JPS63169727A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
- Publication number
- JPS63169727A JPS63169727A JP225887A JP225887A JPS63169727A JP S63169727 A JPS63169727 A JP S63169727A JP 225887 A JP225887 A JP 225887A JP 225887 A JP225887 A JP 225887A JP S63169727 A JPS63169727 A JP S63169727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- resin liquid
- nozzle
- semiconductor substrate
- solvent
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に、半導体基板表面
へ感光性樹脂液を塗布する塗布装置に関するものである
。
へ感光性樹脂液を塗布する塗布装置に関するものである
。
従来、半導体装置製造に使用される感光性樹脂液（ホト
レジスト）の塗布装置は、感光性樹脂液を塗布する対象
の半導体基板を真空吸着し、さらに回転させる基台と、
この基台上の半導体基板上に感光性樹脂液を滴下するノ
ズルとを備えているものである。
レジスト）の塗布装置は、感光性樹脂液を塗布する対象
の半導体基板を真空吸着し、さらに回転させる基台と、
この基台上の半導体基板上に感光性樹脂液を滴下するノ
ズルとを備えているものである。
従来の塗布装置では、半導体基板表面へ感光性樹脂液を
ノズルより適下滴下させた後、高速回転により薄く広げ
る訳であるが、この場合、半導体基板表面中心部よシ乾
燥が始まり、この部分より半導体基板周辺部へと放射状
に膜厚差が生じ、との膜厚差がパターン加工精度のばら
つきを起こし、半導体装置の歩留低下を招いていた。年
々、製品の縮少化、高密度化に伴ないこの問題は一層重
要度を増している。
ノズルより適下滴下させた後、高速回転により薄く広げ
る訳であるが、この場合、半導体基板表面中心部よシ乾
燥が始まり、この部分より半導体基板周辺部へと放射状
に膜厚差が生じ、との膜厚差がパターン加工精度のばら
つきを起こし、半導体装置の歩留低下を招いていた。年
々、製品の縮少化、高密度化に伴ないこの問題は一層重
要度を増している。
本発明の塗布装置は、半導体基板を真空吸着させ、回転
運動させる事のできる基台を有し、半導体基板表面に感
光性樹脂液を適下滴下させる事のできるノズルを配置し
た塗布装置に於いて、複数のノズルが配置され、一方の
ノズルからは感光性樹脂液を適下滴下させ、他の一方の
ノズルからは感光性樹脂液とは異なる溶剤を噴霧する事
ができる機構を有している。
運動させる事のできる基台を有し、半導体基板表面に感
光性樹脂液を適下滴下させる事のできるノズルを配置し
た塗布装置に於いて、複数のノズルが配置され、一方の
ノズルからは感光性樹脂液を適下滴下させ、他の一方の
ノズルからは感光性樹脂液とは異なる溶剤を噴霧する事
ができる機構を有している。
次に本発明の一実施例に付き図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例に半導体基板を取付けた状態
を示す断面図である。第１図において、塗布装置は、半
導体基板１を真空吸着し、パルスモータ２によシ回転す
る事のできる基台３を有し、半導体基板１０表面へと感
光性樹脂液（ホトレジスト）を適下滴下させる事のでき
るノズル４、及び、他の溶剤を噴霧する事のできる複数
のノズル５を配置した上蓋６．排気ロアと排液口８を持
つ下蓋９で構成されている。
を示す断面図である。第１図において、塗布装置は、半
導体基板１を真空吸着し、パルスモータ２によシ回転す
る事のできる基台３を有し、半導体基板１０表面へと感
光性樹脂液（ホトレジスト）を適下滴下させる事のでき
るノズル４、及び、他の溶剤を噴霧する事のできる複数
のノズル５を配置した上蓋６．排気ロアと排液口８を持
つ下蓋９で構成されている。
第２図ないし第４図は本発明の塗布装置に於ける動作を
説明するための断面図である。まず、第２図のように、
半導体基板１が基台３上に真空吸着された後、溶剤を噴
霧する事のできるノズル５から溶剤１０を噴霧させ、装
置内部を湿気の多い状態にした後、感光性樹脂液１１を
ノズル４から適下滴下する。つぎに第３図のように高速
回転１２によシ、感光性樹脂液１１を基板上の表面に薄
く塗布する。この時、排気ロア、排液口８内に配置され
た電動式ダンパー１３．１４は開き、第４図のように、
噴−された溶剤１０及び適下滴下された感光性樹脂液１
１を排気−排液させる。
説明するための断面図である。まず、第２図のように、
半導体基板１が基台３上に真空吸着された後、溶剤を噴
霧する事のできるノズル５から溶剤１０を噴霧させ、装
置内部を湿気の多い状態にした後、感光性樹脂液１１を
ノズル４から適下滴下する。つぎに第３図のように高速
回転１２によシ、感光性樹脂液１１を基板上の表面に薄
く塗布する。この時、排気ロア、排液口８内に配置され
た電動式ダンパー１３．１４は開き、第４図のように、
噴−された溶剤１０及び適下滴下された感光性樹脂液１
１を排気−排液させる。
以上説明した様に本発明は、半導体基板１へ感光性樹脂
液１１を塗布する時に、感光性樹脂液１１の乾燥により
て生ずる膜厚ムラを、滴下時、感光性樹脂液１１に悪影
響を与えない他の溶剤（たとえば、アルコール系の溶剤
）１０で装置内を湿気の多い状態にする事によシ、感光
性樹脂液１１の乾燥を防止でき、結果的に半導体基板１
表面に於ける感光性樹脂膜１１の膜厚ばらつきを非常に
少くする。
液１１を塗布する時に、感光性樹脂液１１の乾燥により
て生ずる膜厚ムラを、滴下時、感光性樹脂液１１に悪影
響を与えない他の溶剤（たとえば、アルコール系の溶剤
）１０で装置内を湿気の多い状態にする事によシ、感光
