、く
し歯電極７が形成され、可動電極５側のくし歯電極７ａ
と固定電極４ａ側のくし歯電極７ｂとの間に静電容量が
生じるようになっている。
を参照して説明する。矩形状の機能部２の領域には、合
計６個の固定電極４ａ、４ｂが３個ずつ対向して配置さ
ている。可動電極５の４隅部は支持梁６を介して、対向
する固定電極４ｂ、４ｂにそれぞれ結合されている。ま
た、可動電極５の中辺の端縁と固定電極４ａ間には、く
し歯電極７が形成され、可動電極５側のくし歯電極７ａ
と固定電極４ａ側のくし歯電極７ｂとの間に静電容量が
生じるようになっている。
【００１１】これらの固定電極４ａ、４ｂ、支持梁６、
くし歯電極７、可動電極５は、支持基板１の上層のシリ
コン層ｓ１を加工して形成される。そして、支持梁６、
くし歯電極７、可動電極５の下の酸化シリコン層ｉはエ
ッチングにより除かれて空隙が形成され、これらの支持
梁６、くし歯電極７、可動電極５は自由振動可能になっ
ている。
くし歯電極７、可動電極５は、支持基板１の上層のシリ
コン層ｓ１を加工して形成される。そして、支持梁６、
くし歯電極７、可動電極５の下の酸化シリコン層ｉはエ
ッチングにより除かれて空隙が形成され、これらの支持
梁６、くし歯電極７、可動電極５は自由振動可能になっ
ている。
【００１２】つぎに、この加速度センサの機能部の動作
について説明する。図２において、可動電極５は、４個
の固定電極４ｂ間に４個の支持梁６を介して支持されて
いるので、例えば、搭載している自動車に加速度が生じ
たとき、矢印方向に振動し、この振動の強弱によりくし
歯電極７（７ａと７ｂ間）に形成される静電容量が変化
する。この静電容量の変化を電圧あるいは電流の変化と
して取り出し、加速度センサを搭載している自動車の加
速度を検知するものである。
について説明する。図２において、可動電極５は、４個
の固定電極４ｂ間に４個の支持梁６を介して支持されて
いるので、例えば、搭載している自動車に加速度が生じ
たとき、矢印方向に振動し、この振動の強弱によりくし
歯電極７（７ａと７ｂ間）に形成される静電容量が変化
する。この静電容量の変化を電圧あるいは電流の変化と
して取り出し、加速度センサを搭載している自動車の加
速度を検知するものである。
【００１３】図１および図３において、８は例えば、パ
イレックスガラス基板よりなる封止基板で、裏面中央部
に支持基板１の機能部２を蓋被する凹部８ａが形成され
る。この凹部８ａの周囲には、支持基板１の接合面１ａ
および固定電極４ａ、４ｂの外側に接合される接合面８
ｂが形成される。この凹部８ａは、機能部２に蓋被され
た場合、図２に示す矩形状の破線８ａ’に位置すること
になる。
イレックスガラス基板よりなる封止基板で、裏面中央部
に支持基板１の機能部２を蓋被する凹部８ａが形成され
る。この凹部８ａの周囲には、支持基板１の接合面１ａ
および固定電極４ａ、４ｂの外側に接合される接合面８
ｂが形成される。この凹部８ａは、機能部２に蓋被され
た場合、図２に示す矩形状の破線８ａ’に位置すること
になる。
【００１４】また、封止基板８の凹部８ａの縁に沿っ
て、図２に示す支持基板１の固定電極４ａ、４ｂの破線
９ａに対応する部位に、貫通孔９が形成される。
て、図２に示す支持基板１の固定電極４ａ、４ｂの破線
９ａに対応する部位に、貫通孔９が形成される。
【００１５】図４に示すように、支持基板１の接合面１
ａが封止基板８の接合面８ｂに対応するように、支持基
板１と封止基板８とを重ね合わせる。この場合、スペー
サ３の厚みのため、接合面１ａ、８ｂ間にはテーパー状
のスペース３ａが形成されている。このように、重ね合
わされた支持基板１と封止基板８とを、図示しない陽極
接合装置に配置し、この陽極接合装置を真空排気し、例
えば、４００℃程度の温度と電圧を印加して支持基板１
と封止基板８との陽極接合を行う。当初、スペーサ３の
介在していない接合面１ａ、８ｂ側から接合されてい
く。
ａが封止基板８の接合面８ｂに対応するように、支持基
板１と封止基板８とを重ね合わせる。この場合、スペー
サ３の厚みのため、接合面１ａ、８ｂ間にはテーパー状
のスペース３ａが形成されている。このように、重ね合
わされた支持基板１と封止基板８とを、図示しない陽極
接合装置に配置し、この陽極接合装置を真空排気し、例
えば、４００℃程度の温度と電圧を印加して支持基板１
と封止基板８との陽極接合を行う。当初、スペーサ３の
介在していない接合面１ａ、８ｂ側から接合されてい
く。
【００１６】つぎに、図５において、陽極接合の温度が
上昇してスペーサ３の反応もしくは溶融する温度（例え
ば、Ａｌにおいては、５００℃程度）以上になると、ス
