JPH05259061A - 半導体基板のスピンコーティング方法および装置 - Google Patents
半導体基板のスピンコーティング方法および装置Info
- Publication number
- JPH05259061A JPH05259061A JP5184192A JP5184192A JPH05259061A JP H05259061 A JPH05259061 A JP H05259061A JP 5184192 A JP5184192 A JP 5184192A JP 5184192 A JP5184192 A JP 5184192A JP H05259061 A JPH05259061 A JP H05259061A
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- JP
- Japan
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- coating
- semiconductor substrate
- substrate
- coating layer
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- Pending
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板のスピンコーティング方法および
装置を提供する。 【構成】 半導体基板1を着脱自在に固定した回転台2
の上方に熱線照射装置7を配設し、塗布ノズル4で基板
1の面に塗布溶液5を滴下した後、回転台2を高速回転
させてスピンコーティングする間にその中心部と周縁部
の中間部分1cに熱線照射装置7から熱線8を照射して
膜厚を厚くすることにより、全体の膜厚を均一化するこ
とができる。
装置を提供する。 【構成】 半導体基板1を着脱自在に固定した回転台2
の上方に熱線照射装置7を配設し、塗布ノズル4で基板
1の面に塗布溶液5を滴下した後、回転台2を高速回転
させてスピンコーティングする間にその中心部と周縁部
の中間部分1cに熱線照射装置7から熱線8を照射して
膜厚を厚くすることにより、全体の膜厚を均一化するこ
とができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板のスピンコ
ーティング方法および装置に関する。
ーティング方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハやマスク基板な
どの半導体基板にフォトレジストあるいは接着用ワック
スなどの塗布溶液をコーティングする際に代表的に用い
られる方法の一つにスピンコート法がある。このスピン
コート法は、図3に示すように、回転台2に真空式など
のウェーハチャック3で吸着固定された半導体基板(以
下、単に基板という)1上に、軸線Aが垂直とされる塗
布ノズル4によって塗布溶液5を基板1の中心部1aに
滴下し、スピンドル軸6を介して矢示F方向に高速回転
させることにより、その作用する遠心力を利用して塗布
溶液5を基板1の面全体に広げて均一な厚みのコーティ
ング層5aを得るようにコーティングする方法である。
このときのコーティング層5aの膜厚は溶液濃度や溶媒
の揮発速度、スピン回転数などによって決まり、溶媒の
揮発速度は環境温度や湿度、溶液温度あるいは基板1の
温度などにより影響される。
どの半導体基板にフォトレジストあるいは接着用ワック
スなどの塗布溶液をコーティングする際に代表的に用い
られる方法の一つにスピンコート法がある。このスピン
コート法は、図3に示すように、回転台2に真空式など
のウェーハチャック3で吸着固定された半導体基板(以
下、単に基板という)1上に、軸線Aが垂直とされる塗
布ノズル4によって塗布溶液5を基板1の中心部1aに
滴下し、スピンドル軸6を介して矢示F方向に高速回転
させることにより、その作用する遠心力を利用して塗布
溶液5を基板1の面全体に広げて均一な厚みのコーティ
ング層5aを得るようにコーティングする方法である。
このときのコーティング層5aの膜厚は溶液濃度や溶媒
の揮発速度、スピン回転数などによって決まり、溶媒の
揮発速度は環境温度や湿度、溶液温度あるいは基板1の
温度などにより影響される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来のスピンコート法ではコーティング層5a
の膜厚が図4に示すように、基板1の中心部1a付近と
周縁部1b付近において局所的に膜厚が厚くなるという
欠点がある。すなわち、基板1の中心部1aでは回転に
よって生じる遠心力がほとんどゼロであるため塗布溶液
5の広がりが悪くて膜厚が厚くなり、また周縁部では周
速が速くなるため溶媒の揮発が促進されて膜厚が厚くな
る。それに対して、中心部1aと周縁部1bとの中間の
部分1cは相対的に膜厚が薄くなるため、全体の膜厚は
不均一になる。膜厚を均一にするには、中間部分1cの
膜厚を厚くするか中心部1aと周縁部1bの膜厚を薄く
する必要がある。
たような従来のスピンコート法ではコーティング層5a
の膜厚が図4に示すように、基板1の中心部1a付近と
周縁部1b付近において局所的に膜厚が厚くなるという
欠点がある。すなわち、基板1の中心部1aでは回転に
よって生じる遠心力がほとんどゼロであるため塗布溶液
5の広がりが悪くて膜厚が厚くなり、また周縁部では周
速が速くなるため溶媒の揮発が促進されて膜厚が厚くな
る。それに対して、中心部1aと周縁部1bとの中間の
部分1cは相対的に膜厚が薄くなるため、全体の膜厚は
不均一になる。膜厚を均一にするには、中間部分1cの
膜厚を厚くするか中心部1aと周縁部1bの膜厚を薄く
する必要がある。
【0004】ところで、このような基板の厚膜対策とし
ては、たとえば特開平1−107867号公報には基板の表面
温度分布を中心部を高くして周縁部に向かって次第に低
くするように傾斜させて膜厚を均一にする方法が開示さ
れている。しかし、この方法では膜厚の変化が直線的で
ある場合は有効であるが、そうでない場合は効果を発揮
することができないという欠点がある。
ては、たとえば特開平1−107867号公報には基板の表面
