JPH04104158A - フォトレジスト膜形成方法 - Google Patents
フォトレジスト膜形成方法Info
- Publication number
- JPH04104158A JPH04104158A JP22155290A JP22155290A JPH04104158A JP H04104158 A JPH04104158 A JP H04104158A JP 22155290 A JP22155290 A JP 22155290A JP 22155290 A JP22155290 A JP 22155290A JP H04104158 A JPH04104158 A JP H04104158A
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- Japan
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- photoresist
- solvent
- photoresist film
- wafer
- cup
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路製造方法におけるフォトレジ
スト膜形成方法に関する。
スト膜形成方法に関する。
従来、この種のフォトレジスト膜形成方法は、半導体基
板（以下、ウェーハとよぶ）にフォトレジスト液を滴下
し、ウェーハを高速回転させ、ウェーハ面に−様なフォ
トレジスト膜を形成し、その遠心力により膜の均一化を
図っていた。また、このウェーハが回転するとき、ウェ
ーハの周囲の雰囲気については、加湿器で水蒸気雰囲気
にするかあるいは何も制御を行なわなかった。
板（以下、ウェーハとよぶ）にフォトレジスト液を滴下
し、ウェーハを高速回転させ、ウェーハ面に−様なフォ
トレジスト膜を形成し、その遠心力により膜の均一化を
図っていた。また、このウェーハが回転するとき、ウェ
ーハの周囲の雰囲気については、加湿器で水蒸気雰囲気
にするかあるいは何も制御を行なわなかった。
上述した従来のフォトレジスト膜形成方法は、ウェーハ
にフォトレジストを滴下し、ウェーハを回転処理するカ
ップ室内を水蒸気雰囲気にするか、もしくは雰囲気制御
することなしに、ウェーハにフォトレジストを滴下し、
ウェーハを回転させ、フォトレジスト膜を形成する方法
となっているため、ウェーハ上に形成されつつあるフォ
トレジスト膜から揮発する溶剤の量が制御されない。
にフォトレジストを滴下し、ウェーハを回転処理するカ
ップ室内を水蒸気雰囲気にするか、もしくは雰囲気制御
することなしに、ウェーハにフォトレジストを滴下し、
ウェーハを回転させ、フォトレジスト膜を形成する方法
となっているため、ウェーハ上に形成されつつあるフォ
トレジスト膜から揮発する溶剤の量が制御されない。
そのため、通常のノボラック系ポジ型フォトレジストを
用いて、フォトレジスト膜を形成した場合、フォトレジ
スト膜内部から揮発する溶剤の量がウェーハ面内で異な
るため、溶剤の蒸発量が異なり、フォトレジスト膜厚の
ウェーハ面内均一性が低下し、その結果、露光、現像形
成されるフオトレジストパターンの寸法均一性が低下す
るという欠点がある。特に、微細パターン形成に対して
は、このようなフォトレジスト膜厚の不均一性に起因す
るフォトレジストパターンのウェーハ面内平均−性は致
命的である。
用いて、フォトレジスト膜を形成した場合、フォトレジ
スト膜内部から揮発する溶剤の量がウェーハ面内で異な
るため、溶剤の蒸発量が異なり、フォトレジスト膜厚の
ウェーハ面内均一性が低下し、その結果、露光、現像形
成されるフオトレジストパターンの寸法均一性が低下す
るという欠点がある。特に、微細パターン形成に対して
は、このようなフォトレジスト膜厚の不均一性に起因す
るフォトレジストパターンのウェーハ面内平均−性は致
命的である。
本発明の目的は、かかる欠点を解消し均一なフォトレジ
スト膜が形成されるフォトレジスト膜形成方法を提供す
ることである。
スト膜が形成されるフォトレジスト膜形成方法を提供す
ることである。
本発明のフォトレジスト膜形成方法は、フォトレジスト
を半導体基板に滴下し、その半導体基板をカップ内で回
転させフォトレジスト膜を形成する方法において、その
カップ室内を前記フォトレジストの溶剤雰囲気にするこ
とを特徴としている。
を半導体基板に滴下し、その半導体基板をカップ内で回
転させフォトレジスト膜を形成する方法において、その
カップ室内を前記フォトレジストの溶剤雰囲気にするこ
とを特徴としている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例のフォトレジスト膜形成方法
