JPH08293460A - 薬液塗布装置 - Google Patents

薬液塗布装置

Info

Publication number
JPH08293460A
JPH08293460A JP12083795A JP12083795A JPH08293460A JP H08293460 A JPH08293460 A JP H08293460A JP 12083795 A JP12083795 A JP 12083795A JP 12083795 A JP12083795 A JP 12083795A JP H08293460 A JPH08293460 A JP H08293460A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
vacuum chuck
temperature
temperature control
fixing surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12083795A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoji Takahashi
昭治 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP12083795A priority Critical patent/JPH08293460A/ja
Publication of JPH08293460A publication Critical patent/JPH08293460A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハー等の基板上に膜厚分布が高度に均一
な塗布膜を形成することができる薬液塗布装置を提供す
る。 【構成】 スピンコータにおいて、真空チャック12を
直径が基板11の直径と同一の円柱状とし、真空チャッ
ク内に4系統の温調ライン13〜16を真空チャックと
同心状に、基板固定面12aと平行に、かつ同一平面上
に設ける。温調ライン13〜16に液体を循環供給する
ことにより、各温調ラインの温度を個別に設定・維持で
きるよう構成する。フォトレジストの塗布に際しては、
所定温度に加温または冷却した液体を各温調ラインに循
環供給することにより、真空チャックの基板固定面の温
度分布を所定のものに維持した後、基板を真空チャック
に吸着固定して基板の温度分布を基板固定面の温度分布
と同一にし、この状態でフォトレジストを基板上方から
滴下し、通常の要領で塗布を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
詳しくはウエハー等の基板にフォトレジスト等の薬液を
塗布する装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体ウエハーにフォトレジスト
を塗布するスピンコータとして一般的に、図4に示すも
のが用いられている。この装置では真空チャック42
と、これを高速回転させるためのモータ45の間に温調
フランジ43を設けてモータ45からの熱を遮断し、同
時に真空チャック42を一定温度に保持する構造になっ
ている。図中、41は半導体ウエハー、44は真空源で
ある。
【0003】また、特開平5−29206号公報には、
半導体ウエハーの下面と対向する位置に、ウエハーの下
面を加熱する熱源(電熱源、赤外線源、温風源等)を複
数設置することにより、ウエハーの各部温度をほぼ均一
に制御するようにしたレジスト塗布装置が開示されてい
る。
【0004】また、特開平3−41715号公報には、
半導体ウエハーの下面と対向する位置に、ウエハー周辺
部を加熱するファン付きのリング状ヒータをウエハーと
同心状に設けることによって、ウエハー周辺部のフォト
レジスト塗布膜厚をウエハー中心部より厚くすることが
できるようにしたスピンコータが記載されている。
【0005】さらに、特開平5−259053号公報に
は、回転台に固定したウエハーにフォトレジストを滴下
した後、回転台を高速回転させてスピンコートする間
に、下部電極と上部電極に励磁電圧を印加し、電界をか
けた部分のフォトレジストに降伏応力を付与して該部分
のフォトレジストの膜厚を厚くすることにより、フォト
レジスト全体の膜厚を均一にするようにしたスピンコー
タが開示されている。
【0006】ところで、図4に示す構造のスピンコータ
では、フォトレジストにおけるウエハー半径方向の温調
温度を変化させて塗布すると、該温度分布に対応して図
5,6または7に示す塗布膜厚分布曲線が得られる。
【0007】なお、フォトレジストの温度は図5,6,
7の順に24.8℃、24.0℃、23.2℃である。
これらの図から、塗布膜厚の変化は真空チャックの外周
部(±40mmの位置、すなわちウエハー中心から40
mmの位置)で生じていることがわかる。
【0008】このように、ウエハー表面上のフォトレジ
ストの温度分布を制御することで、塗布膜厚分布曲線を
図5のような凸型、図6のようなM型(またはW型)、
あるいは図7に示すような凹型にすることができる。し
たがって、フォトレジスト温度および真空チャック温度
