JPH04184915A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
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- JPH04184915A JPH04184915A JP31457790A JP31457790A JPH04184915A JP H04184915 A JPH04184915 A JP H04184915A JP 31457790 A JP31457790 A JP 31457790A JP 31457790 A JP31457790 A JP 31457790A JP H04184915 A JPH04184915 A JP H04184915A
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- resist film
- infrared
- temperature
- infrared rays
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、半導体ウェハ等の基板上にレジスト膜を塗布
する方法に関し。
する方法に関し。
基板内のレジスト膜厚の均一性を向上させることにより
、露光・現像後のレジスト膜のパターン幅のばらつきを
より小さくすることを目的とし。
、露光・現像後のレジスト膜のパターン幅のばらつきを
より小さくすることを目的とし。
複数の赤外線ファイバから基板上に赤外線を照射し、該
赤外線の各々の出力を制御して、該基板の温度分布を制
御しながら、レジスト膜を塗布するように構成する。
赤外線の各々の出力を制御して、該基板の温度分布を制
御しながら、レジスト膜を塗布するように構成する。
本発明は、半導体ウェハ等の基板上にレジスト膜を塗布
する方法に関する。
する方法に関する。
フォトリソグラフィ技術は、半導体集積回路の高集積化
に伴い、微細化か進んでいる。
に伴い、微細化か進んでいる。
微細化が進むと、レジスト膜のパターン幅をコントロー
ルする重要なファクターとして、レジスト膜塗布時のレ
ジスト膜厚の精度が挙げられる。
ルする重要なファクターとして、レジスト膜塗布時のレ
ジスト膜厚の精度が挙げられる。
つまり、微細化に伴って、レジスト膜塗布技術の向上も
また不可欠なものとなる。
また不可欠なものとなる。
第３図は従来例の説明図である。
図において、７は基板、８はチャック、９はモーター軸
、 １０はモーター、 １１はカップ、 １２は反射板
、 １３は排気カバー、 １４はドレーンである。
、 １０はモーター、 １１はカップ、 １２は反射板
、 １３は排気カバー、 １４はドレーンである。
従来のレジスト膜の塗布においては、一般に第３図（ａ
）に、主要部を断面図で示すようなスピターが多く使用
されている。
）に、主要部を断面図で示すようなスピターが多く使用
されている。
基板７は真空配管を図示しないチャック８で真空吸着さ
れ、チャック８はスピナーの高速回転用のモーターｌＯ
のモーター軸９に連結されている。
れ、チャック８はスピナーの高速回転用のモーターｌＯ
のモーター軸９に連結されている。
スピナーには排出するレジストを受けるカップ１１が設
けられており、基板７の周囲に基板７の周辺にレジスト
が飛散しないように反射板１２が取り付けられ、また基
板７の下側には、レジスト溶剤の排気をコントロールす
る排気カバー１３が取り付けられている。レジスト廃液
はドレーン１４より排出される。
けられており、基板７の周囲に基板７の周辺にレジスト
が飛散しないように反射板１２が取り付けられ、また基
板７の下側には、レジスト溶剤の排気をコントロールす
る排気カバー１３が取り付けられている。レジスト廃液
はドレーン１４より排出される。
上記スピナーによるレジスト膜の塗布において。
基板が均一に加熱されていても、レジストの溶剤の蒸発
やレジ支ト液の流れ速度が基板の各個所で異なり、第３
図（ｂ）に示すように、基板の中心部と端部でレジスト
膜厚が厚くなる傾向がある。
やレジ支ト液の流れ速度が基板の各個所で異なり、第３
図（ｂ）に示すように、基板の中心部と端部でレジスト
膜厚が厚くなる傾向がある。
基板７上のレジスト膜の厚さの均一性をより向上させる
ために、レジスト膜の塗布に使用するスピナーのモー
ターｌＯの冷却、スピナー内のカップｌｌ自体の温度調
節、レジスト膜塗布時の排気の排気カバー１３によるコ
ントロール等、幾つかの作業上の工夫が行われ、レジス
ト塗布時の基板７の温度の均一性を保持することを行っ
ていた。