ペーサ３が反応して支持基板１に拡散していき、もしく
は溶融して外部に流れ出していき、その厚みが徐々に薄
くなっていく。それにつれて、スペース３ａも狭くな
り、スペーサ３の介在している接合面１ａ、８ｂの反対
側の接合面１ａ、８ｂはその接合された面を拡大してい
くことになる。そして、この陽極接合により接合面１
ａ、８ｂから化学反応により発生する酸素ガスのうち、
機能部２（凹部８ａ）に流れ込んだ酸素ガスは、スペー
サ３側のまだ開いているスペース３ａから外部（陽極接
合装置内）へ排出されることになる。
上昇してスペーサ３の反応もしくは溶融する温度（例え
ば、Ａｌにおいては、５００℃程度）以上になると、ス
ペーサ３が反応して支持基板１に拡散していき、もしく
は溶融して外部に流れ出していき、その厚みが徐々に薄
くなっていく。それにつれて、スペース３ａも狭くな
り、スペーサ３の介在している接合面１ａ、８ｂの反対
側の接合面１ａ、８ｂはその接合された面を拡大してい
くことになる。そして、この陽極接合により接合面１
ａ、８ｂから化学反応により発生する酸素ガスのうち、
機能部２（凹部８ａ）に流れ込んだ酸素ガスは、スペー
サ３側のまだ開いているスペース３ａから外部（陽極接
合装置内）へ排出されることになる。
【００１７】更に、陽極接合の時間が経過し、温度が上
昇すると、このスペーサ３は支持基板１中に徐々に拡散
していき、もしくは溶融して外部に流れ出していき、そ
の厚みが薄くなっていく。そして、スペーサ３は接合面
の外側に配置されているので、このスペーサ３が介在し
ている接合面（接合辺）１ａ、８ｂは、機能部２（凹部
８ａ）の縁側から外側に向かって徐々に接合されてい
く。図６および図７に示すように、最終的には、スペー
ス３は接合面１ａ、８ｂから消失し、スペース３ａは完
全に接合されることになる。
昇すると、このスペーサ３は支持基板１中に徐々に拡散
していき、もしくは溶融して外部に流れ出していき、そ
の厚みが薄くなっていく。そして、スペーサ３は接合面
の外側に配置されているので、このスペーサ３が介在し
ている接合面（接合辺）１ａ、８ｂは、機能部２（凹部
８ａ）の縁側から外側に向かって徐々に接合されてい
く。図６および図７に示すように、最終的には、スペー
ス３は接合面１ａ、８ｂから消失し、スペース３ａは完
全に接合されることになる。
【００１８】したがって、このスペーサ３が介在してい
る接合面（接合辺）１ａ、８ｂの陽極接合により発生す
る酸素ガスは機能部２（凹部８ａ）へはさほど流れ込ま
ず、大部分が外部へ放出される。そのため、機能部２
（凹部８ａ）に残留する酸素ガスは極僅かな量となり、
その圧力の上昇はスペーサ３を用いない陽極接合に比べ
て低減する。因みに、この機能部２（凹部８ａ）の真空
度は、数十Ｐａ以下となる。
る接合面（接合辺）１ａ、８ｂの陽極接合により発生す
る酸素ガスは機能部２（凹部８ａ）へはさほど流れ込ま
ず、大部分が外部へ放出される。そのため、機能部２
（凹部８ａ）に残留する酸素ガスは極僅かな量となり、
その圧力の上昇はスペーサ３を用いない陽極接合に比べ
て低減する。因みに、この機能部２（凹部８ａ）の真空
度は、数十Ｐａ以下となる。
【００１９】つぎに、図７に示すように、貫通孔９にア
ルミニューム（Ａｌ）などの金属を充填して、固定電極
４ａ、４ｂからの外部への引出端子を形成する。これに
より、本実施例の加速度センサが完成する。
ルミニューム（Ａｌ）などの金属を充填して、固定電極
４ａ、４ｂからの外部への引出端子を形成する。これに
より、本実施例の加速度センサが完成する。
【００２０】上記実施例においては、加速度センサの製
造方法について説明したが、本発明は、速度センサ、ジ
ャイロスコープ、圧力計などの小型電子部品の製造にも
適用できるものである。
造方法について説明したが、本発明は、速度センサ、ジ
ャイロスコープ、圧力計などの小型電子部品の製造にも
適用できるものである。
【００２１】
【発明の効果】本発明においては、陽極接合の前段にお
いて、機能部（凹部）から外部に至るスペースはまだ存
在しており、この段階で陽極接合による接合面積の大部
分は接合される。このとき機能部（凹部）に流れ込む酸
素ガスは、この残存しているスペースを通って外部（陽
極接合装置）へ排出される。陽極接合の後段において、
スペーサが介在している接合面（接合辺）も接合されて
いくが、この接合は機能部（凹部）の縁から外側に向か
って進行するので、機能部（凹部）に残留するガスは、
機能部（凹部）が密閉されるときの、機能部（凹部）の
一部の縁端から生じる酸素ガスによるものであるから、
極僅かな量となる。したがって、本発明においては、従
