WO2006057191A1 - 赤外線検出装置 - Google Patents

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WO2006057191A1 PCT/JP2005/021098 JP2005021098W WO2006057191A1 WO 2006057191 A1 WO2006057191 A1 WO 2006057191A1 JP 2005021098 W JP2005021098 W JP 2005021098W WO 2006057191 A1 WO2006057191 A1 WO 2006057191A1
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infrared detection
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Katsumi Shibayama
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Hamamatsu Photonics K.K.
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Definitions

  • the present invention relates to an infrared detection device, and more particularly to a thermal infrared detection device such as a porometer, a thermometer, a pyroelectric sensor, a diode method, and a bimetal method.
  • a thermal infrared detection device such as a porometer, a thermometer, a pyroelectric sensor, a diode method, and a bimetal method.
  • thermopile pyroelectric sensor
  • diode type diode type
  • bimetal type one described in Patent Document 1
  • an infrared light receiving window is disposed with a gap on the front surface of a light receiving portion formed on a silicon substrate, and the light receiving window is an adhesive surface in a range surrounding the light receiving portion.
  • This is a structure in which the inside of the gap is evacuated by being hermetically bonded to each other.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 09-243449
  • An object of the present invention is to provide an infrared detection device that can be easily and reliably mounted in various applications that are resistant to mechanical shocks. .
  • An infrared detection device includes an infrared detection chip in which an infrared light receiving portion and a signal input / output terminal connected thereto are formed on a silicon substrate, and is fixed to the light receiving side of the infrared detection chip.
  • a light receiving window chip that exposes the signal input / output terminals and forms a sealed space for accommodating the light receiving unit, and transmits at least infrared light to be detected; and an infrared detector.
  • a base member having a mounting surface for mounting an output chip, and an internal lead terminal provided in the vicinity of the mounting surface; a bonding wire for electrically connecting the signal input / output terminal and the internal lead terminal;
  • a coating member in which at least a signal input / output terminal, an internal lead terminal, and a bonding wire are taken into the interior, and a resin is injected and cured so as to cover at least the infrared detection chip side of the side surface of the light receiving window chip; It is characterized by providing.
  • the infrared detection device since the portion that is susceptible to mechanical impact such as a bonding wire is taken into the inside of the covering member, the infrared detection device has high impact resistance and can be mounted on various devices. Can be implemented easily and reliably.
  • the coating member covers the side surface of the silicon substrate, the thermal capacity of the silicon substrate is increased and the influence of external forces that can include the side force of the silicon substrate is shut off.
  • the sensitivity as a sensor can be increased in the outside line detection device. If the infrared detector according to the present invention is picked up with a pyramid collet, the suction part of the collet comes into contact with the covering member of the infrared detector, so that the suction part directly forms the light receiving window chip. Since the upper surface is not touched, damage due to contact with the suction portion can be prevented, which can contribute to an improvement in process yield.
  • a spacer may be interposed between the infrared detection chip and the light receiving window chip so as to surround the sealed space.
  • the sealed space between the infrared detection chip and the light receiving window chip is increased by the thickness of the spacer, and the thermal insulation of the infrared light receiving section is enhanced, thereby improving the sensitivity of the infrared detection device.
  • the spacer plays a role in blocking the flow of the resin in the step of injecting the resin to be a covering member. When the resin hardens while shrinking, the infrared detection chip and the light receiving window chip are attracted to each other. Adhesion increases.
  • the infrared detection device it is preferable that a recess is formed on the surface of the light receiving window chip on the sealed space side.
  • the capacity of the sealed space can be secured larger, and the heat insulating property of the infrared light receiving part is further increased, so that the sensitivity of the infrared ray detecting device can be further improved.
  • a sealed space can be secured, so that a decrease in sensitivity can be suppressed.
  • the base member has a substrate portion having a mounting surface on the upper surface and a top surface standing on the substrate portion so as to exceed the upper surface of the light receiving window chip. It is preferable that it is comprised including the wall plate part which was made. In this way, the wall plate portion that extends beyond the upper surface of the light receiving window chip is provided, so that, for example, when the infrared detecting device according to the present invention is picked up by a flat collet, the tip surface of the suction portion is the infrared detecting device It comes into contact with the top surface of the wall plate portion of the light receiving window, and does not directly contact the top surface of the light receiving window chip. For this reason, it is possible to prevent damage due to contact with the suction portion, and to contribute to the improvement of the process yield.
  • the internal lead terminal is electrically connected to an external lead terminal provided on the lower surface of the base member.
  • the external lead terminal is provided on the lower surface of the base member, mounting on a circuit board or the like can be performed easily and reliably.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of an infrared detection device according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is an explanatory view of the infrared detecting device according to the first embodiment as viewed from the side incident with infrared rays.
  • FIG. 3 is an explanatory view showing a method of manufacturing the infrared detection device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is an explanatory view showing a positional relationship between the infrared detecting device and the mounting collet according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of an infrared detection device according to a second embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration of an infrared detection device according to a third embodiment.
  • FIG. 7 is an explanatory view showing a method of manufacturing the infrared detection device according to the third embodiment.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram showing a positional relationship between an infrared detecting device and a mounting collet according to a third embodiment.
  • thermopile type infrared detection device which is a preferred embodiment of the present invention will be described in detail.
  • the same or equivalent components are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the infrared detection device according to the first embodiment
  • FIG. 2 is an explanatory view of the side force incident on the infrared ray.
  • the infrared detection device 1 includes a base member 10 that forms an envelope that accommodates the main functional parts of the device, and a substrate portion 11 that constitutes the base member 10.
  • An infrared detection chip 20 for detecting infrared rays mounted on the mounting surface 13 of the optical sensor, a light receiving window chip 30 provided on the infrared detection chip 20 for transmitting infrared rays, and an infrared detection chip Bonding wires 38 for connecting the 20 terminals and the base member 10 are provided.
  • What is characteristic of the present embodiment is that the surface from the upper surface of the light receiving window chip 30 is covered with a coating member 40 in which the resin is cured, and the bonding wire 38 is taken inside. It is to be included.
  • the base member 10 has a concave space having an upper opening, and is a rectangular and flat substrate having a mounting surface 13 for mounting the infrared detection chip 20 on the lower portion of the base member 10.
  • a portion 11 and a wall plate portion 14 erected on two vertical sides and two horizontal sides so as to surround the mounting surface 13 are configured.