ために、レジスト膜の塗布に使用するスピナーのモー
ターｌＯの冷却、スピナー内のカップｌｌ自体の温度調
節、レジスト膜塗布時の排気の排気カバー１３によるコ
ントロール等、幾つかの作業上の工夫が行われ、レジス
ト塗布時の基板７の温度の均一性を保持することを行っ
ていた。
しかし、これらの種々の対策を行って基板７の温度をコ
ントロールしても、第３図（ｂ）に示すように、基板７
内のレジスト膜厚の均一性のばらつきを０．５％以下に
抑えることはできなかった。
ントロールしても、第３図（ｂ）に示すように、基板７
内のレジスト膜厚の均一性のばらつきを０．５％以下に
抑えることはできなかった。
従って、基板内での露光現像後のレジスト膜のパターン
幅のばらつきが生じ、半導体デバイスの電気的な特性に
影響を与えていた。
幅のばらつきが生じ、半導体デバイスの電気的な特性に
影響を与えていた。
以上の事から９本発明は、基板内のレジスト膜厚の均一
性を向上させることにより、パターン幅のばらつきをよ
り小さくすることを目的としている。
性を向上させることにより、パターン幅のばらつきをよ
り小さくすることを目的としている。
第１図は本発明の原理説明図である。
図において、ｌは基板、２はレジスト膜、３は赤外線フ
ァイバ、４は赤外線、５はチャック、６はモーターであ
る。
ァイバ、４は赤外線、５はチャック、６はモーターであ
る。
第１図（ａ）に平面図、第１図（ｂ）に断面図で示すよ
うに、赤外線の強度の強い所は基板の温度が高（なり、
レジストの膜厚は厚くなり、逆に。
うに、赤外線の強度の強い所は基板の温度が高（なり、
レジストの膜厚は厚くなり、逆に。
赤外線の強度の弱い所は基板の温度が低くなり。
レジストの膜厚は薄くなることを利用して、基板ｌの表
面温度が所望の温度になるように、複数の赤外線ファイ
バ３から基板ｌに照射される赤外線４の強度を各々の赤
外線ファイバ３毎にコントロールして、基板内のレジス
ト膜の均一性を向上させている。
面温度が所望の温度になるように、複数の赤外線ファイ
バ３から基板ｌに照射される赤外線４の強度を各々の赤
外線ファイバ３毎にコントロールして、基板内のレジス
ト膜の均一性を向上させている。
即ち９本発明の目的は、複数の赤外線ファイバ３から基
板ｌ上に赤外線４を照射し、該赤外線４の各々の出力を
制御して、該基板ｌの温度分布を制御しながら、レジス
ト膜２を塗布することにより達成される。
板ｌ上に赤外線４を照射し、該赤外線４の各々の出力を
制御して、該基板ｌの温度分布を制御しながら、レジス
ト膜２を塗布することにより達成される。
また、赤外線ファイバｌは一列に並べられ１回転する基
板上に温度分布を強制的に作るものである。
板上に温度分布を強制的に作るものである。
赤外線の強度の強い所は基板の温度が高（なり。
レジストの膜厚は厚くなる。逆に、赤外線の強度の弱い
所は基板の温度が低くなり、レジストの膜−厚は薄くな
る。
所は基板の温度が低くなり、レジストの膜−厚は薄くな
る。
上述のように９本発明は、複数の赤外線ファイバを用い
て、各々の赤外線の出力を制御して１回転する基板上の
温度分布を制御する。
て、各々の赤外線の出力を制御して１回転する基板上の
温度分布を制御する。
これにより、赤外線の強度の強い所は基板の温度が高く
なり、従来レジストの膜厚の薄いところを厚くでき、逆
に、赤外線の強度の弱い所は基板の温度が低（なり、従
来レジストの膜厚の厚いところを薄くでき１回転する基
板上−のレジスト膜の厚さを強制的に均一になるように
する。
なり、従来レジストの膜厚の薄いところを厚くでき、逆
に、赤外線の強度の弱い所は基板の温度が低（なり、従
来レジストの膜厚の厚いところを薄くでき１回転する基
板上−のレジスト膜の厚さを強制的に均一になるように
する。
第１図は本発明の原理説明図であり、この図を用いて本
発明の一実施例を説明する。
発明の一実施例を説明する。
基板ｌとして６インチ径のシリコンウェハを使用する。
４ｍｍ径の赤外線ファイバ３を３５本、−列に並べて固
定したものを基板１の上３ｃｍの所に固定してセットす
る。
定したものを基板１の上３ｃｍの所に固定してセットす
る。
各々の赤外線ファイバ３の出力をＩＯＷから１５Ｗに調
節して、第１図（ｂ）に示すように、基板１に照射する
赤外線の出力を１個ずつ調節して、基板の温度を最大２
３℃から最小２４℃の範囲でＯ，１℃毎に各位置で調節
して、所望の温度分布を形成する。
節して、第１図（ｂ）に示すように、基板１に照射する
赤外線の出力を１個ずつ調節して、基板の温度を最大２
３℃から最小２４℃の範囲でＯ，１℃毎に各位置で調節
