JPS61131529A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
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- JPS61131529A JPS61131529A JP25350484A JP25350484A JPS61131529A JP S61131529 A JPS61131529 A JP S61131529A JP 25350484 A JP25350484 A JP 25350484A JP 25350484 A JP25350484 A JP 25350484A JP S61131529 A JPS61131529 A JP S61131529A
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- JP
- Japan
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- resist
- substrate
- hot air
- dry hot
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はレジスト塗布方法にかかり、とくに半導体・集
積回路の製造に用いられる光学マスク・ウェハの処理工
程におけるレジスト塗布方法に閂するものである。
積回路の製造に用いられる光学マスク・ウェハの処理工
程におけるレジスト塗布方法に閂するものである。
(従来の技術)
従来光学マスク又はウェ/−ハ所望のバター7露光後
る。該レジストの塗布方法としては、レジストをマスク
基板又はウェハに適量を滴下した後必要とする膜厚が得
られる回転数にて該マスク基板又はウェハを回転させレ
ジスト膜厚が安定した後5〜20秒経過後回転を停止さ
せるというスビノコート法が一般的に行なわれている。
基板又はウェハに適量を滴下した後必要とする膜厚が得
られる回転数にて該マスク基板又はウェハを回転させレ
ジスト膜厚が安定した後5〜20秒経過後回転を停止さ
せるというスビノコート法が一般的に行なわれている。
しかし該塗布方法ではレジストと基板の密着が完全でな
くバター7露光後の現像時にレジストが基板からはがれ
がちである。そこで密着力を強化する為にレジスト塗布
基板を所定の温度・時間で加熱処理するプレベーク工程
を実施せざるを得ない。ところがブレベーク後の基板は
80−110℃に加熱されており、次工程の鞘光処理を
する為には該基板が室温に丁がる迄放冷してからでない
と行なえない−即ち該プレベーク工程がある為に基板の
加熱・放冷工程で1〜2時間消費されるわけである。
くバター7露光後の現像時にレジストが基板からはがれ
がちである。そこで密着力を強化する為にレジスト塗布
基板を所定の温度・時間で加熱処理するプレベーク工程
を実施せざるを得ない。ところがブレベーク後の基板は
80−110℃に加熱されており、次工程の鞘光処理を
する為には該基板が室温に丁がる迄放冷してからでない
と行なえない−即ち該プレベーク工程がある為に基板の
加熱・放冷工程で1〜2時間消費されるわけである。
そこでこの処理工程を改善する為にレジストのスピ/コ
ート時にレジスト膜厚が安定し几後もさらに基板を回転
させ続はレジストと基板の密着力を増強する方法が提案
されている。しかし該方法でも基板1枚の塗布時間が従
来方法の塗布時間の、10倍前後要し、作□業性が悪い
。
ート時にレジスト膜厚が安定し几後もさらに基板を回転
させ続はレジストと基板の密着力を増強する方法が提案
されている。しかし該方法でも基板1枚の塗布時間が従
来方法の塗布時間の、10倍前後要し、作□業性が悪い
。
(発明の目的)
本発明の目的はプレベークを行なわなくとも、レジスト
と基板を短時間のうちに強く密着させる事ができる塗布
方法を提供する事にある。
と基板を短時間のうちに強く密着させる事ができる塗布
方法を提供する事にある。
(発明の構成)
本発明の特徴はレジストのスピンコード時に、レジスト
の膜厚が安定した後、さらに乾燥熱風を吹き付けながら
回転f:続ける事にある。
の膜厚が安定した後、さらに乾燥熱風を吹き付けながら
回転f:続ける事にある。
(作用)
即ち、本発明によれは基板回転中に吹き付けられ几乾燥
熱風によシレジスト中に含有される溶剤や水分が蒸発し
短時間のうちにレジストと基板の密着力が強まシプレベ
ータに相当する処理が成さ着 れるわけで
ある。
熱風によシレジスト中に含有される溶剤や水分が蒸発し
短時間のうちにレジストと基板の密着力が強まシプレベ
ータに相当する処理が成さ着 れるわけで
ある。
(実施例)
以下に本発明を実施例に基づいて説明する。第、2図は
従来方法に基づくレジスト塗布装置の構成図である。カ
ップ4内において、基板ホルダー3にセットされ九基板
2はノズル1からレジストが滴下嘔れた後駆動モータ5
で回転式れレジストがスピンコードされる。
従来方法に基づくレジスト塗布装置の構成図である。カ
ップ4内において、基板ホルダー3にセットされ九基板
2はノズル1からレジストが滴下嘔れた後駆動モータ5
で回転式れレジストがスピンコードされる。
第1図は本発明に基づくレジスト塗布装置の一実施例で
ある。カップ4内において、基板2はレジスト滴下後の
スピンコード中に乾燥熱風吹出口6から乾燥熱風を吹き
付けられる。この乾燥熱風によシレジスト中の溶剤や水
分が短時間で蒸発されるわけである。
ある。カップ4内において、基板2はレジスト滴下後の
スピンコード中に乾燥熱風吹出口6から乾燥熱風を吹き
付けられる。この乾燥熱風によシレジスト中の溶剤や水
分が短時間で蒸発されるわけである。
(発明の効果)
以上説明した様に、本発明によればプレベークを行なわ