性樹脂液１１の乾燥を防止でき、結果的に半導体基板１
表面に於ける感光性樹脂膜１１の膜厚ばらつきを非常に
少くする。
第５図と第６図は、従来の塗布装置および本発明の塗布
装置による膜厚ばらつきを示すグラフであシ、横軸は基
板上の選ばれた一つの直径上の位置、縦軸は感光性樹脂
膜の膜厚を示す。第５図の従来技術では、膜厚分布がほ
ぼ零から５０ＯＡにわたりて変化しているが、本発明の
第６図ではほぼ零から２００Ａとそのばらつきは非常に
改善されている。よって、本発明の塗布装置を用いるこ
とでパターン精度が向上し、製造歩留シが大幅によくな
るという効果が得られる。
装置による膜厚ばらつきを示すグラフであシ、横軸は基
板上の選ばれた一つの直径上の位置、縦軸は感光性樹脂
膜の膜厚を示す。第５図の従来技術では、膜厚分布がほ
ぼ零から５０ＯＡにわたりて変化しているが、本発明の
第６図ではほぼ零から２００Ａとそのばらつきは非常に
改善されている。よって、本発明の塗布装置を用いるこ
とでパターン精度が向上し、製造歩留シが大幅によくな
るという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例に半導体基板を取付けた状態
を示す断面図、第２図ないし第４図は、第１図の塗布装
置の動作を説明するための断面図、第５図と第６図は従
来の塗布装置および本発明の塗布装置によシ塗布された
半導体基板の感光性樹脂膜の厚さのばらつきを示すグラ
フである。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・パルスモー
タ、３・・・・・・基台、４・・・・・・感光性樹脂（
ホトレジスト）用ノズル、５・・・・・・溶剤用ノズル
、６・・・・・・上蓋、７・・・・・・排気口、８・・
・・・・排液口、９・・・・・・下蓋、１０・・・・・
・溶剤、１１・・・・・・感光性樹脂液、１３．１４・
・・・・・ダンパ。
を示す断面図、第２図ないし第４図は、第１図の塗布装
置の動作を説明するための断面図、第５図と第６図は従
来の塗布装置および本発明の塗布装置によシ塗布された
半導体基板の感光性樹脂膜の厚さのばらつきを示すグラ
フである。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・パルスモー
タ、３・・・・・・基台、４・・・・・・感光性樹脂（
ホトレジスト）用ノズル、５・・・・・・溶剤用ノズル
、６・・・・・・上蓋、７・・・・・・排気口、８・・
・・・・排液口、９・・・・・・下蓋、１０・・・・・
・溶剤、１１・・・・・・感光性樹脂液、１３．１４・
・・・・・ダンパ。
Claims (1)
- 半導体基板を吸着し回転運動する基台と、前記基台に吸
着された半導体基板上に感光性樹脂液を適下させるノズ
ルとを有する塗布装置において、さらに、前記半導体基
板が取付けられている空間に溶剤を噴霧させるノズルを
有することを特徴とする塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP225887A JPS63169727A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP225887A JPS63169727A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169727A true JPS63169727A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11524337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP225887A Pending JPS63169727A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63169727A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169680A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-07-04 | Semiconductor Syst Inc | ウエハ等のスピンコーティング装置及び方法 |
| JP2010186929A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US20220074053A1 (en) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
-
1987
- 1987-01-07 JP JP225887A patent/JPS63169727A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169680A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-07-04 | Semiconductor Syst Inc | ウエハ等のスピンコーティング装置及び方法 |
| JP2010186929A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US20220074053A1 (en) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
| US11773492B2 (en) * | 2020-09-04 | 2023-10-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
| US12435427B2 (en) | 2020-09-04 | 2025-10-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and storage medium |
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