KR102495434B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR102495434B1
KR102495434B1 KR1020160028333A KR20160028333A KR102495434B1 KR 102495434 B1 KR102495434 B1 KR 102495434B1 KR 1020160028333 A KR1020160028333 A KR 1020160028333A KR 20160028333 A KR20160028333 A KR 20160028333A KR 102495434 B1 KR102495434 B1 KR 102495434B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
gas
discharge port
unit
processing
Prior art date
Application number
KR1020160028333A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160110188A (ko
Inventor
테루히코 모리야
노부타카 후쿠나가
료 시마다
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160110188A publication Critical patent/KR20160110188A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102495434B1 publication Critical patent/KR102495434B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/54—Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
    • H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
    • H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

분위기의 조정 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 에너지선 조사 유닛(U4)은, 웨이퍼(W)에 에너지선을 조사하는 조사부(54)와, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송부(56)와, 상부 토출구(71)로부터 웨이퍼(W)의 처리용의 가스를 공급하는 가스 공급부(70)와, 배출구(81)로부터 처리용의 가스를 배출하는 가스 배출부(80)와, 상부 토출구(71)로부터 배출구(81)에 이르는 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치로 웨이퍼(W)를 반송하도록 반송부(56)를 제어하는 것, 제 1 위치에 웨이퍼(W)가 위치하고 있을 때 처리용의 가스를 상부 토출구(71)로부터 공급하도록 가스 공급부(70)를 제어하는 것, 가스 공급부(70)에 의해 공급된 처리용의 가스가 웨이퍼(W)의 표면 상에 개재되는 상태에서 웨이퍼(W)의 표면에 에너지선을 조사하도록 조사부(54)를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부(100)를 구비한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는 기판처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 불활성 가스의 공급에 의해 분위기의 산소 농도를 조정한 상태에서, 피처리 기판에 자외선을 조사하는 기판 처리 방법이 개시되어 있다.
일본특허공개공보 2004-319558호
특허 문헌 1에 기재된 바와 같이, 불활성 가스(처리용의 가스)의 공급에 의해 분위기의 상태를 조정하는 방법에 있어서는, 분위기가 원하는 상태가 되는 것을 대기할 필요가 있다.
본 개시는, 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 표면에 에너지선을 조사하는 조사부와, 기판을 반송하는 반송부와, 조사부의 근방에 배치된 토출구를 가지고, 토출구로부터 기판의 처리용의 가스를 공급하는 가스 공급부와, 토출구로부터 이간되어 배치된 배출구를 가지고, 토출구로부터 토출된 처리용의 가스를 배출구로부터 배출하는 가스 배출부와, 토출구로부터 배출구에 이르는 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치로 기판을 반송하도록 반송부를 제어하는 것, 제 1 위치에 기판이 위치하고 있을 때, 처리용의 가스를 토출구로부터 공급하도록 가스 공급부를 제어하는 것, 가스 공급부에 의해 공급된 처리용의 가스가 기판의 표면 상에 개재되는 상태에서 기판의 표면에 에너지선을 조사하도록 조사부를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 구비한다.
상기 기판 처리 장치에 의하면, 토출구로부터 배출구에 이르는 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치에 기판이 배치된 상태에서, 처리용의 가스가 공급된다. 이에 의해, 토출구로부터 배출구를 향하는 처리용의 가스가 기판의 표면을 따라 확산된다. 이 때문에, 에너지선의 조사에 앞서, 기판의 표면에 처리용의 가스가 확산되기까지의 시간이 짧아진다. 따라서 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.
반송부는, 조사부에 의한 에너지선의 조사 방향에 교차하는 방향으로 기판을 반송하도록 구성되고, 제어부는, 반송부가 기판을 반송하고 있을 때, 상기 기판의 표면에 에너지선을 조사하도록 조사부를 제어해도 된다. 이 경우, 제 1 위치로의 기판의 반송과 에너지선의 조사 위치의 변경에 동일한 반송부를 공용할 수 있다. 따라서, 간이한 구성으로 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.
에너지선의 조사 방향에 있어서, 토출구는 기판의 표면측에 배치되고, 배출구는 기판의 이면측에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 반송부에 의해 반송되는 기판의 표면과, 처리용의 가스의 유로가 교차한다. 이 때문에, 제 1 위치에 배치된 기판에 의해 처리용의 가스를 확산시키는 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
토출구는 에너지선의 조사 방향으로 개구되어 있고, 제어부는, 토출구에 대향하는 위치를 제 1 위치로서 반송부를 제어해도 된다. 이 경우, 제 1 위치에 배치된 기판에 의해 처리용의 가스를 확산시키는 작용이 더 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
