JPH05157622A - 熱型赤外線センサ - Google Patents
熱型赤外線センサInfo
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- JPH05157622A JPH05157622A JP3343964A JP34396491A JPH05157622A JP H05157622 A JPH05157622 A JP H05157622A JP 3343964 A JP3343964 A JP 3343964A JP 34396491 A JP34396491 A JP 34396491A JP H05157622 A JPH05157622 A JP H05157622A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置の大型化を避け、小型、軽量で製造の容
易な熱型赤外線センサを提供する。 【構成】 基板1と熱型赤外線素子を配設した基板5と
を接合する。この2枚の基板1,5の内部接合領域に真
空空間部2を形成し、この真空空間部2内に熱型赤外線
素子を収容して真空封止する。
易な熱型赤外線センサを提供する。 【構成】 基板1と熱型赤外線素子を配設した基板5と
を接合する。この2枚の基板1,5の内部接合領域に真
空空間部2を形成し、この真空空間部2内に熱型赤外線
素子を収容して真空封止する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は小型、軽量の熱型赤外線
センサに関するものである。
センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4には従来の熱型赤外線センサの主要
構成の説明図が示されている。同図において、基台13に
はステンレス等により形成された缶ケース11が被さって
おり、基台13と缶ケース11とがハーメチックシール等の
技術により真空封止されている。この真空によって赤外
線吸収体から空気への移動を防ぎ、赤外線検出部の温度
を効率よく上昇させている。このケース11内には基台13
上にシリコン等の基板12が設けられ、この基板12の上面
には蒸着、スパッタ等により窒化膜の絶縁基板14が形成
されている。この窒化膜の絶縁基板14上の中央部には金
黒等の金属からなる赤外線吸収体20が設けられている。
この赤外線吸収体20の周りには例えば複数の熱電対15が
配設されており、この熱電対15は信号取り出し電極16に
接続されている。この信号取り出し電極16はボンデング
ワイヤ17を介して外部端子18に接続されて、ケース11の
外側に引き出されている。また、ケース11の天井中央部
には赤外線吸収体20の対向位置に外部から人体の赤外線
を入射するための赤外線透過窓19が設けられている。
構成の説明図が示されている。同図において、基台13に
はステンレス等により形成された缶ケース11が被さって
おり、基台13と缶ケース11とがハーメチックシール等の
技術により真空封止されている。この真空によって赤外
線吸収体から空気への移動を防ぎ、赤外線検出部の温度
を効率よく上昇させている。このケース11内には基台13
上にシリコン等の基板12が設けられ、この基板12の上面
には蒸着、スパッタ等により窒化膜の絶縁基板14が形成
されている。この窒化膜の絶縁基板14上の中央部には金
黒等の金属からなる赤外線吸収体20が設けられている。
この赤外線吸収体20の周りには例えば複数の熱電対15が
配設されており、この熱電対15は信号取り出し電極16に
接続されている。この信号取り出し電極16はボンデング
ワイヤ17を介して外部端子18に接続されて、ケース11の
外側に引き出されている。また、ケース11の天井中央部
には赤外線吸収体20の対向位置に外部から人体の赤外線
を入射するための赤外線透過窓19が設けられている。
【0003】上記構成の赤外線センサにおいて、前記缶
ケース11の赤外線透過窓19から、例えば、人体の赤外線
が入射すると、この赤外線を赤外線吸収体20が受けて、
その赤外線を熱エネルギに変換し、間隔21を介して熱電
対15に伝達する。このとき、缶ケース11内は真空封止さ
れているので、赤外線吸収体20からの熱エネルギは空気
への移動を防ぎ、効率よく熱電対15に伝達される。この
熱エネルギを受けた熱電対15はこの熱エネルギを電気信
号に変換し、この電気信号を赤外線検知信号として電極
16から外部端子18を経て外部へ出力する。
ケース11の赤外線透過窓19から、例えば、人体の赤外線
が入射すると、この赤外線を赤外線吸収体20が受けて、
その赤外線を熱エネルギに変換し、間隔21を介して熱電
対15に伝達する。このとき、缶ケース11内は真空封止さ
れているので、赤外線吸収体20からの熱エネルギは空気
への移動を防ぎ、効率よく熱電対15に伝達される。この
熱エネルギを受けた熱電対15はこの熱エネルギを電気信
号に変換し、この電気信号を赤外線検知信号として電極
16から外部端子18を経て外部へ出力する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の熱型赤外線センサは、熱型赤外線センサ素子を缶ケ
ース11内に収容して真空封止しているため、どうしても
大型になってしまうという問題があった。
来の熱型赤外線センサは、熱型赤外線センサ素子を缶ケ
ース11内に収容して真空封止しているため、どうしても