を説明するためのレジスト膜塗布装置の模式断面図であ
る６第１図において、カップ１０７内のウェーハ１０１
はスピンモーター１０３によって回転し、フォトレジス
トノズル１０２よりフォトレジスト液が滴下される。ま
た、溶剤１１１とそれを熱するヒーター１１０からなる
加湿器１０９がファン１０８を介してカップ室１０６に
接続されている。加湿器１０９内のヒーター１１０によ
り熱せられた溶剤１１１の蒸気がファン１０８によって
カップ室１０７に供給され、カップ室１０７内は溶剤雰
囲気に保たれる。
を説明するためのレジスト膜塗布装置の模式断面図であ
る６第１図において、カップ１０７内のウェーハ１０１
はスピンモーター１０３によって回転し、フォトレジス
トノズル１０２よりフォトレジスト液が滴下される。ま
た、溶剤１１１とそれを熱するヒーター１１０からなる
加湿器１０９がファン１０８を介してカップ室１０６に
接続されている。加湿器１０９内のヒーター１１０によ
り熱せられた溶剤１１１の蒸気がファン１０８によって
カップ室１０７に供給され、カップ室１０７内は溶剤雰
囲気に保たれる。
上記方法により、フォトレジストが滴下され、回転して
いるウェーハ上に形成されつつあるフォトレジスト膜か
ら揮発する溶剤の量を制御でき、フォトレジスト膜内部
から揮発する溶剤の量がウェーハ面内で異なるというこ
とはなくなり、フォトレジスト膜厚のウェーハ面内均一
性が低下することも防止できる。その結果、露光、現像
後形成されるフォトレジストパターンの寸法均一性は向
上し、再現性よくフォトレジストパターンを形成するこ
とができる。
いるウェーハ上に形成されつつあるフォトレジスト膜か
ら揮発する溶剤の量を制御でき、フォトレジスト膜内部
から揮発する溶剤の量がウェーハ面内で異なるというこ
とはなくなり、フォトレジスト膜厚のウェーハ面内均一
性が低下することも防止できる。その結果、露光、現像
後形成されるフォトレジストパターンの寸法均一性は向
上し、再現性よくフォトレジストパターンを形成するこ
とができる。
第２図は本発明の他の実施例のフォトレジスト膜形成方
法を説明するためのレジスト膜塗布装置の断面図である
。このフォトレジスト膜形成方法は、その使用する装置
に、第２図に示すように溶剤雰囲気を感知するセンサー
２１２がカップ室２０１の上部に設置されており、その
センサー２１２は制御部２１３を介して加湿器２０９に
電気的に接続されている。すなわち、前述の実施例で使
用したレジスト膜塗布装置に、溶剤の蒸発量を検知する
センサー２１２と、このセンサー２１２の信号によりヒ
ーター２１０を制御し、溶剤の蒸気量を一定値にする制
御部２１３とを設けたことである。
法を説明するためのレジスト膜塗布装置の断面図である
。このフォトレジスト膜形成方法は、その使用する装置
に、第２図に示すように溶剤雰囲気を感知するセンサー
２１２がカップ室２０１の上部に設置されており、その
センサー２１２は制御部２１３を介して加湿器２０９に
電気的に接続されている。すなわち、前述の実施例で使
用したレジスト膜塗布装置に、溶剤の蒸発量を検知する
センサー２１２と、このセンサー２１２の信号によりヒ
ーター２１０を制御し、溶剤の蒸気量を一定値にする制
御部２１３とを設けたことである。
上記方法では、センサー２１２によりカップ室２０６内
の溶剤雰囲気を常時感知し、制御部２１３によりヒータ
ー２１０を制御し、熱せされる溶剤２１１の蒸気の量を
制御できるため、その結果カップ室２０６内の溶剤雰囲
気をより正確に制御することができる利点がある。
の溶剤雰囲気を常時感知し、制御部２１３によりヒータ
ー２１０を制御し、熱せされる溶剤２１１の蒸気の量を
制御できるため、その結果カップ室２０６内の溶剤雰囲
気をより正確に制御することができる利点がある。
以上説明したように本発明は、ウェーハにフォトレジス
トを滴下し、ウェーハを回転処理するカップ室内を、フ
ォトレジスト剤に含まれるＭＥＫ（メチルエチルケトン
）、ＥＣＡ（エチルセロソルブアステート）等の溶剤雰
囲気にさせることによって、フォトレジストが滴下され
回転しているウェーハ上に形成されつつあるフォトレジ
スト膜から揮発する溶剤の量を制御できる方法となって
いる。その結果、フォトレジストが滴下され回転してい
るウェーハ上に形成されつつあるフォトレジスト膜から
揮発する溶剤の量を制御でき、フォトレジスト膜内部か
ら揮発する溶剤の量がウェーハ面内で異なるということ
はなくなり、フォトレジスト膜厚のウェーハ面内均一性
が向上するため、露光、現像形成されるフォトレジスト
パターンの寸法均一性は著しく向上する７オトレジスト
膜形成方法が得られるという効果がある。
