JP3972126B2 - 紫外線発生源、紫外線照射処理装置及び半導体製造装置 - Google Patents

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Description

本発明は、紫外線発生源、紫外線照射処理装置及び半導体製造装置に関する。
近年、半導体集積回路では、配線間を伝達する信号の遅延を抑え、回路全体の処理速度を向上させるため、低誘電率を有する絶縁膜（以下、低誘電率絶縁膜と称する。）が用いられている。
半導体ロードマップでは、デザインルールが６５ｎｍとなる世代以降に比誘電率２．５以下の層間絶縁膜が要望されているが、これまで多くの絶縁材料が検討された結果、材料単体で比誘電率が２．５以下を実現することは難しいことがわかってきた。そのため、絶縁材料としては比誘電率２．５以上のものを用いながら、形成した絶縁膜中にナノメートル乃至サブナノメートルの空孔を導入して多孔質化し、膜密度を下げることにより絶縁膜全体の実効誘電率を低減するという手法が用いられるようになってきた。
例えば、添加物を形成膜中に取り込み、その後酸化等により膜から排除して多孔質化する例が特許文献１に記載されている。
特開２０００−２７３１７６号公報
しかしながら、絶縁膜内に空孔を導入して多孔質化すると、膜全体の機械的強度が大幅に低下し、成膜以降の工程で平坦化のために行なわれる研磨工程（ＣＭＰ：chemichal mechanical polishing）に耐えられないという問題が生じる。この問題を解決するため、空孔サイズを小さくするか、または空孔率を低くすれば、膜の機械的強度が上がるが、必要とされる低い比誘電率が得られない。
このような問題を解決するため、減圧雰囲気中で絶縁膜に紫外線を照射することが考えられるが、従来の紫外線ランプは大気中で使用することを前提に設計されており、減圧中に紫外線ランプを設置するとランプが圧力差に耐え切れず、破損する恐れがある。また、紫外線ランプの外壁を厚くすると、破損は免れるかもしれないが、紫外線ランプが減圧中に置かれるためその外壁の温度が高くなりすぎる恐れがある。
これを防止するため、たとえば石英ガラスからなる紫外線透過窓が減圧雰囲気と接するように紫外線透過窓を処理室の仕切り壁にはめ込んで設置し、紫外線透過窓を通して紫外線を被処理基板に照射することになる。この場合、紫外線透過窓にかかる圧力差に起因する応力に耐え得るように紫外線透過窓の厚さを設定する必要がある。しかも、被処理基板が大型化した場合や複数の被処理基板を同時に処理する場合、被処理基板に均一に紫外線を照射するため、被処理基板の大きさに合わせて複数の紫外線ランプを被処理基板の対向面内に並べる必要がある。このような場合、従来の紫外線発生源では、減圧雰囲気と接する紫外線透過窓の表面積が広くなるため、それにかかる応力も大きくなり、このため、紫外線透過窓の厚さをかなり厚くする必要がある。これでは、紫外線透過強度の減衰がより大きくなるとともに、装置製造コストの増大を招く。
本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、減圧雰囲気中で使用可能で、圧力差に起因する応力に十分に耐え得、かつ紫外線透過強度の減衰をより小さくし得るとともに、装置製造コストの低減を図ることができる紫外線発生源、紫外線照射処理装置及び半導体製造装置を提供するものである。
上記課題を解決するため、第１の発明は、紫外線発生源に係り、処理室に設置して紫外線を発生する紫外線発生源であって、円柱状の紫外線ランプと、紫外線を透過する材料からなり、一つの前記紫外線ランプを封止し、かつ窒素ガス又は不活性ガスが封入された円筒状の保護管とを有し、前記紫外線ランプから発生し、前記保護管を通して該保護管の外部に出射する紫外線を処理に用いることを特徴とし、
第２の発明は、第１の発明の紫外線発生源に係り、前記紫外線ランプと前記保護管との間の隙間が大気圧となっていることを特徴とし、
第３の発明は、第１の発明の紫外線発生源に係り、前記一つの紫外線ランプを封止した保護管が複数並行して並べられてなることを特徴とし、
第４の発明は、第１乃至第３の発明のいずれか一の紫外線発生源に係り、 前記紫外線ランプは放電により紫外線を発生するエキシマ紫外線ランプであることを特徴とし、
第５の発明は、第１乃至第４の発明のいずれか一の紫外線発生源に係り、前記紫外線発生源から発生する紫外線を反射により一定方向に向かうようにする紫外線反射板を設けたことを特徴とし、
第６の発明は、第１乃至第５の発明のいずれか一の紫外線発生源に係り、前記紫外線発生源から発生する紫外線から特定範囲の波長を選択して透過させるフィルタを備えていることを特徴とし、
第７の発明は、紫外線照射処理装置に係り、減圧可能な処理室と、前記処理室内に設けられた、紫外線照射処理を受ける基板を保持する基板保持具と、前記基板保持具に対向するように前記処理室内に設けられた第１乃至第６の発明のいずれか一の紫外線発生源とを備えたことを特徴とし、
第８の発明は、第１の発明の紫外線照射処理装置に係り、前記基板保持具は、上下運動、又は、前記紫外線発生源に対する回転運動或いは対向面内往復直線運動のうち少なくともいずれか一を行い得るようになっていることを特徴とし、
第９の発明は、第７又は第８の発明のいずれか一の紫外線照射処理装置に係り、前記処理室に、窒素ガス又は不活性ガスの供給源、酸素ガスの供給源、及びシロキサン化合物の供給源のうち少なくともいずれか一が接続されていることを特徴とし、
第１０の発明は、第７乃至第９の発明のいずれか一の紫外線照射処理装置に係り、前記基板を加熱する手段を有することを特徴とし、
第１１の発明は、半導体製造装置に係り、第７乃至第９の発明のいずれか一の紫外線照射処理装置と、加熱装置とが直列に接続され、又はトランスファチャンバを介して並列に接続され、前記基板を大気に曝さずに、紫外線照射処理と、加熱処理とを連続して行うことができるようにしたことを特徴とし、
第１２の発明は、半導体製造装置に係り、成膜装置と、第７乃至第１０の発明のいずれか一の紫外線照射処理装置とが直列に接続され、又はトランスファチャンバを介して並列に接続され、前記基板を大気に曝さずに、成膜と、紫外線照射処理と、加熱処理とを連続して行うことができるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
第１３の発明は、半導体製造装置に係り、成膜装置と、第７乃至第９の発明のいずれか一の紫外線照射処理装置と、加熱装置とが直列に接続され、又はトランスファチャンバを介して並列に接続され、前記基板を大気に曝さずに、成膜と、紫外線照射処理と、加熱処理とを連続して行うことができるようにしたことを特徴とし、
第１４の発明は、第１２又は第１３の発明のいずれか一の半導体製造装置に係り、前記成膜装置は、化学気相成長装置、又は塗布装置であることを特徴とし、
第１５の発明は、第１４の発明の半導体製造装置に係り、前記半導体製造装置は、低誘電率絶縁膜を形成する工程であって、Si-CH3結合を有する絶縁膜を形成した後、Si-CH3結合からCH3基を切り離す工程に用いることを特徴とし、