大型になってしまうという問題があった。
【0005】また、熱型赤外線素子を缶ケース11内に収
容して真空封止する作業はハーメチックシールによって
行っているため、その作業は極めて面倒で効率が悪いも
のであった。
容して真空封止する作業はハーメチックシールによって
行っているため、その作業は極めて面倒で効率が悪いも
のであった。
【0006】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、その目的は、装置の大型化を避け、小型、
軽量で製造の容易な熱型赤外線センサを提供することに
ある。
ものであり、その目的は、装置の大型化を避け、小型、
軽量で製造の容易な熱型赤外線センサを提供することに
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明の熱型赤外線センサは、2枚の基板を接合してなる
その内部接合領域に真空空間部が形成され、この真空空
間部に赤外線を検出する熱型赤外線素子を配設したこと
を特徴として構成されている。
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明の熱型赤外線センサは、2枚の基板を接合してなる
その内部接合領域に真空空間部が形成され、この真空空
間部に赤外線を検出する熱型赤外線素子を配設したこと
を特徴として構成されている。
【0008】
【作用】2枚の基板を接合し、この両基板の内部接合領
域に真空空間部を形成し、この真空空間部に熱型赤外線
素子を収容して真空封止する。
域に真空空間部を形成し、この真空空間部に熱型赤外線
素子を収容して真空封止する。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1には本実施例に係る熱型赤外線センサの主要
部構成の説明図が示されている。同図において、下部基
板5の中央部にはシリコンの異方性エッチングによって
孔7が形成され、この孔7を除く下部基板5の上面には
窒化膜等の絶縁基板(メンブレム)8が形成されてい
る。このメンブレム8上には図3に示すように熱型赤外
線素子25(赤外線吸収体20や熱電対6等)が形成されて
いる。そして熱電対6の両端は電気信号の取り出し電極
10と接続されている。
する。図1には本実施例に係る熱型赤外線センサの主要
部構成の説明図が示されている。同図において、下部基
板5の中央部にはシリコンの異方性エッチングによって
孔7が形成され、この孔7を除く下部基板5の上面には
窒化膜等の絶縁基板(メンブレム)8が形成されてい
る。このメンブレム8上には図3に示すように熱型赤外
線素子25(赤外線吸収体20や熱電対6等)が形成されて
いる。そして熱電対6の両端は電気信号の取り出し電極
10と接続されている。
【0010】また、上部基板1には図1および図2に示
すようにシリコンの異方性エッチングによって空間部2
と上部孔3とが形成されている。なお、この空間部2の
深さは、例えば、熱電対等のサーモパイルパターンの高
さよりは0.1μm〜1μm程度深くし、また、上面から
の孔3は裏側に貫通されている。上記構成の上部基板1
と下部基板5の対向面には低融点ガラス4が塗布あるい
は介設され、この低融点ガラス4の陽極接合(加熱、電
圧印加等)によって両基板1,5が接合されている。こ
の両基板1,5は真空槽内に収容され、真空蒸着等によ
って基板1の上部孔3を蒸着膜9で塞ぎ、この蒸着膜9
と電極10とが接続される。この上部孔3から基板1の端
縁部にかけて、さらに蒸着膜9が伸張形成され、この伸
張形成部26は電気信号の取り出しリードとして機能させ
ている。また、基板1の上面は赤外線透過部22となって
いる。この真空蒸着の作業は真空槽内で行われるので、
この蒸着時に空間部2は真空空間となり、この状態で上
部孔3が塞がれることによって空間部2は真空封止さ
れ、この真空空間部2内に熱型赤外線素子25が収容され
た状態となる。上記構成の熱型赤外線センサにおいて、
基板1の赤外線透過部22から人体の赤外線が入射する
と、この赤外線を赤外線吸収体20が受けて熱エネルギに
変換し、熱電対6に伝達する。そして従来例と同様に熱
電対6はこの熱を電気信号に変換し、この電気信号を赤
外線検知信号として電極10から蒸着膜9の伸張形成部26
を経て外部へ出力する。
すようにシリコンの異方性エッチングによって空間部2
と上部孔3とが形成されている。なお、この空間部2の
深さは、例えば、熱電対等のサーモパイルパターンの高
さよりは0.1μm〜1μm程度深くし、また、上面から
の孔3は裏側に貫通されている。上記構成の上部基板1
と下部基板5の対向面には低融点ガラス4が塗布あるい
は介設され、この低融点ガラス4の陽極接合(加熱、電
圧印加等)によって両基板1,5が接合されている。こ
の両基板1,5は真空槽内に収容され、真空蒸着等によ
って基板1の上部孔3を蒸着膜9で塞ぎ、この蒸着膜9
と電極10とが接続される。この上部孔3から基板1の端
縁部にかけて、さらに蒸着膜9が伸張形成され、この伸
張形成部26は電気信号の取り出しリードとして機能させ
ている。また、基板1の上面は赤外線透過部22となって
いる。この真空蒸着の作業は真空槽内で行われるので、
この蒸着時に空間部2は真空空間となり、この状態で上
部孔3が塞がれることによって空間部2は真空封止さ
れ、この真空空間部2内に熱型赤外線素子25が収容され