제어부는, 가스 공급부에 의해 공급된 처리용의 가스가 채워진 제 2 위치로 기판을 반송하도록 반송부를 제어하는 것, 제 2 위치에 비해 처리용의 가스의 농도가 낮은 제 3 위치로 기판을 반송하도록 반송부를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있고, 반송부가 기판을 제 2 위치로부터 제 3 위치로 반송할 때, 상기 기판의 표면에 에너지선을 조사하도록 조사부를 제어해도 된다. 가령, 제 3 위치로부터 제 2 위치로 반송할 때 에너지선의 조사를 행하면, 가스 농도가 낮은 제 3 위치의 기체가 기판과 함께 에너지선의 조사 위치로 도입되어, 상기 조사 위치에 개재되는 처리용의 가스가 충분하게 되지 못할 가능성이 있다. 이를 방지하기 위하여, 기판의 반송 속도를 낮게 하는 등의 대책을 실시하면, 스루풋의 저하 요인이 될 수 있다. 이에 대하여, 가스 농도가 높은 제 2 위치로부터 가스 농도가 낮은 제 3 위치로 기판을 반송할 때 에너지선의 조사를 행함으로써, 처리용의 가스를 에너지선의 조사 위치에 충분히 개재시키는 것이 가능해진다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
반송부에 의한 기판의 반송 방향에서 조사부에 인접하는 위치에 있어서, 배출구를 포함하도록 마련되고, 토출구로부터 배출구로 흐르는 처리용의 가스를 일시적으로 수용하는 기체 저류실을 더 구비하고, 제어부는 기체 저류실 내를 제 2 위치로서, 기체 저류실 밖을 제 3 위치로서 반송부를 제어해도 된다. 이 경우, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 기판을 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
반송 방향에 있어서의 기체 저류실의 반대측에서, 조사부 및 토출구로부터 이간된 위치에 마련되고, 기판의 반입반출 시에 상기 기판을 통과시키는 개구부를 더 구비하고, 제어부는, 개구부와 기체 저류실의 사이를 제 3 위치로서 반송부를 제어해도 된다. 이 경우, 기판의 반입반출용의 개구부측에 제 3 위치가 배치됨으로써, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 더 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 기판을 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
가스 배출부는, 개구부로부터 도입된 외기와, 토출구로부터 토출된 처리용의 가스를 배출구로부터 모두 배출해도 된다. 이 경우, 개구부로부터 도입된 외기에 의해, 개구부측으로부터 기체 저류실 내의 배출구측을 향하는 기류가 형성된다. 이 기류에 의해, 처리용의 가스가 기체 저류실 내로 유도되므로, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 더 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 기판을 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
기판의 반입반출에 있어서 개구부를 개폐하는 셔터를 더 구비하고. 셔터는, 폐색 상태에서도 외기를 도입 가능하게 되도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 기판 처리 장치의 내외를 셔터로 구획하면서, 개구부측으로부터 기체 저류실 내의 배출구측을 향하는 상기 기류를 확보할 수 있다.
셔터는, 폐색 상태에서도 외기를 도입 가능한 극간을 이루도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 셔터가 닫힌 상태에서의 상기 기류의 확보를 간단한 구성으로 실현할 수 있다.
처리용의 가스는 불활성 가스여도 된다.
본 개시에 따른 기판 처리 방법은, 에너지선의 조사부와, 조사부의 근방에 배치된 처리용의 가스의 토출구와, 토출구로부터 이간된 처리용의 가스의 배출구를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하고, 토출구로부터 배출구에 이르는 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치로 기판을 반송하는 것, 제 1 위치에 기판이 위치하고 있을 때, 처리용의 가스를 토출구로부터 공급하는 것, 토출구로부터 공급된 처리용의 가스가 기판의 표면 상에 개재되는 상태에서 조사부로부터 기판의 표면에 에너지선을 조사하는 것을 포함한다.
토출구로부터 공급된 처리용의 가스가 채워진 제 2 위치로 기판을 반송하는 것, 제 2 위치에 비해 처리용의 가스의 농도가 낮은 제 3 위치로 기판을 반송하는 것을 더 포함하고, 기판이 제 2 위치로부터 제 3 위치로 이동할 때, 상기 기판의 표면에 에너지선을 조사해도 된다.
본 개시에 따른 기록 매체는, 상기 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 것이다.
본 개시에 따르면, 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템을 나타내는 사시도이다.
도 2는 기판 처리 시스템의 평면도이다.
도 3은 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 4는 기판 처리 순서를 나타내는 순서도이다.
도 5는 기판 처리 장치에 기판이 반입된 상태를 나타내는 도이다.
도 6은 기판이 유지된 상태를 나타내는 도이다.
도 7은 기판이 제 1 위치로 반송된 상태를 나타내는 도이다.
도 8은 처리용의 가스가 공급된 상태를 나타내는 도이다.
도 9는 기판이 제 2 위치로 반송된 상태를 나타내는 도이다.
도 10은 기판을 제 3 위치로 반송하면서, 그 표면에 자외선을 조사하고 있는 상태를 나타내는 도이다.
도 11은 기판이 제 3 위치로 반송된 상태를 나타내는 도이다.
도 12는 가스의 공급이 정지된 상태를 나타내는 도이다.
도 13은 기판이 반출되고 있는 상태를 나타내는 도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 설명에서 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일 부호를 부여하여, 중복되는 설명은 생략한다.
[기판 처리 시스템]
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구성 및 동작을 설명한다. 기판 처리 시스템(1)은 자기 조직화 리소그래피(DSA : Directed Self-Assembly) 기술을 이용하여 웨이퍼(W)(기판) 상의 요철 패턴을 미세화하기 위한 시스템이다. 이하, DSA 기술에 의한 요철 패턴의 미세화 처리를 'DSA 처리'라고 한다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 카세트 스테이션(S1) 및 처리 스테이션(S2)을 구비한다.
카세트 스테이션(S1)은 카세트 스테이지(21)와 반송 암(22)을 가진다. 카세트 스테이지(21)는 카세트(C)를 배치하기 위한 스테이지이다. 카세트(C)는 복수의 웨이퍼(W)를 수용한다. 이들 웨이퍼(W)의 표면에는, 예를 들면 레지스트 패턴 등의 요철 패턴이 미리 형성되어 있다. 반송 암(22)은 카세트 스테이지(21)에 배치된 카세트(C)와 처리 스테이션(S2)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
처리 스테이션(S2)은 액 처리 유닛(U1, U2)과 열 처리 유닛(U3)과 에너지선 조사 유닛(U4)과 반송 암(A1)을 가진다.
