JP2016072345A - Ｍｅｍｓデバイス及びｍｅｍｓデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】吸着層におけるガス吸着能力の低下を抑制すると共に、内部空間の真空度の低下を一層抑制する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられかつ可動部を有する素子部と、基板上に設けられて素子部を囲む接合部と、基板側表面の一部が接合部に接合されて素子部を含んだ内部空間を形成する蓋部と、を有するＭＥＭＳデバイスであって、蓋部は、基板側表面のうち内部空間に面した部分に複数の凹部を有し、基板側表面のうち、少なくとも複数の凹部を含む部分に膜部を備え、膜部は、蓋部上に設けられて内部空間のガスを吸着する吸着層と、吸着層を覆うように設けられた被覆層と、を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＭＥＭＳデバイス及びＭＥＭＳデバイスの製造方法に関する。

コンピュータや携帯端末などの電子製品は、振動子、発振器、共振子などの所定の周波数で振動する振動素子を備えた電子部品を有している。このような電子部品としては、例えば、パッケージの内部空間に振動素子が収容された振動子の構成が知られている。このような振動子は、ベースとリッドとから構成されるパッケージと、振動素子と、を有している。近年においては、このような電子部品の小型化や低コスト化の要請を受けて、基板上に一括して作成されるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術の採用が検討されている。このＭＥＭＳデバイスとして、例えば、特許文献１に示すＭＥＭＳ振動子が提案されている。

このようなＭＥＭＳデバイスは、高いＱ値を維持するため、振動素子が例えば５００Ｐａ以下の真空雰囲気で封止されている必要がある。このような真空雰囲気を維持しつつ封止する方法としては、例えば振動素子を形成したベースウェハと、蓋となるリッドウェハとを真空雰囲気下のチャンバー内で接合する方法が広く用いられる。この方法において、ウェハを接合する際には、例えばＡｒイオンを照射して、または３００℃程度の熱処理を行って、各ウェハ表面の水分を除去してからウェハ同士の接合を行うようにしている。これにより、各ウェハにガスが吸着するのを防ぐことができるため、内部空間の真空度が低下するのを抑制できる。

一方、近年ではＭＥＭＳデバイスが微小になり、これに伴って振動素子及びそれを取り囲む内部空間の体積が小さくなるため、上記の方法では除去しきれない微量のガスが内部空間に残留し、内部空間の真空度を低下させてしまう場合がある。これに対して、例えば蓋部のうち内部空間に面する部分に、チタン膜などのガス吸着能力を有する吸着層を設け、この吸着層にガスを吸着させることで内部空間の真空度の低下を抑制する方法が提案されている。

特開２００８−２６３１６６号公報

しかしながら、上記のような吸着層は、製造過程等において表面が酸化されるとガス吸着能力が低下してしまうという問題がある。また、近年のＭＥＭＳデバイスの小型化により、上記のような吸着層を配置するスペースが限られるため、内部空間のガスを一定以上吸着することが困難である。そのため、内部空間の真空度の低下を抑制する効果が限定されてしまう。

以上のような事情に鑑み、本発明は、吸着層におけるガス吸着能力の低下を抑制すると共に、内部空間の真空度の低下を一層抑制することが可能なＭＥＭＳデバイス及びこのようなＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明では、基板と、基板上に設けられかつ可動部を有する素子部と、基板上に設けられて素子部を囲む接合部と、基板側表面の一部が接合部に接合されて素子部を含んだ内部空間を形成する蓋部と、を有するＭＥＭＳデバイスであって、蓋部は、基板側表面のうち内部空間に面した部分に複数の凹部を有し、基板側表面のうち、少なくとも複数の凹部を含む部分に膜部を備え、膜部は、蓋部上に設けられて内部空間のガスを吸着する吸着層と、吸着層を覆うように設けられた被覆層と、を有する。また、凹部は、溝状または平面視において多角形状に形成されてもよい。また、貫通電極は、基板側の端面が蓋部の内側に配置され、膜部は、端面を含んで形成されてもよい。また、蓋部は、素子部に対向する部分に内部空間用凹部を備えてもよい。また、膜部は、基板側表面の全面に形成されてもよい。また、接合部に接合する部分に蓋部を貫通する貫通電極を有し、膜部は、基板側表面のうち貫通電極を含む部分に形成され、貫通電極は、膜部を介して接合部と電気的に接続されてもよい。

また、本発明では、基板と、基板上に設けられかつ可動部を有する素子部と、基板上に設けられて素子部を囲む接合部と、基板側表面の一部が接合部に接合されて素子部を含んだ内部空間を形成する蓋部と、を有するＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、基板上に、多結晶シリコンから形成された構造層と、シリコン酸化膜から形成された犠牲層と、を積層する積層工程と、構造層及び犠牲層の一部または全部を除去して素子部及び接合部を形成する構造体形成工程と、蓋部の基板側表面に、複数の凹部を形成する凹部形成工程と、蓋部の基板側表面のうち、少なくとも複数の凹部を含む部分に、内部空間のガスを吸着する吸着層と、吸着層を覆う被覆層とを備える膜部を形成する膜部形成工程と、膜部のうち被覆層に接合部を接合する接合工程と、を含む。また、膜部形成工程に先立って、蓋部を貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を含み、膜部形成工程は、貫通電極を含む部分に膜部を形成してもよい。また、貫通電極形成工程は、蓋部の基板側表面から反対側の面に向けて非貫通状態の孔部を形成し、メッキ法により孔部に電極材料を充填し、蓋部のうち基板側表面と反対側の表面を研磨して電極材料を露出させることにより行ってもよい。また、貫通電極形成工程の後、膜部形成工程に先立って、貫通電極のうち基板側の一部を除去する工程を含んでもよい。

本発明の態様によれば、蓋部の基板側表面のうち内部空間に面した部分に複数の凹部が設けられ、少なくとも複数の凹部を含む部分に膜部を備え、膜部が内部空間のガスを吸着する吸着層と、吸着層を覆うように設けられた被覆層と、を有するため、吸着層が複数の凹部に沿って形成される。そのため、平坦な部分に配置される場合に比べて吸着層の表面積を大きくすることができ、吸着層を配置するスペースを広げることができるため、より多くのガスを吸着することができる。また、被覆層により吸着層の表面が保護されるため、酸化等の変質を防ぐことができる。これにより、吸着層におけるガス吸着能力の低下を抑制すると共に、内部空間の真空度の低下を一層抑制することが可能となる。

第１実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 （ａ）は蓋部の外部から基板側表面を透過して見た平面図、（ｂ）は蓋部の一部の断面を示す図である。 ＭＥＭＳデバイスの製造工程を示すフローチャートである。 ＭＥＭＳデバイスの製造工程を示す図である。 図４に続き、ＭＥＭＳデバイスの製造工程を示す図である。 図５に続き、ＭＥＭＳデバイスの製造工程を示す図である。 （ａ）は第２実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図、（ｂ）はＭＥＭＳデバイスの製造工程を示すフローチャートの一部である。 ＭＥＭＳデバイスの製造工程を示す図である。 図８に続き、ＭＥＭＳデバイスの製造工程を示す図である。 変形例に係るＭＥＭＳデバイスを示す平面図。 変形例に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。また、図面においては一部分を大きくまたは強調して記載するなど適宜縮尺を変更して表現している。以下の各図において、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。このＸＹＺ座標系においては、ＭＥＭＳデバイスの表面に平行な平面をＸＺ平面とする。このＸＺ平面においてＭＥＭＳデバイスの長手方向をＸ方向と表記し、Ｘ方向に直交する方向をＺ方向と表記する。ＸＺ平面に垂直な方向（ＭＥＭＳデバイスの厚さ方向）はＹ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。

