JPH08194316A - フォトレジストの塗布方法 - Google Patents
フォトレジストの塗布方法Info
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- JPH08194316A JPH08194316A JP2345895A JP2345895A JPH08194316A JP H08194316 A JPH08194316 A JP H08194316A JP 2345895 A JP2345895 A JP 2345895A JP 2345895 A JP2345895 A JP 2345895A JP H08194316 A JPH08194316 A JP H08194316A
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- Japan
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- photoresist
- photoresist film
- substrate
- film
- film thickness
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一な膜厚のフォトレジスト膜を塗布する。
【構成】 スピンナの回転台Ｍに基板１を載置して液状
のフォトレジスト２を滴下し、回転台Ｍを回転させてフ
ォトレジスト膜２ａを形成させる。このようにしてフォ
トレジスト膜２ａを塗布した基板１を減圧チャンバＣに
搬入し、フォトレジストの溶媒が気化してフォトレジス
ト膜２ａが流動性を失うまで所定の真空度で乾燥させた
のち、ポストベークを行なう。ポストベーク中にフォト
レジスト膜２ａの外周部の盛り上がり部分等が拡散する
ことなく、広い範囲で均一な膜厚を有するフォトレジス
ト膜を得ることができる。
のフォトレジスト２を滴下し、回転台Ｍを回転させてフ
ォトレジスト膜２ａを形成させる。このようにしてフォ
トレジスト膜２ａを塗布した基板１を減圧チャンバＣに
搬入し、フォトレジストの溶媒が気化してフォトレジス
ト膜２ａが流動性を失うまで所定の真空度で乾燥させた
のち、ポストベークを行なう。ポストベーク中にフォト
レジスト膜２ａの外周部の盛り上がり部分等が拡散する
ことなく、広い範囲で均一な膜厚を有するフォトレジス
ト膜を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造のためのフ
ォトリソグラフィ等に用いられるフォトレジストの塗布
方法に関するものである。
ォトリソグラフィ等に用いられるフォトレジストの塗布
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造のためのフォトリソグラフィ
等は、所定の厚さに塗布されたフォトレジストにフォト
マスクを重ねて露光し、フォトマスクのパターンを転写
するパターニング工程を有する。これは以下の手順で行
なわれる。
等は、所定の厚さに塗布されたフォトレジストにフォト
マスクを重ねて露光し、フォトマスクのパターンを転写
するパターニング工程を有する。これは以下の手順で行
なわれる。
【０００３】（１） フォトレジスト塗布：スピンナや
ロールコータ等を用いて基板にフォトレジストを塗布す
る。
ロールコータ等を用いて基板にフォトレジストを塗布す
る。
【０００４】（２） プリベーク：塗布されたフォトレ
ジスト膜を加熱、乾燥させる。
ジスト膜を加熱、乾燥させる。
【０００５】（３） 露光：フォトレジスト膜にフォト
マスクを重ねて露光し、フォトマスクのパターンを焼き
付ける。
マスクを重ねて露光し、フォトマスクのパターンを焼き
付ける。
【０００６】（４） 現像：露光されたフォトレジスト
膜を現像液に浸して潜像を顕像化し、フォトレジストの
パターンを得る。必要であれば、現像後に加熱乾燥処理
（ポストベーク）を行なう。
膜を現像液に浸して潜像を顕像化し、フォトレジストの
パターンを得る。必要であれば、現像後に加熱乾燥処理
（ポストベーク）を行なう。
【０００７】このようなフォトリソグラフィにおいて
は、まず、基板に塗布されたフォトレジスト膜の膜厚が
基板表面全体で均一であり、フォトレジスト膜の表面に