액 처리 유닛(U1)은, 웨이퍼(W)의 표면에 DSA 처리용의 액체를 도포하고, 처리막을 형성한다. 이 액체는, 예를 들면 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트 블록 공중합체(poly(styrene-block-methylmethacrylate) : PS-b-PMMA)를 유기 용매에 용해한 용액이다. 액 처리 유닛(U2)은 웨이퍼(W)의 표면에 유기 용제 및 린스액 등을 공급한다. 유기 용제는 예를 들면 IPA(isopropyl alchol)이다. 열 처리 유닛(U3)은 웨이퍼(W)에 대하여 가열/냉각 등의 열 처리를 행한다. 열 처리의 예로서는, 처리막에 상분리를 일으키기 위한 가열 처리 등을 들 수 있다. 에너지선 조사 유닛(U4)은, 에너지선의 일례로서 자외선을 웨이퍼(W)의 표면에 조사한다. 반송 암(A1)은 처리 스테이션(S2)의 각 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송한다.
기판 처리 시스템(1)은, 대략 다음과 같이 동작한다. 먼저, 반송 암(22)이 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 처리 스테이션(S2)으로 반송한다. 이어서, 처리 스테이션(S2)의 반송 암(A1)이 액 처리 유닛(U1), 열 처리 유닛(U3), 에너지선 조사 유닛(U4) 및 액 처리 유닛(U2)으로 웨이퍼(W)를 순차 반송한다.
액 처리 유닛(U1)은 웨이퍼(W)의 표면에 처리막을 형성한다. 열 처리 유닛(U3)은 처리막을 상분리시키기 위한 가열 처리를 행한다. 예를 들면 상술한 PS-b-PMMA를 포함하는 처리막은, PS 영역과 PMMA 영역으로 상분리된다. PS 영역은, 상기 요철 패턴의 오목부(예를 들면 홀)의 내면을 따르도록 형성되고, PMMA 영역은 PS 영역에 둘러싸이도록 형성된다. 에너지선 조사 유닛(U4)은 상분리된 처리막에 자외선을 조사한다. 자외선은 예를 들면 PS 영역에 있어서의 가교 반응을 진행시키고, 또한 PMMA 영역의 주사슬을 분단한다. 이에 의해, PS 영역은 유기 용제에 용해되기 어려워지고, PMMA 영역은 유기 용제에 용해되기 쉬워진다. 액 처리 유닛(U2)은 자외선 조사 후의 처리막에 유기 용제 및 린스액을 순차 공급하고, PMMA 영역을 제거한다. 이에 의해, PS 영역만이 웨이퍼(W)의 표면 상에 잔존한다. 상술한 바와 같이, PS 영역은 요철 패턴의 오목부의 내면을 따르도록 형성되어 있기 때문에, PS 영역의 두께만큼 오목부가 미세화된다.
이어서, 반송 암(A1)이 웨이퍼(W)를 처리 스테이션(S2)으로부터 반출하고, 반송 암(A1)이 웨이퍼(W)를 카세트(C)로 되돌린다. 이상으로 DSA 처리가 완료된다.
[기판 처리 장치]
이어서, 본 개시에 따른 기판 처리 장치의 일례로서, 상기 에너지선 조사 유닛(U4)에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 에너지선 조사 유닛(U4)은 기대(50)와 조사부(54)와 반송부(56)와 커버(59)와 게이트(61)와 가스 공급부(70)와 가스 배출부(80)와 제어부(100)를 구비한다.
기대(50)는 수평으로 배치되어 있고, 예를 들면 평면에서 봤을 때 장방형을 나타낸다.
조사부(54)는 기대(50)의 중앙부의 상방에 배치되어 있다. 조사부(54)는 예를 들면 UV 램프(55)를 가지고 있다. UV 램프(55)는 에너지선의 일례로서, 자외선을 하방으로 출사한다. 자외선은, 예를 들면 파장이 200 nm 이하인 에너지선이다. 자외선의 파장은 PMMA에 흡수될 수 있는 185 nm 이하(예를 들면 172 nm)여도 된다.
반송부(56)는 유지부(57)와 리니어 액츄에이터(58)를 가진다. 유지부(57)는 조사부(54)의 하방에서 수평으로 배치된 웨이퍼(W)를 지지하고, 이 웨이퍼(W)를 예를 들면 흡착 등에 의해 유지한다.
리니어 액츄에이터(58)는, 조사부(54)에 의한 에너지선의 조사 방향에 교차하는 방향으로 유지부(57)를 반송한다. 일례로서 리니어 액츄에이터(58)는, 기대(50)의 긴 변을 따라 유지부(57)를 반송한다.
이하, 유지부(57)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면을 '표면'이라 하고, 웨이퍼(W)의 하면을 '이면'이라 한다. 기대(50)의 긴 변을 따르는 방향을 '반송 방향'이라 하고, 기대(50)의 짧은 변을 따르는 방향을 '폭 방향'이라 한다. 또한, 반송 방향에 있어서의 기대(50)의 일단측을 '앞측'이라 하고, 타단측을 '내측'이라 한다.
커버(59)는, 기대(50)의 상측 중, 조사부(54)보다 내측의 영역을 덮도록 마련되어 있다. 커버(59)는 기대(50)와의 사이에 공간(60)을 이루고, 앞측에 개구되어 있다. 공간(60)은 웨이퍼(W)의 반송 방향에 있어서, 조사부(54)에 인접하고 있다.
게이트(61)는 커버(59)의 반대측에서, 조사부(54)로부터 이간된 위치에 마련되어 있다. 일례로서 게이트(61)는, 기대(50)의 앞측의 단부에 마련되어 있다. 게이트(61)는 개구부(62)를 가진다. 개구부(62)는 에너지선 조사 유닛(U4) 내로 반입반출되는 웨이퍼(W)를 통과시킨다.
게이트(61)는 에너지선 조사 유닛(U4) 내로의 웨이퍼(W)의 반입반출에 따라 개구부(62)를 개폐하는 셔터(63)를 가진다. 셔터(63)는 반송 방향에 직교하는 구획판(65)을 가지고, 모터 및 에어 실린더 등의 동력원(미도시)에 의해 구획판(65)을 승강시킨다. 구획판(65)이 상승하면, 웨이퍼(W)의 반입반출 경로가 개방된다. 이하, 이 상태를 '개방 상태'라고 한다. 구획판(65)이 하강하면, 웨이퍼(W)의 반입반출 경로가 폐색된다. 이하, 이 상태를 '폐색 상태'라고 한다. 폐색 상태에서도 구획판 아래에는 통기용의 극간이 형성된다. 즉, 셔터(63)는 폐색 상태에서 외기의 도입이 가능하게 되도록 구성되어 있다.