温度分布を中心部を高くして周縁部に向かって次第に低
くするように傾斜させて膜厚を均一にする方法が開示さ
れている。しかし、この方法では膜厚の変化が直線的で
ある場合は有効であるが、そうでない場合は効果を発揮
することができないという欠点がある。
【0005】本発明は、上記のような従来技術の課題を
解決した半導体基板のコーティング方法および装置を提
供することを目的とする。
解決した半導体基板のコーティング方法および装置を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、回転台に固定
された半導体基板にフォトレジストあるいは接着用ワッ
クスなどの塗布溶液をスピンコーティングする方法にお
いて、前記半導体基板の中心部と周縁部の中間部分に熱
線を照射することを特徴とする半導体基板のスピンコー
ティング方法である。
された半導体基板にフォトレジストあるいは接着用ワッ
クスなどの塗布溶液をスピンコーティングする方法にお
いて、前記半導体基板の中心部と周縁部の中間部分に熱
線を照射することを特徴とする半導体基板のスピンコー
ティング方法である。
【0007】また、本発明は、回転台に着脱自在に固定
された半導体基板の面に塗布ノズルを介してフォトレジ
ストあるいは接着用ワックスなどの溶剤をスピンコーテ
ィングする装置において、前記回転台の上方に前記半導
体基板の中心部と周縁部の中間部分を照射する熱線照射
装置を配設したことを特徴とする半導体基板のスピンコ
ーティング装置である。
された半導体基板の面に塗布ノズルを介してフォトレジ
ストあるいは接着用ワックスなどの溶剤をスピンコーテ
ィングする装置において、前記回転台の上方に前記半導
体基板の中心部と周縁部の中間部分を照射する熱線照射
装置を配設したことを特徴とする半導体基板のスピンコ
ーティング装置である。
【0008】
【作 用】本発明によれば、基板上のコーティング層の
膜厚が薄くなる中間部分に赤外線などの熱線を局所的に
照射するようにしたので、コーティング層の温度が上昇
して溶媒の揮発が促進され、塗布溶液の粘性が上がって
膜厚が厚くなる。これによって、局所的な膜厚の不均一
性を解消することが可能である。
膜厚が薄くなる中間部分に赤外線などの熱線を局所的に
照射するようにしたので、コーティング層の温度が上昇
して溶媒の揮発が促進され、塗布溶液の粘性が上がって
膜厚が厚くなる。これによって、局所的な膜厚の不均一
性を解消することが可能である。
【0009】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図1は本発明のスピンコーティング装置
の構成を模式的に示す側面図である。図中、従来例と同
一部材は同一符号を付して説明を省略する。図におい
て、7は基板1の上方に設置されたたとえば赤外線スポ
ットランプなどの熱線照射装置であり、基板1の中間部
分1cに赤外線などの熱線8を照射する。
して説明する。図1は本発明のスピンコーティング装置
の構成を模式的に示す側面図である。図中、従来例と同
一部材は同一符号を付して説明を省略する。図におい
て、7は基板1の上方に設置されたたとえば赤外線スポ
ットランプなどの熱線照射装置であり、基板1の中間部
分1cに赤外線などの熱線8を照射する。
【0010】そして、基板1の面に塗布ノズル4から溶
液5を所定量滴下した後、回転台2を高速回転させなが
ら溶液5を基板1の全面に広げてコーティング層5aを
形成する。このスピンコーティング中に、熱線照射装置
7を用いて基板1の中間部分1cに熱線を照射する。塗
布溶液として接着用ワックスを用いてシリコンウェーハ
にスピンコーティングする際に本発明法を用いた。ま
ず、シリコンウェーハに液状のワックスを約2.4cc 滴下
して、4000rpm で高速回転中に赤外線スポットランプを
用いてそのコーティング層の中間部分に赤外線を照射し
て加熱した。そのときのコーティング層の膜厚分布の測
定結果を図2に示した。なお、比較のために、従来法で
の膜厚分布も同図に併せて示した。この図から明らかな
ように、従来法での最大値と最小値との差が419 Åであ
るのに対し、本発明法では247 Åと約41%も小さくなっ
ており、均一性が向上していることがわかる。
液5を所定量滴下した後、回転台2を高速回転させなが
ら溶液5を基板1の全面に広げてコーティング層5aを
形成する。このスピンコーティング中に、熱線照射装置
7を用いて基板1の中間部分1cに熱線を照射する。塗
布溶液として接着用ワックスを用いてシリコンウェーハ
にスピンコーティングする際に本発明法を用いた。ま
ず、シリコンウェーハに液状のワックスを約2.4cc 滴下
して、4000rpm で高速回転中に赤外線スポットランプを
用いてそのコーティング層の中間部分に赤外線を照射し
て加熱した。そのときのコーティング層の膜厚分布の測
定結果を図2に示した。なお、比較のために、従来法で
の膜厚分布も同図に併せて示した。この図から明らかな
ように、従来法での最大値と最小値との差が419 Åであ
るのに対し、本発明法では247 Åと約41%も小さくなっ
ており、均一性が向上していることがわかる。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、膜
厚の薄くなる部分のコーティング層に光線を照射するこ
とにより溶液の粘性を上げて膜厚を厚くするようにした
ので、膜厚の均一性を高めることができ、これによって
ウェーハの品質と歩留りの向上に寄与することができ
る。
厚の薄くなる部分のコーティング層に光線を照射するこ
とにより溶液の粘性を上げて膜厚を厚くするようにした
ので、膜厚の均一性を高めることができ、これによって
ウェーハの品質と歩留りの向上に寄与することができ
る。
【図1】本発明のスピンコーティング装置の構成を模式
的に示す側面図である。
的に示す側面図である。
【図2】本発明によって得られたコーティング層の膜厚
分布を示す特性図である。
分布を示す特性図である。
【図3】従来のスピンコーティング装置の構成を模式的
に示す側面図である。
に示す側面図である。
【図4】従来のコーティング層の膜厚分布状態を説明す
る側面図である。
る側面図である。