第１６の発明は、第１５の発明の半導体製造装置に係り、前記半導体製造装置は、絶縁膜中の空孔壁に残った未結合ボンドを再結合させて、前記絶縁膜の機械的強度を向上させる工程に用いることを特徴としている。
以下に、上記本発明の構成に基づく作用について説明する。
本発明の紫外線発生源によれば、紫外線を透過する材料からなる保護管内に紫外線ランプが封止されている。紫外線を透過する材料として、たとえば石英ガラスがある。
従って、保護管の外部を減圧した場合、保護管が圧力差に起因する応力に耐え得るようにすることができ、これにより、保護管内部の紫外線ランプが破壊するのを防止することができる。
また、紫外線ランプが個別に一本ずつ保護管内に封止されている。特に、紫外線ランプを複数並べて減圧雰囲気中に設置するようなときに、減圧雰囲気に接する保護管の表面積を小さくすることができる。これに応じて、保護管にかかる圧力差に起因する応力も小さくなるため、保護管の厚さをより薄くすることができる。このため、紫外線透過強度の減衰をより小さくし得るとともに、紫外線発生源コストの低減を図ることができる。
また、保護管内、言い換えれば紫外線ランプと、対応する保護管との間の隙間に、予め窒素ガス又は不活性ガスが封入されている。従って、紫外線照射時に、隙間に酸素が残らないような状態になっているか、又は隙間を窒素ガス等で充満させ、隙間に酸素が残らないようにしておくことができる。このため、紫外線ランプから発生した紫外線を酸素による吸収を受けずに保護管外に出射させ得る。また、紫外線ランプに接して窒素ガス又は不活性ガスが流通するため、このガスにより紫外線ランプは冷却され、温度上昇を防止することができる。
さらに、放電により紫外線を発生するエキシマ紫外線ランプなどは放電用の電極がランプの外に露出しているため、保護管がないと外気や処理室内の雰囲気に曝され、酸化したり、腐食したりする恐れがある。保護管によりこれらの不具合を防止することも可能である。
また、紫外線発生源から発生する紫外線を反射により一定方向に向かうようにする紫外線反射板を設けることにより、紫外線の向かう側に被処理基板を設置したとき紫外線の使用効率の向上を図ることができる。一定方向とは、各紫外線がすべて同じ角度で一定方向に向かうことを表すものではなく、各紫外線の角度は種々であるが、紫外線反射板から見て紫外線発生源側に向かうということを表す。以下、同じ。
ところで、機械的強度の大きな低誘電率絶縁膜を得るために、成膜後に形成膜に対して紫外線を照射してSi-O-Si等の骨格構造に影響を与えずに、絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離すことが必要になる。このような用途では、照射する紫外線のエネルギの上限（すなわち、照射する紫外線の波長の下限）を、骨格構造を形成しているSi-O-Si或いはSi-O-Si以外のSi-Oの結合エネルギに設定し、かつ、照射する紫外線のエネルギの下限（すなわち、照射する紫外線の波長の上限）を、Si-CH3結合基の結合エネルギよりも大きいエネルギに設定することが必要になる。本願発明では、紫外線発生源から発生する紫外線から特定範囲の波長を選択して透過させるフィルタを備えているため、照射すべき紫外線のエネルギ（波長）を上記範囲に設定することが可能となる。
本発明の紫外線照射処理装置においては、減圧可能な処理室内に被処理基板を保持する基板保持具を設け、この基板保持具に対向するように、処理室内に上記の紫外線発生源を設けている。
上記の紫外線発生源では保護管の厚さを薄くしても圧力差に起因する応力に耐え得るため、紫外線透過強度の減衰を抑制し得るとともに、装置コストの低減を図ることができる。
また、紫外線が反射により一定方向に向かうようにする紫外線反射板を備えているため、紫外線の使用効率の向上を図ることができ、ひいては省電力化が可能となる。
さらに、紫外線から特定範囲の波長を選択して透過可能なフィルタを備えているため、Si-O-Si等の骨格構造にCH3基を有する形成膜を成膜後にその形成膜に対して、波長が一定の範囲にある紫外線を照射することができる。このため、Si-O-Si等の骨格構造に影響を与えずに、絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離すことができ、これにより機械的強度の大きな低誘電率絶縁膜を形成することが可能となる。
また、基板保持具は、上下運動、又は、紫外線発生源に対する回転運動或いは対向面内往復直線運動のうち少なくともいずれか一を行い得るようになっている。基板保持具を紫外線発生源に対して遠ざけると基板内の各照射箇所において紫外線照射量が少なくなるが均一性が増し、近づけると紫外線照射量が多くなるが均一性が低下する。すなわち、基板保持具の上下運動により紫外線照射量及び均一性を調整し得る。また、基板保持具が紫外線発生源に対して例えば９０度或いはそれ以上の順逆回転運動、又は例えばランプ設置間隔の１／２又はその整数倍の振幅で対向面内往復直線運動を行うことで、各照射箇所における紫外線照射量の偏りをなくし、紫外線照射量を均一化することができる。特に、このような構成は、基板が大型化した場合同一基板内で、或いは複数の被処理基板を同時に処理する場合同一の基板保持具上の基板表面で、場所により紫外線照射量が異なってくるようなときに有効である。
また、処理室に、窒素ガス又は不活性ガスの供給源、酸素ガスの供給源、及びシロキサン結合を有する化合物の供給源のうち少なくともいずれか一が接続されている。
ところで、酸素分子は、波長２００ｎｍ以下の紫外線を吸収するので、処理室内のそれらの分圧が高いと、紫外線照射強度が低下する。また、紫外線の吸収によって酸素分子から生成した活性酸素（オゾンや原子状酸素）は低誘電率絶縁膜の酸化による比誘電率の上昇やエッチングによる劣化などを引き起こす。そこで、処理室内の残留酸素濃度を大気の０．０１％以下にすることが望ましい。そのためには処理室の圧力を１０-2Torr以下にすればよい。この場合、処理室の減圧と窒素ガス又は不活性ガスによるパージとを１サイクル以上繰り返すことで、短時間に処理室内の酸素分子の分圧を低くすることができる。
また、メチル基を含むシリコン酸化物で構成される低誘電率絶縁膜においては、紫外線照射とアニールにより膜中の有機物が膜外に放出されて、処理室内にある紫外線発生源を構成する保護管や処理室内壁に付着する。紫外線発生源の保護管に有機物が付着するとそれにより紫外線が吸収されるので、紫外線の照射強度が低下する。また、処理室内壁に付着するとそれが剥げ落ちてパーティクルの原因となる。この場合、被処理基板への紫外線照射処理後に、処理室内に酸素ガス又は酸素ガスを含む空気を導入し、その状態で紫外線を照射する。これにより、活性酸素を生成し、その働きで紫外線発生源の保護管や処理室内壁に付着した有機物を分解し、除去することができる。
