JPH0382113A - レジスト処理装置 - Google Patents

レジスト処理装置

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Publication number
JPH0382113A
JPH0382113A JP21745489A JP21745489A JPH0382113A JP H0382113 A JPH0382113 A JP H0382113A JP 21745489 A JP21745489 A JP 21745489A JP 21745489 A JP21745489 A JP 21745489A JP H0382113 A JPH0382113 A JP H0382113A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
resist
film
heating surface
spin chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21745489A
Other languages
English (en)
Inventor
Kimiharu Matsumura
松村 公治
Hiroyuki Sakai
宏之 境
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Kyushu Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP21745489A priority Critical patent/JPH0382113A/ja
Publication of JPH0382113A publication Critical patent/JPH0382113A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の目的 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウェハのレジスト処理装置に関するも
のである。
(従来の技術) 半導体ウェハ(以降ウェハと略記する)の製造工程にお
けるレジスト塗布方法には、一般に、スピンコーティン
グ方式が多く採用されている。この方式は、スピンカッ
プ内の中央にスピンチャックを回転可能に設け、このス
ピンチャック上に設けられた例えば吸着固定されたウェ
ハ上にウェハと対向した位置に配置したノズルよりレジ
ストを滴下し、回転されるスピンチャックの遠心力によ
リウエハ上に塗布膜を形成する方式である。
ところで、上記のレヅス・ト塗布工程の後に、ウオーキ
ングビーム等の搬送装置によりウェハをベーキング工程
に搬入して、露光前に加熱処理を施してレジスト中の溶
媒を除去するようにしている。
また、露光及び現像工程後にウェハを加熱処理を施すベ
ーキング工程に搬入する場合にも搬送機構を介してウェ
ハを搬入するようにしている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記の従来例によると、レジスト処理工
程において、レジスト塗布装置からベーキング装置にウ
ェハを搬送する場合、或は現像装置からベーキング装置
にウェハを搬送する場合には、ウーキングアーム等の搬
送装置により前工程から後工程ヘウエハを搬出及び搬入
するようにしているため、ウェハと搬送装置とがみだり
に接触してパーティクル発生の要因となる共に、それぞ
れ別個の装置を必要とするので、コンパクト化の要請に
も課題を有していた。
本発明は、上記した従来の課題を解決するために開発し
たもので、レジスト塗布工程とベーキング工程を同一ユ
ニットで行なうことによって、ウェハの搬送回数を減少
させることによってウェハの接触回数を減らせてパーテ
ィクルの発生を極力抑制すると共に、コンパクト化の要
請に対応することを目的としたものである。
東豐夏豊曳 (課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するため1本発明は、スピンカップ内
に設けた回転可能なスピンチャック上にウェハを設け、
このウェハ上に塗布物を滴下して塗布する塗布装置にお
いて、上記スピンチャックを加熱面とすると共に、この
加熱面を少なくともウェハの径と同一径或いはウェハの
径より大きくしたレジスト処理装置である。
また、加熱面は、膜状発熱体をスピンチャフの上面に設
けるのが好ましい。
(作 用) 本発明は、上述のように構成したから、スピンカップ内
のスピンチャック上にウェハを吸着固定し、次いで、ウ
ェハ上の中心部にノズルからレジストを滴下すると、ウ
ェハの回転による遠心力によってレジストが拡散してウ
ェハの全域に施されレジスト膜が形成される。
次いで、上記の状態において、次工程のベーキング工程
に移る場合、先ず、膜状発熱体に電源装置を介して電流
を流すと、均一熱処理ができるので、レジスト膜の溶媒
を除去して固化させることができる。また、搬送工程を
1回減らすことができるので、搬送によるウェハの接触
回数も減少するので、パーティクル発生の要因を減らす
ことができる。
この場合、加熱面を少なくともウェハの径と同一径或い
はウェハの径より大きくし形成し、膜状発熱体をスピン
チャフの上面に設けて加熱面としたので、加熱特性の優
れた均一熱処理ができ、ベーキングを効率的に行なうこ
とができる。
なお、現像工程の後に行なうベーキング工程においても
上記と同様に同一のユニット内で処理することができ、
搬送工程を減らし、コンパクト化に寄与することができ
る。
(実施例) 以下に、本発明をレジスト処理装置に適用した一実施例
を図面を用いて説明する。
図面において、スピンカップ1内には、図示しない回転
モータにより同図の矢印のように回転するスピンチャッ
ク2を設け、このスピンチャック2上に被塗布物である
ウェハ3を真空吸引路4を介して真空吸着して固定する
スピンチャック2の上方には、ノズル5が垂下されてお
り、このノズル5の先端から塗布物としてのレジストを
ウェハ3から滴下するためのものであり、図示しない溶
液源からパイプを介して供給される。レジストには、レ