来のように、スペーサを介在しないで陽極接合を行う場
合に比べて、発生ガスによる機能部（凹部）の真空度の
低下が低減することになる。
いて、機能部（凹部）から外部に至るスペースはまだ存
在しており、この段階で陽極接合による接合面積の大部
分は接合される。このとき機能部（凹部）に流れ込む酸
素ガスは、この残存しているスペースを通って外部（陽
極接合装置）へ排出される。陽極接合の後段において、
スペーサが介在している接合面（接合辺）も接合されて
いくが、この接合は機能部（凹部）の縁から外側に向か
って進行するので、機能部（凹部）に残留するガスは、
機能部（凹部）が密閉されるときの、機能部（凹部）の
一部の縁端から生じる酸素ガスによるものであるから、
極僅かな量となる。したがって、本発明においては、従
来のように、スペーサを介在しないで陽極接合を行う場
合に比べて、発生ガスによる機能部（凹部）の真空度の
低下が低減することになる。
【図１】 本発明により製造される小型電子部品の一実
施例としての加速度センサの分解斜視図を示すもので、
特に支持基板にスペーサを形成する工程図
施例としての加速度センサの分解斜視図を示すもので、
特に支持基板にスペーサを形成する工程図
【図２】 図１に示す支持基板の平面図
【図３】 支持基板と封止基板とを位置合わせする工程
図
図
【図４】 支持基板と封止基板との陽極接合の前期工程
図
図
【図５】 支持基板と封止基板との陽極接合の中期工程
図
図
【図６】 支持基板と封止基板との陽極接合の後期工程
図
図
【図７】 本実施例の製造方法により製造された加速度
センサの完成斜視図
センサの完成斜視図
【図８】 従来の小型電子部品の陽極接合を説明する斜
視図
視図
１ 支持基板 １ａ、８ｂ 接合面 ２ 機能部 ３ スペーサ ４ａ、４ｂ 固定電極 ５ 可動電極 ６ 支持梁 ７、７ａ、７ｂ くし歯電極 ８ 封止基板 ８ａ 凹部 ９ 貫通孔 ｓ１、ｓ２ シリコン層 ｉ 酸化シリコン層
Claims (1)
- 【請求項１】 機能部の形成された支持基板の接合面
と、前記機能部を蓋被する凹部の形成された封止基板の
接合面との間の一部にスペーサを介在させて、前記支持
基板と前記封止基板とを陽極接合し、前記スペーサを反
応または溶融させ、前記接合後に前記スペーサが前記接
合面から除去されていることを特徴とする小型電子部品
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23547896A JPH1082705A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 小型電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23547896A JPH1082705A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 小型電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1082705A true JPH1082705A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=16986668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23547896A Pending JPH1082705A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 小型電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1082705A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004113837A1 (ja) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | パッケージおよびその製造方法、ならびに振動ジャイロおよびその製造方法 |
| WO2011145729A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 複合センサおよびその製造方法 |
-
1996
- 1996-09-05 JP JP23547896A patent/JPH1082705A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004113837A1 (ja) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | パッケージおよびその製造方法、ならびに振動ジャイロおよびその製造方法 |
