JPS61131529A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPS61131529A JPS61131529A JP25350484A JP25350484A JPS61131529A JP S61131529 A JPS61131529 A JP S61131529A JP 25350484 A JP25350484 A JP 25350484A JP 25350484 A JP25350484 A JP 25350484A JP S61131529 A JPS61131529 A JP S61131529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- hot air
- dry hot
- short period
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 101150038956 cup-4 gene Proteins 0.000 abstract description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレジスト塗布方法にかかり、とくに半導体・集
積回路の製造に用いられる光学マスク・ウェハの処理工
程におけるレジスト塗布方法に閂するものである。
積回路の製造に用いられる光学マスク・ウェハの処理工
程におけるレジスト塗布方法に閂するものである。
（従来の技術）
従来光学マスク又はウェ／−ハ所望のバター７露光後
る。該レジストの塗布方法としては、レジストをマスク
基板又はウェハに適量を滴下した後必要とする膜厚が得
られる回転数にて該マスク基板又はウェハを回転させレ
ジスト膜厚が安定した後５〜２０秒経過後回転を停止さ
せるというスビノコート法が一般的に行なわれている。
基板又はウェハに適量を滴下した後必要とする膜厚が得
られる回転数にて該マスク基板又はウェハを回転させレ
ジスト膜厚が安定した後５〜２０秒経過後回転を停止さ
せるというスビノコート法が一般的に行なわれている。
しかし該塗布方法ではレジストと基板の密着が完全でな
くバター７露光後の現像時にレジストが基板からはがれ
がちである。そこで密着力を強化する為にレジスト塗布
基板を所定の温度・時間で加熱処理するプレベーク工程
を実施せざるを得ない。ところがブレベーク後の基板は
８０−１１０℃に加熱されており、次工程の鞘光処理を
する為には該基板が室温に丁がる迄放冷してからでない
と行なえない−即ち該プレベーク工程がある為に基板の
加熱・放冷工程で１〜２時間消費されるわけである。
くバター７露光後の現像時にレジストが基板からはがれ
がちである。そこで密着力を強化する為にレジスト塗布
基板を所定の温度・時間で加熱処理するプレベーク工程
を実施せざるを得ない。ところがブレベーク後の基板は
８０−１１０℃に加熱されており、次工程の鞘光処理を
する為には該基板が室温に丁がる迄放冷してからでない
と行なえない−即ち該プレベーク工程がある為に基板の
加熱・放冷工程で１〜２時間消費されるわけである。
そこでこの処理工程を改善する為にレジストのスピ／コ
ート時にレジスト膜厚が安定し几後もさらに基板を回転
させ続はレジストと基板の密着力を増強する方法が提案
されている。しかし該方法でも基板１枚の塗布時間が従
来方法の塗布時間の、１０倍前後要し、作□業性が悪い
。
ート時にレジスト膜厚が安定し几後もさらに基板を回転
させ続はレジストと基板の密着力を増強する方法が提案
されている。しかし該方法でも基板１枚の塗布時間が従
来方法の塗布時間の、１０倍前後要し、作□業性が悪い
。
（発明の目的）
本発明の目的はプレベークを行なわなくとも、レジスト
と基板を短時間のうちに強く密着させる事ができる塗布
方法を提供する事にある。
と基板を短時間のうちに強く密着させる事ができる塗布
方法を提供する事にある。
（発明の構成）
本発明の特徴はレジストのスピンコード時に、レジスト
の膜厚が安定した後、さらに乾燥熱風を吹き付けながら
回転ｆ：続ける事にある。
の膜厚が安定した後、さらに乾燥熱風を吹き付けながら
回転ｆ：続ける事にある。
（作用）
即ち、本発明によれは基板回転中に吹き付けられ几乾燥
熱風によシレジスト中に含有される溶剤や水分が蒸発し
短時間のうちにレジストと基板の密着力が強まシプレベ
ータに相当する処理が成さ着 れるわけで
ある。
熱風によシレジスト中に含有される溶剤や水分が蒸発し
短時間のうちにレジストと基板の密着力が強まシプレベ
ータに相当する処理が成さ着 れるわけで
ある。
（実施例）
以下に本発明を実施例に基づいて説明する。第、２図は
従来方法に基づくレジスト塗布装置の構成図である。カ
ップ４内において、基板ホルダー３にセットされ九基板
２はノズル１からレジストが滴下嘔れた後駆動モータ５
で回転式れレジストがスピンコードされる。
従来方法に基づくレジスト塗布装置の構成図である。カ
ップ４内において、基板ホルダー３にセットされ九基板
２はノズル１からレジストが滴下嘔れた後駆動モータ５
で回転式れレジストがスピンコードされる。
第１図は本発明に基づくレジスト塗布装置の一実施例で
ある。カップ４内において、基板２はレジスト滴下後の
スピンコード中に乾燥熱風吹出口６から乾燥熱風を吹き
付けられる。この乾燥熱風によシレジスト中の溶剤や水
分が短時間で蒸発されるわけである。
ある。カップ４内において、基板２はレジスト滴下後の
スピンコード中に乾燥熱風吹出口６から乾燥熱風を吹き
付けられる。この乾燥熱風によシレジスト中の溶剤や水
分が短時間で蒸発されるわけである。
（発明の効果）
以上説明した様に、本発明によればプレベークを行なわ
すとも短時間でレジストと基板の密着力の強いレジスト
塗布基板を提供できる様になる。
すとも短時間でレジストと基板の密着力の強いレジスト
塗布基板を提供できる様になる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図であシ、第２図
は従来技術を示す断面図である。 ｌ・・・・・・レジスト滴下ノズル、２・・・・・・基
板、３・・・・・・基板ホルダー、４・・・・・・カッ
プ、５・・・・・・モータ、６・・・・・・乾燥熱風吹
出口。 代理人 弁理士 内 原 五″−゛゛・・／ Ｌ
ン′°スト肩１丁ノヌ”ル ブ 矛２田
は従来技術を示す断面図である。 ｌ・・・・・・レジスト滴下ノズル、２・・・・・・基
板、３・・・・・・基板ホルダー、４・・・・・・カッ
プ、５・・・・・・モータ、６・・・・・・乾燥熱風吹
出口。 代理人 弁理士 内 原 五″−゛゛・・／ Ｌ
ン′°スト肩１丁ノヌ”ル ブ 矛２田
Claims (1)
- マスク基板又はウェハにレジストを滴下した後、該マ
スク基板又はウェハを回転させてレジストを塗布する方
法に於いて、レジスト膜厚が安定した後に乾燥熱風を吹
き付ける事を特徴とするレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25350484A JPS61131529A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25350484A JPS61131529A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131529A true JPS61131529A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17252296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25350484A Pending JPS61131529A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131529A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02154338A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 有機薄膜の成膜方法 |
| EP0461543A2 (de) * | 1990-06-15 | 1991-12-18 | Battelle-Institut e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit geschmolzenem Material |
| JP2002110535A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、及び基板乾燥方法 |
| KR20120120485A (ko) | 2011-04-22 | 2012-11-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포 장치, 도포 방법 및 기억 매체 |
| CN113956706A (zh) * | 2015-03-16 | 2022-01-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于衬底涂层的底漆材料 |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25350484A patent/JPS61131529A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02154338A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 有機薄膜の成膜方法 |
| EP0461543A2 (de) * | 1990-06-15 | 1991-12-18 | Battelle-Institut e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit geschmolzenem Material |
| EP0461543A3 (en) * | 1990-06-15 | 1992-07-01 | Battelle-Institut E.V. | Method and device for coating substrates with molten materials |
| JP2002110535A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、及び基板乾燥方法 |
| KR20120120485A (ko) | 2011-04-22 | 2012-11-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포 장치, 도포 방법 및 기억 매체 |
| CN113956706A (zh) * | 2015-03-16 | 2022-01-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于衬底涂层的底漆材料 |
| US11708495B2 (en) | 2015-03-16 | 2023-07-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Priming material for substrate coating |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03502255A (ja) | ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビーズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用 | |
| JPH05226241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09246173A (ja) | 塗布方法 | |
| JPS61131529A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPH1092734A (ja) | レジスト材料の塗布方法 | |
| JPH09205062A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH11333355A (ja) | 膜形成方法および基板処理装置 | |
| CN113204172A (zh) | 光刻胶涂布方法 | |
| JPS6167224A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN105810567B (zh) | 聚酰亚胺层的制造方法 | |
| JPS62193248A (ja) | レジスト塗布・ベ−ク装置 | |
| KR100272521B1 (ko) | 반도체 소자의 포토레지스트 도포 방법 | |
| JPS62274722A (ja) | レジスト膜の形成方法 | |
| JPH0737796A (ja) | 半導体基板の製造方法及びその装置 | |
| JP3046362B2 (ja) | 塗布方法 | |
| JPH03227009A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6115773A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH1116804A (ja) | 液処理方法 | |
| CN109062010A (zh) | 改善光刻胶表面粗糙度的方法 | |
| JPS60160614A (ja) | レジスト塗布方法および装置 | |
| JPS6362323A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61172329A (ja) | 現像液の温度制御装置 | |
| JPH0382113A (ja) | レジスト処理装置 | |
| JPH05123632A (ja) | 液状塗布物質の塗布方法 | |
| JPH04184915A (ja) | レジスト塗布方法 |