＜第１実施形態＞
（ＭＥＭＳデバイス１００の構成）
第１実施形態に係るＭＥＭＳデバイス１００の構成について、図１を用いて説明する。なお、図１（ａ）は、蓋部を透過して示している。ＭＥＭＳデバイス１００は、ＭＥＭＳ技術により形成された振動子である。ＭＥＭＳデバイス１００は、図１に示すように、基板１１０と、素子部１２０と、一対の電極１３０、１４０と、接合部１５０と、蓋部１６０と、を有している。

基板１１０は、Ｘ軸方向に長辺、Ｚ軸方向に短辺を有する矩形状かつ板状の部材である。基板１１０の厚さについては任意に設定される。基板１１０は、基材１１１と、絶縁層１１２と、窒化物層１１３とを有している。基材１１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）などを用いて板状に形成される。絶縁層１１２は、基材１１１上に積層され、例えばシリコン酸化物などの絶縁材料を用いて形成される。窒化物層１１３は、絶縁層１１２上に積層され、例えばシリコン窒化物などから形成される。窒化物層１１３は、後述するように、素子部１２０や電極１３０、１４０、接合部１５０をエッチングによって形成する際のエッチングストッパとして設けられる。

基板１１０の表面（窒化物層１１３の表面）には、不図示の配線が設けられている。この配線は、後述する電極１３０、１４０と電気的に接続されており、この配線を介して外部から駆動電圧が電極１３０、１４０間に印加される。このような配線は、多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）、あるいはコバルトシリサイド（ＣｏＳｉｘ）などによって形成される。

素子部１２０は、所定の周波数で振動する共振器である。素子部１２０は、例えば多結晶シリコンから形成されている。素子部１２０は、可動部１２１と固定部１２２とを有している。可動部１２１は、円板状の部材である。可動部１２１は、基板１１０に対して平行に、かつ後述する電極１３０、１４０及び接合部１５０との間に空隙部１８１が形成されるように配置して形成される。可動部１２１は、固定部１２２により後述する内部空間１７０において支持されている。

可動部１２１は、電極１３０、１４０に駆動電圧が印加されることにより、所定の周波数で振動する。振動モードとしては、例えば、コンターモードなどである。なお、可動部１２１は、円板形状に形成されることに限定されず、例えば、リング状、多角形状、長円形状、楕円形状、板状、音叉形状など、いずれであってもよい。

固定部１２２は、可動部１２１を基板１１０に支持するアンカー部材である。固定部１２２は、可動部１２１の中心部をＹ軸方向に貫通するように配置され、可動部１２１の中心部と接合されている。固定部１２２により、可動部１２１は、基板１１０の表面から離間して１点支持されている。固定部１２２は、可動部１２１の中心部分を支持している。この中心部分は周囲部分に比べて振動が少ないため、可動部１２１の振動に起因する支持強度の低下や、可動部１２１が支持されることによる可動部１２１の振動特性の悪化が抑制される。

固定部１２２は、上端部（＋Ｙ側の端部）に端面１２２ａを有し、端面１２２ａは、蓋部１６０に対向している。一方、固定部１２２の下端部（−Ｙ側の端部）は基板１１０に接合されている。固定部１２２は、可動部１２１と同一材料から形成されており、例えば多結晶シリコンから形成される。なお、固定部１２２は、可動部１２１と異なる材料から形成されてもよい。また、固定部１２２は、上端部が蓋部１６０に接合されない構成であってもよい。また、固定部１２２は、可動部１２１に対して１つが設けられることに限定されず、可動部１２１の支持の安定化を図るために複数設けられてもよい。

固定部１２２は、可動部１２１の中央部分を支持することに限定されず、例えば、可動部１２１の外周から突出して形成される梁部分を支持するものでもよい。可動部１２１に梁部分が形成される場合、可動部１２１の一周にわたって等間隔に例えば４か所に梁部分が形成されてもよい。この場合、固定部１２２は、複数の梁部分のそれぞれを支持するように形成される。

なお、素子部１２０は、共振器であること限定されず、例えばＳＡＷ素子などであってもよい。素子部１２０がＳＡＷ素子の場合、例えば、可動部１２１の表面に一対の櫛歯状の電極が形成されて構成される。

電極１３０、１４０は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板１１０上に素子部１２０をＸ軸方向に挟むように形成されている。電極１３０、１４０には、素子部１２０を静電駆動させるための電圧が印加される。電極１３０は、空隙部１８１を介して素子部１２０の−Ｘ側に配置される。電極１４０は、空隙部１８１を介して素子部１２０の＋Ｘ側に配置される。電極１３０、１４０は、上記したように基板１１０に形成された不図示の配線と電気的に接続されている。

図１（ｂ）に示すように、電極１３０は、第１犠牲層１３１、第１構造層１３２及び第２構造層１３３を有している。電極１３０は、基板１１０上に、第１犠牲層１３１と第１構造層１３２とが順に積層され、これらを第２構造層１３３が囲んだ状態で形成されている。電極１３０の上部（＋Ｙ側）は、蓋部１６０の基板側表面１６０ａに対向する端面１３３ａを有している。同様に、電極１４０は、第１犠牲層１４１、第１構造層１４２及び第２構造層１４３を有している。電極１４０は、基板１１０上に、第１犠牲層１４１と第１構造層１４２とが順に積層され、これらを第２構造層１４３が囲んだ状態で形成されている。電極１４０の上部（＋Ｙ側の部分）は、蓋部１６０の基板側表面１６０ａに対向する端面１４３ａを有している。なお、電極１３０、１４０の一方または双方が、蓋部１６０と接合されない構成としてもよく、この場合、電極１３０、１４０の一方または双方の上部と蓋部１６０との間には隙間が形成される。

接合部１５０は、図１（ａ）に示すように、素子部１２０及び電極１３０、１４０を所定の間隔を空けて囲むように設けられている。この間隔は絶縁部１８２として機能する。絶縁部１８２は、接合部１５０と素子部１２０及び電極１３０、１４０との電気的な接続を絶つために設けられる。絶縁部１８２を形成する間隔の幅は、十分な絶縁性を確保するために例えば１μｍ以上に設定される。ただし、この間隔が広いと、接合部１５０の上面（接合面１５４ａ）が研磨された場合、ＸＺ平面に対して傾斜する場合がある。従って、接合面１５４ａの傾斜を防止するために、絶縁部１８２の間隔を３μｍ以下に設定してもよい。

接合部１５０の下部（−Ｙ側の部分）は、基板１１０に接合されている。また、接合部１５０の上側（＋Ｙ側の部分）には、蓋部１６０と接合する接合面１５４ａが設けられている。この接合面１５４ａは、高さ（基板１１０からのＹ軸方向の距離）が、上記した端面１２２ａ、１３３ａ及び１４３ａよりも高く形成されている。