を最適化することにより、塗布膜厚の均一性が改善され
ることがわかる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】この均一性改善のため
には、ウエハーの温度分布を高精度に制御することが必
要となるが、上述の図4装置、特開平5−29206号
公報記載の装置、特開平3−41715号公報記載の装
置では、いずれも熱源がウエハー下方の離れた位置に設
けられており、大気を媒体とした対流伝熱または輻射伝
熱による間接的加熱方法でウエハーの温度分布を制御す
るものであるため熱効率が低いうえ、高精度の温度制御
は困難であり、異なる温度の熱源を設置しても、任意の
半径方向位置においてウエハー温度に急峻な変化を付与
することは、極めて難しいという欠点があった。
【0010】特に、ウエハーが大口径化した場合、スピ
ンコータではウエハー中央部と外周部とで回転による線
速度の差が大きくなるため、上記従来装置では、塗布膜
厚の均一性を改善することは非常に難しいという問題が
あった。
【0011】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的は、ウエハー等の基板の温度分布を、熱効
率良く高精度に制御することができ、したがってスピン
コートによりフォトレジスト等を塗布した場合に、膜厚
分布が高度に均一な塗布膜を容易に形成することができ
る薬液塗布装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の薬液塗
布装置は、半導体ウエハー等の基板の表面にフォトレジ
スト等の薬液を塗布する装置において、基板固定用の真
空チャックを直径が基板直径と同一の円柱状とし、かつ
該真空チャック内に複数の温調ラインを該真空チャック
と同心状に設けたことを特徴とする。
【0013】請求項2に記載の薬液塗布装置は、請求項
1において、前記複数の温調ラインが、設定温度を個別
に制御できるものであることを特徴とする。
【0014】請求項3に記載の薬液塗布装置は、請求項
1または2において、前記真空チャックの表面に設けた
基板吸着用の真空溝により、該真空チャックと同心状に
複数のリング状壁部を形成し、一つのリング状壁部内に
一系統の温調ラインを設けることにより、前記複数の温
調ラインを設けたことを特徴とする。
【0015】
【作用】請求項1の薬液塗布装置では、真空チャック内
に複数の温調ラインを該真空チャックと同心状に設けた
ため、上記従来装置と違って、真空チャックを直接加熱
することができるとともに、基板を真空チャックの基板
固定面で直接加熱することができるので、基板の温度分
布制御を正確に行うことができるのにくわえて、基板加
熱の熱効率が向上する。
【0016】請求項2の薬液塗布装置では、複数の温調
ラインそれぞれの設定温度を個別に制御することによ
り、基板の温度分布を最適化することができるので、膜
厚分布が高度に均一な塗布膜を容易に形成することがで
きる。
【0017】請求項3の薬液塗布装置では、温調ライン
を真空チャックの基板固定面直近に設けるとともに、温
調ラインを設けたリング状壁部同士を真空溝により離隔
し該壁部同士の伝導伝熱を抑えるようにしたので、基板
の温度分布制御がより容易になるとともに、該温度分布
において急峻な変化を付与することができる。
【0018】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。 実施例1 図1はスピンコータの要部を説明する断面図、図2は図
1の装置に設けた温調ラインの要部斜視図である。この
スピンコータでは、真空チャック12を直径が基板11
の直径と同一の円柱状とし、真空チャック12内に4系
統の温調ライン13,14,15および16を真空チャ
ック12と同心状に、基板固定面12aと平行に、かつ
同一平面上に設けてある。
【0019】なお、温調ラインの数は、所望に応じて増
減することができる。また図1では説明の便宜上、複数
の温調ライン13〜16を上下方向に多段に示してあ
る。
【0020】温調ライン13〜16には、回転軸12c
に設けられた円周状のシール17を通して液体または気
体が循環供給され、それぞれの温調ラインの温度が個別
に設定できるようになっている。12bは基板吸着用の
真空溝、18は真空源、19は真空チャック回転用のモ
ータである。
【0021】次に、このスピンコータによるフォトレジ
ストの塗布要領の一例について説明すると、所定の温度
に加温または冷却した液体または気体をそれぞれの温調
ライン13〜16に循環供給することにより、真空チャ
ック12の基板固定面12aの温度分布を所定のものに
維持した後、基板11を真空チャック12に吸着固定
し、基板11の温度分布を基板固定面12aの温度分布
と同一にする。
【0022】フォトレジストを基板11の上方から滴下
した後、モータ19により真空チャック12を高速回転
させる。これにより基板11上のフォトレジストは遠心
力によって基板11の全面に広がる。この場合におい
て、基板11は所定の温度分布に維持されているため、
膜厚分布が高度に均一なフォトレジスト塗布膜が形成さ
れる。
【0023】なお、このスピンコータでは、フォトレジ