凹凸のないことが重要である。
は、まず、基板に塗布されたフォトレジスト膜の膜厚が
基板表面全体で均一であり、フォトレジスト膜の表面に
凹凸のないことが重要である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、図２の（ａ）に示すように、基板１０
１の外周縁１０１ａの近傍で、基板１０１の表面に塗布
された液状のフォトレジスト膜１０２の膜厚が（ｂ）に
示すように表面張力等のために局部的に盛り上がり、ひ
き続きポストベーク処理のために加熱乾燥させると、
（ｃ）に示すようにフォトレジスト膜１０２の盛り上が
った部分が基板１０１の中心部に向かって移動し、フォ
トレジスト膜１０２の膜厚が広範囲にわたって不均一と
なる。
の技術によれば、図２の（ａ）に示すように、基板１０
１の外周縁１０１ａの近傍で、基板１０１の表面に塗布
された液状のフォトレジスト膜１０２の膜厚が（ｂ）に
示すように表面張力等のために局部的に盛り上がり、ひ
き続きポストベーク処理のために加熱乾燥させると、
（ｃ）に示すようにフォトレジスト膜１０２の盛り上が
った部分が基板１０１の中心部に向かって移動し、フォ
トレジスト膜１０２の膜厚が広範囲にわたって不均一と
なる。
【０００９】すなわち、スピンナで塗布した直後はフォ
トレジスト膜の膜厚がほぼ均一であっても、ポストベー
ク処理を行なう間あるいはポストベーク処理後にフォト
レジスト膜の乾燥が進むと、スピンナで塗布した直後は
基板の外周縁の狭い部分に限られていた膜厚不均一部が
次第にフォトレジスト膜の中央に拡散するため、広い範
囲で均一な膜厚のフォトレジスト膜を得るのが極めて困
難である。
トレジスト膜の膜厚がほぼ均一であっても、ポストベー
ク処理を行なう間あるいはポストベーク処理後にフォト
レジスト膜の乾燥が進むと、スピンナで塗布した直後は
基板の外周縁の狭い部分に限られていた膜厚不均一部が
次第にフォトレジスト膜の中央に拡散するため、広い範
囲で均一な膜厚のフォトレジスト膜を得るのが極めて困
難である。
【００１０】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであり、フォトレジスト塗布直後
の膜厚不均一部が拡散するのを防いで均一な膜厚のフォ
トレジスト膜を得ることができるフォトレジストの塗布
方法を提供することを目的とするものである。
に鑑みてなされたものであり、フォトレジスト塗布直後
の膜厚不均一部が拡散するのを防いで均一な膜厚のフォ
トレジスト膜を得ることができるフォトレジストの塗布
方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のフォトレジストの塗布方法は、液状のフォ
トレジストを基板に塗布してフォトレジスト膜を得る工
程と、得られたフォトレジスト膜を減圧雰囲気のもとに
所定時間乾燥させる工程を有することを特徴とする。
め、本発明のフォトレジストの塗布方法は、液状のフォ
トレジストを基板に塗布してフォトレジスト膜を得る工
程と、得られたフォトレジスト膜を減圧雰囲気のもとに
所定時間乾燥させる工程を有することを特徴とする。
【００１２】減圧雰囲気の圧力が１０-2Ｔｏｒｒ以上で
あるとよい。
あるとよい。
【００１３】また、減圧雰囲気の圧力を徐々に所定の値
まで低減するとよい。
まで低減するとよい。
【００１４】また、減圧雰囲気内にその流動を制御する
ための気流調整手段を設けるとよい。
ための気流調整手段を設けるとよい。
【００１５】
【作用】液状のフォトレジストを基板に塗布した後に、
直ちにこれを減圧室へ搬入し、減圧雰囲気のもとに所定
時間乾燥させてフォトレジスト膜の溶媒を気化させる。
これによってフォトレジスト膜が流動性を失うため、ポ
ストベークのための加熱乾燥処理中あるいはその後にフ
ォトレジスト膜の乾燥が進行しても、フォトレジスト膜
の外周部等の膜厚不均一部が拡散するおそれはない。
直ちにこれを減圧室へ搬入し、減圧雰囲気のもとに所定
時間乾燥させてフォトレジスト膜の溶媒を気化させる。
これによってフォトレジスト膜が流動性を失うため、ポ
ストベークのための加熱乾燥処理中あるいはその後にフ
ォトレジスト膜の乾燥が進行しても、フォトレジスト膜
の外周部等の膜厚不均一部が拡散するおそれはない。
【００１６】その結果、広い範囲で均一な膜厚を有する
