JP2016023983A - 圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1実施形態に係る圧力センサS1について図1〜図3を参照して説明する。図1に示すように、本実施形態に係る圧力センサS1は、センサチップ10およびキャップ20を有する構成とされ、圧力の測定を行うセンサであって、センサチップ10にキャップ20が接合されて構成されている。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
13 半導体層
16 ゲージ抵抗
18 ダイヤフラム
19 分離部
19a トレンチ
19b (トレンチ19aの内壁面に形成された)絶縁膜
20 キャップ
21c (キャップの)凹部(第2凹部)
22 (キャップの)絶縁膜
30 基準圧力室
100 センサチップウェハ
200 キャップウェハ
Claims (3)
- 第1面(10a)が形成された第1導電型の半導体層(13)を備えると共に、前記半導体層のうちの前記第1面を含む一部によって構成されたダイヤフラム(18)、および、前記半導体層のうち少なくとも前記ダイヤフラムにおける前記第1面を含む一部に形成された第2導電型のゲージ抵抗(16)を含むセンシング部を有するセンサチップ(10)と、
凹部(21c)が形成された第2面(21a)を有すると共に、前記第2面のうち前記凹部が形成された部分以外の部分の少なくとも一部が第1絶縁膜(22)によって被覆され、前記第2面のうち前記凹部が形成された部分以外の部分であって前記第1絶縁膜によって被覆された部分と前記センサチップの第1面とが接触させられつつ、前記センサチップに接合されたことで、前記凹部と前記センサチップのダイヤフラムにおける第1面によって挟まれた封止空間によって基準圧力室(30)を形成するキャップ(20)と、を有し、
前記第1面に垂直な方向に切断された断面において、前記ゲージ抵抗が、前記ダイヤフラムの一部であって前記ゲージ抵抗を分離する分離部(19)を挟んで複数の部分(16a、16b、16c、16d)に分離されており、
前記分離部における前記第1面にトレンチ(19a)が形成され、前記トレンチの内壁面に第2絶縁膜(19b)が形成されていることを特徴とする圧力センサ。 - 前記ダイヤフラムにおける前記第1面のうち前記基準圧力室側の面に第3絶縁膜(25)が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
- 請求項1または2に記載の圧力センサの製造方法であって、
第1面(10a)が形成された第1導電型を有する半導体層(13)を備えると共に、前記半導体層のうちの前記第1面を含む一部によって構成されたダイヤフラム(18)、および、前記半導体層のうち少なくとも前記ダイヤフラムにおける前記第1面を含む一部に形成された第2導電型のゲージ抵抗(16)によって構成されるセンシング部を有し、前記第1面に垂直な方向に切断された断面において、前記ゲージ抵抗が、前記ダイヤフラムの一部であって前記ゲージ抵抗を分離する分離部(19)を挟んで複数の部分(16a、16b、16c、16d)に分離されたセンサチップ(10)を用意する第1工程と、
前記センサチップの分離部における第1面に前記トレンチを形成し、前記トレンチを埋め込みつつ前記第1面を被覆するように前記第2絶縁膜を形成した後に、前記第2絶縁膜のうち、前記トレンチの内壁面に形成された部分を残しつつ、前記第1面に形成された前記第2絶縁膜のうち前記トレンチの内壁面に形成された部分以外の部分を除去することで、前記トレンチの内壁面に前記第2絶縁膜を形成する第2工程と、
凹部(21c)が形成された第2面(21a)を有すると共に、前記第2面のうち前記凹部が形成された部分以外の部分の少なくとも一部が第1絶縁膜(22)によって被覆されたキャップ(20)を用意する第3工程と、
前記センサチップのダイヤフラムにおける第1面と前記キャップの凹部とによって挟まれた封止空間によって基準圧力室(30)が形成されるように、前記センサチップの第1面と、前記キャップの第2面のうち凹部が形成された部分以外の部分であって前記第1絶縁膜によって被覆された部分と、を接触させつつ、前記センサチップと前記キャップとを接合する第4工程と、を有することを特徴とする圧力センサの製造方法。
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