JPS5823439A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS5823439A JPS5823439A JP12226181A JP12226181A JPS5823439A JP S5823439 A JPS5823439 A JP S5823439A JP 12226181 A JP12226181 A JP 12226181A JP 12226181 A JP12226181 A JP 12226181A JP S5823439 A JPS5823439 A JP S5823439A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- photo resist
- thin film
- drip
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体製造工程における写真蝕刻技術の塗布
工程に使用される半導体製造装置に関するものである。
工程に使用される半導体製造装置に関するものである。
従来、写真蝕刻技術の塗布工程においては、半導体基板
（以下ウェハースと呼ぶ）を回転軸の中央に固定しその
上に感光性樹脂（以下フォトレジストと呼ぶ）を１本の
滴下口から適量適下し、その後高速回転を行って均一な
薄膜をつくる方法が一般的でＴｏりた。しかし、この方
法によれば、？１下口が１本しかない為、適量の７オト
レジストを滴下するのに１時間を要したシ、またウェノ
１−スの直径が大きくたりたシし九場合には、フォトレ
ジストが周辺部ま丁均−に塗布されないといった欠陥を
生み％これが半導体装置の収率に大きな影響を与え１歩
留りを下げる一因となっていた。
（以下ウェハースと呼ぶ）を回転軸の中央に固定しその
上に感光性樹脂（以下フォトレジストと呼ぶ）を１本の
滴下口から適量適下し、その後高速回転を行って均一な
薄膜をつくる方法が一般的でＴｏりた。しかし、この方
法によれば、？１下口が１本しかない為、適量の７オト
レジストを滴下するのに１時間を要したシ、またウェノ
１−スの直径が大きくたりたシし九場合には、フォトレ
ジストが周辺部ま丁均−に塗布されないといった欠陥を
生み％これが半導体装置の収率に大きな影響を与え１歩
留りを下げる一因となっていた。
この発明の目的は、塗布工程に於て、ウェハース表面に
すばやく適量のフォトレジストを滴下し。
すばやく適量のフォトレジストを滴下し。
均一な薄膜を婦るととが出来る半導体製造装置を提供す
ることＫＴｏる。
ることＫＴｏる。
との発明の半導体製造装置は１回転式塗布装置の回転軸
に固定されたつ４エハース上に複数の滴下口を持ち、そ
ヒから７オトレジストをウェハースの任意の場所に適量
滴下し、その後高速回転を行って均一な薄膜を得ること
が出来る事を４１徴とするものである。
に固定されたつ４エハース上に複数の滴下口を持ち、そ
ヒから７オトレジストをウェハースの任意の場所に適量
滴下し、その後高速回転を行って均一な薄膜を得ること
が出来る事を４１徴とするものである。
この発明の半導体製造装置（回転式塗布装置）は、従来
の装置の滴下口が１本のものとは違って。
の装置の滴下口が１本のものとは違って。
滴下口が複数である為、均一な薄膜を得るのく必要な適
量が短時間で、ウェハース上に滴下で！。
量が短時間で、ウェハース上に滴下で！。
しかもウェハースの任意の場所に滴下出来る為。
高速回転時の７オトレジストの広がシネ足等の欠陥が除
去される為、４１に大口径のウェハースに有効に活用で
きるものである。
去される為、４１に大口径のウェハースに有効に活用で
きるものである。
次にこの発明の実施例につき図を用いて説明する。
第１図はこの発明〇一実施例を説明するための半導体製
造装置の断面図である。この実施例の断面図は１図面の
説明を簡単にする為に滴下口を３本にしている。ｒＸＫ
写真蝕刻技術の塗布工程において、この発明の装置がい
かに有効であるかを説明する。回転軸ｌがウェハース２
を固定すると滴下口３から７オトレジストが適量でて、
ウェハース２の上に滴下される。このと！、滴下口３が
１本しかない場合には、フォトレジストの粘度が通常つ
かわれる数十セ／テボイズのフォトレジストを滴下する
のにかなシの時間を要する。さらに高粘度になった場合
には、この傾向は著しい。
造装置の断面図である。この実施例の断面図は１図面の
説明を簡単にする為に滴下口を３本にしている。ｒＸＫ
写真蝕刻技術の塗布工程において、この発明の装置がい
かに有効であるかを説明する。回転軸ｌがウェハース２
を固定すると滴下口３から７オトレジストが適量でて、
ウェハース２の上に滴下される。このと！、滴下口３が
１本しかない場合には、フォトレジストの粘度が通常つ
かわれる数十セ／テボイズのフォトレジストを滴下する
のにかなシの時間を要する。さらに高粘度になった場合
には、この傾向は著しい。