また、メチル基を含むシリコン酸化物で構成される低誘電率絶縁膜においては、紫外線照射とアニールによりメチル基が膜中から除去される。この場合、膜中のメチル基の濃度が極端に下がると膜の耐吸湿性が低下する。すなわち、膜が大気に触れた場合、大気中の水分が膜内の空孔壁に吸着して比誘電率が上昇する恐れがある。これを防ぐため、紫外線照射処理を行った後、大気中に取り出す前に、シロキサン結合を有する化合物、たとえばヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）等を低誘電率絶縁膜の表面に吸着させることで、その表面を疎水化する。これにより、低誘電率絶縁膜内の空孔への水分の浸入や空孔壁への水分の吸着を防止することができる。
また、紫外線照射処理装置は基板を加熱する手段を有している。この場合、機械的強度の大きな低誘電率絶縁膜を得るために、Si-O-Si等の骨格構造にCH3基を有する形成膜に対して紫外線を照射して、絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離す工程で、基板に紫外線を照射しつつ基板を加熱することで、絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離すとともに切り離されたCH3基を直ちに膜外へ放出することができる。同時に、CHn基の脱離によって空孔壁に残った未結合ボンドを再結合（重合）させて、膜の機械的強度をさらに向上させることができる。
本発明の半導体製造装置は、上記紫外線照射処理装置（加熱手段を備えていない場合）と加熱装置との組み合わせ、または、成膜装置と上記紫外線照射処理装置（加熱手段を備えている場合）との組み合わせ、または、成膜装置と上記紫外線照射処理装置（加熱手段を備えていない場合）と加熱装置との組み合わせで構成され、かつ各組み合わせにおいてその構成装置が直列に、又はトランスファチャンバを介して並列に接続され、これにより、基板を大気に曝さずに、成膜と、紫外線照射処理と、アニール処理とを連続して行うことができるようにしている。
これにより、この半導体製造装置により作製された形成膜において、大気中の水分の吸着等による比誘電率の上昇、耐電圧劣化などを防止することができる。
本発明の紫外線発生源においては、紫外線を透過する材料からなる保護管内に、紫外線ランプが個別に封止されている。これにより、特に、複数の紫外線ランプを並べておく場合に紫外線発生源を減圧雰囲気中に設置した場合に保護管の厚さをより薄くすることができるため、紫外線透過強度の減衰をより小さくし得るとともに、紫外線発生源コストの低減を図ることができる。
また、保護管内に予め窒素ガス又は不活性ガスが封入されている。従って、紫外線発生時に、隙間に酸素が残らないような状態になっているか、又は隙間を窒素ガス等で充満させ、隙間に酸素が残らないようにしておくことができるため、紫外線ランプから発生した紫外線が酸素による吸収を受けないようにして紫外線を出射させることができる。これにより、紫外線透過強度の減衰をより小さくし得る。
本発明の紫外線照射処理装置においては、減圧可能な処理室内に被処理基板を保持する基板保持具を設け、この基板保持具に対向するように、処理室内に上記の紫外線発生源を設けている。上記の紫外線発生源では保護管の厚さを薄くしても圧力差に起因する応力に耐え得るため、紫外線透過強度の減衰を抑制し得るとともに、装置コストの低減を図ることができる。
また、基板保持具は、上下運動、又は、紫外線発生源に対する回転運動或いは対向面内往復直線運動のうち少なくともいずれか一を行い得るようになっている。従って、基板保持具の上下運動により紫外線照射量及び均一性を調整し得るとともに、回転運動或いは対向面内往復直線運動により各照射箇所における紫外線照射量の偏りをなくし、紫外線照射量を均一化することができる。従って、このような構成は、特に、基板が大型化した場合同一基板内で、或いは複数の被処理基板を同時に処理する場合同一の基板保持具上の基板表面で、場所により紫外線照射量が異なってくるようなときに有効である。
本発明の半導体製造装置においては、上記紫外線照射処理装置（加熱手段を備えていない場合）と加熱装置との組み合わせ、または、成膜装置と上記紫外線照射処理装置（加熱手段を備えている場合）との組み合わせ、または、成膜装置と上記紫外線照射処理装置（加熱手段を備えていない場合）と加熱装置との組み合わせで構成され、かつ各組み合わせにおいてその構成装置が直列に、又はトランスファチャンバを介して並列に接続され、これにより基板を大気に曝さずに、成膜と、紫外線照射処理と、アニール処理とを連続して行うことができるようにしている。これにより、この半導体製造装置により作製された形成膜において、大気中の水分の吸着等による比誘電率の上昇、耐電圧劣化などを防止することができる。このため、特に、膜質がよく、かつ機械的強度の大きい低誘電率絶縁膜や、比誘電率が調整された窒化膜を作製し得る低コストの半導体製造装置を提供することが可能となる。
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（本発明の第１の実施の形態である紫外線発生源の説明）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る紫外線発生源の構成を示す側面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
この紫外線発生源１０１は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、４本の円柱状の紫外線ランプ１本体と、各々の紫外線ランプ１を個別に収納して、紫外線ランプ１を外部と隔てる、石英ガラス（紫外線を透過する材料）からなる４本の円筒状の保護管２と、紫外線ランプ１から放射状に発生する紫外線を反射により一定方向（図１（ａ）では下側に相当する。）に向かうようにする紫外線反射板４とを備えている。なお、一定方向とは、各紫外線がすべて同じ角度で一定方向に向かうことを表すものではなく、各紫外線の角度は種々であるが、紫外線反射板から見て紫外線発生源側に向かうということを表す。以下、同じ。
さらに、図１（ａ）に示すように、円柱状の紫外線ランプ１本体は円筒状の保護管２内に同心状に挿入され、図１（ｂ）に示すように、円筒状の保護管２の両端からそれぞれ紫外線ランプ１本体の両端が突出している。円筒状の保護管２の両端には不図示のＯリングを介してキャップ５ａ、５ｂが被せてあり、キャップ５ａ、５ｂからそれぞれ紫外線ランプ１本体の両端が突出するとともに、保護管２内部が密閉されている。また、キャップ５ａ、５ｂにはそれぞれ、保護管２内部、すなわち紫外線ランプ１と保護管２との間の隙間３を大気圧にし、かつ隙間３内の酸素量を所定値以下にするため、外部から窒素ガス又は不活性ガスを導入するガス導入口６ａと窒素ガス又は不活性ガスを排出するガス排出口６ｂとが設けられている。ガス導入口６ａには、開閉バルブ９及びマスフローコントローラ１０が設けられた配管８を介して図示しない窒素ガス又は不活性ガスの供給源が接続されている。ガス排出口６ｂには開閉バルブ１２が設けられた配管１１を介して図示しない排気装置に接続されている。