  • a land type internal lead terminal 12 connected to a conductive part 15 passing through the board part 11 is provided, and this conductive part 15 is provided on the bottom surface of the base member 10. It is electrically connected to an external lead terminal 42 provided on the side opposite to the mounting surface 13.
  • the glass member 10 is made of glass epoxy (epoxy resin with a glass fiber sheet as the core) such as FR-4, FR-5, 0-10, etc., which resists heat dissipation when curing the resin.
  • glass epoxy epoxy resin with a glass fiber sheet as the core
  • other organic substrates and ceramic substrates may be used.
  • the infrared detection chip 20 is mounted on a mounting surface 13 set on the upper surface of the substrate portion 11 of the base member 10.
  • a thin diaphragm portion 22 is formed at the center of the upper surface of the silicon substrate 21.
  • a signal input / output terminal (electrode pad) 25 that is electrically connected by an aluminum wiring or the like is provided on the peripheral edge of the upper surface of the silicon substrate 21 in order to take out the electrical output signal obtained by the infrared light receiving unit 23.
  • RU signal input / output terminal
  • a method of forming the diaphragm portion 22 and the cavity portion 24 will be described.
  • a sacrificial layer (not shown) having the same isostatic force as that of the cavity 24 is formed on the upper surface of the silicon substrate 21, and a thin film to be the diaphragm 22 is formed thereon.
  • This thin film is provided with an etching hole (not shown) used when the sacrificial layer is etched.
  • an etching solution such as potassium hydroxide solution is infiltrated through this etching hole to etch the sacrificial layer isotropically, and then the silicon substrate 21 is removed by anisotropic etching.
  • a cavity 24 of an inverted trapezoidal pyramid for heat separation is formed in this removal portion.
  • the thin film portion covering the upper surface of the cavity portion 24 becomes the diaphragm portion 22.
  • the cavity 24 is used to thermally insulate the infrared light receiving unit 23 from below, and is filled with a vacuum state or an inert gas
  • the silicon substrate 21 is preferably formed of a (100) plane single crystal silicon substrate. In this way, since the upper surface of the silicon substrate 21 is the (100) plane and the vertical direction, which is the infrared incident direction, is easily etched, the cavity 24 can be easily formed. If the desired diaphragm 22 can be formed, the method and shape for forming the cavity 24 is not limited to this, and isotropic etching, that is, a surface other than the (100) plane wafer. You can use azimuth Ueno or SOI wafer!
  • the infrared light receiving unit 23 is provided with a number of thermocouple hot junctions (not shown) connected in series.
  • a thermocouple connects two types of metal in series to create two junction points.
  • This temperature sensor uses the principle of the “Seebeck effect” in which a thermoelectromotive force is generated when a temperature difference occurs between the two junction points (hot junction and cold junction).
  • polysilicon and aluminum form a hot junction (temperature junction) and a cold junction (reference junction), respectively, and the hot junction is disposed on the diaphragm 22.
  • the cold junction is disposed on the silicon substrate 21 and the thermoelectromotive force therebetween is measured.
  • the light receiving window chip 30 has a rectangular flat plate shape smaller than the infrared detection chip 20, and is positioned on the light receiving side (upper side) of the infrared ray detection chip 20 to expose the signal input / output terminal 25.
  • the signal input / output terminal 25 is electrically connected to the sealed space 34 side with an electric wiring such as aluminum.
  • the upper and lower surfaces of the electrical wiring located in the spacer 36 are electrically insulated.
  • the upper surface 30 a of the light receiving window chip 30 fixed on the infrared detection chip 20 via the spacer 36 is lower than the top surface 14 a of the wall plate portion 14.
  • the infrared detection chip 20 and the light receiving window chip 30 face each other through the spacer 36, thereby forming a sealed space 34 that accommodates the infrared light receiving unit 23.
  • the sealed space 34 functions as a heat insulating layer, and the cavity is connected through the etching hole formed in the cavity portion 24 and the diaphragm portion 22 of the infrared detection chip 20, and surrounds the infrared light reception portion 23 to form a heat separation structure.
  • the sensitivity of the thermocouple inside the infrared light receiving part 23 is improved, and the thermal separation degree of the infrared light receiving part 23 is increased.
  • the sealed space 34 has substantially the same pressure as the cavity portion 24 of the infrared detection chip 20 and is filled with a vacuum state or an inert gas because the infrared light receiving portion 23 is also thermally insulated from the surrounding force.
  • Spacer 36 is a process of injecting the resin to become the covering member 40, and serves to prevent the resin from flowing into the sealed space 34.
  • the injected resin is contracted and hardened to improve adhesion. Increases the effect.
  • Spacer 36 is made of resin such as epoxy, acrylic, urethane, polyimide, glass materials such as Pyrex (registered trademark) and low-melting glass, ceramics such as alumina and aluminum nitride, aluminum, gold, nickel, tungsten It may be a metal or alloy such as silicide, or a solder material such as gold tin.
  • the spacer 36 when a solder material is used as the spacer 36, adhesion is good if a metal film is formed on both surfaces of the silicon substrate 21 and the light receiving window chip 30 in advance. Also, it may be a stack of spacer materials to increase the height of the spacer 36.
  • the light receiving window chip 30 exhibits a function of transmitting light in a band including infrared rays to be detected, so that it is formed of an excellent silicon material having a transmission wavelength range of 1.5 to 20 m. Are preferred.
  • the infrared reflection preventing film 32 on both surfaces 30a and 30b of the light receiving window chip 30 to reduce the infrared reflection loss, and to increase the sensitivity of the infrared detection device 1 to the infrared rays. It can.
  • the antireflection film 32 can be easily formed by a known vapor deposition method, sputtering method, thermal oxidation method, or the like.
  • an infrared filter film that selectively transmits infrared light having a specific wavelength may be provided.
  • the bonding wire 38 includes the signal input / output terminal 25 exposed on the upper surface of the infrared detection chip 20 (the outer surface of the portion covered with the light receiving window chip 30), and the base member 10 It is spanned between the internal lead terminals 12 provided on the upper surface of the substrate portion 11 and electrically connected thereto. Inside the space formed by the base member 10 as an envelope, is below a predetermined distance from the upper surface 30a of the light receiving window chip 30 (in this embodiment, 0.2 mm below the upper surface 30a of the light receiving window chip 30). Filled with hardened resin to the side.