接合部１５０は、図１（ｂ）に示すように、基板１１０上に、第１犠牲層（犠牲層）１５１、第１構造層（構造層）１５２、第２犠牲層（犠牲層）１５３、第２構造層（構造層）１５４の順で積層された構成を有している。また、第１犠牲層１５１及び第２犠牲層１５３は、ともに、第１構造層１５２と第２構造層１５４とにより被覆された状態となっている。このように、接合部１５０は、第１及び第２構造層１５２、１５４と第１及び第２犠牲層１５１、１５３とから形成されている。よって、接合部１５０の強度は、これら第１構造層１５２等と第１犠牲層１５１等とが組み合わされて確保されている。

接合部１５０は、第１及び第２犠牲層１５１、１５３と第１及び第２構造層１５２、１５４とが積層されて配置されるので、成膜手法を用いて容易に形成される。なお、接合部１５０における第１及び第２犠牲層１５１、１５３と第１及び第２構造層１５２、１５４との配置については、第１及び第２犠牲層１５１、１５３が第１及び第２構造層１５２、１５４のいずれかにより被覆されていればよく、上記した構成に限定されない。

なお、接合部１５０のうち素子部１２０の−Ｚ側及び＋Ｚ側では、第２構造層１５４に開口部１５４ｂ及び１５４ｃが形成されている。開口部１５４ｂ及び１５４ｃは、第２構造層１５４をＹ方向に貫通するように形成されている。開口部１５４ｂ及び１５４ｃからは第１構造層１５２が露出している。また、素子部１２０及び電極１３０、１４０の−Ｚ側及び＋Ｚ側には、素子部１２０及び電極１３０、１４０の輪郭に沿うように第２構造層１５４が壁状に形成される。

蓋部１６０は、Ｘ軸方向に長辺、Ｚ軸方向に短辺を有し、基板１１０と同一の矩形形状を有する板状の部材である。蓋部１６０は、基板側表面１６０ａが接合部１５０に接合される。これにより、素子部１２０及び電極１３０、１４０を含んだ内部空間１７０が形成される。内部空間１７０は、例えば真空雰囲気に設定されるが、これに代えて、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガス雰囲気に設定されてもよい。蓋部１６０は、接合面１５４ａと接合する。蓋部１６０は、基板１１０と同様に、例えばシリコン基板が用いられる。なお、蓋部１６０の材質及び厚さは、基板１１０と同一に形成されるが、異なってもよい。

図２（ａ）は、蓋部１６０の＋Ｙ側から基板側表面１６０ａを透過して見た平面図である。図１（ｂ）及び図２（ａ）に示すように、蓋部１６０の基板側表面１６０ａには、不図示の絶縁層が形成される。この基板側表面１６０ａには、接合部１５０に接合する第１部分１６０ｂと、内部空間１７０に面した第２部分１６０ｃとが設けられる。

また、基板側表面１６０ａには、内部空間用凹部１６０ｄが形成されている。内部空間用凹部１６０ｄは、素子部１２０に対向する部分に形成される。内部空間用凹部１６０ｄが設けられることにより、素子部１２０が配置される部分について内部空間１７０が拡張された構成となっている。内部空間用凹部１６０ｄの側部及び底部は、内部空間１７０に面している。内部空間用凹部１６０ｄは、図２（ａ）に示すように、平面視で例えば楕円形状に形成される。内部空間用凹部１６０ｄの平面視における形状は、楕円形に限定されるものではなく、円形や多角形など、他の形状であってもよい。また、内部空間用凹部１６０ｄは、設けられなくてもよい。

第１部分１６０ｂには、膜部１６１が形成される。また、第２部分１６０ｃには、複数の凹部１６０ｅが形成される。凹部１６０ｅは、例えば溝状に形成され、２μｍ〜５μｍ程度の深さに形成される。凹部１６０ｅは、Ｚ方向に延びるように形成される。複数の凹部１６０ｅは、Ｘ方向に所定のピッチで並んで配置される。したがって、例えば図１（ｂ）に示すように、基板側表面１６０ａの第２部分１６０ｃは、凹凸状に形成される。また、Ｘ方向の中央部に配置される凹部１６０ｅは、内部空間用凹部１６０ｄのＺ方向の両側に配置される。第２部分１６０ｃには、少なくともこの凹部１６０ｅを含む部分に膜部１６２が形成される。膜部１６２は、凹部１６０ｅを含む部分に設けられることにより、平坦な部分に設けられる場合に比べて、内部空間１７０に面する部分の表面積が大きくなっている。

図２（ｂ）は、蓋部１６０の断面の一部を拡大して示す図である。図２（ｂ）に示すように、膜部１６１は、吸着層１６１ａ及び被覆層１６１ｂを有する。また、膜部１６２は、吸着層１６２ａ及び被覆層１６２ｂを有する。

吸着層１６１ａ、１６２ａは、基板側表面１６０ａ上に積層される。吸着層１６２ａは、基板側表面１６０ａ上の凹凸に沿って形成される。吸着層１６１ａ、１６２ａは、例えばチタンを用いて形成される。なお、吸着層１６１ａ、１６２ａは、チタンを用いる構成に限定するものではなく、例えばジルコニウムが用いられてもよいし、またはチタンとジルコニウムとを含む合金が用いられてもよい。また、吸着層１６１ａ、１６２ａとして、ニオブ、タンタル、バナジウム、ハフニウムなどが用いられてもよい。吸着層１６１ａ、１６２ａは、５ｎｍ以上の厚さで形成され、例えば５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚さで形成される。より具体的には、吸着層１６１ａ、１６２ａは、５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚さで形成される。

吸着層１６２ａは、接合部１５０と蓋部１６０とを共晶接合する際に生じる熱により活性化し、内部空間１７０のガスを吸着する。このようなガスとしては、窒素ガスなどが挙げられる。この窒素ガスは、例えば基板１１０に形成される窒化物層１１３や他の部分から放出されたものである。吸着層１６２ａが窒素ガスを吸着することにより、内部空間１７０の真空度の低下が抑制される。しかも、吸着層１６２ａは、基板側表面１６０ａの凹部１６０ｅを含む部分に形成されており、平坦な部分に設けられる場合に比べて表面積が大きいため、より多くの窒素ガスを吸着できる。なお、吸着層１６１ａは、吸着層１６２ａと同一層として形成されており、Ｙ方向視における内周部分が内部空間１７０に面している。したがって、吸着層１６１ａは、内部空間１７０のガスの一部が吸着可能となっている。

被覆層１６１ｂ、１６２ｂは、吸着層１６１ａ、１６２ａ上に積層される。被覆層１６１ｂ、１６２ｂは、例えば金を用いて形成される。なお、被覆層１６１ｂ、１６２ｂは、白金を用いて形成されてもよい。被覆層１６１ｂ、１６２ｂは、例えば蒸着法によって形成される。被覆層１６１ｂ、１６２ｂは、例えば２００ｎｍ以下の厚さで形成される。より具体的には、被覆層１６１ｂ、１６２ｂを４０ｎｍ程度に形成してもよい。