また、紫外線ランプ１の片側端にはガラス管内のガスを放電させて紫外線を発生させるための対の電極の引出し電極７ｂが設けられている。なお、紫外線の向かう側に、紫外線ランプ１から発生した紫外線から所定の範囲の波長を選択して透過とさせることができるフィルタ（図示しない）を設けてもよい。
次に、図２を参照して紫外線ランプ１本体の構成について詳しく説明する。
紫外線ランプ１本体はすでに市販されているものを用いることができる。紫外線ランプ１本体として重水素ランプ、ＡｒやＸｅガスの高周波放電により紫外線を発生するエキシマＵＶランプ、水銀ランプ、水銀キセノンランプ、レーザ（KrFレーザ、ArFレーザ、F2レーザなど）などを用いてもよい。これらのランプから発生する紫外線は単色ではなく広い範囲にわたってエネルギが分布するため、用途によりフィルタを通し、所定の範囲のエネルギの紫外線のみを照射することが望ましい。例えば、機械的強度の大きな低誘電率絶縁膜を得ようとする場合、高いエネルギの紫外線により絶縁膜の骨格構造の結合が切り離される虞がある。これを避けるため、絶縁膜の骨格構造の結合を切り離すような高いエネルギの紫外線をカットするフィルタを通して照射することが望ましい。
この実施の形態では、高周波放電により紫外線を発生するエキシマＵＶランプについて説明する。その構成は、例えば、図２に示すように、円筒状の外管１３内に同心状に内管１４が挿入され、外管１３と内管１４との間の空間１５は密閉されてＡｒやＸｅなどの不活性ガスが封入されている。外管１３の外周には網目状の金属網電極１６ａが外管１３壁に接するように設けられ、内管１４の内側には金属電極１６ｂが内管１４壁に接するように設けられている。金属電極１６ｂは引出し電極７ｂ接続されている。引出し電極７ｂを介して電極１６ａ、１６ｂ間に電圧を印加することにより、外管１３と内管１４との間の空間１５に密閉された不活性ガスが放電し、金属網電極１６ａの網目の隙間から紫外線を発生するようになっている。
以上のように、本発明の第１の実施の形態にかかる紫外線発生源１０１によれば、１以上の紫外線ランプ１を個別に紫外線を透過する材料からなる保護管２内に収納して、紫外線ランプ１を外部と隔てるようにしている。
従って、紫外線発生源１０１の保護管２の外部を減圧した場合、保護管２が圧力差に起因する応力に耐えるようにすることができ、これにより、保護管２内部の紫外線ランプ１が破壊するのを防止することができる。この場合、紫外線ランプ１が個別に一本ずつ保護管２内に収納されているため、これを減圧雰囲気中に設置した場合に減圧雰囲気に接する保護管２の表面積を小さくすることができる。これに応じて、保護管２にかかる圧力差に起因する応力も小さくなるため、保護管２の厚さをより薄くすることができる。このため、紫外線透過強度の減衰をより小さくし得るとともに、紫外線発生源１０１コストの低減を図ることができる。
また、保護管２内に外部から窒素ガス又は不活性ガスを導入するガス導入口６ａを有している。従って、紫外線照射時に、紫外線ランプ１と保護管２との間の隙間３に窒素ガス等を導入して隙間３を窒素ガス等で充満させ、隙間３に酸素が残らないようにしておくことができる。従って、紫外線ランプ１から発生した紫外線は酸素による吸収を受けずに保護管２外に出射し得るので、紫外線透過強度の減衰をより小さくし得ることになる。
さらに、放電用の電極１１ａ、１１ｂがランプの外に露出しているため、保護管２がないと外気や処理室内の雰囲気に曝され、酸化したり、腐食したりする恐れがある。保護管２によりこれらの不具合を防止することも可能である。
また、紫外線発生源１０１から放射状に発生する紫外線を反射により一定方向に向かうようにする紫外線反射板４を設けることにより、たとえば、紫外線の向かう側に被処理基板を設置したとき紫外線の使用効率の向上を図ることができる。
また、特定範囲の波長を選択して紫外線を透過させることが可能なフィルタを設けることにより、照射すべき紫外線のエネルギ（波長）を所定の範囲に設定することが可能となる。
なお、上記の紫外線発生源１０１は、紫外線ランプ１が収納された保護管２内に外部から窒素ガス又は不活性ガスを導入するような構成になっているが、保護管２内に紫外線ランプ１が封止され、かつ予め窒素ガス又は不活性ガスが封入されているような構成としてもよい。
（本発明の第２の実施の形態である紫外線照射処理装置の説明）
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る紫外線照射処理装置１０２の構成を示す側面図である。
この紫外線照射処理装置１０２は、図３に示すように、減圧可能なロードロックチャンバ３２と、減圧可能なトランスファチャンバ３３と、減圧可能な紫外線照射処理チャンバ２１とを有し、各チャンバ３２、３３、２１が、この順に直列に接続されている。各チャンバ間の流通／遮断はゲートバルブ３４ｂ、３４ｃの開閉により行われる。すなわち、基板４２を大気に曝さずに、減圧中で紫外線照射処理、アニール処理を連続して行うことができるようになっている。
ロードロックチャンバ３２は紫外線照射処理装置１０２への基板４２の出入口に相当し、ゲートバルブ３４ａを備え、室内の圧力を変えてゲートバルブ３４ａを開閉し、基板４２を搬入したり、搬出したりする。ロードロックチャンバ３２には、排気配管３７を介して排気装置３８が接続され、また、基板ホルダ４０に収納した基板４２を上下させる移動手段３９を備えている。トランスファチャンバ３３はロードロックチャンバ３２と紫外線照射処理チャンバ２１との間の搬送経路に当たり、基板搬送ロボット４１を備えている。この基板搬送ロボット４１により、ロードロックチャンバ３２から紫外線照射処理チャンバ２１へ、逆に紫外線照射処理チャンバ２１からロードロックチャンバ３２へ基板４２が搬送される。紫外線照射処理チャンバ２１では搬入された基板４２に対して減圧下で紫外線照射処理が行われる。
紫外線照射処理チャンバ２１は排気配管２７を通して排気装置２８と接続されている。排気配管２７の途中には紫外線照射処理チャンバ２１の排気装置２８への接続／非接続を制御する開閉バルブが設けられている。
紫外線照射処理チャンバ２１は、基板保持具９１と、基板保持具９１の基板保持台２２に対向する紫外線発生源１０１とを備えている。基板保持具９１は、基板保持台２２と、回転軸２４と、モータ２５と、ベローズ２６とで構成される。回転軸２４は、基板保持台２２に接続された第１の回転軸２４ａと、モータ２５に接続された第２の回転軸２４ｃと、第１の回転軸２４ａと第２の回転軸２４ｃとの接続手段２４ｂとで構成される。ベローズ２６は、回転軸２４の周囲に回転軸２４と一体的に設けられ、回転軸２４の上下移動とともに伸縮し、チャンバ２１内の密閉性が保たれるようになっている。また、回転軸２４が回転する際に接続手段２４ｂによりベローズ２６が捩れないようになっている。このような構成により、基板保持台２２は、上下運動（紫外線発生源１０１に対する遠近運動）、又は紫外線発生源１０１に対する順逆回転運動のうち少なくともいずれか一を行い得る。また、基板保持台２２と紫外線発生源１０１との間に紫外線の通路を開閉制御する図示しないシャッタを備えている。基板保持台２２は、基板保持台２２上の基板４２を加熱する、抵抗加熱に基づくヒータ２３を備えている。