ジスト成分に溶媒を混入させて、レジストの粘性を保持
させると共に、溶媒の揮発性によってレジスト膜3aを
固化させる機能を有している。
スピンチャック2の上面に形成した加熱面を少なくとも
ウェハ3の径と同一径或いはウェハ3の径より大きくし
形成し、この加熱面6として膜状発熱体を用い、膜状発
熱体をスピンチャフの上面に設けて加熱面6とすること
により、加熱特性の優れた均一熱処理ができ、ベーキン
グを効率的に行なうことができるようにしている。
上記した膜状発熱体は、本例において、熱源である導電
性薄膜7をアルミナ等のセラミックスからなる電気絶縁
性及び熱伝導性を有する部材で形成された発熱板8の下
面にクロム膜等を蒸着等の手段で被着させる。更に、導
電性薄膜7の両端部に図示しない銅製の電極が帯状に形
成され、電極には、それぞれ電源装置12が接続され、
この電源装[12から電極を介して導電性薄膜7に給電
し、これを発熱させて1発熱板8を加熱するようにして
いる、導電性薄膜7の下面には断熱材9が設けられ、更
に、導電性薄膜7に接触させた温度計10の検出端子の
検出信号を温度制御装置1i11に供給し、そして、温
度制御装置11の制御信号により電源装置12の駆動を
制御して導電性薄膜7に供給する電力を所定値に設定し
、これによって発熱板8の表面温度を所定値に設定する
ようにしている。
次に、上記実施例の作用を説明する。
スピンカップ1内のスピンチャック2上にウェハ3を吸
着固定し、次いで、ウェハ3上の中心部にノズル5から
レジストを滴下すると、ウェハ3の回転による遠心力に
よってレジストが拡散してウェハ3の全域に施されレジ
スト膜3aが形成される。
次に、上記の状態において、次工程のベーキング工程に
移る場合、先ず、加熱面(膜状発熱体)6に電源装置1
2を介して電流を流すと、均一熱処理ができるので、レ
ジスト膜3aの溶媒を除去して固化させることができる
。また、レジスト塗布工程とプリベーキング工程を同一
のユニットで行なうようにしたので、搬送工程を1回減
らすことができ、搬送によるウェハ3の機械的な接触回
数も減少するので、パーティクル発生の要因を減らすこ
とができる。
この場合、加熱面6を少なくともウェハ3の径と同一径
或いはウェハ3の径より大きくし形威し、しかも膜状発
熱体6をスピンチャフ2の上面に設けて加熱面としたの
で、加熱特性の優れた均一熱処理ができ、ベーキングを
効率的に行なうことができるとともに、ユニットをコン
パクトに形成することができる。
また、同一ユニットにおいて、あるウェハに対するベー
キング工程の後に次のウェハに対してレジスト塗布工程
を行なうこととなるため、スピンチャック2に冷却コイ
ル(図示せず)を埋設するなどによってスピンチャック
2の加熱面6を強制的に冷却する機構を設け、加熱面の
ベーキング温度から常温までの冷却時間を短縮すれば、
効率の高い処理が可能となる。更に、本発明を利用して
塗布工程において加熱面の温調を行なったところ、ウェ
ハ面内の温度分布の均一性向上ひいては塗布膜厚の均一
性向上にも著しい効果が認められた。
上記の例は、レジスト塗布工程とベーキング工程の例に
ついて説明したが、その他、現像工程と次工程であるベ
ーキング工程の場合にも適用することができることは勿
論である。
発明の効果 以上のことから明らかなように1本発明によると、次の
ような有用な効果がある。
レジスト塗布工程とベーキング工程を或は現像工程とベ
ーキング工程を同一ユニットで行なうことができるため
、ウェハの搬送回数を減少させることが可能となり、そ
の結果、ウェハの接触回数を減らせてパーティクルの発
生を極力抑制することができると共に、ユニットのコン
パクト化の要請にも対応することができる等の効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明におけるレジスト処理装置の一実施例
を示した説明図である。 1・・・・スピンカップ 2・・・・スピンチャック 3・・・・ウェハ 6・・・・加熱面 (膜状発熱体) 特 許 出 願 人 東京エレクトロン株式会社 特 許 出 願 人 ア ル 九 州 株 式

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)スピンカップ内に設けた回転可能なスピンチャッ
    ク上にウエハを設け、このウエハ上に塗布物を滴下して
    塗布する塗布装置において、上記スピンチャックを加熱
    面とすると共に、加熱面を少なくともウエハの径と同一
    径或いはウエハの径より大きくしたことを特徴とするレ
    ジスト処理装置。
  2. (2)加熱面は、膜状発熱体である請求項1記載のレジ
    スト処理装置。
JP21745489A 1989-08-25 1989-08-25 レジスト処理装置 Pending JPH0382113A (ja)

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JP21745489A JPH0382113A (ja) 1989-08-25 1989-08-25 レジスト処理装置

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JPH0382113A true JPH0382113A (ja) 1991-04-08

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001113214A (ja) * 1999-10-19 2001-04-24 Casio Comput Co Ltd 薄膜の形成方法、及び形成装置
JP2005148769A (ja) * 2005-02-14 2005-06-09 Myst:Kk 表示具及びその取り付け方法
JP2007229840A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Mitsubishi Heavy Ind Ltd スプラインブローチ

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