가스 공급부(70)는 복수(예를 들면 3 개)의 상부 토출구(71)와 복수(예를 들면 6 개)의 측부 토출구(72)와 가스 공급원(75)과 밸브(76)를 가진다. 복수의 상부 토출구(71)는, 조사부(54)의 앞측에 인접하는 위치에 있어서, 폭 방향을 따라 배열되어 있고, 각각 하방으로 개구되어 있다. 복수의 상부 토출구(71)는, 조사부(54)와 마찬가지로, 유지부(57)보다 상방에 위치한다. 즉, 복수의 상부 토출구(71)는, 웨이퍼(W)의 표면측에 있어서, 조사부(54)의 근방에 마련되어 있고, 에너지선의 조사 방향으로 개구되어 있다.
복수의 측부 토출구(72)의 일부(예를 들면 3 개)는, 폭 방향의 일방측에 있어서, 반송 방향을 따라 배열되어 있고, 커버(59)의 내면에 고정되어 있다. 복수의 측부 토출구(72)의 나머지 일부는, 폭 방향의 타방측에 있어서, 반송 방향을 따라 배열되어 있고, 커버(59)의 내면에 고정되어 있다. 폭 방향의 일방측 및 타방측에 배치된 측부 토출구(72)끼리는, 폭 방향에 있어서 서로 대향하도록 개구되어 있다. 복수의 측부 토출구(72)는 각각 반송되는 웨이퍼(W)의 측면을 향해 개구되어 있다.
가스 공급원(75)은 가스 관로(77)를 개재하여 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)에 접속되어 있고, 처리용의 가스를 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)에 공급한다. 처리용의 가스는, 예를 들면 불활성 가스이다. 불활성 가스로서는 희가스(아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스) 또는 질소(N2) 가스 등을 들 수 있다.
밸브(76)는 가스 관로(77)에 마련되어 있고, 가스 관로(77) 내의 개방도를 조절한다. 밸브(76)가 개방되면, 처리용의 가스가 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)로부터 토출된다.
가스 배출부(80)는 배출구(81)와 배출 기구(82)를 가진다. 배출구(81)는 웨이퍼(W)의 이면측에 마련되어 있다. 일례로서 배출구(81)는, 공간(60) 내의 내측에 있어서, 기대(50)의 상면에 개구되어 있다.
배출 기구(82)는 예를 들면 진공 펌프 등의 기체의 압송원을 가지고, 배출구(81)에 접속되어 있다. 배출 기구(82)는 공간(60) 내의 배출구(81)로부터 기체를 빨아들여, 필터 등을 통과시켜 외부로 배출한다. 이에 의해, 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)로부터 토출된 처리용의 가스가 배출구(81)로부터 배출된다. 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)로부터 배출구(81)로 흐르는 처리용의 가스는, 공간(60) 내에 일시 머문다. 즉, 공간(60)은 배출구(81)를 포함하고, 기체 저류실로서 기능한다.
배출 기구(82)에 의한 기체의 배출에 수반하여, 개구부(62)로부터는 외기가 도입된다. 이에 의해, 에너지선 조사 유닛(U4) 내에는, 상부 토출구(71) 또는 측부 토출구(72)로부터 배출구(81)로의 기류에 더하여, 개구부(62)로부터 배출구(81)를 향하는 기류가 형성된다. 이 때문에, 처리용의 가스가 보다 확실히 공간(60) 내에 머문다.
제어부(100)는 반입반출 제어부(101)와 반송 제어부(102)와 공급 제어부(103)와 조사 제어부(104)를 가진다. 반입반출 제어부(101)는 에너지선 조사 유닛(U4) 내로의 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하도록, 반송 암(A1), 셔터(63) 및 유지부(57)를 제어한다. 반송 제어부(102)는 웨이퍼(W)를 반송하도록 리니어 액츄에이터(58)를 제어한다. 공급 제어부(103)는 가스 관로(77)를 개폐시키도록 밸브(76)를 제어한다. 조사 제어부(104)는 UV 램프(55)의 온/오프를 전환하도록 조사부(54)를 제어한다.
제어부(100)는, 예를 들면 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 이 경우, 제어부(100)의 각 요소는, 제어용 컴퓨터의 프로세서, 메모리 및 모니터 등의 협동에 의해 구성된다. 또한, 제어부(100)의 각 요소를 구성하는 하드웨어는, 반드시 프로세서, 메모리 및 모니터에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제어부(100)의 각 요소는, 그 기능에 특화된 전기 회로에 의해 구성되어 있어도 되고, 당해 전기 회로를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.
제어용 컴퓨터를 제어부(100)로서 기능시키기 위한 프로그램은, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록되고 있어도 된다. 즉, 기록 매체에는, 에너지선 조사 유닛(U4)에 후술하는 기판 처리 순서를 실행시키기 위한 소프트웨어가 기록되어 있다. 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 플래시 메모리, 플렉시블 디스크 및 메모리 카드 등을 들 수 있다.
[기판 처리 방법]
이어서, 기판 처리 방법의 일례로서, 기판 처리 장치에 의한 기판 처리 순서에 대하여 설명한다.
먼저 제어부(100)는, 도 4에 나타내는 바와 같이 단계(S01)를 실행한다. 단계(S01)에서는, 반입반출 제어부(101)가, 개구부(62)를 개방 상태가 되도록 셔터(63)를 제어하고, 웨이퍼(W)를 유지부(57) 상에 배치하도록 반송 암(A1)을 제어하고, 웨이퍼(W)를 유지하도록 유지부(57)를 제어한다(도 5 및 도 6 참조). 반입반출 제어부(101)는 개구부(62)를 폐색 상태가 되도록 셔터(63)를 제어한다.
