JP2516573B2 - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
- Publication number
- JP2516573B2 JP2516573B2 JP62266948A JP26694887A JP2516573B2 JP 2516573 B2 JP2516573 B2 JP 2516573B2 JP 62266948 A JP62266948 A JP 62266948A JP 26694887 A JP26694887 A JP 26694887A JP 2516573 B2 JP2516573 B2 JP 2516573B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- coating
- temperature
- film thickness
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は回転塗布装置に係わり、特に被塗布物の塗布
面全面にわたつて膜厚を均一に塗布できるようにした装
置に関するものである。
面全面にわたつて膜厚を均一に塗布できるようにした装
置に関するものである。
（従来の技術） LSIの製造においては、たとえばシリコンなどの半導
体基板に又、ビデオデイスク，コンパクトデイスクのマ
スタリングにおいてはガラス原盤に感光剤であるホトレ
ジストを塗布する。この為の塗布装置は、被塗布物の中
央部にホトレジスト溶液を所定量だけ滴下させ遠心力に
よつてホトレジスト溶液を被塗布物の塗布面全面にわた
つて塗り広げることにより、被塗布物の表面に所定の厚
さのホトレジスト膜を形成させるものである。この種の
塗布装置は特公昭60−45950等においてすでに提案され
ている。
体基板に又、ビデオデイスク，コンパクトデイスクのマ
スタリングにおいてはガラス原盤に感光剤であるホトレ
ジストを塗布する。この為の塗布装置は、被塗布物の中
央部にホトレジスト溶液を所定量だけ滴下させ遠心力に
よつてホトレジスト溶液を被塗布物の塗布面全面にわた
つて塗り広げることにより、被塗布物の表面に所定の厚
さのホトレジスト膜を形成させるものである。この種の
塗布装置は特公昭60−45950等においてすでに提案され
ている。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記ホトレジストの塗布においては、回
転される被塗布物の中央部と周辺部で雰囲気に対する相
対的な速度が異なるため、ホトレジスト中の溶媒の揮散
速度が被塗布物の中央部と周辺部で不均一となることは
避けられない。
転される被塗布物の中央部と周辺部で雰囲気に対する相
対的な速度が異なるため、ホトレジスト中の溶媒の揮散
速度が被塗布物の中央部と周辺部で不均一となることは
避けられない。
中心からの距離に対する塗布膜の厚みの変化を示す
と、第３図のような結果が実験より確められている。
と、第３図のような結果が実験より確められている。
このようなホトレジスト膜厚の不均一は、LSI製造に
おいてはパターン寸法のバラツキとなつて歩留りを悪く
する原因となる。又、ビデオデイスク，コンパクトデイ
スクのマスタリングにおいてはホトレジストの膜厚が、
信号ビツトの深さとなるため膜厚の不均一は再生信号の
出力レベルの変動となつて著しく品質を悪化する。
おいてはパターン寸法のバラツキとなつて歩留りを悪く
する原因となる。又、ビデオデイスク，コンパクトデイ
スクのマスタリングにおいてはホトレジストの膜厚が、
信号ビツトの深さとなるため膜厚の不均一は再生信号の
出力レベルの変動となつて著しく品質を悪化する。
本発明はこのような問題点を解決するため、被塗布物
の塗布面全面にわたつて均一なホトレジスト膜厚を形成
することを目的としたものである。
の塗布面全面にわたつて均一なホトレジスト膜厚を形成
することを目的としたものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、被塗布物が載置される回転台の表面の温度
分布を中心部より周辺部へ次第に低下するようにしたも
のである。
分布を中心部より周辺部へ次第に低下するようにしたも
のである。
（作用） 従つて中心部の溶媒の揮散速度が速く膜厚の形成が促
進される。周辺部は雰囲気と塗布面との相対速度が中心
部より速いが、温度が中心部より低いため中心部の膜厚
形成と同じ速度となつて膜厚分布が均一なものになる。
進される。周辺部は雰囲気と塗布面との相対速度が中心
部より速いが、温度が中心部より低いため中心部の膜厚
形成と同じ速度となつて膜厚分布が均一なものになる。
（実施例） 以下本発明の一実施例を第１図第２図に基づいて説明
する。第１図はコンパクトデイスクのマスタリング用ガ
ラス原盤に感光剤であるホトレジストを塗布する装置を
示す。
する。第１図はコンパクトデイスクのマスタリング用ガ
ラス原盤に感光剤であるホトレジストを塗布する装置を
示す。
筐体１は上部に塗布室２と下部にモーター４を格納す
る部屋３とに仕切り板５によつて分けられる。モーター
４は格納する部屋３の中で筐体１に固定装置17によつて
固定され、回転軸4aは垂直に仕切板５の透孔5aを貫通し
て塗布室２に達し回転台７を円滑に回転させる。
る部屋３とに仕切り板５によつて分けられる。モーター
４は格納する部屋３の中で筐体１に固定装置17によつて
固定され、回転軸4aは垂直に仕切板５の透孔5aを貫通し
て塗布室２に達し回転台７を円滑に回転させる。