なお、吸着層１６１ａ、１６２ａと被覆層１６１ｂ、１６２ｂとの間に、吸着層１６１ａ、１６２ａの構成材料（例えば、チタン）及び被覆層１６１ｂ、１６２ｂの構成材料（例えば、金）の拡散等を防止するバリア層を設けてもよい。

また、可動部１２１及び第１構造層１３２、１４２、１５２は、同一の厚さ（Ｙ軸方向の幅）かつ同一の材料で形成され、例えば、厚さ２μｍの多結晶シリコン膜から形成される。この多結晶シリコンは、導電性を確保するためにリン（Ｐ）やボロン（Ｂ）などがドープされてもよい。なお、可動部１２１、第１構造層１３２、１４２、１５２の一部又は全ては、異なる厚さ又は材料から形成されてもよい。

第１犠牲層１３１、１４１及び第１犠牲層１５１は、同一の厚さ（Ｙ軸方向の幅）かつ同一の材料で形成され、例えば、厚さ１μｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）から形成される。なお、第１犠牲層１３１、１４１及び第１犠牲層１５１の一部又は全ては、異なる厚さ又は材料から形成されてもよい。また、第２犠牲層１５３は、図１（ｂ）に示すように、表面（＋Ｙ側の面）に犠牲層が積層されてもよい。この犠牲層は、後述する第３犠牲層Ｌ４（図４（ｅ）参照）であり、例えば、厚さ１００ｎｍのシリコン酸化膜により形成される。

固定部１２２及び第２構造層１３３、１４３、１５４は、同一の材料が用いられ、例えば、多結晶シリコン膜から形成される。この多結晶シリコンは、導電性を確保するためにリンやボロンなどがドープされてもよい。なお、第２構造層１３３、１４３は導電性を備える材料により形成されるが、固定部１２２、第２構造層１５４は、導電性を備えるかは任意である。また、第２構造層１３３、１４３、１５４の厚さは、例えば２μｍである。なお、第２構造層１３３、１４３、１５４の厚さは、それぞれ異なってもよい。

このように、ＭＥＭＳデバイス１００によれば、蓋部１６０の基板側表面１６０ａのうち内部空間１７０に面した部分に複数の凹部１６０ｅが設けられ、少なくとも複数の凹部１６０ｅを含む部分に膜部１６２を備え、膜部１６２が内部空間１７０のガスを吸着する吸着層１６２ａと、吸着層１６２ａを覆うように設けられた被覆層１６２ｂと、を有するため、吸着層１６２ａが複数の凹部１６０ｅに沿って形成される。そのため、平坦な部分に配置される場合に比べて吸着層１６２ａの表面積を大きくすることができ、吸着層１６２ａがより多くのガスを吸着することができる。また、被覆層１６２ｂにより吸着層１６２ａの表面が保護されるため、吸収層１６２ａの酸化等の変質を防ぐことができる。これにより、吸着層１６２ａにおけるガス吸着能力の低下を抑制すると共に、内部空間１７０の真空度の低下を一層抑制することが可能となる。

（ＭＥＭＳデバイス１００の製造方法）
次に、本実施形態のＭＥＭＳデバイス１００のウェハ製造方法について、図３〜図６を用いて説明する。なお、以下の説明では、図３に示すフローチャートに沿いつつ、適宜図４〜図６を参酌している。また、図４〜図６は、ウェハに形成されるＭＥＭＳデバイスの１つについて、時系列に並べて示しており、図４〜図６に示す（ａ）〜（ｎ）の各図は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面に相当する図である。

先ず、ベースウェハＢＷ及びリッドウェハＬＷが用意される。ベースウェハＢＷは、図１に示す基板１１０に相当する。リッドウェハＬＷは、図１に示す蓋部１６０に相当する。ベースウェハＢＷ及びリッドウェハＬＷは、例えばシリコンウェハが用いられ、シリコン結晶体から所定の厚さで切り出される。ベースウェハＢＷ及びリッドウェハＬＷの表面は、鏡面状に研磨されて洗浄される。ベースウェハＢＷの表面には、絶縁層１１２及び窒化物層１１３が設けられ、窒化物層１１３上には不図示の配線が形成される。

次に、図３に示すように、第１積層工程が行われる（ステップＳ０１）。第１積層工程では、図４（ａ）に示すように、ベースウェハＢＷの表面（＋Ｙ側の面）に第１犠牲層Ｌ１が積層される。第１犠牲層Ｌ１は、シリコン酸化膜が成膜されることにより形成される。第１犠牲層Ｌ１は、例えば、厚さ（Ｙ軸方向の幅）が１μｍに成膜される。

続いて、第２積層工程が行われる（ステップＳ０２）。第２積層工程では、図４（ｂ）に示すように、第１犠牲層Ｌ１の表面に第１構造層Ｌ２が積層される。第１構造層Ｌ２は、導電性を備えた多結晶シリコン膜が成膜されることにより形成される。第１構造層Ｌ２は、例えば、厚さが２μｍに成膜される。また、第１構造層Ｌ２は、導電性を確保するために、リンやボロンなどがドープされてもよい。この場合、第１構造層Ｌ２は、第１犠牲層Ｌ１の表面が清浄化された後に形成されてもよい。

続いて、第３積層工程が行われる（ステップＳ０３）。第３積層工程では、図４（ｃ）に示すように、第１構造層Ｌ２の表面に第２犠牲層Ｌ３が積層される。第２犠牲層Ｌ３は、シリコン酸化膜が成膜されて形成される。第２犠牲層Ｌ３は、例えば、厚さが１μｍに成膜される。

続いて、第１除去工程が行われる（ステップＳ０４）。第１除去工程では、図４（ｄ）に示すように、第１構造層Ｌ２及び第２犠牲層Ｌ３の一部が除去される。この第１除去工程は、例えばフォトリソグラフィ法及びエッチングにより行われ、先ず、第２犠牲層Ｌ３の表面に、レジストが塗布されてマスクを介した露光及び現像によりレジストパターン（図示せず）が形成される。次いで、第１構造層Ｌ２及び第２犠牲層Ｌ３の一部がレジストパターンを介してエッチングにより除去される。

これにより、後述する第３犠牲層Ｌ４及び第２構造層Ｌ５の形成スペースが設けられる。また、第１構造層Ｌ２が分割されて、可動部１２１と、電極１３０、１４０を構成する第１構造層１３２、１４２と、接合部１５０を構成する第１構造層１５２とが形成される。また、第２犠牲層Ｌ３が分割されて第２犠牲層１５３が形成される。

続いて、第４積層工程が行われる（ステップＳ０５）。第４積層工程では、図４（ｅ）に示すように、ベースウェハＢＷの＋Ｙ側の表面に第３犠牲層Ｌ４が積層される。第３犠牲層Ｌ４は、シリコン酸化膜が成膜されることにより形成される。第３犠牲層Ｌ４は、例えば、厚さが１００ｎｍに成膜される。