이어서, 제어부(100)는 단계(S02)를 실행한다. 단계(S02)에서는, 반송 제어부(102)가, 웨이퍼(W)를 제 1 위치(P1)까지 반송하도록 리니어 액츄에이터(58)를 제어한다. 제 1 위치(P1)는 상부 토출구(71) 또는 측부 토출구(72)로부터 배출구(81)에 이르는 처리용의 가스의 유로(R1)를 차단하는 위치로 설정되어 있다. 유로(R1)는 웨이퍼(W)가 제 1 위치(P1)보다 앞측에 위치하는 경우에 있어서의 유로이다. 일례로서 제 1 위치(P1)는, 상부 토출구(71)와 대향하는 위치로 설정되어 있다(도 7 참조).
이어서, 제어부(100)는 단계(S03)를 실행한다. 단계(S03)에서는, 공급 제어부(103)가, 처리용의 가스의 공급을 개시하도록 가스 공급부(70)를 제어한다. 공급 제어부(103)는, 예를 들면 가스 공급부(70)가 가지는 밸브(76)가 개방 상태가 되도록, 밸브(76)를 제어한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)가 제 1 위치에 위치하고 있을 때, 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)로부터 공간(60) 내로 처리용의 가스가 토출된다.
이어서, 제어부(100)는 단계(S04)를 실행한다. 단계(S04)에서는, 제어부(100)가 정해진 시간의 경과를 대기한다. 정해진 시간은, 조사부(54)의 하방 및 공간(60) 내에 처리용의 가스가 충분히 확산되도록, 예를 들면 10 초로 설정되어 있다. 정해진 시간이 경과하면, 조사부(54)의 하방 및 공간(60) 내에 처리용의 가스(G)가 가득 차게 된다(도 8 참조).
이어서, 제어부(100)는 단계(S05)를 실행한다. 단계(S05)에서는, 반송 제어부(102)가, 웨이퍼(W)를 제 2 위치(P2)까지 반송하도록 반송부(56)를 제어한다. 제 2 위치(P2)는 공간(60) 내의 위치로 설정되어 있다. 일례로서, 제 2 위치는 공간(60) 내의 중앙부로 설정되어 있다(도 9 참조).
또한, 웨이퍼(W)를 제 2 위치(P2)로 반송할 시, 웨이퍼(W)에 수반하여 공간(60) 밖의 기체가 공간(60) 내로 인입되고, 공간(60) 내에 있어서의 처리용의 가스의 농도가 저하되는 경우가 있다. 이러한 경우에, 제어부(100)는, 웨이퍼(W)를 제 2 위치(P2)로 반송한 후에 정해진 시간의 경과를 대기해도 된다. 이 정해진 시간은, 단계(S04)에 있어서의 정해진 시간보다 짧고, 예를 들면 5 초이다. 정해진 시간의 경과에 의해, 공간(60) 내의 처리용 가스의 농도가 회복된다.
이어서, 제어부(100)는 단계(S06)를 실행한다. 단계(S06)에서는, 반송 제어부(102)가, 제 3 위치(P3)로의 웨이퍼(W)의 반송을 개시하도록 반송부(56)를 제어한다. 제 3 위치(P3)는, 공간(60) 밖의 위치로 설정되어 있다. 일례로서, 제 3 위치(P3)는 개구부(62)와 공간(60) 사이의 위치이다(도 11 참조). 제 2 위치(P2)는 공간(60) 내에 위치하고, 제 3 위치(P3)는 공간(60) 밖에 위치하므로, 제 3 위치(P3)에 있어서의 처리용의 가스(G)의 농도는, 제 2 위치(P2)에 있어서의 처리용의 가스(G)의 농도에 비해 낮다.
이어서, 제어부(100)는 단계(S07)를 실행한다. 단계(S07)에서는, 조사 제어부(104)가, 자외선의 조사를 개시하도록 조사부(54)를 제어한다. 단계(S06) 후, 웨이퍼(W)는, 제 2 위치(P2)로부터 제 3 위치(P3)로 이동하므로, 조사부(54)의 하방을 통과한다. 이 때문에, 제 3 위치(P3)로 이동 중인 웨이퍼(W)의 표면에 자외선(E)이 조사된다(도 10 참조). 또한, 웨이퍼(W)의 이동에 수반하여, 자외선의 조사 개소가 이동하고, 웨이퍼(W)의 표면의 광역(예를 들면 전역)에 자외선이 조사된다.
이어서, 제어부(100)는 단계(S08)를 실행한다. 단계(S08)에서는, 제 3 위치에의 도달에 수반하여 웨이퍼(W)의 반송을 정지시키도록, 반송 제어부(102)가 반송부(56)를 제어한다(도 11 참조).
이어서, 제어부(100)는 단계(S09)를 실행한다. 단계(S09)에서는 조사 제어부(104)가 자외선의 출사를 종료하도록 조사부(54)를 제어한다.
이어서, 제어부(100)는 단계(S10)를 실행한다. 단계(S10)에서는, 공급 제어부(103)가, 처리용의 가스의 공급을 종료하도록 가스 공급부(70)를 제어한다. 이 후, 공간(60) 내에 남은 처리용의 가스(G)가 배출구(81)로부터 배출된다(도 12 참조).
이어서, 제어부(100)는 단계(S11)를 실행한다. 단계(S11)에서는, 반입반출 제어부(101)가, 게이트(61)를 개방 상태가 되도록 셔터(63)를 제어하고, 웨이퍼(W)의 유지를 해제하도록 유지부(57)를 제어하고, 유지부(57) 상의 웨이퍼(W)를 반출하도록 반송 암(A1)을 제어한다(도 13 참조). 이상으로 에너지선 조사 유닛(U4)에 의한 기판 처리 순서가 완료된다.