さらに、紫外線照射処理チャンバ２１には、窒素ガスの供給源Ｇ１、不活性ガスの供給源Ｇ２、酸素ガスの供給源Ｇ３、及びシロキサン結合を有する化合物の供給源Ｇ４が配管３６と分岐配管３５を介して接続されている。配管３６の途中には開閉バルブ及びマスフローコントローラが設けられている。さらに、配管３６から分岐している他方の配管８は紫外線発生源１０１の保護管２に接続されている。保護管２内であって、紫外線ランプ１と保護管２内壁の間の隙間３に酸素が残留しないようにこれらの配管８、３６を通して充填用ガス（窒素又は不活性ガス）が供給される。
以上のように、本発明の第２の実施の形態の紫外線照射処理装置によれば、紫外線発生源１０１は紫外線ランプ１を個々に収納し、外部から隔てる保護管２を有している。これにより、紫外線発生源１０１は保護管２により圧力差に起因する応力に耐え得るようにでき、かつ保護管２の厚さを薄くすることができるため、紫外線透過強度の減衰を抑制し得るとともに、装置コストの低減を図ることができる。
また、紫外線を反射により下側に向かうようにする紫外線反射板４を備えているため、紫外線の使用効率の向上を図ることができ、ひいては省電力化を図ることが可能となる。
さらに、照射すべき紫外線の波長を選択可能なフィルタを備えているため、波長が一定の範囲にある紫外線のみを照射することができる。このため、例えば、Si-O-Si等の骨格構造にCH3基を有する形成膜を成膜後にその形成膜に対して、Si-O-Si等の骨格構造に影響を与えずに、絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離すことができ、これにより機械的強度の大きな低誘電率絶縁膜を形成することが可能となる。
また、紫外線照射処理装置は基板を加熱する手段２３を有している。この場合、機械的強度の大きな低誘電率絶縁膜を得るために、Si-O-Si等の骨格構造にCH3基を有する形成膜に対して紫外線を照射して、絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離す工程で、基板４２に紫外線を照射しつつ基板４２を加熱することで、絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離すとともに切り離されたCH3基を直ちに膜外へ放出することができる。同時に、CHn基の脱離によって空孔壁に残った未結合ボンドを再結合（重合）させて、膜の機械的強度をさらに向上させることができる。
また、基板保持台２２は、上下運動（紫外線発生源１０１に対する遠近運動）又は紫外線発生源１０１に対する順逆回転運動のうち少なくともいずれか一を行い得るようになっている。基板保持台２２を紫外線発生源１０１に対して遠ざけると基板４２内の各照射箇所において紫外線照射量が少なくなるが均一性が増し、近づけると紫外線照射量が多くなるが均一性が低下する。すなわち、基板保持台２２の上下運動により紫外線照射量及び均一性を調整し得る。また、基板保持台２２が紫外線発生源１０１に対して例えば９０度或いはそれ以上の角度の順逆回転運動を行うことで、各照射箇所における紫外線照射量の偏りをなくし、紫外線照射量を均一化することができる。特に、このような構成は、基板４２が大型化して同一基板４２内でも場所により紫外線照射量が異なってくるような場合や、複数の基板４２を同一の基板保持台２２に載置して同一の基板保持台２２上の基板４２表面でも場所により紫外線照射量が異なってくるような場合に有効である。
また、紫外線照射処理チャンバ２１に、窒素ガスの供給源Ｇ１、不活性ガスの供給源Ｇ２、酸素ガスの供給源Ｇ３、及びシロキサン結合を有する化合物の供給源Ｇ４のうち少なくともいずれか一が接続されている。
ところで、酸素分子は、波長２００ｎｍ以下の紫外線を吸収するので、紫外線照射処理チャンバ２１内のそれらの分圧が高いと、紫外線照射強度が低下する。また、紫外線の吸収によって酸素分子から生成した活性酸素（オゾンや原子状酸素）は低誘電率絶縁膜の酸化による比誘電率の上昇やエッチングによる劣化などを引き起こす。そこで、紫外線照射処理チャンバ２１内の残留酸素濃度を大気の０．０１％以下にすることが望ましい。そのためには処理室の圧力を１０-2Torr以下にすればよい。この場合、紫外線照射処理チャンバ２１の減圧と窒素ガス又は不活性ガスによるパージとを１サイクル以上繰り返すことで、短時間に紫外線照射処理チャンバ２１内の酸素分子の分圧を低くすることができる。
また、メチル基を含むシリコン酸化物で構成される低誘電率絶縁膜においては、紫外線照射とアニールにより膜中の有機物が膜外に放出されて、紫外線照射処理チャンバ２１内にある紫外線発生源１０１を構成する保護管２や紫外線照射処理チャンバ２１内壁に付着する。紫外線発生源１０１の保護管２に有機物が付着するとそれにより紫外線が吸収されるので、紫外線の照射強度が低下する。また、紫外線照射処理チャンバ２１内壁に付着するとそれが剥げ落ちてパーティクルの原因となる。この場合、被処理基板４２への紫外線照射処理後に、紫外線照射処理チャンバ２１内に酸素ガス又は酸素ガスを含む空気を導入し、その状態で紫外線を照射する。これにより、活性酸素を生成し、その働きで紫外線発生源１０１の保護管２や紫外線照射処理チャンバ２１内壁に付着した有機物を分解し、除去することができる。
また、メチル基を含むシリコン酸化物で構成される低誘電率絶縁膜においては、紫外線照射とアニールによりメチル基が膜中から除去される。この場合、膜中のメチル基の濃度が極端に下がると膜の耐吸湿性が低下する。すなわち、膜が大気に触れた場合、大気中の水分が膜内の空孔壁に吸着して比誘電率が上昇する恐れがある。これを防ぐため、紫外線照射処理を行った後、大気中に取り出す前に、シロキサン結合を有する化合物、たとえばヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）等を低誘電率絶縁膜に吸着させることで、その表面及び空孔壁を疎水化する。これにより、低誘電率絶縁膜内の空孔への水分の浸入や、膜表面及び空孔壁への吸着を防止することができる。
次に、図４を参照して本発明の第２の実施の形態に係る他の紫外線照射処理装置１０３の構成を説明する。図４は他の紫外線照射処理装置１０３のうち、特に紫外線照射処理チャンバの構成を示す側面図である。