続いて、第２除去工程が行われる（ステップＳ０６）。第２除去工程では、図４（ｆ）に示すように、孔部Ｈ１〜Ｈ５が設けられる。孔部Ｈ１〜Ｈ５は、第１犠牲層Ｌ１の一部の領域を貫通してベースウェハＢＷの配線に到達し、かつＹ軸方向に沿って形成された孔である。第２除去工程は、例えばフォトリソグラフィ法及びエッチングにより行われ、先ず、第３犠牲層Ｌ４の表面に、レジストが塗布されてマスクを介した露光及び現像によりレジストパターン（図示せず）が形成される。次いで、第３犠牲層Ｌ４及び第１犠牲層Ｌ１の一部がレジストパターンを介してエッチングにより除去される。

これにより、電極１３０、１４０を構成する第１第１犠牲層１３１、１４１、及び接合部１５０を構成する第１犠牲層１５１が形成される。孔部Ｈ１〜Ｈ５は、後述する第２構造層Ｌ５を形成するためのスペースとなる。孔部Ｈ２、Ｈ３、Ｈ５は、第２構造層Ｌ５とベースウェハＢＷ上の配線とを接合させるために設けられており、孔部Ｈ２、Ｈ３、Ｈ５に第２構造層Ｌ５が形成されることにより、配線と電極１３０、１４０との電気的接続が確保される。

また、後述の第２構造層Ｌ５が孔部Ｈ４に形成されることにより、固定部１２２の下端部は、ベースウェハＢＷに固定される。また、孔部Ｈ２では、第１犠牲層Ｌ１の一部Ｌ１ａを除去せずに残存させている。これは、第１犠牲層Ｌ１の一部Ｌ１ａの除去を最後に行うことによって絶縁部１８２（図１（ｂ）参照）を形成するためである。また、孔部Ｈ３、Ｈ５では、可動部１２１の側部１２１ａに第３犠牲層Ｌ４を残しており、さらに、第１犠牲層Ｌ１の一部Ｌ１ｂを除去せずに残存させている。その後、例えば希フッ酸（ＤＨＦ）を用いた洗浄により、孔部Ｈ１等の底部の自然酸化膜が除去される。

続いて、第５積層工程が行われる（ステップＳ０７）。第５積層工程では、図５（ｇ）に示すように、第３犠牲層Ｌ４の表面に第２構造層Ｌ５が積層される。第２構造層Ｌ５は、導電性を備えた多結晶シリコン膜が成膜されることにより形成される。これにより孔部Ｈ１〜Ｈ５は第２構造層Ｌ５により充填され、かつ第３犠牲層Ｌ４の表面に、例えば厚さが２μｍに積層される。第２構造層Ｌ５は、導電性を確保するために、リンやボロンなどがドープされてもよい。この場合、第２構造層Ｌ５は、例えば１５ｎｍ程度のエッチングにより、第３犠牲層Ｌ４の表面が清浄化された後に、形成されてもよい。

続いて、第１平坦化工程が行われる（ステップＳ０８）。第１平坦化工程では、第２構造層Ｌ５の表面が平坦化される。平坦化には、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）が用いられ、例えば、Ｒａ（算術平均粗さ）が１ｎｍ以下に設定される。上記したように、孔部Ｈ１〜Ｈ５は第２構造層Ｌ５により充填されているため、第２構造層Ｌ５の表面は、平坦化加工前において、孔や段差などを有しない状態となっている。そのため、平坦化加工を容易に行うことができる。

続いて、第３除去工程が行われる（ステップＳ０９）。第３除去工程では、図５（ｈ）に示すように、第２構造層Ｌ５の一部が除去される。第３除去工程により、第２構造層Ｌ５における電極１３０、１４０、固定部１２２、及び接合部１５０を形成する部分が残され、第２構造層Ｌ５におけるその他の部分が除去される。第３除去工程は、例えばフォトリソグラフィ法及びエッチングにより行われる。これにより、可動部１２１の上側（＋Ｙ側）の第２構造層Ｌ５が除去され、端面１２２ａが形成される。また、第２構造層１３３、１４３と第２構造層１５４とが形成され、電極１３０、１４０と接合部１５０とが形成される。また、リッドウェハＬＷと対向する端面１３３ａ、１４３ａと、リッドウェハＬＷに接合される接合面１５４ａとが形成される。また、開口部１３３ｂ、１４３ｂ及び開口部１５４ｂ、１５４ｃが形成される。

続いて、第４除去工程が行われる（ステップＳ１０）。第４除去工程では、図５（ｉ）に示すように、第１、第２、及び第３犠牲層Ｌ１、Ｌ３、Ｌ４の一部が除去される。第４除去工程は、例えばフッ酸（ＨＦ）を用いたウエットエッチングにより行われる。これにより、可動部１２１の上側（＋Ｙ側）及び下側（−Ｙ側）の第１犠牲層Ｌ１が除去される。また、可動部１２１の側部１２１ａの第３犠牲層Ｌ４が除去されて、空隙部１８１が形成される。

また、電極１３０、１４０と接合部１５０との間の第１犠牲層Ｌ１が除去されて、絶縁部１８２（間隔）が形成される。但し、接合部１５０における第１及び第２犠牲層１５１、１５２は、第１及び第２構造層１５２、１５４により被覆された部分については、第１及び第２犠牲層１５１、１５３へのエッチャントの侵入が防止される。これにより、第１及び第２犠牲層１５１、１５３はエッチングされずに残存する。そのため、接合部１５０は、第１及び第２構造層１５２、１５４と第１及び第２犠牲層１５１、１５３とから形成される。また、接合部１５０における第２犠牲層Ｌ３及び第３犠牲層Ｌ４のうち開口部１５４ｂ、１５４ｃに露出している部分については、エッチングによって除去される。これにより、開口部１５４ｂ、１５４ｃに第２構造層１５２の表面が露出する。

また、電極１３０、１４０を構成する第１犠牲層１３１、１４１については、第１構造層１３２、１４２及び第２構造層１３３、１４３により被覆された状態となっているため、除去されずに残存する。また、第１構造層１３２、１４２上の第２犠牲層Ｌ３及び第３犠牲層Ｌ４は、開口部１３３ｂ、１４３ｂによって露出されているため、エッチングによって除去される。これにより、開口部１３３ｂ、１４３ｂに第２構造層１３３、１４３が露出する。

エッチング後の表面は、例えばＩＰＡ置換されて、乾燥される。このステップＳ１０までの、構造層（第１構造層１５２等）及び犠牲層（第１犠牲層１５１等）の一部または全部を除去して素子部１２０及び接合部１５０を形成する工程は、構造体形成工程である。その後、減圧下でベースウェハＢＷを３７０℃〜８００℃程度の温度に加熱し、デガス処理が行われる。このデガス処理により、大気中で吸着した水分や窒素ガス等がベースウェハＢＷから除去される。

一方、リッドウェハＬＷに対しては、図３に示すように、まず凹部形成工程が行われる（ステップＳ１１）。凹部形成工程は、リッドウェハＬＷにアライメントマーク（露光用の基準位置）を形成する工程と同時に行われる。図６（ｊ）に示すように、リッドウェハＬＷの表面（−Ｙ側の面）にフォトリソグラフィ法及びドライエッチングにより、深さ２μｍ〜５μｍ程度の凹部１６０ｅとアライメントマーク（不図示）とが同時に形成される。このように、凹部形成工程は既存の工程と同時に行われるため、別途工程を設けることなく凹部１６０ｅが形成される。