[본 실시 형태의 효과]
에너지선 조사 유닛(U4)은, 웨이퍼(W)의 표면에 자외선을 조사하는 조사부(54)와, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송부(56)와, 조사부(54)의 근방에 배치된 상부 토출구(71)를 가지고, 상부 토출구(71)로부터 웨이퍼(W)의 처리용의 가스를 공급하는 가스 공급부(70)와, 상부 토출구(71)로부터 이간하여 배치된 배출구(81)를 가지고, 상부 토출구(71)로부터 토출된 처리용의 가스를 배출구(81)로부터 배출하는 가스 배출부(80)와, 제어부(100)를 구비한다. 제어부(100)는, 상부 토출구(71)로부터 배출구(81)에 이르는 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치로 웨이퍼(W)를 반송하도록 반송부(56)를 제어하는 것, 제 1 위치에 웨이퍼(W)가 위치하고 있을 때 가스를 상부 토출구(71) 또는 측부 토출구(72)로부터 공급하도록 가스 공급부(70)를 제어하는 것, 가스 공급부(70)에 의해 공급된 처리용의 가스가 웨이퍼(W)의 표면 상에 개재되는 상태에서 웨이퍼(W)의 표면에 자외선을 조사하도록 조사부(54)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.
이 에너지선 조사 유닛(U4)에 의하면, 상부 토출구(71)로부터 배출구(81)에 이르는 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치에 웨이퍼(W)가 배치된 상태에서, 처리용의 가스가 공급된다. 이에 의해, 상부 토출구(71)로부터 배출구(81)를 향하는 처리용의 가스가 웨이퍼(W)의 표면을 따라 확산된다. 이 때문에, 자외선의 조사에 앞서, 웨이퍼(W)의 표면에 처리용의 가스가 확산될 때까지의 시간이 짧아진다. 따라서 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.
반송부(56)는, 조사부(54)에 의한 자외선의 출사 방향에 교차하는 방향으로 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되고, 제어부(100)는 반송부(56)가 웨이퍼(W)를 반송하고 있을 때, 당해 웨이퍼(W)의 표면에 자외선을 출사하도록 조사부(54)를 제어해도 된다.이 경우, 제 1 위치로의 웨이퍼(W)의 반송과, 자외선의 조사 위치의 변경에 동일한 반송부(56)를 공용할 수 있다. 따라서, 간이한 구성으로 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.
반송부(56)는, 상부 토출구(71)의 하방에 있어서 웨이퍼(W)를 승강시키도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우도, 반송부(56)에 의해 웨이퍼(W)를 상승시키면, 상승 전에 형성되어 있던 유로는 차단되므로, 상승 전에 비해 처리용의 가스의 확산이 촉진된다. 따라서 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.
자외선의 조사 방향에 있어서, 상부 토출구(71)는 웨이퍼(W)의 표면측에 배치되고, 배출구(81)는 웨이퍼(W)의 이면측에 배치되어도 된다. 이 경우, 반송부(56)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)의 표면과 처리용의 가스의 유로가 교차한다. 이 때문에, 제 1 위치에 배치된 웨이퍼(W)에 의해 처리용의 가스를 확산시키는 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
상부 토출구(71)는, 자외선의 조사 방향으로 개구되어 있고, 제어부(100)는, 상부 토출구(71)에 대향하는 위치를 제 1 위치로서 반송부(56)를 제어해도 된다. 이 경우, 제 1 위치에 배치된 웨이퍼(W)에 의해 처리용의 가스를 확산시키는 작용이 더 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
제어부(100)는, 가스 공급부(70)에 의해 공급된 처리용의 가스가 채워진 제 2 위치로 웨이퍼(W)를 반송하도록 반송부(56)를 제어하는 것, 제 2 위치에 비해 처리용의 가스의 농도(이하, '가스 농도'라고 함)가 낮은 제 3 위치로 웨이퍼(W)를 반송하도록 반송부(56)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있고, 반송부(56)가 웨이퍼(W)를 제 2 위치로부터 제 3 위치로 반송할 때, 당해 웨이퍼(W)의 표면에 자외선을 출사하도록 조사부(54)를 제어해도 된다. 가령, 제 3 위치로부터 제 2 위치로 반송할 때 자외선의 조사를 행하면, 가스 농도가 낮은 제 3 위치의 기체가 웨이퍼(W)와 함께 자외선의 조사 위치로 흘러, 당해 조사 위치에 개재되는 처리용의 가스가 충분하게 되지 못할 가능성이 있다. 이를 방지하기 위하여, 웨이퍼(W)의 반송 속도를 낮게 하는 등의 대책을 실시하면, 스루풋의 저하 요인이 될 수 있다. 이에 대하여, 가스 농도가 높은 제 2 위치로부터 가스 농도가 낮은 제 3 위치로 웨이퍼(W)를 반송할 때 자외선의 조사를 행함으로써, 처리용의 가스를 자외선의 조사 위치에 충분히 개재시키는 것이 가능해진다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
반송부(56)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 방향에서 조사부(54)에 인접하는 위치에 있어서, 배출구(81)를 포함하도록 마련되고, 상부 토출구(71)로부터 배출구(81)로 흐르는 처리용의 가스를 일시적으로 수용하는 공간(60)을 더 구비하고, 제어부(100)는, 공간(60) 내를 제 2 위치로서, 공간(60) 밖을 제 3 위치로서 반송부(56)를 제어해도 된다. 이 경우, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 웨이퍼(W)를 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
또한, 공간(60)을 구성하기 위한 커버(59)는, 웨이퍼(W)에의 자외선의 조사에 의해 발생한 가스(예를 들면 오존 등)가 에너지선 조사 유닛(U4)의 밖으로 누출되는 것을 방지하는데도 기여한다.