  • the bonding wire 38 which is a gold thin wire
  • the signal input / output terminal 25 and the internal lead terminal 12 to which the bonding wire 38 is connected are taken into the covering member.
  • the covering member 40 that not only improves the impact resistance and vibration resistance, but substantially increases the heat capacity of the infrared ray detection chip 20 and blocks the influence of heat from the outside. Also has the effect.
  • the resin used for the covering member 40 may be transparent or colored depending on whether a resin such as silicone, epoxy, acrylic, urethane, or a composite material filler is included.
  • Fig. 2 shows the case where transparent grease is used.
  • each infrared detecting device 1 is obtained by cutting into a square shape with a dicing saw or the like.
  • a base member array plate 100 is prepared in which internal lead terminals 12, external lead terminals 42, and conductive portions 15 for connecting them are formed in advance.
  • walls 102 are provided so as to cross each other at regular intervals in the vertical and horizontal directions, and a plurality of spaces partitioned by this (infrared detection chips 20 and light receiving window chips 30 are accommodated therein). And hereinafter referred to as a housing space).
  • the walls 102 surrounding the recesses arranged on the base member array plate 100 become the wall plate portions 14 when cut by the individual infrared detection devices 1.
  • a pre-fabricated bonded body 44 of the infrared detection chip 20, the spacer 36, and the light receiving window chip 30 is placed at a predetermined position on the mounting surface 13 and fixed with an adhesive or the like in the partitioned accommodation space. .
  • the signal input / output terminal 25 of the infrared detection chip 20 fixed in each accommodation space and the internal lead terminal 12 of the base member 10 are connected by a bonding wire 38.
  • silicone resin is injected into each housing space (see FIG. 3B). At this time, the silicone resin is injected to a position lower than the upper surface 30a (in this embodiment, 0.2 mm below the upper surface 30a of the light receiving window chip 30) so as not to flow to the upper surface 30a of the light receiving window chip 30.
  • the wall plates 14 are cut vertically and horizontally along the center line in the arrangement direction. As a result, a chip-shaped infrared detector 1 as shown in FIGS. 1 and 2 is obtained. For easy cutting, a forceful cut or slit may be made along the center line of the wall plate 14.
  • the infrared detection device 1 according to this embodiment manufactured by the above manufacturing method has the following operations and effects.
  • the infrared detection device 1 has high impact resistance, and can be easily and reliably mounted on various devices.
  • the internal lead terminal 12 is electrically connected to the external lead terminal 42 via the conductive portion 15, it can be easily mounted on each circuit board.
  • the operation of the infrared detection device 1 will be described.
  • Receiver window chip When the infrared rays to be detected are irradiated, the side force on the upper surface 30a of the surface 30 is also absorbed by the infrared light receiving unit 23 through the sealed space 34.
  • the temperature of the infrared receiver 23 rises according to the amount of incident infrared rays, and the temperature of the diaphragm 22 also rises with this temperature rise. Therefore, a temperature difference is generated between the diaphragm portion 22 and the silicon substrate 21, and this temperature difference appears at the hot junction of the thermocouple inside the infrared light receiving portion 23 and the cold junction of the thermocouple on the silicon substrate 21.
  • the infrared detection device 1 Since the infrared detection device 1 according to the present embodiment and the silicon substrate 21 on which the cold junction is formed are covered with the covering member 40, the heat from the silicon substrate 21 is difficult to escape. Thus, temperature fluctuations in the silicon substrate 21 can be stabilized.
  • the sealed space 34 between the infrared detection chip 20 and the light receiving window chip 30 has a large volume by the thickness of the spacer 36, that is, heat radiation from the infrared light receiving portion 23 to the light receiving window chip 30 is blocked. As a result, the thermal insulation of the infrared light receiving part 23 is enhanced. For this reason, the heat exchange rate for converting infrared rays into heat can be increased, and the sensitivity of the infrared detector 1 as a sensor can be increased.
  • the infrared detecting device 1 has a structure in which the top surface 14a of the wall plate portion 14 exceeds the upper surface 30a of the light receiving window chip 30, so When picking up the detection device 1 and mounting it on another device, the front end surface 110a of the flat collet 110 comes into contact with the top surface 14a of the wall plate 14 and directly comes into contact with the upper surface of the light receiving window chip. There is no. Therefore, damage due to contact with the flat collet 110 can be prevented, and the process yield can be improved.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the infrared detection apparatus according to the second embodiment.
  • the difference between the infrared detecting device 60 according to this embodiment and the first embodiment is that the surface of the light receiving window chip 62 on the side of the sealed space 61 is exposed upward by etching or the like in a region facing the infrared light receiving unit 23. That is, the concave portion 63 is formed.
  • the manufacturing method of the infrared detecting device 60 according to the second embodiment is the same as the manufacturing method of the first embodiment, and thus description thereof is omitted.
  • the infrared detection device 60 has high impact resistance, and can be easily and reliably mounted on various devices.
  • the silicon substrate 21 can have a large heat capacity, and temperature fluctuations in the silicon substrate 21 can be stabilized.
  • this embodiment can secure a larger capacity of the sealed space 61 due to the above-described characteristic configuration.
  • the infrared light receiving unit 23 is further easily insulated, and the sensitivity can be further improved.
  • the light receiving window chip 62 with the recess 63 and the infrared detection chip 20 are directly coupled to form the spacer 36! / In some cases, the spacer 36 cannot be raised! / The space 61 can be secured, and the decrease in sensitivity of the infrared detection device 60 can be suppressed.
  • one recess 63 is formed.
  • the present invention is not limited to this, and a plurality of recesses 63 may be formed.
  • the recess 63 is formed in a region facing the infrared light receiving unit 23, but may be formed in a region other than the region facing the infrared light receiving unit 23.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of the infrared detection apparatus according to the third embodiment.
  • the structure of the infrared detection device 50 according to the third embodiment is basically the same as the structure of the infrared detection device 1 according to the first embodiment described above. The structure is different.
  • the base member 52 does not have a wall plate portion. Instead of the internal lead terminal 12, the external lead terminal 42, and the conductive portion 15 connecting the same in the first embodiment described above, the base member 52 penetrates the substrate portion 56. Thus, an internal lead terminal 54 that directly conducts both the upper and lower surfaces of the substrate portion 56 is provided.
  • the internal lead terminal 54 has a surface mounting type “U” shape and an inverted “U” shape, and is fitted to both ends of the board portion 56 so as to face each other.