次に、膜部形成工程が行われる（ステップＳ１２）。膜部形成工程では、図６（ｋ）に示すように、リッドウェハＬＷの表面にスパッタリング法または蒸着法によってチタン薄膜を５ｎｍ〜１００ｎｍ程度に形成し、更にこのチタン薄膜上にスパッタリング法または蒸着法によって金薄膜を２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に形成することにより、積層金属膜Ｌ６が形成される。

次に、パターニング工程が行われる（ステップＳ１３）。パターニング工程では、図６（ｌ）に示すように、積層金属膜Ｌ６がパターニングされる。パターニング工程は、例えばフォトリソグラフィ法及びエッチングにより行われる。先ず、積層金属膜Ｌ６の表面にレジストが塗布され、マスクを介した露光及び現像によりレジストパターン（図示せず）が形成される。次に、積層金属膜Ｌ６の一部がレジストパターンを介してエッチングにより除去される。これにより、膜部１６１及び１６２が形成される。なお、積層金属膜Ｌ６のうちチタン薄膜の層が吸着層１６１ａ、１６２ａとして形成され、金薄膜の層が被覆層１６１ｂ、１６２ｂとして形成される。その後、膜部１６１、１６２を含むリッドウェハＬＷの表面に対して、アッシング処理を行い、残ったレジストを除去する。このとき、吸着層１６１ａ、１６２ａのチタンが露出していると表面が酸化してしまい、ガスの吸着性が低下してしまう。これに対して、本実施形態では吸着層１６１ａ、１６２ａが被覆層１６１ｂ、１６２ｂによって覆われるため、吸着層１６１ａ、１６２ａの表面が保護され、酸化を防ぐことができるため、ガス吸着能力の低下が抑制される。

次に、内部空間用凹部形成工程が行われる（ステップＳ１４）。内部空間用凹部形成工程では、リッドウェハＬＷの表面（−Ｙ側）側にドライエッチングを行うことにより、絶縁層Ｌ６及びリッドウェハＬＷの一部が除去され、図６（ｍ）に示すように、内部空間用凹部１６０ｄが形成される。なお、内部空間用凹部形成工程は、凹部形成工程の後、膜部形成工程の前に行ってもよい。この場合、内部空間用凹部１６０ｄが形成された状態で積層金属膜Ｌ６が形成され、この積層金属膜Ｌ６のパターニングが行われる。したがって、内部空間用凹部１６０ｄの内部にも積層金属膜Ｌ６（ひいては膜部１６２）を形成することができる。

その後、リッドウェハＬＷに対してデガス処理が行われる。このデガス処理により、大気中で吸着した水分がリッドウェハＬＷから除去される。

続いて、接合工程が行われる（ステップＳ１５）。接合工程では、図６（ｎ）に示すように、接合面１５４ａとリッドウェハＬＷとが接合される。接合は、例えば共晶接合法により行われる。先ず、真空雰囲気下においてベースウェハＢＷ及びリッドウェハＬＷを、金−シリコンの共晶温度である３６３℃以上の温度、例えば３９０℃程度の温度で熱処理する。この熱処理により、膜部１６１の被覆層１６１ｂ（金）と接合面１５４ａ（シリコン）とが共晶接合される。また、この熱処理によって吸着層１６２ａが活性化され、窒素ガスなど内部空間１７０内のガスが被覆層１６１ｂを通過して吸着層１６２ａに吸着される。あるいは、この熱処理により、吸着層１６２ａの一部のチタン原子が被覆層１６２ｂ側に拡散して被覆層１６２ｂの表面に出現し、窒素ガスなど内部空間１７０内のガスを吸着する。そのため、内部空間１７０の真空度が向上する。

続いて、接合されたウェハは、ベースウェハＢＷあるいはリッドウェハＬＷ上に予め設定されたスクライブライン（図示せず）に沿って切断されることにより個別化され、ＭＥＭＳデバイス１００が完成する（切断工程、ステップＳ１２）。

以上のように、ＭＥＭＳデバイス１００の製造方法によれば、蓋部１６０の基板側表面１６０ａに、複数の凹部１６０ｅを形成する凹部形成工程と、蓋部１６０の基板側表面１６０ａのうち、少なくとも複数の凹部１６０ｅを含む部分に、内部空間１７０のガスを吸着する吸着層１６２ａと、この吸着層１６２ａを覆う被覆層１６２ｂとを備える膜部１６２を形成する膜部形成工程と、膜部１６２のうち被覆層に接合部を接合する接合工程と、を含んでおり、複数の凹部１６０ｅを含む部分に膜部１６２とを効率的に形成できるため、ＭＥＭＳデバイス１００を低コストで製造することができる。また、凹部形成工程が上記のようにアライメントマークの形成と同一行程で行われるため、工程数が増加することなく凹部１６０ｅを形成することができる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係るＭＥＭＳデバイス２００について、図７（ａ）を用いて説明する。以下の説明において、第１実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。ＭＥＭＳデバイス２００は、第１実施形態のＭＥＭＳデバイス１００と同様に、ＭＥＭＳ技術により形成された振動子である。ＭＥＭＳデバイス２００は、図７（ａ）に示すように、基板１１０と、素子部１２０と、一対の電極２３０、２４０と、接合部１５０と、蓋部２６０とを有しており、蓋部２６０には膜部１６１、２６２と、貫通電極２０１、２０２と、が形成されている。

貫通電極２０１、２０２は、例えば金、銅又は多結晶シリコン等によって形成され、蓋部２６０を貫通して設けられる。蓋部２６０の外側表面２６０ｅには、外部電極２０３、２０４が形成されている。貫通電極２０１、２０２の上端は、外部電極２０３、２０４に接続されている。ＭＥＭＳデバイス２００では、外部電極２０３、２０４を介して外部に接続されるようになっている。

貫通電極２０１、２０２は、基板側の端面２０１ａ、２０２ａが蓋部２６０の内側に配置される。したがって、蓋部２６０の基板側表面２６０ａは、端面２０１ａ、２０２ａにおいて凹んだ状態となっている。膜部２６２は、基板側表面２６０ａのうち貫通電極２０１、２０２を含む部分に形成される。膜部２６２は、端面２０１ａ、２０２ａを含んで形成される。貫通電極２０１、２０２は、端面２０１ａ、２０２ａにおいて膜部２６２に接続される。

また、電極２３０、２４０は、第１犠牲層１３１、１４１上に第１構造層１３２、１４２が積層され、更に第１構造層１３２、１４２上に第２犠牲層２３３、２４３が積層されており、これら第１犠牲層１３１、１４１、第１構造層１３２、１４２、及び第２犠牲層２３３、２４３の積層体が第２構造層２３４、２４４によって覆われた構成となっている。また、第２構造層２３４、２４４の＋Ｙ側の端面２３４ａ、２４４ａは、膜部２６２の被覆層２６２ｂとの間で共晶接合されている。したがって、上記貫通電極２０１、２０２は、膜部２６２を介して電極２３０、２４０（第２構造層２３４、２４４）に電気的に接続される。

なお、膜部２６２は、基板側表面２６０ａと端面２０１ａ、２０２ａとで形成される段差に沿って形成される。このため、膜部２６２が電極２３０、２４０に接続された状態において、端面２０１ａ、２０２ａ上に形成される膜部２６２と電極２３０、２４０との間には空間が形成される。