この滴下時間に時間を要した場合、フォトレジスト表面
から溶剤の揮発がかなりすすみ、均一な薄膜をつくる上
で障害となる。また、ウェノ〜−スの直径が大きくなっ
た場合１滴下後の７オトレジストの自然の広がシ方が不
十分となり、高速回転を行ったとしても１周辺部に均一
にフォトレジストが塗布出来ないことがしばしばあった
。そこで滴下口３の数を増して、ｌｌ数にしたのが本実
施例の構造図でおる。この装置の方法によれば、複数の
滴下口３から同時に７オトレジストが出る為１滴下必要
量は瞬時に得られる為の不均一な薄膜形成の原因となる
フォトレジスト中の溶剤の揮発が十分防げる。
から溶剤の揮発がかなりすすみ、均一な薄膜をつくる上
で障害となる。また、ウェノ〜−スの直径が大きくなっ
た場合１滴下後の７オトレジストの自然の広がシ方が不
十分となり、高速回転を行ったとしても１周辺部に均一
にフォトレジストが塗布出来ないことがしばしばあった
。そこで滴下口３の数を増して、ｌｌ数にしたのが本実
施例の構造図でおる。この装置の方法によれば、複数の
滴下口３から同時に７オトレジストが出る為１滴下必要
量は瞬時に得られる為の不均一な薄膜形成の原因となる
フォトレジスト中の溶剤の揮発が十分防げる。
また、ウェハースの直径が大きくなった場合。
本発明の装置の有効性が着しい。それはウェノーースの
任意の場所ヘアオドレジストを滴下出来る為。
任意の場所ヘアオドレジストを滴下出来る為。
周辺部まで均一に塗布膜をつくるのに必要表７オトレジ
ストの広がシが確保できるため、高速回転を行った場合
には１周辺部まで均一にフォトレジストの薄膜が出来る
ためである。
ストの広がシが確保できるため、高速回転を行った場合
には１周辺部まで均一にフォトレジストの薄膜が出来る
ためである。
従って、写真蝕刻技術におけるパターンの形成に欠く事
の出来ない均一な塗布膜が、完全に出来るため、半導体
装置が不良になる割合が著しく低下し、製品の歩留シ向
上に多大に貢献する。
の出来ない均一な塗布膜が、完全に出来るため、半導体
装置が不良になる割合が著しく低下し、製品の歩留シ向
上に多大に貢献する。
上述の実施例に訃いて１滴下口は断面図の複雑さをさけ
る為に３本にしているが１本発明が複数の滴下口がある
ものについて適用出来るのはいうまでもない。
る為に３本にしているが１本発明が複数の滴下口がある
ものについて適用出来るのはいうまでもない。
第１図は本発明の実施例の半導体製造装置（回転式塗布
装置）の部分断面図である。 なお図において、ｌ・・・・・・回転軸、２・・・・・
・クエ／１−ス、訃・・・・・滴下口、４およびト・・
・・・装置の一部。 である。 第を閉
装置）の部分断面図である。 なお図において、ｌ・・・・・・回転軸、２・・・・・
・クエ／１−ス、訃・・・・・滴下口、４およびト・・
・・・装置の一部。 である。 第を閉
Claims (1)
- 半導体製造工程の写真蝕刻技術に於て、半導体基板に感
光性樹脂を適量滴下し、＃半導体基板を高速回転し、均
一な薄膜をつくる塗布装置において、前記感光性樹脂を
滴下すゐ滴下口を複数個有し、前記半導体基板の任意の
位置に感光性樹脂を滴下するヒとができることを特徴と
する半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12226181A JPS5823439A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12226181A JPS5823439A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823439A true JPS5823439A (ja) | 1983-02-12 |
Family
ID=14831570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12226181A Pending JPS5823439A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823439A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02295108A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
-
1981
- 1981-08-04 JP JP12226181A patent/JPS5823439A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02295108A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
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