JPH031525A - レジストの均一塗布方法 - Google Patents
レジストの均一塗布方法Info
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- JPH031525A JPH031525A JP13489889A JP13489889A JPH031525A JP H031525 A JPH031525 A JP H031525A JP 13489889 A JP13489889 A JP 13489889A JP 13489889 A JP13489889 A JP 13489889A JP H031525 A JPH031525 A JP H031525A
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、薄膜半導体製造におけるリソグラフィ工程に
係り、特に露光前に行う基板へのフォトレジスト塗布方
法に間する。
係り、特に露光前に行う基板へのフォトレジスト塗布方
法に間する。
［従来の技術］
従来、基板にフォトレジストを塗布する場合、第８図に
示すようにスピンナ１上に基板２を固定し、スピンナ１
を所定の回転速度で所定の時間回転させながら基板２上
にレジストの溶液を滴下するスピンコートな行っている
。
示すようにスピンナ１上に基板２を固定し、スピンナ１
を所定の回転速度で所定の時間回転させながら基板２上
にレジストの溶液を滴下するスピンコートな行っている
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら上記のレジスト塗布において、基板上に滴
下したレジスト溶液は遠心力により基板の周囲に広がっ
ていくが、基板の周縁部ではレジストの表面張力のため
、第９図に示すようにレジストが盛り上がる。これに加
えてスピンナによる基板の回転のため、レジスト中に含
まれる有機溶媒成分の蒸発が著しく、そのため基板の周
縁部においてはレジストの盛り上がりが著しくなる。従
って基板周縁部ではレジストの膜厚が厚く、露光時に露
光不十分となり、リソグラフィ工程において良好なパタ
ニングができないという問題点かある。
下したレジスト溶液は遠心力により基板の周囲に広がっ
ていくが、基板の周縁部ではレジストの表面張力のため
、第９図に示すようにレジストが盛り上がる。これに加
えてスピンナによる基板の回転のため、レジスト中に含
まれる有機溶媒成分の蒸発が著しく、そのため基板の周
縁部においてはレジストの盛り上がりが著しくなる。従
って基板周縁部ではレジストの膜厚が厚く、露光時に露
光不十分となり、リソグラフィ工程において良好なパタ
ニングができないという問題点かある。
本発明は上記従来の問題点に着目し、基板にレジストを
均一に塗布することができるようなレジスト塗布方法を
提供することを目的とする。
均一に塗布することができるようなレジスト塗布方法を
提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために本発明に係るレジストの均一
塗布方法は、フォトレジストの塗布工程において、スピ
ンナ上に固定した基板の周囲に基板と同じ板厚のダミー
を隙間なく配置した上、レジストをスピンコートし、そ
の後基板とダミーとを分離するようにした。
塗布方法は、フォトレジストの塗布工程において、スピ
ンナ上に固定した基板の周囲に基板と同じ板厚のダミー
を隙間なく配置した上、レジストをスピンコートし、そ
の後基板とダミーとを分離するようにした。
［作用］
上記方法によれば、基板の周囲に基板と同じ板厚のダミ
ーを隙間なく配置してスピンコートするようにしたので
、基板上に滴下したレジスト溶液は遠心力により基板の
周縁部を越えてダミー上面まで広がり、ダミーの外縁部
にレジストの表面張力による盛り上がりを生じる。従っ
て従来発生していた基板周縁部のレジスト盛り上がりを
防止することができる。
ーを隙間なく配置してスピンコートするようにしたので
、基板上に滴下したレジスト溶液は遠心力により基板の
周縁部を越えてダミー上面まで広がり、ダミーの外縁部
にレジストの表面張力による盛り上がりを生じる。従っ
て従来発生していた基板周縁部のレジスト盛り上がりを
防止することができる。
［実施例］
以下に本発明に係るレジストの均一塗布方法の実施例に
ついて、図面を参照して詳細に説明する。
ついて、図面を参照して詳細に説明する。
第１図および第２図に示すように、スピンナ１の上に長
方形の基板２を置き、その周囲にあらかじめ用意した基
板１と同じ板厚のガラス板からなるダミー３． ４．
５． ６をそれぞれ隙間なく配、置した上、前記基板２
とダミー３． ４． ５． ６とを真空チャックにより
スピンナ１に固定する。
方形の基板２を置き、その周囲にあらかじめ用意した基
板１と同じ板厚のガラス板からなるダミー３． ４．
５． ６をそれぞれ隙間なく配、置した上、前記基板２
とダミー３． ４． ５． ６とを真空チャックにより
スピンナ１に固定する。
次にスピンナ１を所定の回転速度で所定の時間だけ回転
させながら基板２上にレジスト溶液を滴下し、レジスト
のスピンコートを行う。
させながら基板２上にレジスト溶液を滴下し、レジスト
のスピンコートを行う。
スピンコート終了後、第３図に示す基板２とダミー３．
４． ５． ６とを分離する。
４． ５． ６とを分離する。
本発明を適用して基板にレジストを塗布した例について
説明する。
説明する。
ポジ形フォトレジストとして東京応化工業ｉ！０ＦＰＲ
８００を用い、第４図に示すようにスピンナ回転速度を
５秒まで５０ Ｏｒ ｐ ｍ、 次の１５秒を２００Ｏ
ｒｐｍに制御してスピンコートした結果、レジスト膜厚
は１μｍ程度で均一に塗布されていた。
８００を用い、第４図に示すようにスピンナ回転速度を
５秒まで５０ Ｏｒ ｐ ｍ、 次の１５秒を２００Ｏ
ｒｐｍに制御してスピンコートした結果、レジスト膜厚
は１μｍ程度で均一に塗布されていた。
また９インチの基板にネガ形フォトレジストとして東京
応化製０ＭＲ８０を用い、第５図に示すようにスピンナ
を５０Ｏｒｐｍで５秒間、次いで１５００ｒｐｍで１０
秒間、更に２００Ｏｒｐｍで５秒間駆動しながらスピン
コートを行った。その結果、レジスト膜厚の分布は第６
図に示す通り基板内では１．０〜１．５μｍ、 ４隅
の部分のみ２μｍでほぼ均一となり、ダミー外縁部では
５μｍ−となった。
応化製０ＭＲ８０を用い、第５図に示すようにスピンナ
を５０Ｏｒｐｍで５秒間、次いで１５００ｒｐｍで１０
秒間、更に２００Ｏｒｐｍで５秒間駆動しながらスピン
コートを行った。その結果、レジスト膜厚の分布は第６
図に示す通り基板内では１．０〜１．５μｍ、 ４隅
の部分のみ２μｍでほぼ均一となり、ダミー外縁部では
５μｍ−となった。
これに反して基板の周囲にダミーを配置せずに同一条件
でスピンコートした場合は、基板の中央部で１．０〜１
．５８ｍ１周縁部に近づくと２μｍの膜厚が、周縁部で