1 基板(半導体基板) 2 回転台 3 ウェーハチャック 4 塗布ノズル 5 塗布溶液 5a コーティング層 6 スピンドル軸 7 熱線照射装置 8 熱線
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B05C 11/08 6804−4D
Claims (2)
- 【請求項1】 回転台に固定された半導体基板にフォ
トレジストあるいは接着用ワックスなどの塗布溶液をス
ピンコーティングする方法において、前記半導体基板の
中心部と周縁部の中間部分に熱線を照射することを特徴
とする半導体基板のスピンコーティング方法。 - 【請求項2】 回転台に着脱自在に固定された半導体
基板の面に塗布ノズルを介してフォトレジストあるいは
接着用ワックスなどの溶剤をスピンコーティングする装
置において、前記回転台の上方に前記半導体基板の中心
部と周縁部の中間部分を照射する熱線照射装置を配設し
たことを特徴とする半導体基板のスピンコーティング装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5184192A JPH05259061A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体基板のスピンコーティング方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5184192A JPH05259061A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体基板のスピンコーティング方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05259061A true JPH05259061A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12898085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5184192A Pending JPH05259061A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体基板のスピンコーティング方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05259061A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001068490A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Sony Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
JP2006508787A (ja) * | 2002-12-05 | 2006-03-16 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 層の厚さを制御するための方法および装置 |
KR20110119528A (ko) * | 2010-04-27 | 2011-11-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 레지스트 도포 장치, 이를 구비한 도포 현상 시스템, 및 레지스트 도포 방법 |
JP2012011279A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法および塗布装置 |
WO2012073695A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
CN104051259A (zh) * | 2013-03-14 | 2014-09-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 旋涂工艺的增厚阶段 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP5184192A patent/JPH05259061A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001068490A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Sony Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
JP2006508787A (ja) * | 2002-12-05 | 2006-03-16 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 層の厚さを制御するための方法および装置 |
KR20110119528A (ko) * | 2010-04-27 | 2011-11-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 레지스트 도포 장치, 이를 구비한 도포 현상 시스템, 및 레지스트 도포 방법 |
JP2012011279A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法および塗布装置 |
WO2012073695A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
JP2012119536A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
CN104051259A (zh) * | 2013-03-14 | 2014-09-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 旋涂工艺的增厚阶段 |
US9360755B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Thickening phase for spin coating process |
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