ストの膜厚を基板全体にわたって均一にするのに代え
て、所望により図5または7に示すように、基板11の
位置により膜厚を異なるものとすることも容易に可能で
ある。
【0024】実施例2 図2に示す真空チャック21は、基板吸着用のリング状
真空溝25を複数、真空チャック21と同心状に深く形
成し、温調ライン22,23,24,…をそれぞれ真空
溝25,25間のリング状壁部32,33,34,…に
埋設配備したものである。
【0025】この真空チャック21では、すべての温調
ラインを基板固定面21aの直近に設けるとともに、リ
ング状壁部同士を真空溝25で離隔することにより前記
壁部同士の伝導伝熱を抑えるようにしたので、基板の温
度分布制御がより容易となるうえ、該温度分布において
急峻な変化を付与することができる。
【0026】
【発明の効果】従来装置においては、薬液の塗布膜厚の
均一性を向上させる場合、大気を媒体とする対流伝熱や
輻射伝熱により間接的に基板の温度分布を制御するた
め、該制御を正確に行うことは難しかったが、請求項1
の塗布装置によれば、真空チャック内に複数の温調ライ
ンを該真空チャックと同心状に設けたため、上記従来装
置と違って、真空チャックを温調ラインにより直接加熱
することができるので、基板の温度分布の制御、すなわ
ち薬液塗布膜厚の制御を容易に、かつ正確に行うことが
可能となるのにくわえて、基板加熱の熱効率が向上す
る。請求項2の塗布装置によれば、複数の温調ラインが
設定温度を個別に制御できるものであるため、基板の温
度分布における温度変化を大きくとることができるの
で、大口径の基板であっても薬液塗布膜厚の制御を、請
求項1に比べてより正確に行うことが可能となり、薬液
塗布膜厚の均一性を更に向上させることができる。請求
項3の薬液塗布装置によれば、温調ラインを真空チャッ
クの基板固定面直近に設けるとともに、温調ラインを設
けたリング状壁部同士を真空溝で離隔することにより前
記壁部同士の伝導伝熱を抑えるようにしたので、基板の
温度分布制御がより容易となるうえ、該温度分布におい
て急峻な変化を付与することができる。このため、薬液
塗布膜厚の均一性を請求項2に比べて更に向上させるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の説明断面図である。
【図2】図1実施例における温調ラインの配設要領を示
す斜視図である。
【図3】別の実施例における真空チャックの要部説明図
である。
【図4】従来のスピンコータの概略断面図である。
【図5】図4のスピンコータにより塗布されたフォトレ
ジストの膜厚分布の一例を示すグラフである。
【図6】図4のスピンコータにより塗布されたフォトレ
ジストの膜厚分布の別例を示すグラフである。
【図7】図4のスピンコータにより塗布されたフォトレ
ジストの膜厚分布の更に別の例を示すグラフである。
【符号の説明】
11 基板 12 真空チャック 12a 基板固定面 12b 真空溝 12c 回転軸 13〜16 温調ライン 17 シール 18 真空源 19 モータ 21 真空チャック 21a 基板固定面 22〜24 温調ライン 25 真空溝 32〜34 リング状壁部 41 半導体ウエハー 42 真空チャック 43 温調フランジ 44 真空源 45 モータ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハー等の基板の表面にフォト
    レジスト等の薬液を塗布する装置において、基板固定用
    の真空チャックを直径が基板直径と同一の円柱状とし、
    かつ該真空チャック内に複数の温調ラインを該真空チャ
    ックと同心状に設けたことを特徴とする薬液塗布装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の温調ラインは、設定温度を個
    別に制御できるものであることを特徴とする請求項1に
    記載の薬液塗布装置。
  3. 【請求項3】 前記真空チャックの表面に設けた基板吸
    着用の真空溝により、該真空チャックと同心状に複数の
    リング状壁部を形成し、一つのリング状壁部内に一系統
    の温調ラインを設けることにより、前記複数の温調ライ
    ンを設けたことを特徴とする請求項1または2に記載の
    薬液塗布装置。
JP12083795A 1995-04-21 1995-04-21 薬液塗布装置 Pending JPH08293460A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12083795A JPH08293460A (ja) 1995-04-21 1995-04-21 薬液塗布装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12083795A JPH08293460A (ja) 1995-04-21 1995-04-21 薬液塗布装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08293460A true JPH08293460A (ja) 1996-11-05