塗布室２は換気ダクト８が接続され、換気ダクト内に
換気扇９が設けられている。また塗布室２には感光剤を
塗布するホトレジストアーム10があり、筐体１に取り付
けられたガイド11によつて円滑に進退自由に構成され、
点線の如く回転台の中心まで移動するように取り付けら
れている。又、ホトレジストアーム10の先端にはノズル
12があつて、感光剤が滴下できるように構成されてい
る。
換気扇９が設けられている。また塗布室２には感光剤を
塗布するホトレジストアーム10があり、筐体１に取り付
けられたガイド11によつて円滑に進退自由に構成され、
点線の如く回転台の中心まで移動するように取り付けら
れている。又、ホトレジストアーム10の先端にはノズル
12があつて、感光剤が滴下できるように構成されてい
る。
塗布室２の上部にはホトレジストアーム10の取り付け
面に対向する側の面に支点2aが設けられ、該支点2aを中
心に上下に開閉できる構造をもつふた13がある。
面に対向する側の面に支点2aが設けられ、該支点2aを中
心に上下に開閉できる構造をもつふた13がある。
回転台７の下部には第２図に示す電源供給装置６が設
けられている。回転台７のガラス原盤14と接する面に電
子冷熱素子7aを同心円状に配置し、断熱材7bによつて各
々の電子冷熱素子7aを隔離してある。電子冷熱素子7aへ
の給電は導線7cによつて行ない、電気絶縁体7dを介して
ブラシ7eに接続されている。
けられている。回転台７のガラス原盤14と接する面に電
子冷熱素子7aを同心円状に配置し、断熱材7bによつて各
々の電子冷熱素子7aを隔離してある。電子冷熱素子7aへ
の給電は導線7cによつて行ない、電気絶縁体7dを介して
ブラシ7eに接続されている。
電源供給装置６は回転台７に接する上面を電気絶縁体
6aで構成し、各々の電子冷熱素子7aに給電するための同
心円上の接触面6bがブラシ7eに対応するように配置され
電気絶縁体6a上に固定されている。
6aで構成し、各々の電子冷熱素子7aに給電するための同
心円上の接触面6bがブラシ7eに対応するように配置され
電気絶縁体6a上に固定されている。
接触面6bは導線6cに接続され、電源供給装置６の筐体
6dに取り付けたコネクタ6eに接続する。電源供給装置６
は筐体１の仕切板５に固定され、中心部に透孔5aと略等
しい貫通孔6fを有し、回転軸4aが貫通している。
6dに取り付けたコネクタ6eに接続する。電源供給装置６
は筐体１の仕切板５に固定され、中心部に透孔5aと略等
しい貫通孔6fを有し、回転軸4aが貫通している。
コネクタ6eよりケーブル15を介して温度調節器16に接
続され、各々の電子冷熱素子7aを所定の温度に設定する
ため温度調節ツマミ16a〜16dが設けられている。以上の
構成において、まず温度調節器16の電源を入れ、各々の
電子冷熱素子7aの温度を調節するツマミ16a〜16dによつ
て所定の温度に設定する。次にふた13を開いてガラス原
盤14を回転台７に固定し、ふた13を閉めて換気扇９を回
わす。そしてガラス原盤の塗布面の温度分布が所定の状
態になつたらモーター４によつて回転台７をゆつくり回
し、ホトレジストアーム10を回転台７の中心部に移動
し、ノズルによりホトレジストを滴下する。
続され、各々の電子冷熱素子7aを所定の温度に設定する
ため温度調節ツマミ16a〜16dが設けられている。以上の
構成において、まず温度調節器16の電源を入れ、各々の
電子冷熱素子7aの温度を調節するツマミ16a〜16dによつ
て所定の温度に設定する。次にふた13を開いてガラス原
盤14を回転台７に固定し、ふた13を閉めて換気扇９を回
わす。そしてガラス原盤の塗布面の温度分布が所定の状
態になつたらモーター４によつて回転台７をゆつくり回
し、ホトレジストアーム10を回転台７の中心部に移動
し、ノズルによりホトレジストを滴下する。
滴下終了後アーム10を元の位置に戻し、モーター４の
回転を高速にしてホトレジストを塗布面に塗り広げる。
塗布面は中心部の温度が周辺部の温度より高くなつてい
るため、溶媒の揮散速度は温度傾斜を設けない従来の方
法に比べ速いので膜厚の形成が促進される。また周辺部
は雰囲気と塗布面との相対速度が中心部より速いが温度
が中心部より低いため、中心部の膜厚形成と同じ速度に
なり第５図のように塗布膜厚は均一なものになる。さら
に実施例の利点として、塗布膜形成後温度調節器16の調
節ツマミ16a〜16dを調節して温度を90℃程度にすると、
実施例の装置の中で塗膜の予備硬化処理が行え、従来別
工程で行なつていた処理を省略することができる。また
同じ環境化で処理されるため膜面への異物やきずの付加
も低減できる。そのうえ電子冷熱素子7aは、電流の方向
を逆にすると冷却ができるので予備硬化処理終了後、電
子冷熱素子7aへの供給電流の方向を逆にして冷却を行な
えば、ガラス原盤の取り出しも容易になり、次の塗布状
態へのセツテイングも早くなり、品質向上と作業工程の
短縮につながる。
回転を高速にしてホトレジストを塗布面に塗り広げる。
塗布面は中心部の温度が周辺部の温度より高くなつてい
るため、溶媒の揮散速度は温度傾斜を設けない従来の方
法に比べ速いので膜厚の形成が促進される。また周辺部
は雰囲気と塗布面との相対速度が中心部より速いが温度
が中心部より低いため、中心部の膜厚形成と同じ速度に
なり第５図のように塗布膜厚は均一なものになる。さら
に実施例の利点として、塗布膜形成後温度調節器16の調
節ツマミ16a〜16dを調節して温度を90℃程度にすると、
実施例の装置の中で塗膜の予備硬化処理が行え、従来別