た状態となる。上記構成の熱型赤外線センサにおいて、
基板1の赤外線透過部22から人体の赤外線が入射する
と、この赤外線を赤外線吸収体20が受けて熱エネルギに
変換し、熱電対6に伝達する。そして従来例と同様に熱
電対6はこの熱を電気信号に変換し、この電気信号を赤
外線検知信号として電極10から蒸着膜9の伸張形成部26
を経て外部へ出力する。
【0011】この実施例によれば、2枚の基板1,5を
接合し、その内部接合領域の真空空間部2に熱型赤外線
素子25を収容して真空封止したので、従来のように熱型
赤外線素子25を缶ケース11内に収容して真空封止する必
要がなく、缶ケース11が不要のため、極めて小型、軽量
の熱型赤外線センサを得ることができる。また、2枚の
基板1,5を低融点ガラス4で陽極接合したので、従来
のように缶ケース11をハーメチックシールするような面
倒な作業がなくなり、作業効率が大幅にアップする。
接合し、その内部接合領域の真空空間部2に熱型赤外線
素子25を収容して真空封止したので、従来のように熱型
赤外線素子25を缶ケース11内に収容して真空封止する必
要がなく、缶ケース11が不要のため、極めて小型、軽量
の熱型赤外線センサを得ることができる。また、2枚の
基板1,5を低融点ガラス4で陽極接合したので、従来
のように缶ケース11をハーメチックシールするような面
倒な作業がなくなり、作業効率が大幅にアップする。
【0012】さらに、この実施例によれば、上部基板1
の上面と電極10とを金属の蒸着膜9で接続し、この蒸着
膜9に電気信号の取り出しリードの機能を持たせたの
で、この蒸着膜9を利用して、チップ部品等と同様にフ
ロー、リフロー方式による表面実装方式の素子組み込み
作業が可能となる。
の上面と電極10とを金属の蒸着膜9で接続し、この蒸着
膜9に電気信号の取り出しリードの機能を持たせたの
で、この蒸着膜9を利用して、チップ部品等と同様にフ
ロー、リフロー方式による表面実装方式の素子組み込み
作業が可能となる。
【0013】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、本実
施例では熱型赤外線センサ素子をサーモパイルで説明し
たが、これをサーモパイルの代わりにサーミスタボロメ
ータ(サーミスタを薄膜化した熱電素子)や焦電型赤外
線センサとしてもよい。
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、本実
施例では熱型赤外線センサ素子をサーモパイルで説明し
たが、これをサーモパイルの代わりにサーミスタボロメ
ータ(サーミスタを薄膜化した熱電素子)や焦電型赤外
線センサとしてもよい。
【0014】また、本実施例では、下部基板5に孔7を
設けたが、この孔7は形成しなくてもよい。
設けたが、この孔7は形成しなくてもよい。
【0015】さらに、本実施例では上部基板1の上部孔
3を蒸着膜9で塞ぎ、この蒸着膜9と電極10を接続して
蒸着膜9に電気信号の取り出しリードの機能を持たせた
が、上部孔3を絶縁材で塞ぎ、電気信号の取り出しリー
ドは電極10から別のルートを経て取り出してもよい。
3を蒸着膜9で塞ぎ、この蒸着膜9と電極10を接続して
蒸着膜9に電気信号の取り出しリードの機能を持たせた
が、上部孔3を絶縁材で塞ぎ、電気信号の取り出しリー
ドは電極10から別のルートを経て取り出してもよい。
【0016】
【発明の効果】2枚の基板を接合し、その内部接合領域
の真空空間部に熱型赤外線素子を収容して真空封止した
ので、熱型赤外線素子を缶ケースに収容して真空封止す
る必要がなくなり、極めて小型、軽量の熱型赤外線セン
サを得ることができる。
の真空空間部に熱型赤外線素子を収容して真空封止した
ので、熱型赤外線素子を缶ケースに収容して真空封止す
る必要がなくなり、極めて小型、軽量の熱型赤外線セン
サを得ることができる。
【0017】また、従来のように缶ケースをハーメチッ
クシールするような面倒な作業がなくなり、作業効率が
大幅にアップする。
クシールするような面倒な作業がなくなり、作業効率が
大幅にアップする。
【図1】本実施例に係る熱型赤外線センサの主要構成の
説明図である。
説明図である。
【図2】同熱型赤外線センサの上部基板の平面図であ
る。
る。
【図3】同熱型赤外線センサの下部基板の平面図であ
る。
る。
【図4】従来の熱型赤外線センサの主要構成の説明図で
ある。
ある。
1 上部基板 2 真空空間部 4 低融点ガラス 5 下部基板 6 熱電対 9 蒸着膜 10 電極
Claims (1)
- 【請求項1】 2枚の基板を接合してなるその内部接合
領域に真空空間部が形成され、この真空空間部に赤外線
を検出する熱型赤外線素子を配設した熱型赤外線セン