반송 방향에 있어서의 공간(60)의 반대측에서, 조사부(54) 및 상부 토출구(71)로부터 이간된 위치에 마련되고, 웨이퍼(W)의 반입반출 시에 당해 웨이퍼(W)를 통과시키는 개구부(62)를 더 구비하고, 제어부(100)는, 개구부(62)와 공간(60)의 사이를 제 3 위치로서 반송부(56)를 제어해도 된다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 반입반출용의 개구부(62)측에 제 3 위치가 배치됨으로써, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 더 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 웨이퍼(W)를 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
가스 배출부(80)는, 개구부(62)로부터 도입된 외기와, 상부 토출구(71)로부터 토출된 처리용의 가스를 배출구(81)로부터 모두 배출해도 된다. 이 경우, 개구부(62)로부터 도입된 외기에 의해, 개구부(62)측으로부터 공간(60) 내의 배출구(81)측을 향하는 기류가 형성된다. 이 기류에 의해, 처리용의 가스가 공간(60) 내로 유도되므로, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 더 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 웨이퍼(W)를 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.
또한, 개구부(62)측으로부터 배출구(81)측을 향하는 기류는, 웨이퍼(W)에의 자외선의 조사에 의해 발생한 가스(예를 들면 오존 등)가 에너지선 조사 유닛(U4)의 밖으로 누출되는 것을 방지하는데도 기여한다.
웨이퍼(W)의 반입반출에 있어서 개구부(62)를 개폐하는 셔터(63)를 구비하고, 셔터(63)는 폐색 상태에서도 외기를 도입 가능하게 되도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 에너지선 조사 유닛(U4)의 내외를 셔터로 구획하면서, 개구부(62)측으로부터 공간(60) 내의 배출구(81)측을 향하는 상기 기류를 확보할 수 있다.
셔터(63)는, 폐색 상태에서도 외기를 도입 가능한 극간을 이루도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 셔터(63)가 닫힌 상태에서의 상기 기류의 확보를 간단한 구성으로 실현할 수 있다.
이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.예를 들면 에너지선 조사 유닛(U4)과 동일한 구성은, DSA 처리 이외의 처리를 행하는 시스템에도 이용 가능하다. 다른 이용예로서는, 기판 상에 막(예를 들면 레지스트막, 층간 절연막 등)을 형성하는 시스템에 있어서, 막의 형성 전의 기판에 표면 개질용의 에너지선을 조사하는 장치, 형성된 막에 개질용의 에너지선을 조사하는 장치 등을 들 수 있다.
또한, 에너지선 조사 유닛(U4)은 자외선을 조사하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 에너지선 조사 유닛(U4)은, 기판에 적외선을 조사하는 것이어도 된다. 기판에 적외선을 조사하는 유닛은, 예를 들면 기판 상에 형성된 피막을 가열하기 위한 열 처리 유닛으로서 이용 가능하다. 이러한 열 처리 유닛에 있어서도, 피막의 산화를 방지하기 위하여 분위기의 조정이 필요해지므로, 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있는 것이 유익하다.
54 : 조사부
56 : 반송부
60 : 공간(기체 저류실)
61 : 게이트
62 : 개구부
63 : 셔터
70 : 가스 공급부
71 : 상부 토출구
80 : 가스 배출부
81 : 배출구
100 : 제어부
P1 : 제 1 위치
P2 : 제 2 위치
P3 : 제 3 위치
R1 : 유로
U4 : 에너지선 조사 유닛(기판 처리 장치)
W : 웨이퍼(기판)

Claims (14)

  1. 기판의 표면에 에너지선을 조사하는 조사부와,
    상기 조사부에 의한 상기 에너지선의 조사 방향에 교차하는 방향으로 상기 기판을 반송하는 반송부와,
    상기 조사부의 근방에 배치된 토출구를 가지고, 상기 토출구로부터 상기 기판의 처리용의 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    상기 토출구로부터 이간되어 배치된 배출구를 가지고, 상기 토출구로부터 토출된 상기 처리용의 가스를 상기 배출구로부터 배출하는 가스 배출부와,
    상기 반송부에 의한 상기 기판의 반송 방향에서 상기 조사부에 인접하는 위치에 있어서, 상기 배출구를 포함하도록 마련되고, 상기 토출구로부터 상기 배출구로 흐르는 상기 처리용의 가스를 일시적으로 수용하는 기체 저류실과,
    상기 기체 저류실 밖에서 상기 기체 저류실 내로 상기 기판을 반송하도록 상기 반송부를 제어하는 것, 상기 기체 저류실 내에서 상기 기체 저류실 밖으로 상기 기판을 반송하도록 상기 반송부를 제어하는 것, 상기 토출구로부터 상기 배출구에 이르는 상기 처리용의 가스의 유로를 차단하는 위치에 상기 기판이 위치하고 있을 때, 상기 처리용의 가스를 상기 토출구로부터 공급하도록 상기 가스 공급부를 제어하는 것, 상기 가스 공급부에 의해 공급된 상기 처리용의 가스가 상기 기판의 표면 상에 개재되는 상태에서 상기 기판의 표면에 상기 에너지선을 조사하도록 상기 조사부를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어, 상기 반송부가 상기 기체 저류실 밖에서 상기 기체 저류실 내로 상기 기판을 반송할 때에는 상기 기판의 표면에 상기 에너지선을 조사하지 않고, 상기 반송부가 상기 기체 저류실 내에서 상기 기체 저류실 밖으로 상기 기판을 반송할 때 상기 기판의 표면에 상기 에너지선을 조사하도록 상기 조사부를 제어하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 에너지선의 조사 방향에 있어서, 상기 토출구는 상기 기판의 표면측에 배치되고, 상기 배출구는 상기 기판의 이면측에 배치되어 있는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 토출구는, 상기 에너지선의 조사 방향으로 개구되어 있고,
    상기 제어부는, 상기 기판이 상기 토출구에 대향하는 위치에 있을 때 상기 처리용의 가스를 상기 토출구로부터 공급하도록 상기 가스 공급부를 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 반송 방향에 있어서의 상기 기체 저류실의 반대측에서, 상기 조사부 및 상기 토출구로부터 이간된 위치에 마련되고, 상기 기판의 반입반출 시에 상기 기판을 통과시키는 개구부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 개구부와 상기 기체 저류실의 사이를 상기 기체 저류실 밖으로서 상기 반송부를 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 가스 배출부는, 상기 개구부로부터 도입된 외기와, 상기 토출구로부터 토출된 상기 처리용의 가스를 상기 배출구로부터 모두 배출하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판의 반입반출에 있어서 상기 개구부를 개폐하는 셔터를 더 구비하고,
    상기 셔터는, 폐색 상태에서도 상기 외기를 도입 가능하게 되도록 구성되어 있는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 셔터는, 폐색 상태에서도 상기 외기를 도입 가능한 극간을 이루도록 구성되어 있는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항, 및 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리용의 가스는 불활성 가스인 기판 처리 장치.