すとも短時間でレジストと基板の密着力の強いレジスト
塗布基板を提供できる様になる。
すとも短時間でレジストと基板の密着力の強いレジスト
塗布基板を提供できる様になる。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図であシ、第2図
は従来技術を示す断面図である。 l・・・・・・レジスト滴下ノズル、2・・・・・・基
板、3・・・・・・基板ホルダー、4・・・・・・カッ
プ、5・・・・・・モータ、6・・・・・・乾燥熱風吹
出口。 代理人 弁理士 内 原 五″−゛゛・・/ L
ン′°スト肩1丁ノヌ”ル ブ 矛2田
は従来技術を示す断面図である。 l・・・・・・レジスト滴下ノズル、2・・・・・・基
板、3・・・・・・基板ホルダー、4・・・・・・カッ
プ、5・・・・・・モータ、6・・・・・・乾燥熱風吹
出口。 代理人 弁理士 内 原 五″−゛゛・・/ L
ン′°スト肩1丁ノヌ”ル ブ 矛2田
Claims (1)
- マスク基板又はウェハにレジストを滴下した後、該マ
スク基板又はウェハを回転させてレジストを塗布する方
法に於いて、レジスト膜厚が安定した後に乾燥熱風を吹
き付ける事を特徴とするレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25350484A JPS61131529A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25350484A JPS61131529A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61131529A true JPS61131529A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17252296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25350484A Pending JPS61131529A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61131529A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02154338A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 有機薄膜の成膜方法 |
EP0461543A2 (de) * | 1990-06-15 | 1991-12-18 | Battelle-Institut e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit geschmolzenem Material |
JP2002110535A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、及び基板乾燥方法 |
KR20120120485A (ko) | 2011-04-22 | 2012-11-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포 장치, 도포 방법 및 기억 매체 |
CN113956706A (zh) * | 2015-03-16 | 2022-01-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于衬底涂层的底漆材料 |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25350484A patent/JPS61131529A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02154338A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 有機薄膜の成膜方法 |
EP0461543A2 (de) * | 1990-06-15 | 1991-12-18 | Battelle-Institut e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit geschmolzenem Material |
EP0461543A3 (en) * | 1990-06-15 | 1992-07-01 | Battelle-Institut E.V. | Method and device for coating substrates with molten materials |
JP2002110535A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、及び基板乾燥方法 |
KR20120120485A (ko) | 2011-04-22 | 2012-11-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포 장치, 도포 방법 및 기억 매체 |
CN113956706A (zh) * | 2015-03-16 | 2022-01-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于衬底涂层的底漆材料 |
US11708495B2 (en) | 2015-03-16 | 2023-07-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Priming material for substrate coating |
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