  • the covering member 58 is filled to a lower side from the upper surface 30a of the light receiving window chip 30 by a predetermined distance (0.2 mm below the upper surface 30a of the light receiving window chip 30 in this embodiment).
  • the covering member 58 is The base member 52 protrudes outside the internal lead terminal 54 in the direction perpendicular to the shooting direction.
  • the film 64 is fixed to the bottom of the protruding part.
  • FIG. 7 (a) a base member base material 130 on which internal lead terminals 54 penetrating the substrate portion 56 are prepared in advance, and an outer frame is formed around the base member base material 130. (Not shown) is installed to form an accommodation space.
  • a pre-manufactured joint 44 of the infrared detection chip 20, the spacer 36, and the light receiving window chip 30 is placed at a predetermined position on the mounting surface 13 and fixed by adhesion or the like.
  • the signal input / output terminal 25 of each joined body 44 and the internal lead terminal 54 of the base member 52 are connected by the bonding wire 38.
  • the film 64 is bonded so that the opening 65 formed by the adjacent internal lead terminals 54 of the base member 52 covers the mounting surface 13 side force.
  • silicone resin is injected into the accommodation space (see FIG. 7 (b)). At this time, the silicone resin is injected to a position lower than the upper surface 30a (in this embodiment, 0.2 mm below the upper surface 30a of the light receiving window chip 30) so as not to flow to the upper surface 30a of the light receiving window chip 30. .
  • the resin since the opening 65 is blocked by the film 64, the resin does not flow into the opening 65.
  • the injected silicone resin is allowed to stand, and is cured by a method such as heating or ultraviolet irradiation, and then cut vertically and horizontally along the center of the opening 65 as shown in FIG. 7 (c). As a result, a chip-shaped infrared detecting device 50 as shown in FIG. 6 is obtained.
  • the infrared detection device 50 has high impact resistance, and can be easily and reliably mounted on various devices, and can increase the sensitivity as a sensor. Further, since the present embodiment has the above-described characteristic configuration, as shown in FIG. 8, when the infrared detecting device 50 according to the present invention is picked up by a pyramid type collet and mounted on another device, the pyramid is formed. When the collet 120 is in contact with the covering member 58 of the infrared detector 50, the pyramid collet 120 does not directly touch the upper surface 30a of the light receiving window tip 30, so that damage due to contact with the pyramid collet 120 can be prevented. Occurrence can be prevented and the process yield can be improved. Note that the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in this embodiment, a force pin type in which the internal lead terminal is a land type may be used.
  • the infrared detection device has been described as a thermopile.
  • a porometer a pyroelectric sensor, a diode method, a bimetal method, or the like may be used. Similar results are obtained.

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Abstract

　本発明の目的は、機械的な衝撃に強く、各種の用途への実装が容易且つ確実に行える赤外線検出装置を提供すること。赤外線検出装置１は、下部に位置しているベース部材１０と、ベース部材１０の上に搭載されている赤外線を検出するための赤外線検出チップ２０と、赤外線検出チップ２０の上部に位置する赤外線を透過させるための受光窓チップ３０と、赤外線検出チップ２０の端子とベース部材１０の端子とを接続するボンディングワイヤ３８とを備えており、受光窓チップ３０の上面３０ａより所定距離の下側までに被覆部材４０で被覆されている。受光窓チップ３０は、スペーサ３６を介在し、赤外線検出チップ２０と、赤外線受光部２３を収容する密閉空間３４を形成している。

Description

明 細 書
赤外線検出装置
技術分野
[0001] 本発明は、赤外線検出装置に関し、特にポロメータ、サーモノィル、焦電センサ、 ダイオード方式及びバイメタル方式等の熱型赤外線検出装置に関する。
背景技術
[0002] ポロメータ、サーモパイル、焦電センサ、ダイオード方式及びバイメタル方式等の熱 型赤外線検出装置として、例えば特許文献 1に記載されているものが知られている。 この文献に記載の赤外線検出装置は、シリコン基板の上に形成した受光部の前面に 、赤外線の受光窓を空隙を有して配置し、受光窓は受光部を囲む範囲の接着面で、 基板に気密に接着することにより固定し、空隙の内部を真空にする構造である。
[0003] しかし、上記の赤外線検出装置は、他の装置へ実装するに際して、機械的な衝撃 に弱ぐ特にシリコン基板や外部電極と接続するワイヤ等が衝撃により断線したり、傷 つけられたりすることが多ぐ実装工程不良が多発する問題点があった。このため、赤 外線検出装置を実装する際に、細心の注意を払う必要があり、工程の歩留まりを低 下させる原因となった。
特許文献 1：特開平 09 - 243449号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] 本発明の目的は、このような問題に鑑みてなされたものであり、機械的な衝撃に強 ぐ各種の用途への実装が容易且つ確実に行える赤外線検出装置を提供することに ある。
課題を解決するための手段
[0005] 本発明に係る赤外線検出装置は、シリコン基板上に、赤外線の受光部とこれに接 続された信号入出力端子が形成された赤外線検出チップと、この赤外線検出チップ の受光側に固定され、信号入出力端子を露出させると共に受光部を収容する密閉 空間を形成し、少なくとも検出対象の赤外線を透過させる受光窓チップと、赤外線検 出チップを搭載するための搭載面を有し、この搭載面の近傍に内部リード端子が設 けられたベース部材と、信号入出力端子と内部リード端子を電気的に接続するボン デイングワイヤと、少なくとも信号入出力端子と内部リード端子とボンディングワイヤと をその内部に取り込み、かつ、受光窓チップの側面の少なくとも赤外線検出チップ側 を被覆するように榭脂を注入して硬化させた被覆部材と、を備えることを特徴とする。
[0006] この発明によれば、ボンディングワイヤ等の機械的な衝撃を受けやす 、部分が被 覆部材の内部に取り込まれるため、赤外線検出装置は耐衝撃性が高くなり、各種の 装置への実装は容易且つ確実に実施することが可能となる。また、被覆部材がシリコ ン基板の側面を被覆することにより、シリコン基板の熱容量を増大させ、且つシリコン 基板の側面力も入りうる外界力もの熱影響を遮断するため、温度の変動を低減し、赤 外線検出装置にセンサとしての感度を増大させることができる。なお、仮に角錐型コ レットで本発明に係る赤外線検出装置をピックアップするとしたときには、コレットの吸 引部が赤外線検出装置の被覆部材と接触することにより、吸引部が直接に受光窓チ ップの上面に触れることがないため、吸引部との接触による破損を防止し、工程歩留 りの向上に寄与することができる。
[0007] 本発明に係る赤外線検出装置において、赤外線検出チップと受光窓チップの間に は、密閉空間を取り囲むようにスぺーサが介在されていることとしても良い。このように すれば、スぺーサの厚さ分だけ赤外線検出チップと受光窓チップとの間の密閉空間 が大容積となり、赤外線受光部の断熱性が高まるので、赤外線検出装置の感度を向 上させることができる。また、スぺーサが被覆部材となる榭脂の注入工程でその流れ 込みを阻止する役割を果たし、榭脂が収縮しながら硬化する場合には、赤外線検出 チップと受光窓チップとを引きつけることで密着性が高まる。
[0008] また、本発明に係る赤外線検出装置において、受光窓チップにおける密閉空間側 の表面には、凹部が形成されていることが好ましい。このようにすれば、密閉空間の 容量をより大きく確保することができ、赤外線受光部の断熱性がさらに高まるので、赤 外線検出装置の感度を一層向上させることができる。また、スぺーサがない場合ゃス ぺーサを高くできない場合においても、密閉空間を確保できるため、感度の低下を 抑帘 Uすることができる。 [0009] また、本発明に係る赤外線検出装置において、ベース部材は、上面に搭載面を有 する基板部と、この基板部に立設されて頂面が受光窓チップの上面を超えるようにさ れた壁板部とを含んで構成されていることが好適である。このようにすれば、受光窓 チップの上面を越える壁板部が設けられていることにより、例えば平コレットで本発明 に係る赤外線検出装置をピックアップする際に、吸引部の先端面が赤外線検出装置 の壁板部の頂面と接触することとなり、直接に受光窓チップの上面と接触することが ない。このため、吸引部との接触による破損を防止し、工程歩留りの向上に寄与する ことができる。
[0010] さらに、本発明に係る赤外線検出装置において、内部リード端子は、ベース部材の 下面に設けられた外部リード端子に電気的に接続されていることが好ましい。このよう にすれば、ベース部材の下面に外部リード端子が設けられるので、回路基板等への 実装が容易かつ確実に行える。
発明の効果
[0011] 本発明によれば、機械的な衝撃に強ぐ各種の用途への実装が容易且つ確実に 行える赤外線検出装置を提供することができる。
図面の簡単な説明
[0012] [図 1]第 1実施形態に係る赤外線検出装置の構成を示す断面図である。
[図 2]第 1実施形態に係る赤外線検出装置を赤外線入射する側カゝら見た説明図であ る。
[図 3]第 1実施形態に係る赤外線検出装置の製造方法を示す説明図である。
圆 4]第 1実施形態に係る赤外線検出装置と実装コレットとの位置関係を示す説明図 である。
[図 5]第 2実施形態に係る赤外線検出装置の構成を示す断面図である。
[図 6]第 3実施形態に係る赤外線検出装置の構成を示す断面図である。
[図 7]第 3実施形態に係る赤外線検出装置の製造方法を示す説明図である。
[図 8]第 3実施形態に係る赤外線検出装置と実装コレットとの位置関係を示す説明図 である。
符号の説明 [0013] 1, 50, 60…赤外線検出装置、 10, 52· ··ベース部材、 11, 56· ··基板部、 12, 54 …内部リード端子、 13· ··搭載面、 14…壁板部、 20…赤外線検出チップ、 21· ··シリコ ン基板、 23· ··赤外線受光部、 25…信号入出力端子、 30, 62· ··受光窓チップ、 34, 61 · ··密閉空間、 36· ··スぺーサ、 38· ··ボンディングワイヤ、 40, 58· ··被覆部材、 42 …外部リード端子、 63· ··凹部。
発明を実施するための最良の形態
[0014] 以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態であり、サーモパイル方式 の赤外線検出装置について詳細に説明する。なお、説明において、同一又は同等 の構成要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
[0015] 図 1は、第 1実施形態に係る赤外線検出装置の構成を示す断面図であり、図 2は、 これを赤外線入射する側力 見た説明図である。図 1と図 2に示すように、赤外線検 出装置 1は、この装置の主要な機能部分を収容する外囲器を形成しているベース部 材 10と、ベース部材 10を構成する基板部 11の搭載面 13上に搭載されている赤外 線を検出するための赤外線検出チップ 20と、赤外線検出チップ 20の上部に設けら れて赤外線を透過させるための受光窓チップ 30と、赤外線検出チップ 20の端子とベ 一ス部材 10の端子とを接続するボンディングワイヤ 38とを備えている。そして、本実 施形態で特徴的なことは、受光窓チップ 30の上面より所定距離の下側までは榭脂を 硬化させた被覆部材 40で被覆されており、ボンディングワイヤ 38がその内部に取り 込まれていることである。
[0016] ベース部材 10は、上部を開口した凹状の空間を有しており、ベース部材 10の下部 に位置して赤外線検出チップ 20を搭載するための搭載面 13を有する矩形かつ平板 形状の基板部 11と、搭載面 13を囲むように周縁の縦 2辺と横 2辺に立設された壁板 部 14とを有して構成されている。基板部 11の搭載面 13の近傍には、基板部 11を貫 通する導電部 15に接続されたランドタイプの内部リード端子 12が設けられており、こ の導電部 15はベース部材 10の底面 (搭載面 13の反対面)側に設けられた外部リー ド端子 42と電気的に接続されている。このため、ボンディングワイヤ 38および導電部 15を介して外部リード端子 42は赤外線検出チップ 20と電気的に接続されるので、赤 外線検出装置 1を回路基板等（図示せず。 )に容易かつ確実に実装できる。なお、ベ 一ス部材 10には榭脂硬化時の放熱に強い FR— 4、 FR—5、 0—10等のガラェポ（ ガラス繊維シートを芯材としたエポキシ榭脂)基板が用いられているが、これに限らず 、その他の有機基板やセラミック基板等を用いてもよい。
[0017] 赤外線検出チップ 20は、ベース部材 10の基板部 11の上面に設定された搭載面 1 3に搭載されており、シリコン基板 21を基材として、赤外線受光部 23と、信号入出力 端子 25と、空洞部 24を形成するダイヤフラム部 22とを備えている。具体的には、図 1 に示すように、シリコン基板 21の上面の中央には、肉薄のダイヤフラム部 22が形成さ れている。シリコン基板 21の上面の周縁部には、赤外線受光部 23で得られた電気 出力信号を取り出すためにアルミニウム配線等で電気的に接続されている信号入出 力端子 (電極パッド) 25が設けられて 、る。
[0018] ここで、ダイヤフラム部 22及び空洞部 24の形成方法にっ 、て説明する。まず、シリ コン基板 21の上面に空洞部 24と同一サイズのポリシリコン等力もなる犠牲層（図示せ ず)を形成し、その上にダイヤフラム部 22となる薄膜を形成する。この薄膜には犠牲 層をエッチングしたときに用いたエッチングホール（図示せず）が設けられている。こ のエッチングホールより例えば水酸ィ匕カリウム溶液等のエッチング液を浸透させ、犠 牲層を等方的にエッチングし、その後シリコン基板 21を異方性エッチングにより除去 する。この除去部には熱分離のための逆台形ピラミッドの空洞部 24が形成されてい る。空洞部 24の上面を覆う薄膜部分はダイヤフラム部 22となる。なお、空洞部 24は、 赤外線受光部 23を下部から熱絶縁する為のものであり、真空状態もしくは不活性ガ スで満たされている。
[0019] シリコン基板 21は、（100)面方位の単結晶シリコン基板で形成されることが好まし い。このようにすれば、シリコン基板 21の上面を（100)面とし、赤外線入射方向であ る垂直方向はエッチングされやすいため、空洞部 24を容易に形成することができる。 なお、空洞部 24を形成する方法、形状はこれに限ったものではなぐ所望のダイヤフ ラム 22を形成することができるのであれば等方性エッチングによる手法、すなわち（1 00)面ウェハ以外の面方位ウエノ、、あるいは SOIウェハを用いてもよ!、。
[0020] また、赤外線受光部 23には多数直列接続された熱電対の温接点部（図示せず)が 設けられている。熱電対は、二種類の金属を直列に接続して接合点を二つつくり、そ の二つの接合点 (温接点と冷接点）の間で温度差が生じるとその温度差に伴って、熱 起電力が生じる「ゼーベック効果」の原理を利用した温度センサである。図示して!/ヽ ないが、本実施形態においては、ポリシリコンとアルミニウムとがそれぞれ温接点（測 温接点）と冷接点 (基準接点）を形成して、温接点はダイヤフラム部 22上に配置され 、冷接点はシリコン基板 21上に配置されており、その間の熱起電力を測定している。
[0021] 受光窓チップ 30は、赤外線検出チップ 20よりも小さな矩形の平板形状を有し、赤 外線検出チップ 20の受光側（上側）に位置して信号入出力端子 25を露出させている 。図示していないが、信号入出力端子 25はアルミニウムなどの電気配線で密閉空間 34側に電気的に接続されて!ヽる。またスぺーサ 36に位置する電気配線の上面と下 面は電気的に絶縁されていることが好ましい。スぺーサ 36を介して赤外線検出チッ プ 20の上に固定される受光窓チップ 30の上面 30aは、壁板部 14の頂面 14aより低く なっている。スぺーサ 36を介して赤外線検出チップ 20と受光窓チップ 30が向き合わ されることにより、赤外線受光部 23を収容する密閉空間 34が形成されている。
[0022] 密閉空間 34はいわば断熱層として作用し、赤外線検出チップ 20の空洞部 24とダ ィャフラム部 22に形成されたエッチングホールを通して空洞が連結され、赤外線受 光部 23を取り囲んで熱分離構造を形成することにより、赤外線受光部 23内部の熱電 対の感度を向上させ、赤外線受光部 23の熱分離度を高めている。なお、密閉空間 3 4は、赤外線受光部 23を周囲力も熱絶縁するため、赤外線検出チップ 20の空洞部 2 4と共に略同圧であり、真空状態もしくは不活性ガスで満たされている。
[0023] スぺーサ 36は被覆部材 40となる榭脂の注入工程で、密閉空間 34に榭脂の流れ 込みを阻止する役割を果たし、注入された榭脂が収縮硬化することで密着性を高め る効果が得られる。スぺーサ 36の材質は、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリイミドな どの榭脂系、パイレックス (登録商標)や低融点ガラスなどのガラス素材、アルミナや 窒化アルミなどのセラミック、アルミニウムや金、ニッケル、タングステンシリサイドなど の金属または合金、または金錫などの半田材であってもよい。なお、スぺーサ 36とし て半田材を用いるときには、シリコン基板 21と受光窓チップ 30の両面に金属膜をあ らカじめ形成しておくと密着性が良い。また、スぺーサ 36の高さを力せぐためにスぺ 一サ材の積層であっても構わな 、。 [0024] また、受光窓チップ 30は、検出対象の赤外線を含む帯域の光を透過させる機能を 発揮するため、透過波長域が 1. 5〜20 mの優れたシリコン材料等で形成されるこ とが好適である。さらに、受光窓チップ 30の両表面 30aと 30bには、赤外線反射防止 膜 32が設けられていることが好ましぐ赤外線の反射損失を低減し、赤外線に対する 赤外線検出装置 1の感度を上げることができる。反射防止膜 32は、周知の蒸着法、 スパッタ法、熱酸化法などにより容易に形成することができる。なお、赤外線反射防 止膜 32の代わりに、特定の波長の赤外線を選択的に透過する赤外線フィルタ膜を 設けてもよい。
[0025] 図 1に示すように、ボンディングワイヤ 38は、赤外線検出チップ 20の上面（受光窓 チップ 30に覆われた部分の外側の面）に露出する信号入出力端子 25と、ベース部 材 10の基板部 11の上面に設けられた内部リード端子 12との間に掛け渡され、これら を電気的に接続している。外囲器としてのベース部材 10が形成する空間の内部には 、受光窓チップ 30の上面 30aより所定距離 (本実施形態においては、受光窓チップ 3 0の上面 30aより 0. 2mm下）の下側まで硬化した榭脂で満たされている。このため、 例えば金の細線であるボンディングワイヤ 38と、これが接続される信号入出力端子 2 5および内部リード端子 12は被覆部材の内部に取り込まれるので、機械的に弱い部 分は被覆部材 40により保護され、耐衝撃性や耐振性等に強くなる。また、赤外線検 出チップ 20の基材であるシリコン基板 21の上面 (受光窓チップ 30に覆われた部分の 外側の面）と、受光窓チップ 30の側面の下側部分は被覆部材 40に被覆される状態 となるので、耐衝撃性や耐振性等を向上させるだけでなぐこの被覆部材 40が赤外 線検出チップ 20の熱容量を実質的に増大させ、かつ、外界からの熱影響を遮断す る効果も奏する。
[0026] 被覆部材 40に用いられる榭脂は、シリコーン、エポキシ、アクリル、ウレタン等の榭 脂類あるいはこれらの複合材フイラ一入りでもよぐ色は透明でも色入りでもよい。図 2 は透明な榭脂を用いた場合の図である。
[0027] 以下に、図 3を用いて第 1実施形態に係る赤外線検出装置 1の製造方法について 説明を行う。この製造方法は、ダイシングソ一等で賽の目状に切断することで個々の 赤外線検出装置 1を得ることを特徴としている。 [0028] まず、図 3 (a)に示すように、予め内部リード端子 12と外部リード端子 42とこれを接 続する導電部 15とが形成されたベース部材アレイ板 100を用意する。このアレイ板 1 00の上面には、縦横それぞれ一定の間隔で交差立設する壁 102が設けられ、これ により仕切られた複数の空間（赤外線検出チップ 20ゃ受光窓チップ 30が収容される 空間であり、以下、収容空間をいう）が配列されている。このベース部材アレイ板 100 に並べられた各凹部を囲む壁 102は、個々の赤外線検出装置 1に切断されたときに 壁板部 14となるものである。仕切られた収容空間の中に、事前に作製した赤外線検 出チップ 20とスぺーサ 36と受光窓チップ 30との接合体 44を、搭載面 13の所定位置 に配置し接着剤等により固定させる。次に、各収容空間内に固定された赤外線検出 チップ 20の信号入出力端子 25と、ベース部材 10の内部リード端子 12とをボンディン グワイヤ 38で接続させる。
[0029] 次に、シリコーン榭脂を各収容空間内に注入する（図 3 (b)参照する）。このとき、シ リコーン榭脂を、受光窓チップ 30の上面 30aに流れないように、上面 30aより低い位 置 (本実施形態においては、受光窓チップ 30の上面 30aより 0. 2mm下）まで注入す る。
[0030] 注入したシリコーン榭脂を放置、加熱、紫外線照射等の方法で硬化させた後、図 3
(c)に示すように、壁板部 14の配列方向の中心線に沿って縦、横にそれぞれ切断す る。これにより図 1と図 2に示すようなチップ形状の赤外線検出装置 1が得られる。な お、容易に切断するため、壁板部 14の中心線に沿ってあら力じめ切れ込みやスリット 等を入れておいてもよい。
[0031] 上記の製造方法により製造された本実施形態に係る赤外線検出装置 1は、以下の ような作用及び効果を奏する。
[0032] まず、ボンディングワイヤ 38等の機械的な衝撃を受けやす 、部分力 被覆部材 40 の内部に取り込まれるため、保護される状態となる。これによつて、赤外線検出装置 1 は耐衝撃性が高くなり、各種の装置への実装は容易且つ確実に実施することができ る。また、内部リード端子 12が導電部 15を介して外部リード端子 42と電気的に接続 されているため、各回路基板等への実装が簡単に行える。
[0033] 次に、本実施形態に係る赤外線検出装置 1の動作について説明する。受光窓チッ プ 30の上面 30a側力も検出対象である赤外線が照射されると、密閉空間 34を介して 赤外線受光部 23で吸収される。赤外線受光部 23が入射赤外線量に応じて温度上 昇し、この温度上昇と共にダイヤフラム部 22の温度も上昇する。従って、ダイヤフラム 部 22とシリコン基板 21との間に温度差が生じ、この温度差は赤外線受光部 23内部 の熱電対の温接点とシリコン基板 21上の熱電対の冷接点とに表れる。ゼーベック効 果により温接点と冷接点との間に起電力が発生し、この電圧を赤外線受光部 23と接 続されている信号入出力端子 25と、ボンディングワイヤ 38と、ベース部材 10の内部リ ード端子 12と、導電部 15と、外部リード端子 42を介して外部の測定回路（図示せず )に与えられて測定される。これによつて受光窓チップ 30に入射した赤外線量が検出 される。
[0034] 本実施形態に係る赤外線検出装置 1、冷接点が形成されたシリコン基板 21は、被 覆部材 40により被覆されているため、シリコン基板 21から熱は逃げにくぐ熱容量を 多く持たせることとなり、シリコン基板 21における温度の変動を安定させることが可能 となる。また、スぺーサ 36の厚さ分だけ赤外線検出チップ 20と受光窓チップ 30との 間の密閉空間 34が大容積となり、すなわち赤外線受光部 23から受光窓チップ 30へ の熱伝導による放熱が遮断され、赤外線受光部 23の断熱性が高まる。このため、赤 外線を熱に変換する熱交換率を高めることができ、赤外線検出装置 1のセンサとして の感度を増大させることができる。
[0035] また、図 4に示すように、本発明に係る赤外線検出装置 1は、壁板部 14の頂面 14a が受光窓チップ 30の上面 30aを越える構造を有するため、平コレット 110で赤外線 検出装置 1をピックアップして他の装置へ実装する場合には、平コレット 110の先端 面 110aが壁板部 14の頂面 14aと接触することとなり、直接に受光窓チップの上面と 接触することはない。従って、平コレット 110との接触による破損を防止し、工程歩留 りの向上に寄与することができる。
[0036] 図 5は第 2実施形態に係る赤外線検出装置の構成を示す断面図である。この実施 形態に係る赤外線検出装置 60の第 1実施形態との相違点は、受光窓チップ 62にお ける密閉空間 61側の表面には、赤外線受光部 23と対面する領域でエッチングなど により上方に向けて凹部 63が形成されていることである。その他の構成については 第 1実施形態と同様な構造を有するため説明を省略する。また、第 2実施形態に係る 赤外線検出装置 60の製造方法は第 1実施形態の製造方法と同様のため、説明を省 略する。
[0037] 本実施形態によれば、上記の第 1実施形態と同様に、赤外線検出装置 60は耐衝 撃性が高くなり、各種の装置への実装は容易且つ確実に実施することができる。また 、被覆部材 40により被覆されているため、シリコン基板 21に熱容量を多く持たせるこ とが可能となり、シリコン基板 21における温度の変動を安定させることができる。さら に、本実施形態は上記の特徴的な構成により、密閉空間 61の容量をより大きく確保 することができる。このため、赤外線受光部 23が更に断熱されやすくなり、感度を一 層向上させることができる。また、凹部 63付きの受光窓チップ 62と赤外線検出チップ 20が直接結合してスぺーサ 36がな!/、場合ゃスぺーサ 36を高くできな!/、場合にお ヽ ても、密閉空間 61を確保できることになり、赤外線検出装置 60の感度の低下を抑制 することができる。
[0038] なお、本実施形態では凹部 63がーつ形成されているが、これに限らず、複数の凹 部 63が形成されていてもよい。また、本実施形態では、凹部 63は赤外線受光部 23 と対面する領域に形成されているが、赤外線受光部 23と対面する領域以外の領域 に形成されていてもよい。
[0039] 図 6は第 3実施形態に係る赤外線検出装置の構成を示す断面図である。同図に示 すように、第 3実施形態に係る赤外線検出装置 50の構造は、基本的に上述した第 1 の実施形態に係る赤外線検出装置 1の構造と同様であるが、ベース部材 52の構造 が異なっている。
[0040] すなわち、ベース部材 52は壁板部を有していなぐ上述した第 1実施形態における 内部リード端子 12と外部リード端子 42とこれを接続する導電部 15に代えて、基板部 56を貫通して基板部 56の上下両表面を直接に導通する内部リード端子 54を備えて いる。内部リード端子 54は、表面実装のタイプの「コ」の字状と逆「コ」の字状を有し、 向き合わせるように基板部 56の両端部と嵌め込んだ状態となっている。受光窓チッ プ 30の上面 30aより所定距離 (本実施形態においては、受光窓チップ 30の上面 30a より 0. 2mm下）の下側まで被覆部材 58で満たされている。被覆部材 58は、光の入 射方向との垂直方向において、ベース部材 52の内部リード端子 54より外側にはみ 出している。なお、このはみ出している部分の下面にはフィルム 64が固定されている
[0041] 次に、第 3実施形態に係る赤外線検出装置 50の製造方法について説明する。まず 、図 7 (a)に示すように、予め基板部 56を貫通する内部リード端子 54が形成されたべ 一ス部材母材 130を用意し、ベース部材母材 130を囲むように周りに外枠（図示せず )を設置し、収容空間を形成する。この収容空間の中に、事前に作製した赤外線検 出チップ 20とスぺーサ 36と受光窓チップ 30との接合体 44を、搭載面 13の所定位置 に配置し接着等により固定させる。次に、各接合体 44の信号入出力端子 25と、ベー ス部材 52の内部リード端子 54とをボンディングワイヤ 38で接続させる。図 7 (a)に示 すように、ベース部材 52の隣接した内部リード端子 54同士で形成される開口部 65を 搭載面 13側力も覆うようにフィルム 64を接着する。
[0042] 次に、シリコーン榭脂を収容空間内に注入する（図 7 (b)参照)。このとき、シリコーン 榭脂は、受光窓チップ 30の上面 30aに流れないように、上面 30aより低い位置 (本実 施形態においては、受光窓チップ 30の上面 30aより 0. 2mm下）まで注入する。また 、開口部 65はフィルム 64で塞がれているため、榭脂が開口部 65の中に流れ込むこ とはない。注入したシリコーン榭脂を放置、加熱、紫外線照射等の方法で硬化させた 後、図 7 (c)に示すように、開口部 65の中心に沿って縦、横にそれぞれ切断する。こ れにより図 6に示すようなチップ形状の赤外線検出装置 50が得られる。
[0043] 本実施形態においては、上記の第 1実施形態と同様な結果が得られる。すなわち、 赤外線検出装置 50は、耐衝撃性が高くなり、各種の装置への実装は容易且つ確実 に実施することができると共に、センサとしての感度を増大させることができる。また、 本実施形態は上記の特徴的な構成を有するため、図 8に示すように、角錐型コレット で本発明に係る赤外線検出装置 50をピックアップして他の装置へ実装する場合に は、角錐型コレット 120が赤外線検出装置 50の被覆部材 58と接触することにより、角 錐型コレット 120が直接に受光窓チップ 30の上面 30aに触れることがないため、角錐 型コレット 120との接触による破損の発生を防止し、工程歩留りを向上させることがで きる。 [0044] なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、本実施形態 では、内部リード端子をランドタイプとした力 ピンタイプとしても良い。
[0045] また、上記の各実施形態では、赤外線検出装置をサーモパイルとして説明したが、 ポロメータ、焦電センサ、ダイオード方式及びバイメタル方式などを用いてもよぐこの 場合においても上記の各実施形態と同様な結果が得られる。

Claims

請求の範囲
[1] シリコン基板上に、赤外線の受光部とこれに接続された信号入出力端子が形成さ れた赤外線検出チップと、
この赤外線検出チップの受光側に固定され、前記信号入出力端子を露出させると 共に前記受光部を収容する密閉空間を形成し、少なくとも検出対象の赤外線を透過 させる受光窓チップと、
前記赤外線検出チップを搭載するための搭載面を有し、この搭載面の近傍に内部 リード端子が設けられたベース部材と、
前記信号入出力端子と前記内部リード端子を電気的に接続するボンディングワイ ャと、
少なくとも前記信号入出力端子と前記内部リード端子と前記ボンディングワイヤとを その内部に取り込み、かつ、前記受光窓チップの側面の少なくとも前記赤外線検出 チップ側を被覆するように榭脂を注入して硬化させた被覆部材と、
を備えることを特徴とする赤外線検出装置。
[2] 前記赤外線検出チップと前記受光窓チップの間には、前記密閉空間を取り囲むよ うにスぺーサが介在されて 1ヽる請求項 1記載の赤外線検出装置。
[3] 前記受光窓チップにおける前記密閉空間側の表面には、凹部が形成されているこ とを特徴とする請求項 1または 2記載の赤外線検出装置。
[4] 前記ベース部材は、上面に前記搭載面を有する基板部と、この基板部に立設され て頂面が前記受光窓チップの上面を超えるようにされた壁板部とを含んで構成され ている請求項 1〜3のいずれか記載の赤外線検出装置。
[5] 前記内部リード端子は、前記ベース部材の下面に設けられた外部リード端子に電 気的に接続されている請求項 1〜4のいずれか記載の赤外線検出装置。
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