  12. 에너지선의 조사부와, 상기 조사부에 의한 상기 에너지선의 조사 방향에 교차하는 방향으로 기판을 반송하는 반송부와, 상기 조사부의 근방에 배치된 처리용의 가스의 토출구와, 상기 토출구로부터 이간된 상기 처리용의 가스의 배출구와, 상기 반송부에 의한 상기 기판의 반송 방향에서 상기 조사부에 인접하는 위치에 있어서, 상기 배출구를 포함하도록 마련되고, 상기 토출구로부터 상기 배출구로 흐르는 상기 처리용의 가스를 일시적으로 수용하는 기체 저류실을 구비하는 기판 처리 장치를 이용하고,
    상기 반송부에 의해 상기 기체 저류실 밖에서 상기 기체 저류실 내로 상기 기판을 반송하는 것, 상기 반송부에 의해 상기 기체 저류실 내에서 상기 기체 저류실 밖으로 상기 기판을 반송하는 것, 상기 토출구로부터 상기 배출구에 이르는 상기 처리용의 가스의 유로를 차단하는 위치에 상기 기판이 위치하고 있을 때, 상기 처리용의 가스를 상기 토출구로부터 공급하는 것, 상기 토출구로부터 공급된 상기 처리용의 가스가 상기 기판의 표면 상에 개재된 상태에서 상기 조사부로부터 상기 기판의 표면에 상기 에너지선을 조사하는 것을 포함하며,
    상기 반송부가 상기 기체 저류실 밖에서 상기 기체 저류실 내로 상기 기판을 반송할 때에는 상기 기판의 표면에 상기 에너지선을 조사하지 않고, 상기 반송부가 상기 기체 저류실 내에서 상기 기체 저류실 밖으로 상기 기판을 반송할 때 상기 기판의 표면에 상기 에너지선을 조사하는 기판 처리 방법.
  13. 삭제
  14. 제 12 항에 기재된 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
KR1020160028333A 2015-03-13 2016-03-09 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체 KR102495434B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-050682 2015-03-13
JP2015050682A JP6320956B2 (ja) 2015-03-13 2015-03-13 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160110188A KR20160110188A (ko) 2016-09-21
KR102495434B1 true KR102495434B1 (ko) 2023-02-03

Family

ID=56982590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160028333A KR102495434B1 (ko) 2015-03-13 2016-03-09 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6320956B2 (ko)
KR (1) KR102495434B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013247159A (ja) * 2012-05-23 2013-12-09 Tokyo Electron Ltd パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体
JP2015032755A (ja) * 2013-08-05 2015-02-16 東京エレクトロン株式会社 紫外線照射装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3027686B2 (ja) * 1994-08-22 2000-04-04 大日本スクリーン製造株式会社 紫外線照射装置
JP4046636B2 (ja) 2003-04-11 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP5917459B2 (ja) * 2013-08-05 2016-05-18 東京エレクトロン株式会社 紫外線照射装置及び基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013247159A (ja) * 2012-05-23 2013-12-09 Tokyo Electron Ltd パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体
JP2015032755A (ja) * 2013-08-05 2015-02-16 東京エレクトロン株式会社 紫外線照射装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016171229A (ja) 2016-09-23
KR20160110188A (ko) 2016-09-21
JP6320956B2 (ja) 2018-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102651514B1 (ko) 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치
KR102503838B1 (ko) 기판 가열 장치
KR100924901B1 (ko) 감압 건조 장치
JP4788610B2 (ja) 加熱装置、塗布、現像装置、加熱方法及び記憶媒体
WO2009101869A1 (ja) 塗布・現像装置および塗布・現像方法
KR101996678B1 (ko) 자외선 조사 장치 및 기판 처리 장치
JP6447328B2 (ja) 加熱装置
KR20150016887A (ko) 자외선 조사 장치 및 기판 처리 방법
JP5655690B2 (ja) 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体
KR102262113B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP3920831B2 (ja) 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法
KR20150026944A (ko) 광조사 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법
JP5186224B2 (ja) 基板処置装置
KR102495434B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체
KR102454656B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101865971B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR102516013B1 (ko) 기판 가열 장치 및 기판 가열 방법
US20160163560A1 (en) Substrate processing method, storage medium and substrate processing system
US9388931B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and non-transitory storage medium
JP5415881B2 (ja) 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6450333B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム
KR102214962B1 (ko) 기판 처리 장치
CN114326312A (zh) 基板处理方法、基板处理装置和存储介质
US20210232050A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20230197475A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20160309

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20201020

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20160309

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20220429

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20221028

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20230131

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20230201

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration