JPH03227009A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03227009A JPH03227009A JP2318690A JP2318690A JPH03227009A JP H03227009 A JPH03227009 A JP H03227009A JP 2318690 A JP2318690 A JP 2318690A JP 2318690 A JP2318690 A JP 2318690A JP H03227009 A JPH03227009 A JP H03227009A
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- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive polyimide
- semiconductor substrate
- sprayed
- dmso
- mixed solution
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、素子上の有機
絶縁膜の除去方法に関するものである。
絶縁膜の除去方法に関するものである。
従来の技術
近年、拡散工程後の最終保護膜として、有機物絶縁膜で
ある感光性ポリイミドが使用されるようになってきた。
ある感光性ポリイミドが使用されるようになってきた。
従来より、前記感光性ポリイミドの除去工程は以下の流
れに従う。感光性ポリイミドが塗布・露光・現像され、
パターン形成されたウェハーをまず、４０分間位、ジ・
メチル・スルフォ・オキシド（以下、ＤＭＳＯと略す）
とモノ・エタノールアミンの混合液に浸してお（。さら
に引き続き、第１の純水槽に約３０分間はど浸し、その
後、第２の純水槽に約２０分間浸す。
れに従う。感光性ポリイミドが塗布・露光・現像され、
パターン形成されたウェハーをまず、４０分間位、ジ・
メチル・スルフォ・オキシド（以下、ＤＭＳＯと略す）
とモノ・エタノールアミンの混合液に浸してお（。さら
に引き続き、第１の純水槽に約３０分間はど浸し、その
後、第２の純水槽に約２０分間浸す。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の方法では感光性ポリイミドは
完全には除去されず、残渣が発生してしまい、また、時
間的にも不利であるという問題があった。また、感光性
ポリイミドを硬化する工程が入る場合には、その傾向が
顕著であるという問題があった。
完全には除去されず、残渣が発生してしまい、また、時
間的にも不利であるという問題があった。また、感光性
ポリイミドを硬化する工程が入る場合には、その傾向が
顕著であるという問題があった。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、感光性ポ
リイミドを完全に除去し、また、それに要する時間を短
縮した半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
リイミドを完全に除去し、また、それに要する時間を短
縮した半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の半導体装置の製造方
法は、有機物絶縁材である感光性ポリイミドがパターン
形成された半導体基板を回転させ、ＤＭＳＯとモノ・エ
タノールアミンの混合液を霧状に吹きつける工程と、さ
らに引き続き純水を霧状に吹きつける工程とを備えてい
る。
法は、有機物絶縁材である感光性ポリイミドがパターン
形成された半導体基板を回転させ、ＤＭＳＯとモノ・エ
タノールアミンの混合液を霧状に吹きつける工程と、さ
らに引き続き純水を霧状に吹きつける工程とを備えてい
る。
また、感光性ポリイミドがパターン形成され。
硬化された半導体基板の場合には、前記半導体基板を回
転する工程と、ＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの混
合液を温度調節する工程と、前記混合液を温度調節する
工程と、前記混合液を霧状に吹きつける工程と、さらに
引き続き純水を霧状に吹きつける工程とを備えている。
転する工程と、ＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの混
合液を温度調節する工程と、前記混合液を温度調節する
工程と、前記混合液を霧状に吹きつける工程と、さらに
引き続き純水を霧状に吹きつける工程とを備えている。
作用
この構成によってパターン形成された感光性ポリイミド
はＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの混合液が吹きつ
けられ、揺動されるので、完全に除去され、ポリイミド
残渣は発生しなくなる。
はＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの混合液が吹きつ
けられ、揺動されるので、完全に除去され、ポリイミド
残渣は発生しなくなる。
また、パターン形成され、硬化された感光性ボッイミド
は温度調節されたＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの
混合液が吹きつけられ、揺動されるので、完全に除去さ
れ、ポリイミド残渣は発生しなくなり、また、時間的に
も非常に短縮できる。
は温度調節されたＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの
混合液が吹きつけられ、揺動されるので、完全に除去さ
れ、ポリイミド残渣は発生しなくなり、また、時間的に
も非常に短縮できる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法図を示すものである。第１図において、１はパタ
ーン形成された感光性ポリイミド、２はＤＭＳＯとモノ
・エタノールアミンとの混合液、３は所定の工程を経た
半導体基板、４は純水である。
造方法図を示すものである。第１図において、１はパタ
ーン形成された感光性ポリイミド、２はＤＭＳＯとモノ
・エタノールアミンとの混合液、３は所定の工程を経た
半導体基板、４は純水である。
まず、第１図ａのように、有機物絶縁材として感光性ポ
リイミドを約５μｍはど塗布して、露光して、現像して
、第１図すのように、パターン形成する。次に第１図Ｃ
のように、この半導体基板を回転数約１１００ｏｒｐ、
付近で回転させ、ＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの
混合液（濃度比は例えば７：３）をノズル等から霧状に
約５分間吹きつける。さらに、引き続き同じ回転数にお
いて、純水を霧状に約４分間吹きつける。その後、第１
図ｄのように、回転数約４００Ｏｒｐｍ、付近で約１分
間回転乾燥する。
リイミドを約５μｍはど塗布して、露光して、現像して
、第１図すのように、パターン形成する。次に第１図Ｃ
のように、この半導体基板を回転数約１１００ｏｒｐ、
付近で回転させ、ＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの
混合液（濃度比は例えば７：３）をノズル等から霧状に
約５分間吹きつける。さらに、引き続き同じ回転数にお
いて、純水を霧状に約４分間吹きつける。その後、第１
図ｄのように、回転数約４００Ｏｒｐｍ、付近で約１分
間回転乾燥する。
第２図は本発明の第２の実施例における半導体装置の製
造方法図を示すものである。第２図において、４は温度
調節器である。
造方法図を示すものである。第２図において、４は温度
調節器である。
まず、第２図ａのように、有機物絶縁材として感光性ポ
リイミドを約５μｍはど塗布し、露光し、現像し、硬化
し、第２図すのようにパターン形成する。次に、第２図
Ｃのように、この半導体基板を回転数約１１０００ｒｐ
、付近で回転させ、ＤＭＳＯとモノ・エタノールアミン
の混合液（濃度比は例えば７：３）を温度調節器によっ
て約８０℃程度に調節し、ノズル等から霧状に約５分間
吹きつける。さらに、引き続き、同じ回転数において、
純水を霧状に約４分間吹きつける。その後、回転数約４
０００ｒｐｍ、付近で約１分間、回転乾燥することによ
り、第２図ｄのように、半導体基板を完全に露出させる
。
リイミドを約５μｍはど塗布し、露光し、現像し、硬化
し、第２図すのようにパターン形成する。次に、第２図
Ｃのように、この半導体基板を回転数約１１０００ｒｐ
、付近で回転させ、ＤＭＳＯとモノ・エタノールアミン
の混合液（濃度比は例えば７：３）を温度調節器によっ
て約８０℃程度に調節し、ノズル等から霧状に約５分間
吹きつける。さらに、引き続き、同じ回転数において、
純水を霧状に約４分間吹きつける。その後、回転数約４
０００ｒｐｍ、付近で約１分間、回転乾燥することによ
り、第２図ｄのように、半導体基板を完全に露出させる
。
以上のように本実施例によれば、感光性ポリイミドをパ
ターン形成した半導体基板にＤＭＳＯとモノ・エタノー
ルアミンの混合液を霧状に吹きつけ、揺動することによ
り、また、半導体基板を回転することにより、膜厚測定
器て膜厚をモニターすると、半導体基板面内でほぼ均一
に、粘度が３００〜４００ｃｐ程度の膜厚約５μｍ程度
の感光性ポリイミドを確実に除去し、下地を露呈するこ
とかできる。更に時間的にも、従来技術において約１時
間半はど必要としていたところを約１０分程度に短縮す
ることができ、自動の装置で行なえば操作性の簡略化も
実現できる。
ターン形成した半導体基板にＤＭＳＯとモノ・エタノー
ルアミンの混合液を霧状に吹きつけ、揺動することによ
り、また、半導体基板を回転することにより、膜厚測定
器て膜厚をモニターすると、半導体基板面内でほぼ均一
に、粘度が３００〜４００ｃｐ程度の膜厚約５μｍ程度
の感光性ポリイミドを確実に除去し、下地を露呈するこ
とかできる。更に時間的にも、従来技術において約１時
間半はど必要としていたところを約１０分程度に短縮す
ることができ、自動の装置で行なえば操作性の簡略化も
実現できる。
なお、ここでは回転数を１１００Ｏｒｐ、付近で用いた
が、適当な値としては５００〜５０００ｒｐｍ、であり
、それに対応するＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの
混合液の吹きつけの時間を変えることにより、同様の効
果を得ることができる。また、感光性ポリイミドの塗布
後の膜厚や粘度、混合液の濃度比などが異なる場合にも
、同様の対応により、同じ効果を得ることができる。
が、適当な値としては５００〜５０００ｒｐｍ、であり
、それに対応するＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの
混合液の吹きつけの時間を変えることにより、同様の効
果を得ることができる。また、感光性ポリイミドの塗布
後の膜厚や粘度、混合液の濃度比などが異なる場合にも
、同様の対応により、同じ効果を得ることができる。
発明の効果
本発明によれば、感光性ポリイミドをパターン形成した
半導体基板にＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの混合
液を霧状に吹きつける工程き揺動する工程とを設けるこ
とにより、感光性ポリイミドを確実に除去し、また、作
業時間の短縮化、操作性の簡略化をも図ることができる
優れた半導体装置の製造方法を実現できる。
半導体基板にＤＭＳＯとモノ・エタノールアミンの混合
液を霧状に吹きつける工程き揺動する工程とを設けるこ
とにより、感光性ポリイミドを確実に除去し、また、作
業時間の短縮化、操作性の簡略化をも図ることができる
優れた半導体装置の製造方法を実現できる。
第１図、第２図は本発明の各実施例における半導体装置
の工程順断面図である。 １・・・・・・感光性ポリイミド、２・・・・・・半導
体基板、３・・・・・・ＤＭＳＯとモノ・エタノールア
ミンの混合液、４・・・・・・温度調節器。
の工程順断面図である。 １・・・・・・感光性ポリイミド、２・・・・・・半導
体基板、３・・・・・・ＤＭＳＯとモノ・エタノールア
ミンの混合液、４・・・・・・温度調節器。
Claims (2)
- （１）有機物絶縁材である感光性ポリイミドを塗布する
工程と、前記感光性ポリイミドを露光する工程と、前記
感光性ポリイミドを現像する工程と、前記感光性ポリイ
ミドをパターン形成した半導体基板を回転する工程と、
前記半導体基板にジ・メチル・スルフォ・オキシドとモ
ノ・エタノールアミンの混合液を霧状に吹きつける工程
と、前記半導体基板に純水を霧状に吹きつける工程と、
前記半導体基板を回転乾燥する工程を有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - （２）有機物絶縁材である感光性ポリイミドを塗布する
工程と、前記感光性ポリイミドを露光する工程と、前記
感光性ポリイミドを現像する工程と、前記感光性ポリイ
ミドを硬化する工程と、前記感光性ポリイミドをパター
ン形成した半導体基板を回転する工程と、ジ・メチル・
スルフォ・オキシドとモノ・エタノールアミンの混合液
を温度調節する工程と、前記半導体基板に前記ジ・メチ
ル・スルフォ・オキシドとモノ・エタノールアミンの混
合液を霧状に吹きつける工程と、前記半導体基板に純水
を霧状に吹きつける工程と、前記半導体基板を回転乾燥
する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318690A JPH03227009A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318690A JPH03227009A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03227009A true JPH03227009A (ja) | 1991-10-08 |
Family
ID=12103625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2318690A Pending JPH03227009A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03227009A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100271761B1 (ko) * | 1997-11-21 | 2000-12-01 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 현상장치 및 그의 제어방법 |
| US7135445B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-11-14 | Ekc Technology, Inc. | Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2318690A patent/JPH03227009A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100271761B1 (ko) * | 1997-11-21 | 2000-12-01 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 현상장치 및 그의 제어방법 |
| US7135445B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-11-14 | Ekc Technology, Inc. | Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials |
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