JPS60198818A - フオトレジストの現像装置 - Google Patents

フオトレジストの現像装置

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Publication number
JPS60198818A
JPS60198818A JP5561384A JP5561384A JPS60198818A JP S60198818 A JPS60198818 A JP S60198818A JP 5561384 A JP5561384 A JP 5561384A JP 5561384 A JP5561384 A JP 5561384A JP S60198818 A JPS60198818 A JP S60198818A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
developing solution
nozzles
developer
pattern dimensions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5561384A
Other languages
English (en)
Inventor
Harutaka Koshida
越田　治孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS60198818A publication Critical patent/JPS60198818A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、レジストの現像法に関するものであてあシ、
特に現像装置に関するものである。
〔従来技術〕
半導体装置の製造工程中でフォトレジストを現像する方
法は、通常以下の通シである。まず、ウェハー中心付近
に１〜数本のノズルによって現像液を滴下する。ウェハ
ー全体に現像液が行き渡った後に滴下を止め、静止状態
で、又は、回転を加えながら現像を進行させる。この方
法を用いた場合、ウェハー中心付近からウェノ・−周辺
まで現像液が行き渡るまでに時間がかかり、ウェハー内
で現像液停滞時間に差が生じる。このため、現像後に、
ウェハー内の寸法に大きなばらつきが生じるという欠点
がある。また、周辺まで液が行き渡らずに現像されない
部分が生じやすいという欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、以上の欠点を除去し、ウェノ・−上に
同時に現像液を滴下し、ウェノ・−内の寸法が均一とな
るフォトレジストの現像装置を提供することにある。
〔発明の構成〕
本発明のフォトレジスト現像装置は、複数個のノズルの
先端がウェハー中心とウェハー周囲の一部、又は全部を
含む形状を有するノズルによって構成される。
〔実施例の説明〕
次に１本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図及び第２図は、従来のフォトレジストの現像で用
いられている装置の構造を示したものでアシ、ウェハー
１の内では中心付近で現像ノズル３からの液の供給され
る時間が最も長い。このだのだめ、真空チャック２上の
半導体ウェハー１の中心付近の現像の進み方が他の部分
よシも速くなシ、ウェハー中心付近のレジスト膜及びパ
ターン寸法が小さくなる。尚、５は現像カップである。
このような第１図および第２図ではウェハー位置に対す
るパターン寸法はそれぞれ第５図および第６図のように
なる。
第３図ａ、ｂは、本発明の一実施例の平面図及び断面図
である。複数個のノズル９を固定板１０で固定して、ウ
ェハーの直径方向にノズルの先端を並べたものである。
隣接ノズルの間隔は５皿以下で十分である。真空チャッ
ク７を矢印８の方向に回転させながらウェハー６に現像
液を滴下させる。現像液の滴下時間は１〜２秒、回転数
は約５０　Ｏｒｐｍで充分である。この方法で、クエハ
ー内での液の滴下のされ方に差がなく、シかも短時間で
現像液をウェハー上に盛ることができる。ノズル一本の
形状は従来のノズルの形状と同じである。尚、１１は現
像カップである。この第３図の本発明の装置によるウェ
ハー位置に対するパター寸法は第７図のようになる。
第４図ａ、ｂは、本発明の第２の実施例の平面図及び断
面図である。傘状ノズル１５の中に、現像液を分散させ
るために小孔１７の空いた円椎板１４が入っておシ、ノ
ズル１５の底面には、小孔８が多数空けられている。現
像液は、分散板１４で分散されて、ノズル１５の底面の
小孔１８からウェハー全面に同時に滴下される。小孔１
４の大きさは直径１〜２間、小孔１８の大きさは直径約
ＩＷＩＷで良い。また、滴下時間は１〜２秒で良い。
この方法で、ウェハー全面に短時間で現像液を盛ること
ができる。尚、１６は現像カップである。
この第４図の本発明の装置によるウェハー位置に対する
パターン寸法は第８図のようになる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明によれば、ウェハー全面に液
の尚たる時間が均一化され、しかも短時間で液が滴下で
き、ウェハー内での現像液後のレジスト膜厚及びパター
ン寸法の均一性を向上させ得る。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は、従来の現像装置によシ現像方法を
説明するための図である。第３図及び第４図は、それぞ
れ本発明の詳細な説明するための図である。第５図、第
６図は、それぞれ第１図及び第２図に示す装置を用いて
現像して得られるレジストパターン寸法のウェハー直径
方向の分布である。また、第７図、第８図は、それぞれ
第３図、第４図に示す装置を用いて現像して得られるレ
ジストパターン寸法のウェハー直径方向の分布である。 尚、図において、１，６．１２・・・・・・ウェハー、
２．７．１３・・・・・・真空チャック、５，１１．１
６・・・・・・現像カップ、３，９．１５・・・・・・
現像ノズル、８・・・・・・回転方向、１０・・・・・
・ノズル固定板、１４・・・・・・円椎板、１７．１８
・・・・・・小孔である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハーの中心と周辺の一部を含む線上に、同時に現像
    液を滴下できるノズルを有することを特徴とするフォト
    レジストの現像装置。
JP5561384A 1984-03-23 1984-03-23 フオトレジストの現像装置 Pending JPS60198818A (ja)

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JPS60198818A true JPS60198818A (ja) 1985-10-08

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