JPH09229765A - 赤外線検出器 - Google Patents

赤外線検出器

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JPH09229765A
JPH09229765A JP8041322A JP4132296A JPH09229765A JP H09229765 A JPH09229765 A JP H09229765A JP 8041322 A JP8041322 A JP 8041322A JP 4132296 A JP4132296 A JP 4132296A JP H09229765 A JPH09229765 A JP H09229765A
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JP
Japan
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infrared
base plate
window
terminal
detecting element
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JP8041322A
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Yasusuke Sugiura
庸介 杉浦
Yasuo Kawashima
康夫 河嶋
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
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    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
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Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロポロメータ型2次元アレイ赤外線検
出素子を搭載する低コストの赤外線検出器を得る。 【解決手段】 ベースプレート5の上に電子冷却素子2
を実装し、電子冷却素子2の上に赤外線検出素子1を実
装する構造とし、端面が赤外線素子1の近傍に位置する
ようにしたセラミックス気密端子9と、赤外線検出素子
1と気密端子9間を配線するワイヤボンディング8と、
気密端子9を装着した金属材料からなるベースプレート
5と、赤外線を透過するウインドウ6と、ウインドウ6
を装着する金属材料からなるキャップ11と、ベースプ
レート5とキャップ11を溶接封止する構造と、真空中
への放出ガスを吸着するゲッタ10と、真空排気用のチ
ップ管7を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばマイクロ
ボロメータ型2次元アレイ赤外線検出素子のような、極
低温に冷却することなく性能を発揮する非冷却型赤外線
検出素子を搭載する赤外線検出器に関する。
【0002】
【従来の技術】図8は、従来の赤外線検出器を示す断面
図である。図において1は、例えばボロメータ型赤外線
検出素子をアレイ状に配置した赤外線検出素子、2は前
記赤外線検出素子1の温度を所定の温度にするためのペ
ルチェ効果を利用した電子冷却素子、3は前記赤外線検
出素子1の出力信号及び前記赤外線検出素子1の駆動信
号の外部とのインターフェースとなる端子、4は容器の
内部と外部を電気的に接続する経路を設けるために積層
セラミックス、パターン、スルーホールで構成されるセ
ラミックス構造部、5は前記電子冷却素子2及び前記セ
ラミックス構造部4を支えるベースプレート、6は赤外
線を透過するウインドウ、7は容器内部を真空に排気す
るためのチップ管であり、容器内部を真空に排気した
後、つぶして封じる構造となっている。前記積層セラミ
ックス構造4の製造は次のように行う。決められた厚さ
のセラミックスシートに金属ペースト等を用いてスクリ
ーン印刷した後焼結しパターンを成形する。パターンを
成形したセラミックスシート、パターンと垂直方向に貫
通穴を開け金属ペースト等の導体を充填したセラミック
スシート及び厚さ方向の寸法を増すためのセラミックス
シートを複数枚位置合わせし、積層加圧後、還元雰囲気
炉で焼結成形する。焼結成形後に機械加工を行い、前記
端子3、前記ベースプレート5をロウ付け接合する。
【0003】ボロメータ型赤外線検出素子は、素子1に
入力した赤外線エネルギによる温度変化を素子1の抵抗
値の変化として検出する構造となっており、高い温度分
解能を得るためには、入力した赤外線エネルギが周囲に
拡散しないように容器の内部を真空に保つ必要があり、