図３の装置と異なるところは、基板保持台２２が、ランプ設置間隔ｄの１／２又はその整数倍の振幅で対向面内往復直線運動を行うようになっている点である。基板保持台２２は基板保持具９２の一部を構成する。基板保持具９２は、基板保持台２２に加えて、さらに基板保持台２２の側部に取り付けられた支持軸２９と、支持軸２９が取り付けられているモータ３１と、支持軸２９の移動により伸縮するベローズ３０とで構成される。支持軸２９は円筒状の支持軸２９ｂとその内部を通してモータ３１と接続する支持軸２９ａとで構成される。ベローズ３０は支持軸２９ａの周囲を囲むように取り付けられている。このような構成により、支持軸２９ａを介してモータ３１の順逆回転運動が基板保持台２２の対向面往復直線運動に変換されるようになっている。
なお、図４において、紫外線照射処理チャンバ２１の周辺の構成は図３の装置と同じ構成とすることもできる。
本発明の第２の実施の形態に係る他の紫外線照射処理装置１０３によれば、基板保持具２２がランプ設置間隔ｄの１／２又はその整数倍の振幅で対向面内往復直線運動を行うことにより、基板の各照射箇所における紫外線照射量の偏りをなくし、紫外線照射量を均一化することができる。特に、このような構成は、上記したように、基板が大型化して同一基板内でも場所により紫外線照射量が異なってくるような場合などに有効である。
なお、上記第２の実施の形態では、紫外線照射処理装置１０２、１０３はいずれも、基板保持台２２に抵抗加熱に基づくヒータ（加熱手段）２３を備えているが、別のところに設けることもできるし、赤外線その他に基づく加熱手段でもよい。或いは、紫外線照射処理装置１０２、１０３において加熱手段を省略することも可能である。紫外線照射処理装置１０２、１０３において加熱手段２３を省略した場合、別に加熱専用の装置を設け、それにより紫外線照射処理後にアニールを行うことができる。
（本発明の第３の実施の形態である半導体製造装置の説明）
本発明の半導体製造装置においては、第２の実施の形態の紫外線照射処理装置で加熱手段を省略した紫外線照射処理装置と加熱装置との組み合わせ、または、成膜装置と第２の実施の形態の紫外線照射処理装置（加熱手段を備えている場合）との組み合わせ、または、成膜装置と第２の実施の形態の紫外線照射処理装置（加熱手段を備えていない場合）と加熱装置との組み合わせが可能であり、かつ各組み合わせにおいてその構成装置が順に直列に、又はトランスファチャンバを介して並列に接続されて装置を構成することが可能である。成膜装置として、化学気相成長装置（ＣＶＤ装置）や塗布装置を用いることができる。
上記可能な装置構成のうち、第３の実施の形態では、成膜装置（成膜チャンバ）と加熱手段を備えていない紫外線照射処理装置（紫外線照射処理チャンバ）と加熱装置（アニールチャンバ）との組み合わせで構成され、かつその構成装置（チャンバ）が順に直列に、又はトランスファチャンバを介して並列に接続され、これにより基板を大気に曝さずに、成膜と、紫外線照射処理と、アニール処理とを連続して行うことができるようにしている。
図５はその構成装置が順に直列に接続された半導体製造装置１０４の構成を示す模式図であり、図６はその構成装置がトランスファチャンバを介して並列に接続された装置１０５の構成を示す模式図である。
図５に示す半導体製造装置１０４では、ロードロックチャンバ５１と、成膜チャンバ５２と、紫外線照射処理チャンバ５３と、アニールチャンバ５４とがゲートバルブを介して直列に接続されている。各チャンバ５１、５２、５３、５４は各用途に必要な構成と基板の搬送手段を有し、個々に圧力調整できるようになっている。これにより基板を大気に曝さずに、減圧中で、成膜と、紫外線照射処理と、アニール処理とを連続して行うことができる。
図６に示す半導体製造装置１０４では、トランスファチャンバ５５の周りにロードロックチャンバ５１と、成膜チャンバ５２と、紫外線照射処理チャンバ５３と、アニールチャンバ５４とを備え、各チャンバ５１乃至５４はトランスファチャンバ５５にゲートバルブを介して並列に接続されている。これにより、基板を大気に曝さずに、減圧中で、成膜と、紫外線照射処理と、アニール処理とを連続して行うことができる。
以上のように、第３の実施の形態である半導体製造装置によれば、大気に曝さずに、成膜と、紫外線照射処理と、アニール処理とを連続して行うことができるので、形成膜において、水分の吸着等による比誘電率の上昇、耐電圧劣化などを防止することができる。このため、特に、膜質がよく、かつ機械的強度の大きい低誘電率絶縁膜や、窒化膜を作製し得る低コストの半導体製造装置を提供することが可能となる。
（本発明の第４の実施の形態である低誘電率絶縁膜の形成方法の説明）
次に、この発明の第４の実施の形態である低誘電率絶縁膜の形成方法について説明する。この方法においては、上記第３の実施の形態で説明した図５又は図６に示す半導体製造装置１０５、１０６のうちいずれか一を用いることができる。
最初に、低誘電率絶縁膜を形成するための全体の工程を説明する。
まず、成膜チャンバ５２に基板（被処理基板）を搬入して、Si-O-Si或いはその他のシリカ骨格構造にSi-CHn（ｎ＝１、２、３）結合を含む多孔質又は非多孔質の絶縁膜を基板上に形成する。この場合、成膜方法として次の２種類がある。
（ａ）平行平板型プラズマ励起ＣＶＤ装置を用いて、Si-CH3結合を有するシロキサン系或いはその他の有機化合物を含む成膜ガスを対向電極間に導き、対向電極間に電力を印加してプラズマを生成し、反応させて基板上にSi-CHn結合を含むCVD絶縁膜を形成する。又は、
（ｂ）スピンコートにより、Si-CH3結合を有するシロキサン系の有機ＳＯＧを基板上に塗布し、形成された塗布膜を加熱して溶剤を蒸発させ、Si-CHn結合を含む塗布絶縁膜を形成する。
次いで、成膜チャンバ５２から紫外線照射処理チャンバ５３に基板を移動させて、紫外線照射処理チャンバ５３内の圧力を１０-2Torr以下、好ましくは１０-3Torr以下に保持する。続いて、その減圧雰囲気中で、形成した絶縁膜に紫外線を照射して絶縁膜中のSi-CHn結合からCHn基を切り離す。この場合、紫外線の波長を１２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下の範囲とする。この波長は１０ｅＶ以下のエネルギに相当し、Si-O-Si等の骨格構造に影響を与えずにSi-CHn結合からCHn基を脱離させ得るエネルギ範囲に合致する。紫外線照射により、非多孔質膜の場合には、CHn基が抜けることにより自由体積（大きさによっては空孔と呼ぶ。）が大きくなり、膜の誘電率が下がる。また、多孔質膜の場合には、空孔内のCHn基が脱離して抜けることにより空孔体積が大きくなり、これにより空孔率が上がり、膜の誘電率が下がる。
次に、紫外線照射処理チャンバ５３からアニールチャンバ５４に基板を移して、絶縁膜中から切り離されたCHn基を排出する。例えば、基板加熱温度を常温〜４５０℃、好ましくは１００〜４５０℃とする。その結果、切り離されたCH3基が絶縁膜中から排出される。これと同時に、CHn基の脱離によって空孔壁に残った未結合ボンドがアニールによって再結合（重合）するため、膜の機械的強度がさらに向上する。これにより、機械的強度に優れた低誘電率絶縁膜が形成される。なお、基板加熱温度の上限を４５０℃とするのは、銅やアルミニウムなどがすでに形成されている場合に、材料自体の変質や周囲の物質との反応を防止するためである。また、その下限は常温以上であればよいが、１００℃以上とすればCHn基の排出をより速やかに行なうことができるためである。
なお、上記の半導体製造装置において紫外線照射処理チャンバ５３に加熱手段を付加するとともに加熱チャンバ５４を省略した場合、一連の工程において、紫外線を照射して絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離す工程と、絶縁膜中から切り離されたCH3基を排出する工程とを一度に行なうことができる。この場合、基板を加熱した状態で、紫外線を照射する。これにより、脱離したCH3基の拡散、膜外への放出が促進される。同時に、空孔壁に残った未結合ボンドがアニールによって再結合（重合）し、膜の機械的強度がさらに向上する。
なお、特に、図６の半導体製造装置１０５を用いた場合、大気に曝さずに上記の一連の工程を繰り返し行ない、この実施の形態の低誘電率絶縁膜を多層に積層し、全体として膜厚の厚い低誘電率絶縁膜を形成することも可能である。
以下に、機械的強度に優れた低誘電率絶縁膜の作製条件について具体例を説明する。
（１）第１実施例
以下に示すプラズマＣＶＤの成膜条件によりシリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、下記の紫外線処理条件により紫外線照射処理を行なった。
（成膜条件Ｉ）
（ｉ）成膜ガス条件
ＨＭＤＳＯガス流量：５０ sccm
Ｈ2Ｏガス流量：１０００ sccm
Ｃ4Ｆ8ガス流量：５０ sccm
ガス圧力：１．７５Torr
（ii）プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)ＰHF：３００Ｗ
低周波電力(380KHz)ＰLF：０Ｗ
（iii）基板加熱温度：３７５℃
（iv）成膜されたシリコン酸化膜
膜厚：６５０ｎｍ
（紫外線処理条件）
（ｉ）紫外線源：重水素ランプ
紫外線波長：１２０〜４００ｎｍ
電力：３０Ｗ
（ii）基板加熱：４００℃
（iii）処理時間：３０分
この結果、平均空孔サイズは、紫外線処理前で１．２２ｎｍであったものが、紫外線処理後に１．３６ｎｍとなった。また、紫外線照射前にヤング率１２．７３ＧＰａ、硬度１．８７ＧＰａであったものが、紫外線照射後にヤング率２３．９８ＧＰａ、硬度３．０１ＧＰａになった。このように、紫外線照射により膜強度を維持／向上させ、かつ比誘電率を低減することができた。
なお、この実施例では、メチル基の脱離した未結合ボンド同士の再結合によると推定される膜強度の向上が認められたが、このような再結合反応があまり多く起こると、場合によっては膜の収縮、高密度化を引き起し、比誘電率を逆に上げる虞がある。また、メチル基は耐湿性を向上させる働きを有しているので、すべてのメチル基を取り除くことが低誘電率絶縁膜にとってよいとは限らない。従って、再結合反応が起こる頻度や取り除くメチル基の量を調整する必要がある。この調整は、紫外線照射量（電力、照射時間など）を調整することにより行なうことができる。
（２）第２実施例
第２実施例では、シリコン酸化膜は、プラズマＣＶＤ法により以下の成膜条件で形成された。
（成膜条件II）
（ｉ）成膜ガス条件
ＨＭＤＳＯガス流量：５０ sccm
Ｈ2Ｏガス流量：１０００ sccm
ガス圧力：１．７５Torr
（ii）プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)ＰHF：３００Ｗ
低周波電力(380KHz)ＰLF：０Ｗ
（iii）基板加熱温度：３７５℃
（iv）成膜されたシリコン酸化膜
膜厚：６５０ｎｍ
（紫外線処理条件）
（ｉ）紫外線源：重水素ランプ
紫外線波長：１２０〜４００ｎｍ
電力：３０Ｗ
（ii）基板加熱：２００、４００℃
（iii）処理時間：２０分
その結果、空孔サイズに関し、紫外線照射前に０．９６ｎｍであったものが、紫外線照射後、基板加熱温度が２００℃の場合、１．０２ｎｍとなり、４００℃の場合、１．１７ｎｍになった。また、比誘電率に関しては、紫外線照射前に凡そ２．５８であったものが、紫外線照射後に２．４２まで低減した。
以上より、基板加熱温度は絶縁膜の骨格構造に影響がない範囲でなるべく高くした方が大きな空孔サイズが得られることがわかった。これにより、より低い比誘電率を期待できる。
（３）第３実施例
第３実施例では、シリコン酸化膜は、プラズマＣＶＤ法により以下の成膜条件で形成された。
（成膜条件III）
（ｉ）成膜ガス条件
ＨＭＤＳＯガス流量：５０ sccm
Ｈ2Ｏガス流量：１０００ sccm
Ｃ2Ｈ4ガス流量：５０ sccm
ガス圧力：１．７５Torr
（ii）プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)ＰHF：３００Ｗ
低周波電力(380KHz)ＰLF：０Ｗ
（iii）基板加熱温度：４００℃
（iv）成膜されたシリコン酸化膜
膜厚：６５０ｎｍ
（紫外線処理条件）
（ｉ）紫外線源：重水素ランプ
紫外線波長：１２０〜４００ｎｍ
電力：３０Ｗ
（ii）基板加熱：４００℃
（iii）処理時間：３０分
その結果、比誘電率に関し、紫外線照射前に凡そ２．６６であったものが、紫外線照射後に２．４５まで低減した。この実施例で、比誘電率の低減割合が大きいのは、原料ガスにＣ2Ｈ4ガスを含むので、形成膜中のメチル基の濃度が高く、そのため空孔の生成量が多くなったためだと考えられる。言い換えれば、外線照射処理前の状態で弱い結合基の含有量が多い絶縁膜ほど比誘電率の低減効果が大きいといえる。
（４）第４実施例
第４実施例では、シリコン酸化膜は、塗布法により以下の成膜条件で形成された。
（成膜条件IV）
（ｉ）塗布条件
塗布溶液：アルキルシルセスキオキサンポリマー（ＭＳＱ）
回転速度：２０００〜３０００ｒｐｍ
（ii）塗布後熱処理条件
加熱温度：４００℃
（iii）成膜されたシリコン酸化膜
膜厚：４００ｎｍ
（紫外線処理条件）
（ｉ）紫外線源：重水素ランプ
紫外線波長：１２０〜４００ｎｍ
電力：３０Ｗ
（ii）基板加熱：４００℃
（iii）処理時間：３０分
その結果、平均空孔サイズは紫外線照射前は０．８１ｎｍであったものが、紫外線照射後に１．１１ｎｍとなった。すなわち、ＭＳＱを用いた塗布法により形成した塗布シリコン酸化膜でも紫外線照射により空孔サイズが大きくなることを確認できた。その塗布シリコン酸化膜も、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉのシリカネットワーク構造（骨格構造）の一部にメチル基が結合した構造を有し、紫外線照射により、骨格構造に影響を与えずにメチル基が脱離し、空孔サイズが大きくなったと考えられる。