次に、上記のように構成されたＭＥＭＳデバイス２００の製造方法を説明する。本実施形態では、蓋部２６０の製造工程及び接合後の製造工程について、図７（ｂ）及び図８〜図９を参照して説明する。図７（ｂ）は、ＭＥＭＳデバイス２００の製造工程を示すフローチャートであり、ベースウェハＢＷ側の製造工程を省略して示している。

まず、第１実施形態のステップＳ１１と同様の手順により、凹部形成工程が行われる（ステップＳ２１）。凹部形成工程では、リッドウェハＬＷの表面（−Ｙ側の面）に凹部１６０ｅが形成される。

次に、貫通電極形成工程が行われる（ステップＳ２２）。貫通電極形成工程では、まず、図８（ａ）に示すように、凹部１６０ｅの内部を含むリッドウェハＬＷの表面にレジスト膜Ｒが形成される。そして、貫通電極２０１、２０２を形成する位置に開口部Ｒａが形成される。次に、図８（ｂ）に示すように、ドライエッチング法により、深さ５０μｍ〜１００μｍ程度の孔部１６０ｆが形成される。

そして、不図示の絶縁層及びめっき用のシード層が成膜された後、図８（ｃ）に示すように、例えばめっき処理により、銅などの金属で構成される電極層１６０ｇが孔部１６０ｆの内部に充填される。なお、この処理では、凹部１６０ｅの内部にも電極層の一部が形成される。そこで、図８（ｄ）に示すように、ウエットエッチング法により、リッドウェハＬＷの表面全体が処理され、凹部１６０ｅの内部の電極層が除去される。この処理では、電極層１６０ｇの端面（−Ｙ側の面）についても除去される。そのため、電極層１６０ｇの端面はリッドウェハＬＷの表面に対して内側に形成される。このようにして形成された電極層１６０ｇは、貫通電極２０１、２０２に相当する。

次に、膜部形成工程が行われる（ステップＳ２３）。接続電極形成工程では、図８（ｅ）に示すように、リッドウェハＬＷ上にスパッタリング法または蒸着法によってチタン薄膜が５ｎｍ〜１００ｎｍ程度に形成され、更にこのチタン薄膜上にスパッタリング法または蒸着法によって金薄膜が２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に形成されることで、積層金属膜Ｌ６が形成される。次に、積層金属膜Ｌ６のパターニングが行われる（ステップＳ２４）。積層金属膜Ｌ６のパターニングは、例えばフォトリソグラフィ法及びエッチングにより行われる。先ず、積層金属膜Ｌ６の表面にレジストが塗布され、マスクを介した露光及び現像によりレジストパターン（図示せず）が形成される。次に、積層金属膜Ｌ６の一部がレジストパターンを介してエッチングにより除去される。これにより、図８（ｆ）に示すように、凹部１６０ｅが設けられた部分に膜部２６２が配置されると共に、電極層１６０ｇの端面上に膜部２６２が形成される。これにより、電極層１６０ｇと膜部２６２とが接続される。その後、内部空間用凹部形成工程が行われる（ステップＳ２５）。内部空間用凹部形成工程では、リッドウェハＬＷの表面（−Ｙ側）側にドライエッチングを行うことにより、図８（ｇ）に示すように、内部空間用凹部１６０ｄが形成される。

続いて、接合工程が行われる。接合工程では、図９（ｈ）に示すように、端面２３３ａ、２４３ａ、１５４ａとリッドウェハＬＷとが接合される。これにより、膜部２６２が電極２３０、２４０に電気的に接続されると共に、素子部１２０及び電極２３０、２４０を含んだ内部空間１７０が形成される。また、この熱処理により電極層１６０ｇが熱膨張し、−Ｙ側（内部空間１７０側）に突出するが、電極層１６０ｇの端面がリッドウェハＬＷの内側に配置されるため、この部分に形成される膜部２６２と第２構造層２３４、２４４との間に隙間が形成される。このため、電極層１６０ｇの端面上の膜部２６２が第２構造層２３４、２４４に接合されるのを防ぐことができる。

次に、貫通電極露出工程が行われる。貫通電極露出工程では、バックグラインドによってリッドウェハＬＷの外部側表面が研削され、電極層１６０ｇの＋Ｙ側の端面が露出する。これにより、図９（ｉ）に示すように、電極層１６０ｇが貫通電極２０１、２０２として形成される。なお、貫通電極露出工程は、上記の貫通電極形成工程に含めることができる。

次に、外部電極形成工程が行われる。外部電極形成工程では、まず図９（ｊ）に示すように、例えばスパッタリング法または蒸着法によって電極層Ｌ７が形成される。その後、図９（ｋ）に示すように、例えばフォトリソグラフィ法及びエッチングによって電極層Ｌ７がパターニングされ、貫通電極２０１、２０２に平面視で重なる領域に外部電極２０３、２０４が形成される。これにより、貫通電極２０１、２０２と外部電極２０３、２０４とが電気的に接続される。

続いて、接合された状態のベースウェハＢＷあるいはリッドウェハＬＷ上に予め設定されたスクライブライン（図示せず）に沿って切断されることにより個別化され、ＭＥＭＳデバイス２００が完成する。

上記構成において、貫通電極２０１、２０２の端面２０１ａ、２０２ａが基板側表面２６０ａと面一状態に形成されると、ＭＥＭＳデバイス２００の製造においてウェハ同士を接合して加熱処理を行う際に、リッドウェハＬＷに形成される貫通電極２０１、２０２が熱膨張して内部空間１７０側に突出し、この状態でベースウェハＢＷ側の電極２３０、２４０に接触して接合されることがある。この場合、各ウェハが常温に戻る際に貫通電極２０１、２０２が収縮し、内部空間１７０側に突出していた部分がリッドウェハＬＷ内に引っ込むことにより、電極２３０、２４０がリッドウェハＬＷ側に引っ張られ、変形したり破損したりするといった不具合が生じるおそれがある。

一方、本実施形態では、端面２０１ａ、２０２ａ上に形成される膜部２６２と電極２３０、２４０との間に空間が形成されるため、貫通電極２０１、２０２が熱膨張によって内部空間１７０側に突出した場合であっても、貫通電極２０１、２０２と電極２３０、２４０との接触を回避することができる。これにより、貫通電極２０１、２０２の熱膨張及び収縮による影響を防ぐことができるため、基板１１０側の変形や破損を防ぐことが可能となる。

以上、実施形態について説明したが、本発明は、上記した説明に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。例えば、上記した各実施形態においては、ＭＥＭＳデバイスとして振動子を例にとって説明しているが、これに限定されず、例えば、発信器、ＳＡＷデバイス、あるいは加速度センサ等の各種センサなどであってもよい。