は５μｍと厚くなるため、フォトリソグラフィを行った
場合未露光ないし露光不十分となる部分ができる。
でスピンコートした場合は、基板の中央部で１．０〜１
．５８ｍ１周縁部に近づくと２μｍの膜厚が、周縁部で
は５μｍと厚くなるため、フォトリソグラフィを行った
場合未露光ないし露光不十分となる部分ができる。
このように本実旅券では、スピンナ上に固定した基板の
周囲に基板と同じ板厚のダミーを隙間なく配置した上レ
ジストをスピンコートするので、従来発生していた基板
周縁部のレジストの盛り上がりはダミー外縁部に移り、
基板のレジスト膜厚は均一になる。
周囲に基板と同じ板厚のダミーを隙間なく配置した上レ
ジストをスピンコートするので、従来発生していた基板
周縁部のレジストの盛り上がりはダミー外縁部に移り、
基板のレジスト膜厚は均一になる。
本実施例では基板の形状を長方形としたがこれに限るも
のではなく、基板の形状に合わせてダミーを用意するこ
とにより各種形状の基板に本発明を適用することができ
る。
のではなく、基板の形状に合わせてダミーを用意するこ
とにより各種形状の基板に本発明を適用することができ
る。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、基板の周囲に基板
と同じ板厚のダミーを隙間なく配置してスピンコートす
ることにより、レジストの盛り上がりをダミー上に発生
させるようにしたので、レジストを均一に塗布した基板
を得ることができる。
と同じ板厚のダミーを隙間なく配置してスピンコートす
ることにより、レジストの盛り上がりをダミー上に発生
させるようにしたので、レジストを均一に塗布した基板
を得ることができる。
本発明は、特に液晶、ＥＬ等に用いられる角形大面積基
板にレジストを塗布する場合に有効なレジスト塗布方法
として利用することができる。
板にレジストを塗布する場合に有効なレジスト塗布方法
として利用することができる。
第１図はスピンナ上に基板とダミーとを固定した状態を
示す概念図、第２図は第１図における基板とダミーとの
配置を示す平面図、第３図は基板とダミーとにレジスト
をスピンコート後の状態を示す概念図、第４図および第
５図は実施例に係るレジストスピンコート時のスピンコ
ート時間とスピンナ回転速度との関係を示す図、第６図
は第５図の条件でレジストをスピンコートした基板とダ
ミーとのレジスト膜厚分布説明図、第７図は従来の技術
により第５図の条件でレジストをスピンコートした基板
のレジスト膜厚分布説明図、第８図は従来の技術により
スピンナ上に基板を固定した状態を示す概念図、第９図
は同じく基板にレジストをスピンコート後の状態を示す
概念図である。 ｌ・・・・・・スピンナ ２・・・・・・基板 ３、 ４． ５． ６・・・・・・ダミー特許出願人
株式会社小松製作所 １に６図 第８図 第４図 第９図 第２図 第５図
示す概念図、第２図は第１図における基板とダミーとの
配置を示す平面図、第３図は基板とダミーとにレジスト
をスピンコート後の状態を示す概念図、第４図および第
５図は実施例に係るレジストスピンコート時のスピンコ
ート時間とスピンナ回転速度との関係を示す図、第６図
は第５図の条件でレジストをスピンコートした基板とダ
ミーとのレジスト膜厚分布説明図、第７図は従来の技術
により第５図の条件でレジストをスピンコートした基板
のレジスト膜厚分布説明図、第８図は従来の技術により
スピンナ上に基板を固定した状態を示す概念図、第９図
は同じく基板にレジストをスピンコート後の状態を示す
概念図である。 ｌ・・・・・・スピンナ ２・・・・・・基板 ３、 ４． ５． ６・・・・・・ダミー特許出願人
株式会社小松製作所 １に６図 第８図 第４図 第９図 第２図 第５図
Claims (1)
- フォトレジストの塗布工程において、スピンナ上に固定
した基板の周囲に基板と同じ板厚のダミーを隙間なく配
置した上、レジストをスピンコートし、その後基板とダ
ミーとを分離することを特徴とするレジストの均一塗布
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13489889A JPH031525A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | レジストの均一塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13489889A JPH031525A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | レジストの均一塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031525A true JPH031525A (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=15139103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13489889A Pending JPH031525A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | レジストの均一塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH031525A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11330096A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法並びに通信機 |
| US7101588B2 (en) * | 2001-12-28 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for applying liquid material to form a resin layer |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP13489889A patent/JPH031525A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11330096A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法並びに通信機 |
| US7101588B2 (en) * | 2001-12-28 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for applying liquid material to form a resin layer |
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