トを滴下し、ウェーハを回転処理するカップ室内を、フ
ォトレジスト剤に含まれるＭＥＫ（メチルエチルケトン
）、ＥＣＡ（エチルセロソルブアステート）等の溶剤雰
囲気にさせることによって、フォトレジストが滴下され
回転しているウェーハ上に形成されつつあるフォトレジ
スト膜から揮発する溶剤の量を制御できる方法となって
いる。その結果、フォトレジストが滴下され回転してい
るウェーハ上に形成されつつあるフォトレジスト膜から
揮発する溶剤の量を制御でき、フォトレジスト膜内部か
ら揮発する溶剤の量がウェーハ面内で異なるということ
はなくなり、フォトレジスト膜厚のウェーハ面内均一性
が向上するため、露光、現像形成されるフォトレジスト
パターンの寸法均一性は著しく向上する７オトレジスト
膜形成方法が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のフォトレジスト膜形成方法
を説明するためのレジスト膜塗布装置の模式断面図、第
２図は本発明の他の実施例のフォトレジスト膜形成方法
を説明するためのレジスト膜塗布装置の模式断面図であ
る。 １０１．２０１・・・ウェーハ、１０２，２０２・・・
フォトレジスト膜ズｌし、１０３，２０３・・・スピン
モーター、１０４，２０４・・・排液孔、１０５゜２０
５・・・排気孔、１０６．２０６・・・カップ室、１０
７．２０７・・・カップ、１０８，２０８・・・ファン
、１０９，２０９・・・加湿器、１１０，２１０・・・
ヒーター、１１１，２１１・・・溶剤、２１２・・・セ
ンサー、２１３・・・制御部。
を説明するためのレジスト膜塗布装置の模式断面図、第
２図は本発明の他の実施例のフォトレジスト膜形成方法
を説明するためのレジスト膜塗布装置の模式断面図であ
る。 １０１．２０１・・・ウェーハ、１０２，２０２・・・
フォトレジスト膜ズｌし、１０３，２０３・・・スピン
モーター、１０４，２０４・・・排液孔、１０５゜２０
５・・・排気孔、１０６．２０６・・・カップ室、１０
７．２０７・・・カップ、１０８，２０８・・・ファン
、１０９，２０９・・・加湿器、１１０，２１０・・・
ヒーター、１１１，２１１・・・溶剤、２１２・・・セ
ンサー、２１３・・・制御部。
Claims (1)
- フォトレジストを半導体基板に滴下し、その半導体基
板をカップ内で回転させフォトレジスト膜を形成する方
法において、そのカップ室内を前記フォトレジストの溶
剤雰囲気にすることを特徴とするフォトレジスト膜形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22155290A JPH04104158A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | フォトレジスト膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22155290A JPH04104158A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | フォトレジスト膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04104158A true JPH04104158A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16768510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22155290A Pending JPH04104158A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | フォトレジスト膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04104158A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
-
1990
- 1990-08-23 JP JP22155290A patent/JPH04104158A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
| KR100370728B1 (ko) * | 1994-10-27 | 2003-04-07 | 실리콘 밸리 그룹, 인크. | 기판을균일하게코팅하는방법및장치 |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
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