また、上記のＭＥＭＳデバイスでは、凹部１６０ｅが溝状に形成された構成を例に挙げて説明したが、これに限定するものではない。例えば、図１０（ａ）に示すように、正方形状の凹部１６０ｈを有する構成であってもよい。また、図１０（ｂ）に示すように、六角形状の凹部１６０ｉを有する構成であってもよい。なお、凹部１６０ｈ、１６０ｉは、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すような最密構造に配置された構成に限定されず、他の配置であってもよい。また、正方形及び六角形以外の他の多角形（例、三角形など）であってもよいし、円形、楕円形などであってもよい。また、複数の凹部として、異なる形状の凹部が含まれてもよい。また、不規則な形状の粗面であってもよい。

また、上記のＭＥＭＳデバイスでは、蓋部の第１部分に形成される膜部と、第２部分に形成される膜部とが別個に設けられた構成を例に挙げて説明したが、これに限定するものではない。
図１１は、変形例に係るＭＥＭＳデバイス１００Ａの一例を示す断面図である。例えば図１１に示すＭＥＭＳデバイス１００Ａのように、蓋部１６０Ａの基板側表面１６０Ａａの全面に膜部１６３が形成されてもよい。膜部１６３は、吸着層１６３ａ及び被覆層１６３ｂを有している。吸着層１６３ａ及び被覆層１６３ｂの材質、層厚などの構成は、上記第１実施形態の吸着層１６１ａ、１６２ａ及び被覆層１６１ｂ、１６２ｂの構成と同様である。この場合、図１１に示すように内部空間用凹部１６０ｄの側部及び底部を含む領域にも膜部１６３が形成されてもよい。また、基板側表面１６０Ａａの全面に膜部１６３が形成される場合、電極１３０、１４０と膜部１６３とが接触しないように、第２構造層１３３、１４３と膜部１６３との間に間隔を設けるようにする。そして、電極１３０、１４０に接続される配線を基板１１０側に形成し、基板１１０側から外部に接続する構成とすればよい。

また、上記のＭＥＭＳデバイスでは、蓋部（ベースウェハＢＷ）と接合部（リッドウェハＬＷ）とが共晶接合によって接合される構成を例に挙げて説明したが、これに限定するものではない。例えば、接合部の接合面に金属薄膜を形成しておき、蓋部と接合部とを金属接合によって接合してもよい。

また、上記のＭＥＭＳデバイスは、可動部１２１をＸ方向に挟む位置に２つの電極（例えば、電極１３０、１４０など）が配置される構成を例に挙げて説明したが、これに限定するものではない。例えば、上記の２つの電極に加えて、可動部１２１をＺ方向に挟む位置に２つの電極が追加された構成としてもよい。この場合、４つの電極が設けられた構成となり、例えば可動部１２１の振動モードがワイングラスモードとなる。

また、上記したＭＥＭＳデバイスの製造方法においては、ベースウェハＢＷにリッドウェハＬＷを接合した後に切断して個別化したＭＥＭＳデバイスが製造されているが、これに限定されない。例えば、予めベースウェハＢＷを個別化して基板１１０を形成し、次いで、この基板１１０上において、ＭＥＭＳ技術により素子部１２０や接合部１５０を形成させ、その後、予めリッドウェハＬＷを個別化して形成された蓋部を接合させてもよい。

Ｌ７…積層金属膜
１００、１００Ａ、２００…ＭＥＭＳデバイス
１１０…基板
１１３…窒化物層
１２０…素子部
１２１…可動部
１３０、１４０…電極
１５０…接合部
１３１、１４１、１５１、Ｌ１…第１犠牲層
１３２、１４２、１５２、Ｌ２…第１構造層
１５３、２３３、Ｌ３…第２犠牲層
１３３、１４３、１５４、２３４、Ｌ５…第２構造層
１５４ａ…接合面
１６０、２６０、３６０…蓋部
１６０ａ、１６０Ａａ、２６０ａ…基板側表面
１６０ｂ…第１部分
１６０ｃ…第２部分
１６０ｄ…内部空間用凹部
１６０ｅ、１６０ｈ、１６０ｉ…凹部
１６１、１６２、２６２…膜部
１６１ａ、１６２ａ、２６１ａ、２６２ａ…吸着層
１６１ｂ、１６２ｂ、２６１ｂ、２６２ｂ…被覆層
１７０…内部空間
２０１、２０２…貫通電極
２０１ａ、２０２ａ…端面

Claims (10)

1. 基板と、前記基板上に設けられかつ可動部を有する素子部と、前記基板上に設けられて前記素子部を囲む接合部と、基板側表面の一部が前記接合部に接合されて前記素子部を含んだ内部空間を形成する蓋部と、を有するＭＥＭＳデバイスであって、
   前記蓋部は、前記基板側表面のうち前記内部空間に面した部分に複数の凹部を有し、
   前記基板側表面のうち、少なくとも前記複数の凹部を含む部分に膜部を備え、
   前記膜部は、前記蓋部上に設けられて前記内部空間のガスを吸着する吸着層と、前記吸着層を覆うように設けられた被覆層と、を有するＭＥＭＳデバイス。
2. 前記凹部は、溝状または平面視において多角形状に形成される請求項１記載のＭＥＭＳデバイス。
3. 前記蓋部は、前記素子部に対向する部分に内部空間用凹部を備える請求項１または請求項２記載のＭＥＭＳデバイス。
4. 前記膜部は、前記基板側表面の全面に形成される請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイス。
5. 前記接合部に接合する部分に前記蓋部を貫通する貫通電極を有し、
   前記膜部は、前記基板側表面のうち前記貫通電極を含む部分に形成され、
   前記貫通電極は、前記膜部を介して前記接合部と電気的に接続される請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイス。
6. 前記貫通電極は、前記基板側の端面が前記蓋部の内側に配置され、
   前記膜部は、前記端面を含んで形成される請求項５記載のＭＥＭＳデバイス。
7. 基板と、前記基板上に設けられかつ可動部を有する素子部と、前記基板上に設けられて前記素子部を囲む接合部と、基板側表面の一部が前記接合部に接合されて前記素子部を含んだ内部空間を形成する蓋部と、を有するＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
   前記基板上に、多結晶シリコンから形成された構造層と、シリコン酸化膜から形成された犠牲層と、を積層する積層工程と、
   前記構造層及び前記犠牲層の一部または全部を除去して前記素子部及び前記接合部を形成する構造体形成工程と、
   前記蓋部の前記基板側表面に、複数の凹部を形成する凹部形成工程と、
   前記蓋部の前記基板側表面のうち、少なくとも前記複数の凹部を含む部分に、前記内部空間のガスを吸着する吸着層と、前記吸着層を覆う被覆層とを備える膜部を形成する膜部形成工程と、
   前記膜部のうち前記被覆層に前記接合部を接合する接合工程と、を含むＭＥＭＳデバイスの製造方法。
8. 前記膜部形成工程に先立って、前記蓋部を貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を含み、
   前記膜部形成工程は、前記貫通電極を含む部分に前記膜部を形成する請求項７記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
9. 前記貫通電極形成工程は、前記蓋部の前記基板側表面から反対側の面に向けて非貫通状態の孔部を形成し、メッキ法により前記孔部に電極材料を充填し、前記蓋部のうち前記基板側表面と反対側の表面を研磨して前記電極材料を露出させることにより行う請求項８記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
10. 前記貫通電極形成工程の後、前記膜部形成工程に先立って、前記貫通電極のうち前記基板側の一部を除去する工程を含む請求項８または請求項９記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。

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