工程で行なつていた処理を省略することができる。また
同じ環境化で処理されるため膜面への異物やきずの付加
も低減できる。そのうえ電子冷熱素子7aは、電流の方向
を逆にすると冷却ができるので予備硬化処理終了後、電
子冷熱素子7aへの供給電流の方向を逆にして冷却を行な
えば、ガラス原盤の取り出しも容易になり、次の塗布状
態へのセツテイングも早くなり、品質向上と作業工程の
短縮につながる。
その他の方法として前述の温度傾斜にする手段を加熱
のみで行なえば、7aを発熱部として抵抗加熱素子によつ
て同様の実施例の効果が安価に構成できる。
のみで行なえば、7aを発熱部として抵抗加熱素子によつ
て同様の実施例の効果が安価に構成できる。
また塗布面の温度分布を変えて、膜厚分布を目的とす
る状態にする事も可能である。
る状態にする事も可能である。
（発明の効果） 本発明を用いることによつて被塗布面全面にわたつて
ホトレジストの膜厚の厚さを均一にすることができる。
ホトレジストの膜厚の厚さを均一にすることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略図、第２図は本発
明の一実施例を示す回転台部分の詳細図、第３図は従来
の方法による膜厚分布を示すグラフ、第４図は温度によ
る膜厚変化を示すグラフ、第５図は本発明の一実施例の
効果を示すグラフ。 16……温度調節器、７……回転台、６……電源供給装置
明の一実施例を示す回転台部分の詳細図、第３図は従来
の方法による膜厚分布を示すグラフ、第４図は温度によ
る膜厚変化を示すグラフ、第５図は本発明の一実施例の
効果を示すグラフ。 16……温度調節器、７……回転台、６……電源供給装置
Claims (1)
- 【請求項１】回転台上に着脱自在に固定されて回転され
る被塗布物に溶液を滴下することによつて塗布を行う塗
布装置において、被塗布物の表面温度分布を中心部から
周辺部に向かつて傾斜させたことを特徴とする塗布装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62266948A JP2516573B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62266948A JP2516573B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01107867A JPH01107867A (ja) | 1989-04-25 |
| JP2516573B2 true JP2516573B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=17437910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62266948A Expired - Lifetime JP2516573B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2516573B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3493398B2 (ja) * | 1994-10-04 | 2004-02-03 | 株式会社ルネサステクノロジ | ベーキング方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2006513516A (ja) * | 2003-01-14 | 2006-04-20 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光データ記憶媒体の製造方法、光データ記憶媒体、およびその製造方法を実行するための装置 |
| JP2004330136A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Seiko Epson Corp | 液状膜の乾燥方法、有機ｅｌパネルの製造方法、電気光学パネルの製造方法及び電子機器の製造方法、並びに液状膜の乾燥装置、電気光学パネル、電気光学装置及び電子機器 |
| JP5562110B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布装置、これを備える塗布現像ユニット、およびレジスト膜形成方法、これを実行するためのプログラム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232339A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Corp | フオトレジスト膜形成方法 |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP62266948A patent/JP2516573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232339A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Corp | フオトレジスト膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01107867A (ja) | 1989-04-25 |
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