Family

ID=14796191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12083795A Pending JPH08293460A (ja) 1995-04-21 1995-04-21 薬液塗布装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08293460A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003117470A (ja) * 2001-10-16 2003-04-22 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法
KR100443524B1 (ko) * 1998-06-30 2004-10-26 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트막처리용기판지지대를이용한포토레지스트막의박막화방법
JP2018505043A (ja) * 2015-01-15 2018-02-22 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基材をコーティングするための方法及び装置
CN109738081A (zh) * 2018-12-28 2019-05-10 广州兴森快捷电路科技有限公司 真空压膜机及其测温辅具

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100443524B1 (ko) * 1998-06-30 2004-10-26 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트막처리용기판지지대를이용한포토레지스트막의박막화방법
JP2003117470A (ja) * 2001-10-16 2003-04-22 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2018505043A (ja) * 2015-01-15 2018-02-22 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基材をコーティングするための方法及び装置
CN109738081A (zh) * 2018-12-28 2019-05-10 广州兴森快捷电路科技有限公司 真空压膜机及其测温辅具

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6303526B1 (en) Temperature controlled spin chuck
JP5518043B2 (ja) 熱処理チャンバーでのウェハー支持部の温度測定および制御
US5059770A (en) Multi-zone planar heater assembly and method of operation
JP2008509553A (ja) 基板温度プロファイル制御のための方法およびシステム
US6353209B1 (en) Temperature processing module
KR100481113B1 (ko) 웨이퍼 가열장치 및 그의 제어방법
CN107452655B (zh) 晶片保持器和温度调节装置和制造晶片的方法
JP2002353110A (ja) 加熱処理装置
TWI406348B (zh) 基於改善基板內之製程均勻性目的之動態溫度背側氣體控制
JP5199531B2 (ja) 層の厚さを制御するための方法および装置
JP4288110B2 (ja) 半導体製造装置
JPH08293460A (ja) 薬液塗布装置
JPH11168056A (ja) ウェハ保持装置
KR100258980B1 (ko) 히터 블록 및 그 온도 제어방법
TW201947692A (zh) 具有加熱機制之晶圓座及包含該晶圓座的反應腔體
JPH06151322A (ja) 薄膜製造装置用加熱装置
TW202036199A (zh) 可控制溫度的處理腔室,電子裝置處理系統,及製造方法
JP3195678B2 (ja) エネルギー線加熱装置
JPH0997765A (ja) 基板処理装置
JP2001013014A (ja) 非接触式温度計の較正方法
JP3266844B2 (ja) 熱処理装置
JP2000021889A (ja) 加熱体の支持構造
KR20200064278A (ko) 멀티존 히터가 구비된 정전척
JP2975140B2 (ja) 回転処理装置
JPH11354528A (ja) ウェーハ加熱用ヒータ