| WO2011145729A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 複合センサおよびその製造方法 |
| JP2011242371A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-01 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 複合センサおよびその製造方法 |
| EP2573514A1 (en) * | 2010-05-21 | 2013-03-27 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Composite sensor and method for manufacturing same |
| EP2573514A4 (en) * | 2010-05-21 | 2014-06-18 | Hitachi Automotive Systems Ltd | COMPOUND SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| US9146253B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-09-29 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Combined sensor and method for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6391742B2 (en) | Small size electronic part and a method for manufacturing the same, and a method for forming a via hole for use in the same | |
| JP3887137B2 (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
| JP2001189467A (ja) | 高真空パッケ−ジングマイクロジャイロスコ−プ及びその製造方法 | |
| JP2008105162A (ja) | 機能素子 | |
| JPH10189795A (ja) | 素子のパッケージ構造およびその製造方法 | |
| JP2006339896A (ja) | 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子 | |
| JP2008211570A (ja) | 振動子封止体の製造方法及び振動子封止体ならびに物理量センサ | |
| JP4647677B2 (ja) | 圧電デバイス | |
| US20220315411A1 (en) | Inertial sensor and method for manufacturing the same | |
| JPH10213441A (ja) | 外力検出装置およびその製造方法 | |
| JP7456412B2 (ja) | 慣性センサ | |
| JP4851748B2 (ja) | 力学量センサ | |
| JPH05121989A (ja) | 圧電素子の収納容器 | |
| JPH1082705A (ja) | 小型電子部品の製造方法 | |
| JPH11326366A (ja) | 半導体電子部品装置及びその製造方法 | |
| JPH1019924A (ja) | 小型電子部品 | |
| JPH10227709A (ja) | 圧力センサ装置 | |
| JPH05191190A (ja) | 圧電素子のパッケージ方法 | |
| JP3444121B2 (ja) | 外力検出装置の製造方法 | |
| JPH11142430A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JPH1068643A (ja) | 小型電子部品の製造方法 | |
| JPH10122869A (ja) | 外力検出装置およびその製造方法 | |
| JP2000261002A (ja) | 小型電子部品及びその製造方法 | |
| JPH11351876A (ja) | 角速度センサ及びその製造方法 | |
| JPH10153617A (ja) | 小型電子部品およびその製造方法 |