以上のように、本発明の第４の実施の形態によれば、プラズマＣＶＤ法或いは塗布法により、最初からSi-O-Siという骨格構造のしっかりした絶縁膜であってSi-CH3結合を含む絶縁膜を成膜しておき、その絶縁膜に対して酸化によらずに減圧雰囲気中で紫外線照射して絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離し、更に絶縁膜中から排出する。
この場合、照射すべき紫外線の波長を選択可能なフィルタを設け、照射する紫外線のエネルギをSi-CH3結合基の結合エネルギよりも高く、骨格構造を形成しているSi-O-Siの結合エネルギよりも低くすることにより、絶縁膜の骨格構造に影響を与えずに、絶縁膜中のSi-CH3結合からCH3基を切り離すことができる。
これにより、絶縁膜の強度を維持又は向上させるとともに、絶縁膜の低誘電率化を図ることが可能となる。
以上、実施の形態によりこの発明を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
例えば、上記実施の形態では、紫外線反射板４を有しているが、それを省略してもよい。
また、低誘電率絶縁膜の作成方法に適用しているが、窒化膜に紫外線を照射することで、窒化膜の比誘電率を調整する方法や、レジスト膜のエッチング耐性を向上させる方法に適用可能である。
（ａ）は、本発明の第１の実施の形態である紫外線発生源の構成を示す側面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。 本発明の第１実施例である紫外線発生源を構成する紫外線ランプの構成について示す側面図である。 本発明の第２実施例である紫外線照射処理装置の構成について示す側面図である。 本発明の第２実施例である他の紫外線照射処理装置の構成について示す側面図である。 本発明の第３実施例である半導体製造装置の構成について示す側面図である。 本発明の第３実施例である他の半導体製造装置の構成について示す側面図である。
符号の説明
１ 紫外線ランプ
２ 保護管
３ 隙間
４ 紫外線反射板
５ａ、５ｂ キャップ
６ａ ガス導入口
６ｂ ガス排出口
７ｂ 引出し電極
８、１１、３５、３６ 配管
２７、３７ 排気配管
２１、５３ 紫外線照射処理チャンバ（紫外線照射処理装置）
２２ 基板保持台
２３ 加熱手段
２４ 回転軸
３２、５１ ロードロックチャンバ
３３、５５ トランスファチャンバ
４２ 被処理基板
５２ 成膜チャンバ（成膜装置）
５４ アニールチャンバ（加熱装置）
９１、９２ 基板保持具
１０１ 紫外線発生源
１０２、１０３ 紫外線照射処理装置
１０４、１０５ 半導体製造装置
Ｇ１ 窒素ガスの供給源
Ｇ２ 不活性ガスの供給源
Ｇ３ 酸素ガスの供給源
Ｇ４ シロキサン結合を有する化合物の供給源

Claims (16)

  1. 処理室に設置して紫外線を発生する紫外線発生源であって、
    円柱状の紫外線ランプと、
    紫外線を透過する材料からなり、一つの前記紫外線ランプを封止し、かつ窒素ガス又は不活性ガスが封入された円筒状の保護管と
    を有し、
    前記紫外線ランプから発生し、前記保護管を通して該保護管の外部に出射する紫外線を処理に用いることを特徴とする紫外線発生源。
  2. 前記紫外線ランプと前記保護管との間の隙間が大気圧となっていることを特徴とする請求項１に記載の紫外線発生源。
  3. 前記一つの紫外線ランプを封止した保護管が複数並行して並べられてなることを特徴とする請求項１に記載の紫外線発生源。
  4. 前記紫外線ランプは放電により紫外線を発生するエキシマ紫外線ランプであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の紫外線発生源。
  5. 前記紫外線発生源から発生する紫外線を反射により一定方向に向かうようにする紫外線反射板を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の紫外線発生源。
  6. 前記紫外線発生源から発生する紫外線から特定範囲の波長を選択して透過させるフィルタを備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の紫外線発生源。
  7. 減圧可能な処理室と、
    前記処理室内に設けられた、紫外線照射処理を受ける基板を保持する基板保持具と、
    前記基板保持具に対向するように前記処理室内に設けられた請求項１乃至６のいずれか一に記載の紫外線発生源とを備えたことを特徴とする紫外線照射処理装置。
  8. 前記基板保持具は、上下運動、又は、前記紫外線発生源に対する回転運動或いは対向面内往復直線運動のうち少なくともいずれか一を行い得るようになっていることを特徴とする請求項７記載の紫外線照射処理装置。
  9. 前記処理室に、窒素ガス又は不活性ガスの供給源、酸素ガスの供給源、及びシロキサン化合物の供給源のうち少なくともいずれか一が接続されていることを特徴とする請求項７又は８のいずれか一に記載の紫外線照射処理装置。
  10. 前記基板を加熱する手段を有することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一に記載の紫外線照射処理装置。
  11. 請求項７乃至９のいずれか一に記載の紫外線照射処理装置と、加熱装置とが直列に接続され、又はトランスファチャンバを介して並列に接続され、前記基板を大気に曝さずに、紫外線照射処理と、加熱処理とを連続して行うことができるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
  12. 成膜装置と、請求項７乃至１０のいずれか一に記載の紫外線照射処理装置とが直列に接続され、又はトランスファチャンバを介して並列に接続され、前記基板を大気に曝さずに、成膜と、紫外線照射処理と、加熱処理とを連続して行うことができるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
  13. 成膜装置と、請求項７乃至９のいずれか一に記載の紫外線照射処理装置と、加熱装置とが直列に接続され、又はトランスファチャンバを介して並列に接続され、前記基板を大気に曝さずに、成膜と、紫外線照射処理と、加熱処理とを連続して行うことができるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
  14. 前記成膜装置は、化学気相成長装置、又は塗布装置であることを特徴とする請求項１２又は１３のいずれか一に記載の半導体製造装置。
  15. 前記半導体製造装置は、低誘電率絶縁膜を形成する工程であって、Si-CH3結合を有する絶縁膜を形成した後、Si-CH3結合からCH3基を切り離す工程に用いることを特徴とする請求項１４記載の半導体製造装置。
  16. 前記半導体製造装置は、絶縁膜中の空孔壁に残った未結合ボンドを再結合させて、前記絶縁膜の機械的強度を向上させる工程に用いることを特徴とする請求項１５記載の半導体製造装置。
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