して、所望の温度分布を形成する。
しかる後に、ネガ型レジスト０ＦＰＲ−８００，粘度３
０センチポイズのレジスト液２ｃｃをスピナーを回転し
て基板ｌを５．００Ｏｒｐｍで回転しながら２０秒間滴
下し、ｌｌ１ｍの厚さのレジスト膜を形成する。
０センチポイズのレジスト液２ｃｃをスピナーを回転し
て基板ｌを５．００Ｏｒｐｍで回転しながら２０秒間滴
下し、ｌｌ１ｍの厚さのレジスト膜を形成する。
この結果、第２図に示すように、基板７内のレジスト膜
の厚さは１．００１μｍから０．９９９μｍの範囲とな
り、レジスト膜の均一性が０．１％以下に保つことがで
きた。
の厚さは１．００１μｍから０．９９９μｍの範囲とな
り、レジスト膜の均一性が０．１％以下に保つことがで
きた。
以上説明した様に１本発明によれば、基板内のレジスト
膜厚の均一性が向上し、従って微小なパターン幅のばら
つきをより小さくすることができた。
膜厚の均一性が向上し、従って微小なパターン幅のばら
つきをより小さくすることができた。
これにより半導体デバイスの歩留りや特性の向上に寄与
するところが大きい。
するところが大きい。
第１図は本発明の原理説明図。
第２図は本発明の一実施例のレジスト膜厚の分布。
第３図は従来例の説明図
である。
図において。
ｌは基板、 ２はレジスト膜。
３は赤外線ファイバ、４は赤外線。
５はチャック、 ６はモーター
本弁明の片理討明図
給１図
本発明の一実施例のＬジス■罠厚方作
第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の赤外線ファイバ（３）から基板（１）上に赤外線
（４）を照射し、該赤外線（４）の各々の出力を制御し
て、該基板（１）の温度分布を制御しながら、レジスト
膜（２）を塗布することを特徴とするレジスト塗布方法
。 ３、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31457790A JPH04184915A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31457790A JPH04184915A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184915A true JPH04184915A (ja) | 1992-07-01 |
Family
ID=18054968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31457790A Pending JPH04184915A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04184915A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011230051A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布装置、これを備える塗布現像システム、およびレジスト塗布方法 |
| WO2012073695A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
| JP2015050348A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理用記録媒体 |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP31457790A patent/JPH04184915A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011230051A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布装置、これを備える塗布現像システム、およびレジスト塗布方法 |
| WO2012073695A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
| JP2012119536A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
| JP2015050348A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理用記録媒体 |
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