JP5270104B2 - マイクロ電子コンポジット特にmemsの密閉キャビティ内の被包構造 - Google Patents
マイクロ電子コンポジット特にmemsの密閉キャビティ内の被包構造 Download PDFInfo
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Description
本発明は特に、制御された廉価のキャビティの使用を可能とするMEMSであって、その中に具備され結合するコンポーネントの性能を損なうことのないMEMSを製造する方法に関するものである。
本発明はまた、この方法による特徴的な仲介素子に関するものである。
・十分に制御された従来のSDB結合による良好な製品歩留まり、
・高品質機械的強度及び密封性を保証するSDB結合の使用による高信頼性、
・特にシリコンの熱膨張係数に匹敵する熱膨張係数を有するガラス充填物(フィリング)58を用いた、被包センサ22上の高パフォーマンス、
・外部に対して、キャビティ38内にさらにMEMS構造22の隔離性能を向上させる一時的保護層62の使用による、ゲッター60の可能な含有。
12 ベース層
14 上部層
16 犠牲層
18 SiO2層
20 SiN層
22 MEMS
30 カバー
32 基板
38 キャビティ
40 ベント
42 膜
44 連通部
Claims (17)
- 密閉キャビティ(38)内にマイクロ−エレクトロ−メカニカルシステム(MEMS)を備えたマイクロ電子装置を製造する方法であって:
−ベース層(12)と犠牲中間層(16)と上部層(14)とを備えた基板(10)を準備する段階と、
−前記上部層(14)においてMEMS構造を機械加工して中間層(16)まで延びた機械加工部(24)を形成する段階と、
−被包カバー(30)を準備し、該被包カバー(30)内にキャビティ(38)を形成
する段階と、
−前記カバー(30)及び前記基板(10)の前記ベース層の何れか一方又は両方に前記キャビティ(38)に開放する少なくとも一のベント(40)を形成する段階と、
−前記MEMS構造(22)を前記キャビティ(38)内に配置して、前記基板(10)と前記カバー(30)とを結合する段階と、
−前記犠牲層(16)のベント(40)を介したHF気相エッチングによってMEMS構造(22)をリリースする段階と、
−前記ベント(40)を閉じるために、前記ベント(40)に材料を充填する段階と、を備えた方法。 - 密閉キャビティ(38)内にマイクロ−エレクトロ−メカニカルシステム(MEMS)を備えたマイクロ電子装置を製造する方法であって:
−ベース層(12)と犠牲中間層(16)と上部層(14)とを備えた基板(10)を準備する段階と、
−前記上部層(14)にキャビティ(38)を形成し、次いでキャビティ(38)及び上部層(14)に中間層(16)までMEMS構造(22)のスロット(24)を形成する段階と、
−カバー(30)を準備する段階と、
−前記カバー(30)及び前記基板(10)の前記ベース層の何れか一方又は両方に前記キャビティ(38)に開放する少なくとも一のベント(40)を形成する段階と、
−前記基板(10)と前記カバー(30)とを結合する段階と、
−前記ベント(40)を介した前記犠牲層(16)のエッチングによってMEMS構造(22)をリリースする段階と、
−前記ベント(40)を閉じるために、前記ベント(40)に材料を充填する段階と、を備えた方法。 - 前記MEMS構造(22)のリリースをHF気相によって実施する請求項2に記載の方法。
- 前記基板(10)の前記上部層(14)及び前記カバー(30)はシリコンからなる請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記カバー(30)と前記基板(10)との間の結合はシリコン直接結合(SDB)によって実施される請求項4に記載の方法。
- 結合前に、接触することになる前記カバー(30)の面と前記基板の面とを湿式工程によって処理する請求項5に記載の方法。
- 前記ベント(40)の充填は、制御された雰囲気においてキャビティ(38)の配備と共に行う請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記充填を、ガラス又は燐酸シリケートの堆積を用いて実施する請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記充填は、金属層(52)を堆積し、次いで金属ビード(56)を溶融することによって行う請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記結合前に、前記カバー(30)上にゲッター層(60)を堆積する段階をさらに備えた請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ゲッター層(60)上に保護層(62)を堆積する段階をさらに備えた請求項10に記載の方法。
- 前記MEMS構造(22)のリリース後に前記保護層(62)を除去する段階を備えた請求項11に記載の方法。
- 前記結合前に、前記ベース層(12)におけるコンタクト(26)のためのキャビティを形成する段階をさらに備えた請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記コンタクトキャビティ(26)は前記中間層(16)で遮断され、結合後に前記中間層(16)を除去することによってコンタクト(26)を開放する段階をさらに備えた請求項13に記載の方法。
- MEMS構造(22)のリリース後に前記コンタクトキャビティ(26)の金属被覆を行う段階を備えた請求項13又は14のいずれかに記載の方法。
- 結合前に、前記MEMS構造(22)をプレリリースする段階をさらに備えた請求項1から15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記プレリリース段階は、予備エッチングによって、又は、湿式エッチングによって実施する請求項16に記載の方法。
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