サ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3343964A JPH05157622A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 熱型赤外線センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3343964A JPH05157622A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 熱型赤外線センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05157622A true JPH05157622A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18365603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3343964A Pending JPH05157622A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 熱型赤外線センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05157622A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0581666U (ja) * | 1992-03-31 | 1993-11-05 | シチズン時計株式会社 | チップ型赤外線センサ |
JPH11191644A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検知素子 |
US6924485B2 (en) | 2001-10-01 | 2005-08-02 | Nec Corporation | Infrared ray detector having a vacuum encapsulation structure |
FR2898597A1 (fr) * | 2006-03-16 | 2007-09-21 | Commissariat Energie Atomique | Encapsulation dans une cavite hermetique d'un compose microelectronique, notamment d'un mems |
JP2008544263A (ja) * | 2005-06-27 | 2008-12-04 | エイチエル−プラナー・テクニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電磁波検出用装置及びそのような装置製造のための方法 |
JP2010080967A (ja) * | 1998-03-31 | 2010-04-08 | Honeywell Internatl Inc | 密封されたチャンバを有するウエハ対を製造する方法 |
-
1991
- 1991-12-02 JP JP3343964A patent/JPH05157622A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0581666U (ja) * | 1992-03-31 | 1993-11-05 | シチズン時計株式会社 | チップ型赤外線センサ |
JPH11191644A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検知素子 |
JP2010080967A (ja) * | 1998-03-31 | 2010-04-08 | Honeywell Internatl Inc | 密封されたチャンバを有するウエハ対を製造する方法 |
JP2014179608A (ja) * | 1998-03-31 | 2014-09-25 | Honeywell Internatl Inc | 栓がされ密封されたチャンバを有するウエハー対を製造する方法 |
US6924485B2 (en) | 2001-10-01 | 2005-08-02 | Nec Corporation | Infrared ray detector having a vacuum encapsulation structure |
JP2008544263A (ja) * | 2005-06-27 | 2008-12-04 | エイチエル−プラナー・テクニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電磁波検出用装置及びそのような装置製造のための方法 |
FR2898597A1 (fr) * | 2006-03-16 | 2007-09-21 | Commissariat Energie Atomique | Encapsulation dans une cavite hermetique d'un compose microelectronique, notamment d'un mems |
EP1834924A3 (fr) * | 2006-03-16 | 2008-12-03 | Commissariat A L'energie Atomique | Encapsulation dans une cavité hermétique d'un compose microélectronique, notamment d'un MEMS |
US7723141B2 (en) | 2006-03-16 | 2010-05-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Encapsulation in a hermetic cavity of a microelectronic composite, particularly of a MEMS |
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