JP5655690B2 - 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 130
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 109
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 12
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 9
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 144
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 27
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 101100221836 Arabidopsis thaliana CPL3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100221837 Arabidopsis thaliana CPL4 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100065702 Arabidopsis thaliana ETC3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100536545 Arabidopsis thaliana TCL2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150075071 TRS1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009739 binding Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
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- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
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Description
基板を水平に保持する保持部と、
前記基板の表面の中心部に塗布液を供給するノズルと、
塗布液を基板の周縁部に遠心力により広げて基板全体に塗布膜を形成するために、前記保持部を鉛直な軸周りに回転させる回転機構と、
前記保持部に保持され、回転する基板における径方向の異なる位置に互いに独立した強度で電磁波を照射できるように構成され、前記塗布膜に含まれる分子が互いに結合する温度に前記塗布膜全体を加熱するための電磁波照射部と、
塗布液の種類及び基板の回転速度の推移パターンを含む複数の処理レシピと、基板の径方向における照射強度の比率を特定する複数のデータと、の対応関係を記憶した記憶部と、
前記処理レシピを選択するための設定部と、
前記設定部により選択された処理レシピと前記対応関係とに基づいて前記径方向における電磁波の照射強度の比率を決定し、決定した前記比率に基づいて前記基板に電磁波を照射するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
保持部により基板を水平に保持する工程と、
ノズルにより、前記保持部に保持された基板の表面の中心部に塗布液を供給する工程と、
前記保持部を鉛直な軸回りに回転させて塗布液を基板の周縁部へ遠心力により広げ、基板全体に塗布膜を形成する工程と、
塗布液の種類及び基板の回転速度の推移パターンを含む複数の処理レシピと、基板の径方向における照射強度の比率を特定する複数のデータと、の対応関係を記憶した記憶部を用い、選択された処理レシピと前記対応関係とに基づいて前記径方向における電磁波の照射強度の比率を決定する工程と、
決定した前記比率に基づいて、電磁波照射部により、前記保持部に保持された基板に向けて電磁波を照射し、前記塗布膜に含まれる分子が互いに結合する温度に前記塗布膜全体を加熱する工程と、
を備えたことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の塗布方法を実施するためのものであることを特徴とする。
1 レジスト塗布装置
21 スピンチャック
31 裏面側加熱部
32 LED
41 裏面側加熱部
42 LED
51A レジスト液ノズル
6 制御部
Claims (6)
- 基板を水平に保持する保持部と、
前記基板の表面の中心部に塗布液を供給するノズルと、
塗布液を基板の周縁部に遠心力により広げて基板全体に塗布膜を形成するために、前記保持部を鉛直な軸周りに回転させる回転機構と、
前記保持部に保持され、回転する基板における径方向の異なる位置に互いに独立した強度で電磁波を照射できるように構成され、前記塗布膜に含まれる分子が互いに結合する温度に前記塗布膜全体を加熱するための電磁波照射部と、
塗布液の種類及び基板の回転速度の推移パターンを含む複数の処理レシピと、基板の径方向における照射強度の比率を特定する複数のデータと、の対応関係を記憶した記憶部と、
前記処理レシピを選択するための設定部と、
前記設定部により選択された処理レシピと前記対応関係とに基づいて前記径方向における電磁波の照射強度の比率を決定し、決定した前記比率に基づいて前記基板に電磁波を照射するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする塗布装置。 - 前記電磁波照射部は、塗布膜の形成後に基板を回転させながら当該基板を第1の温度で加熱するために第1の照射強度で電磁波を照射し、然る後、基板を回転させながら基板を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱するために第2の照射強度で電磁波を照射することを特徴とする請求項1に記載の塗布装置。
- 前記電磁波照射部は、発光ダイオードであることを特徴とする請求項1または2に記載の塗布装置。
- 保持部により基板を水平に保持する工程と、
ノズルにより、前記保持部に保持された基板の表面の中心部に塗布液を供給する工程と、
前記保持部を鉛直な軸回りに回転させて塗布液を基板の周縁部へ遠心力により広げ、基板全体に塗布膜を形成する工程と、
塗布液の種類及び基板の回転速度の推移パターンを含む複数の処理レシピと、基板の径方向における照射強度の比率を特定する複数のデータと、の対応関係を記憶した記憶部を用い、選択された処理レシピと前記対応関係とに基づいて前記径方向における電磁波の照射強度の比率を決定する工程と、
決定した前記比率に基づいて、電磁波照射部により、前記保持部に保持された基板に向けて電磁波を照射し、前記塗布膜に含まれる分子が互いに結合する温度に前記塗布膜全体を加熱する工程と、を備えたことを特徴とする塗布方法。 - 前記塗布膜全体を加熱する工程は、
塗布膜の形成後に基板を回転させながら当該基板を第1の温度で加熱する工程と、
次いで、基板を回転させながら、基板を第1の温度よりも高い第2の温度で加熱する工程と、
を含むことを特徴とする請求項4に記載の塗布方法。 - 基板に対する塗布処理を行う塗布装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項4または5に記載の塗布方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011095837A JP5655690B2 (ja) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
KR1020120041386A KR101704843B1 (ko) | 2011-04-22 | 2012-04-20 | 도포 장치, 도포 방법 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011095837A JP5655690B2 (ja) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012227461A JP2012227461A (ja) | 2012-11-15 |
JP5655690B2 true JP5655690B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=47277268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011095837A Active JP5655690B2 (ja) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5655690B2 (ja) |
KR (1) | KR101704843B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5677603B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2015-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
JP2014110314A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非接触型ウエハ加熱ヒータ |
JP6023017B2 (ja) * | 2012-12-19 | 2016-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体 |
JP6319705B2 (ja) * | 2013-12-14 | 2018-05-09 | 木村 光照 | スピンコータ |
KR102221692B1 (ko) * | 2018-10-12 | 2021-03-03 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7220968B2 (ja) * | 2022-05-02 | 2023-02-13 | 中外炉工業株式会社 | 塗工部周縁処理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61131529A (ja) | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Nec Corp | レジスト塗布方法 |
JPS62274722A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nec Corp | レジスト膜の形成方法 |
JP2001188357A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示素子用基板への樹脂膜形成法及び装置、並びに該方法を用いた液晶表示装置の製造方法 |
KR100811964B1 (ko) * | 2000-09-28 | 2008-03-10 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 레지스트 패턴 형성장치 및 그 방법 |
JP2003279245A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-10-02 | Seiko Epson Corp | 塗布膜の乾燥方法及びその装置、デバイスの製造方法、デバイス |
JP2005322791A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、及び塗布装置 |
JP4840437B2 (ja) * | 2008-12-03 | 2011-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置、基板加熱方法及び記憶媒体 |
-
2011
- 2011-04-22 JP JP2011095837A patent/JP5655690B2/ja active Active
-
2012
- 2012-04-20 KR KR1020120041386A patent/KR101704843B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012227461A (ja) | 2012-11-15 |
KR20120120485A (ko) | 2012-11-01 |
KR101704843B1 (ko) | 2017-02-08 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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|
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