各接合部は真空気密構造となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のような赤外線検
出容器では、積層セラミックス構造の製造に多くの工程
を費やし、また完成したセラミックス構造部4の上に端
子3をロウ付け接合する工程も必要であり、製造コスト
が高いという問題があった。
【0005】この発明は、かかる課題を解決するために
なされたものであり、製造コストを低減した赤外線検出
器を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】第1の発明の赤外線検出
器は、ベースプレートの上に電子冷却素子を実装し、前
記電子冷却素子の上に赤外線検出素子を実装する構造を
有し、端面が前記赤外線素子の近傍に位置するようにし
たセラミックス気密端子と、赤外線検出素子と前記気密
端子間を配線するワイヤボンディングと、気密端子を装
着した金属材料からなるベースプレートと、赤外線を透
過するウインドウと、このウインドウを装着する金属材
料からなるキャップと、前記ベースプレートとキャップ
を溶接封止する構造と、真空中への放出ガスを吸着する
ゲッタと、真空排気用のチップ管を備える。
【0007】第2の発明の赤外線検出器は、ベースプレ
ートの上に電子冷却素子を実装し、前記電子冷却素子の
上に赤外線検出素子を実装する構造を有し、端面が前記
赤外線検出素子の近傍に位置するようにしたセラミック
ス気密端子と、前記赤外線検出素子と前記気密端子間を
配線するワイヤボンディングと、気密端子を装着した銅
タングステン合金からなるベースプレートと、前記ベー
スプレートにロウ付けされたコバールからなるリング
と、赤外線を透過するウインドウと、ウインドウを装着
するコバールからなるキャップと、ベースプレートとキ
ャップを溶接封止する構造と、真空中への放出ガスを吸
着するゲッタと、真空排気用のチップ管を備える。
【0008】第3の発明の赤外線検出器は、ベースプレ
ートの上に電子冷却素子を実装し、電子冷却素子の上に
赤外線検出素子を実装する構造を有し、端面が前記赤外
線検出素子の近傍に位置するようにしたセラミックス気
密端子と、前記赤外線検出素子と前記気密端子間を配線
するワイヤボンディングと、気密端子を装着した金属材
料からなるベースプレートと、赤外線を透過するウイン
ドウと、このウインドウを装着する金属材料からなるキ
ャップと、前記ベースプレートとキャップを半田で接合
し封止する構造と、真空中への放出ガスを吸着するゲッ
タと真空排気用のチップ管を備える。
【0009】第4の発明の赤外線検出器は、ベースプレ
ートの上に電子冷却素子を実装し、前記電子冷却素子の
上に赤外線検出素子を実装する構造を有し、端面が前記
赤外線検出素子の近傍に位置するようにしたセラミック
ス気密端子と、前記赤外線検出素子と前記気密端子間を
配線するワイヤボンディングと、気密端子を装着した金
属材料からなるベースプレートと、赤外線を透過するウ
インドウと、ウインドウを、前記ベースプレートの壁の
端面に半田で接合し封止する構造と、真空中への放出ガ
スを吸着するゲッタと真空排気用のチップ管を備える。
【0010】第5の発明の赤外線検出器は、ベースプレ
ートの上に電子冷却素子を実装し、前記電子冷却素子の
上に赤外線検出素子を実装する構造を有し、端面が前記
赤外線検出素子の近傍に位置するようにしたガラスハー
メチック端子と、前記赤外線検出素子と前記気密端子間
を配線するワイヤボンディングと、前記ガラスハーメチ
ック端子を装着した金属材料からなるベースプレート
と、赤外線を透過するウインドウと、前記ウインドウを
装着する金属材料からなるキャップと、前記ベースプレ
ートと前記キャップを封止する構造と、真空中への放出
ガスを吸着するゲッタと、真空排気用のチップ管を備え
る。
【0011】第6の発明の赤外線検出器は、ベースプレ
ートの上に電子冷却素子を実装し、前記電子冷却素子の
上に赤外線検出素子を実装する構造を有し、端面が前記
赤外線検出素子の近傍に位置するようにした内部と外部
を貫通する貫通端子と、前記赤外線検出素子と気密端子
間を配線するワイヤボンディングと、気密端子をロウ付
けして気密接合したセラミックスからなるベースプレー
トと、前記電子冷却素子からの熱を放熱するための放熱
プレートと、赤外線を透過するウインドウと、前記ウイ
ンドウを装着する金属材料からなるキャップと、前記ベ
ースプレートとキャップを封止する構造と、真空中への
放出ガスを吸着するゲッタと、真空排気用のチップ管を
備える。
【0012】第7の発明の赤外線検出器は、ベースプレ
ートの上に電子冷却素子を実装し、前記電子冷却素子の
上に赤外線検出素子を実装する構造を有し、端面が前記
赤外線検出素子の近傍に位置するようにした内部に配置
する内部金属端子と、外部に配置する外部金属端子と、
前記赤外線検出素子と気密端子間を配線するワイヤボン
ディングと、内部金属端子と外部金属端子をロウ付け接
合したセラミックスからなるベースプレートと、赤外線
を透過するウインドウと、このウインドウを装着する金
属材料からなるキャップと、前記ベースプレートとキャ
ップを封止する構造と、真空中への放出ガスを吸着する
ゲッタと、真空排気用のチップ管を備える。
【0013】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1を示す図
であり、図において1は例えばマイクロボロメータ型赤
外線検出素子を2次元アレイ状に配置した非冷却型赤外
線検出素子、2は前記赤外線検出素子の温度を所定の温
度にするためのペルチェ効果を利用した電子冷却素子、
9は端面が前記赤外線検出素子の近傍に位置するように
し気密部にセラミックスを使用した気密端子、5は前記
気密端子を装着した金属材料からなるベースプレート、
8は赤外線検出素子と気密端子を配線するワイヤボンデ
ィング、6は赤外線を透過するウインドウ、11は前記
ウインドウを装着する金属材料からなるキャップ、10
は真空中への放出ガスを吸着するゲッタ、7は真空排気
用のチップ管である。
【0014】前記電子冷却素子2は前記ベースプレート
5の上に接着もしくは半田で接合され、前記赤外線検出
素子1は前記電子冷却素子2の上に接着もしくは半田で
接合する。前記赤外線検出素子1と前記気密端子9の配
線は例えばアルミニウムワイヤボンディングで行う。前
記ウインドウ6は例えば低融点ガラスを使用し前記キャ
ップ11に気密接合される。前記キャップ11は、前記
ベースプレート5に溶接で気密接合する。容器内は、前
記チップ管7を真空排気装置に接続し、真空排気するこ
とにより真空にすることができ、真空に排気した後、前
記チップ管7をつぶして封じる構造となっている。前記
ゲッタ10は、ジルコニウム、バナジウム、鉄を焼結さ
せて成形したものであり、通電加熱し表面を活性化する
ことにより容器内に材料から放出されるガスを吸着し、
真空の劣化を防止する。前記気密端子9は、貫通穴を有
し穴の周囲にメタライズを施したセラミックス部品と、
セラミックス部品の貫通穴に通り穴の周囲に密着するよ
うなツバを有する金属端子を同時にロウ付け接合するこ
とにより得ることができ、工程数の多い積層セラミック
ス構造の製造工程は必要としない。
【0015】実施の形態2.図2はこの発明の実施の形
態2を示す図であり、図において1,2,6〜10は発
明の実施の形態1と同じ機能を有している。5は銅タン
グステン合金からなるベースプレート、11は前記ウイ
ンドウを装着するコバールからなるキャップ、12は前
記ベースプレートにロウ付け接合したコバールからなる
リングである。
【0016】前記ベースプレートの材質である銅タング
ステン合金の熱伝導率は189w/mKであり、コバー
ルの熱伝導率17w/mKと比較して大きく、前記電子
冷却素子で発熱した熱を放熱するのに有利である。前記
ウインドウにゲルマニウムを使用した場合、前記ウイン
ドウを前記キャップに接合するときに熱膨張係数の差に
より発生する熱応力でウインドウが割れることを防止す
るためにゲルマニウムと熱膨張係数が近いコバール材を
前記キャップの材質として用いる必要がある。前記リン
グはコバールからなるので、前記キャップと前記リング
は同一材質であり、溶接接合性は良く、気密接合でき
る。
【0017】実施の形態3.図3はこの発明の実施の形
態3を示す図であり、図において1〜11は発明の実施
の形態1と同じ機能を有している。
【0018】前記キャップは下端に、前記ベースプレー
トと半田付接合できるようにフランジを設けてあり、前
記ベースプレートと半田で接合し封止する。半田接合時
には、接合部を全周均等に加熱して接合するので、ウイ
ンドウ接合部に不均一な熱応力がかからず、接合時にウ
インドウが破損しにくい。
【0019】実施の形態4.図4はこの発明の実施の形
態4を示す図であり、図において1〜10は発明の実施
の形態1と同じ機能を有している。
【0020】前記ベースプレートは、実施の形態1に示
すウインドウを接合するキャップ部分を、ベースプレー
トと一体化した構造を有しており、前記ウインドウ6を
前記ベースプレート5の上部に半田で接合し封止する。
これより、接合工程及び部品が削減できる。上記半田接
合を、真空雰囲気中で行えば前記チップ管7を使用して
真空排気する必要もなくなり、チップ管7も削減するこ
とができる。
【0021】実施の形態5.図5はこの発明の実施の形
態5を示す図であり、図において1〜8,10,11は
発明の実施の形態1と同じ機能を有している。17は端
面が前記赤外線検出素子の近傍に位置するようにしたガ
ラスハーメチック端子である。
【0022】前記ガラスハーメチック端子17は、前記
ベースプレート5の貫通穴部にリング状に成形した低融
点ガラスの粉末体と金属端子を挿入し、全体を加熱して
低融点ガラスを溶融して封着することで得ることがで
き、工程数の多い積層セラミックス構造の製造工程は必
要としない。セラミックスを使用した気密端子と比較し
て低いコストで製造できる。
【0023】実施の形態6.図6はこの発明の実施の形
態6を示す図であり、図において1,2,6〜8,1
0,11は発明の実施の形態1と同じ機能を有してい
る。20はセラミックスからなるセラミックスベースプ
レート、19は銅タングステン合金からなり前記ベース
プレート20にロウ付けで接合する放熱プレート、21
はコバールからなる内部と外部を貫通する貫通端子であ
る。
【0024】前記電子冷却素子2は前記プレート19に
接着又は半田付けで固定され、前記電子冷却素子2の発
熱した熱は図示されていないヒートシンク又は放熱フィ
ンに接合された前記放熱プレート19を介して容器の外
へ放熱される。前記貫通端子21は、前記セラミックス
ベースプレート20の貫通穴の周囲にメタライズを施し
ておき、穴の周囲に密着するようなツバを有する金属端
子をロウ付け接合することにより得ることができ、工程
数の多い積層セラミックス構造の製造工程は必要としな
い。セラミックスを使用した気密端子と比較して低いコ
ストで製造できる。
【0025】実施の形態7.図7はこの発明の実施の形
態7を示す図であり、図において1,2,6〜8,1
0,11はこの発明の実施の形態1と同じ機能を有して
いる。22は積層セラミックス、スルーホール、パター
ンからなるセラミックスベースプレート、23は前記セ
ラミックスベースプレート22の内面のパターン又はス
ルーホール上にロウ付接合したコバールからなる内部金
属端子、24は前記セラミックベースプレート22の外
面のパターン又はスルーホール上にロウ付接合したコバ
ールからなる外部金属端子である。
【0026】前記セラミックスベースプレート22は、
アルミナ又は窒化アルミからなり、前記電子冷却素子2
からの発熱が大きい場合は、発明の実施の形態6に示し
た放熱プレートを装着する構造にすることもできる。前
記セラミックスベースプレート22は、パターンとスル
ーホールの位置を変えることにより、前記内部金属端子
23と前記外部金属端子24の位置をずらすことができ
るので、端子の間隔を小さくすることができ高密度の実
装可能である。また前記内部金属端子23をワイヤボン
ディングによる配線をしやすいように前記赤外線検出素
子1の近くに配置し、前記外部金属端子24は図示され
ていない基板のソケットの位置に合わせた配置とするこ
とができる。前記セラミックスベースプレート22は、
前記内部金属端子23と前記内部金属端子24の位置が
同じ場合、前記セラミックスベースプレートにはパター
ンが必要でないため、パターン成形の工程は必要なく少
ない工程で製作できる。セラミック部の厚さも比較的薄
いので積層するセラミックスシートの枚数も少なく低コ
ストで製造できる。
【0027】
【発明の効果】第1の発明によれば、積層セラミックス
構造を用いず少ない工程で製造できる低コストの赤外線
検出器を得ることができる効果がある。
【0028】第2の発明によれば、積層セラミックス構
造を用いず少ない工程で製造でき、電子冷却素子で発生
する熱の放熱性がよい赤外線検出器を得ることができる
効果がある。
【0029】第3の発明によれば、積層セラミックス構
造を用いず少ない工程で製造でき、製造時にウインドウ
が破壊しにくい構造を有する赤外線検出器を得ることが
できる効果がある。
【0030】第4の発明によれば、積層セラミックス構
造を用いず少ない工程で製造でき、気密接合工程も少な
くできる低コストの赤外線検出器を得ることができる効
果がある。
【0031】第5の発明によれば、セラミックス構造を
用いず製造できる低コストの赤外線検出器を得ることが
できる効果がある。
【0032】第6の発明によれば、積層セラミックス構
造を用いず少ない工程で製造できる低コストの赤外線検
出器を得ることができる効果がある。
【0033】第7の発明によれば、比較的少ない工程で
製作できる低コストの積層セラミックス構造で製造で
き、端子の実装密度を上げた小型の赤外線検出器を得る
ことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明による赤外線検出器の実施の形態1
を示す図である。
【図2】 この発明による赤外線検出器の実施の形態2
を示す図である。
【図3】 この発明による赤外線検出器の実施の形態3
を示す図である。
【図4】 この発明による赤外線検出器の実施の形態4
を示す図である。
【図5】 この発明による赤外線検出器の実施の形態5
を示す図である。
【図6】 この発明による赤外線検出器の実施の形態6
を示す図である。
【図7】 この発明による赤外線検出器の実施の形態7
を示す図である。
【図8】 従来の赤外線検出器を示す図である。
【符号の説明】
1 赤外線検出素子、2 電子冷却素子、3 端子、4
セラミックス構造部、5 ベースプレート、6 ウイ
ンドウ、7 チップ管、8 ワイヤボンディング、9
気密端子、10 ゲッタ、11 キャップ、12 リン
グ、17 ガラスハーメチック端子、18 半田接合チ
ップ管、19 放熱プレート、20 セラミックスベー
スプレート、21 貫通端子、22 積層セラミックス
ベースプレート、23 内部金属端子、24 外部金属
端子。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 赤外線を検出する非冷却型赤外線検出素
    子と、前記赤外線検出素子の温度を所定の温度にするた
    めの冷却素子と、セラミックス気密端子と、前記赤外線
    検出素子と前記気密端子間を配線するワイヤボンディン
    グと、前記気密端子を装着した金属材料からなるベース
    プレートと、赤外線を透過するウインドウと、前記ウイ
    ンドウを装着する金属材料からなるキャップと、前記ベ
    ースプレートと前記キャップを溶接封止する構造と、真
    空中への放出ガスを吸着するゲッタと、真空排気用のチ
    ップ管とを備えたことを特徴とする赤外線検出器。
  2. 【請求項2】 赤外線を検出する非冷却型赤外線検出素
    子と、前記赤外線検出素子の温度を所定の温度にするた
    めの冷却素子と、セラミックス気密端子と、前記赤外線
    検出素子と前記気密端子間を配線するワイヤボンディン
    グと、前記気密端子を装着した銅タングステン合金から
    なるベースプレートと、前記ベースプレートにロウ付け
    されたコバールからなるリングと、赤外線を透過するウ
    インドウと、前記ウインドウを装着するコバールからな
    るキャップと、前記ベースプレートと前記キャップを溶
    接封止する構造と、真空中への放出ガスを吸着するゲッ
    タと、真空排気用のチップ管とを備えたことを特徴とす
    る赤外線検出器。
  3. 【請求項3】 赤外線を検出する非冷却型赤外線検出素
    子と、前記赤外線検出素子の温度を所定の温度にするた
    めの冷却素子と、セラミックス気密端子と、前記赤外線
    検出素子と前記気密端子間を配線するワイヤボンディン
    グと、前記気密端子を装着した金属材料からなるベース
    プレートと、赤外線を透過するウインドウと、前記ウイ
    ンドウを装着する金属材料からなるキャップと、前記ベ
    ースプレートと前記キャップを半田で接合し封止する構
    造と、真空中への放出ガスを吸着するゲッタと真空排気
    用のチップ管とを備えたことを特徴とする赤外線検出
    器。
  4. 【請求項4】 赤外線を検出する非冷却型赤外線検出素
    子と、前記赤外線検出素子の温度を所定の温度にするた
    めの冷却素子と、セラミックス気密端子と、前記赤外線
    検出素子と前記気密端子間を配線するワイヤボンディン
    グと、前記気密端子を装着した金属材料からなるベース
    プレートと、赤外線を透過するウインドウと、前記ウイ
    ンドウを、前記ベースプレートに半田で接合し封止する
    構造と、真空中への放出ガスを吸着するゲッタと真空排
    気用のチップ管とを備えたことを特徴とする赤外線検出
    器。
  5. 【請求項5】 赤外線を検出する非冷却型赤外線検出素
    子と、前記赤外線検出素子の温度を所定の温度にするた
    めの冷却素子と、ガラスハーメチック端子と、前記赤外
    線検出素子と前記ガラスハーメチック端子間を配線する
    ワイヤボンディングと、前記ガラスハーメチック端子を
    装着した金属材料からなるベースプレートと、赤外線を
    透過するウインドウと、前記ウインドウを装着する金属
    材料からなるキャップと、前記ベースプレートと前記キ
    ャップを封止する構造と、真空中への放出ガスを吸着す
    るゲッタと、真空排気用のチップ管とを備えたことを特
    徴とする赤外線検出器。
  6. 【請求項6】 赤外線を検出する非冷却型赤外線検出素
    子と、前記赤外線検出素子の温度を所定の温度にするた
    めの冷却素子と、内部と外部を貫通する貫通端子と、前
    記赤外線検出素子と前記貫通端子間を配線するワイヤボ
    ンディングと、前記貫通端子をロウ付けして気密接合し
    たセラミックスからなるベースプレートと、前記冷却素
    子からの熱を放熱するための放熱プレートと、赤外線を
    透過するウインドウと、前記ウインドウを装着する金属
    材料からなるキャップと、前記ベースプレートと前記キ
    ャップを封止する構造と、真空中への放出ガスを吸着す
    るゲッタと、真空排気用のチップ管とを備えたことを特
    徴とする赤外線検出器。
  7. 【請求項7】 赤外線を検出する非冷却型赤外線検出素
    子と、前記赤外線検出素子の温度を所定の温度にするた
    めの冷却素子と、内部に配置する内部金属端子と、外部
    に配置する外部金属端子と、前記赤外線検出素子と前記
    内部金属端子間を配線するワイヤボンディングと、前記
    内部金属端子と前記外部金属端子をロウ付け接合したセ
    ラミックスからなるベースプレートと、赤外線を透過す
    るウインドウと、前記ウインドウを装着する金属材料か
    らなるキャップと、前記ベースプレートと前記キャップ
    を封止する構造と、真空中への放出ガスを吸着するゲッ
    タと、真空排気用のチップ管とを備えたことを特徴とす
    る赤外線検出器。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6855566B2 (en) * 2001-07-24 2005-02-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical semiconductor module and method of producing the same
WO2005038909A3 (en) * 2003-10-17 2005-11-24 Raytheon Co Integrated package design for a radiation sensing device and manufacturing method
EP1816454A1 (en) * 2004-11-24 2007-08-08 Hamamatsu Photonics K.K. Infrared sensor
JP2015041654A (ja) * 2013-08-21 2015-03-02 株式会社島津製作所 パッケージ及び光検出センサ
CN104776912A (zh) * 2014-01-15 2015-07-15 欧姆龙株式会社 红外线检测器的盖及红外线检测器
JP2017003460A (ja) * 2015-06-11 2017-01-05 日本電子株式会社 放射線検出器およびその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6855566B2 (en) * 2001-07-24 2005-02-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical semiconductor module and method of producing the same
WO2005038909A3 (en) * 2003-10-17 2005-11-24 Raytheon Co Integrated package design for a radiation sensing device and manufacturing method
US7084010B1 (en) 2003-10-17 2006-08-01 Raytheon Company Integrated package design and method for a radiation sensing device
JP2007509320A (ja) * 2003-10-17 2007-04-12 レイセオン・カンパニー 放射感知装置の集積されたパッケージ設計および方法
EP1816454A1 (en) * 2004-11-24 2007-08-08 Hamamatsu Photonics K.K. Infrared sensor
EP1816454A4 (en) * 2004-11-24 2014-01-01 Hamamatsu Photonics Kk INFRARED SENSOR
JP2015041654A (ja) * 2013-08-21 2015-03-02 株式会社島津製作所 パッケージ及び光検出センサ
CN104776912A (zh) * 2014-01-15 2015-07-15 欧姆龙株式会社 红外线检测器的盖及红外线检测器
JP2017003460A (ja) * 2015-06-11 2017-01-05 日本電子株式会社 放射線検出器およびその製造方法

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