フォトレジスト膜を得ることができる。
フォトレジスト膜を得ることができる。
【００１７】フォトレジストの変質等を防ぐために、減
圧雰囲気の圧力が１０-2Ｔｏｒｒ以上であるのが望まし
い。
圧雰囲気の圧力が１０-2Ｔｏｒｒ以上であるのが望まし
い。
【００１８】また、フォトレジスト膜の表面が荒れるの
を防ぐために、減圧雰囲気の圧力を徐々に所定の値まで
低減するのが望ましい。
を防ぐために、減圧雰囲気の圧力を徐々に所定の値まで
低減するのが望ましい。
【００１９】さらに、気流によってフォトレジスト膜の
表面が荒れたり膜厚が不均一になるのを防ぐために気流
調整手段を設けるのが望ましい。
表面が荒れたり膜厚が不均一になるのを防ぐために気流
調整手段を設けるのが望ましい。
【００２０】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００２１】図１は一実施例によるフォトレジストの塗
布方法を説明するもので、まず、（ａ）に示すように、
公知のスピンナ（回転塗布装置）の回転台Ｍ上にＳｉ−
ウエハ等の基板１を載置し、その上に液状のフォトレジ
スト２を滴下する。滴下するフォトレジストの量は基板
１の面積の１／３〜１／２程度が適量であることが経験
上判明している。
布方法を説明するもので、まず、（ａ）に示すように、
公知のスピンナ（回転塗布装置）の回転台Ｍ上にＳｉ−
ウエハ等の基板１を載置し、その上に液状のフォトレジ
スト２を滴下する。滴下するフォトレジストの量は基板
１の面積の１／３〜１／２程度が適量であることが経験
上判明している。
【００２２】次に、（ｂ）に示すように、回転台Ｍを回
転させてフォトレジスト２を基板１上で所定の膜厚に拡
散させ、余分なフォトレジストを飛散させてフォトレジ
スト膜２ａを得る。このようにしてフォトレジスト膜２
ａを塗布した基板１を（ｃ）に示すように減圧チャンバ
Ｃ内へ搬入し、排気弁Ｖ1 を開き真空ポンプＰによって
減圧チャンバＣを排気して所定の減圧雰囲気を所定時間
維持し、フォトレジスト２の溶媒が揮発して基板１上の
フォトレジスト膜２ａが流動性を失うまで乾燥させる。
転させてフォトレジスト２を基板１上で所定の膜厚に拡
散させ、余分なフォトレジストを飛散させてフォトレジ
スト膜２ａを得る。このようにしてフォトレジスト膜２
ａを塗布した基板１を（ｃ）に示すように減圧チャンバ
Ｃ内へ搬入し、排気弁Ｖ1 を開き真空ポンプＰによって
減圧チャンバＣを排気して所定の減圧雰囲気を所定時間
維持し、フォトレジスト２の溶媒が揮発して基板１上の
フォトレジスト膜２ａが流動性を失うまで乾燥させる。
【００２３】このときの減圧チャンバＣの真空度と排気
時間はフォトレジストの材料物性や膜厚によって適宜選
定されるものであるが、一般的に減圧チャンバＣ内は７
６０ｍｍＨｇから１０-2Ｔｏｒｒの範囲内の減圧状態で
あるのが望ましい。また、減圧チャンバＣの圧力を急激
に低下させるとフォトレジスト膜２ａの表面が荒れるお
それがあるため、徐々に目標値まで減圧するのが望まれ
る。
時間はフォトレジストの材料物性や膜厚によって適宜選
定されるものであるが、一般的に減圧チャンバＣ内は７
６０ｍｍＨｇから１０-2Ｔｏｒｒの範囲内の減圧状態で
あるのが望ましい。また、減圧チャンバＣの圧力を急激
に低下させるとフォトレジスト膜２ａの表面が荒れるお
それがあるため、徐々に目標値まで減圧するのが望まれ
る。
【００２４】フォトレジストの溶媒の揮発性が高い場合
やフォトレジスト膜２ａの膜厚が薄いときは減圧チャン
バＣの真空度を高くする必要はない。また、排気時間も
短くてすむ。フォトレジスト膜２ａの溶媒の揮発性が低
く膜厚が比較的厚いときは減圧チャンバＣの真空度を高
くすることで排気時間を短縮することもできる。ただ
し、真空度があまり高いとフォトレジストの材料特性を
変化させるおそれがあるため、前述のように７６０ｍｍ
Ｈｇから１０-2Ｔｏｒｒの範囲内の減圧状態に制御して
排気時間を長くすることで対応するとよい。
やフォトレジスト膜２ａの膜厚が薄いときは減圧チャン
バＣの真空度を高くする必要はない。また、排気時間も
短くてすむ。フォトレジスト膜２ａの溶媒の揮発性が低
く膜厚が比較的厚いときは減圧チャンバＣの真空度を高
くすることで排気時間を短縮することもできる。ただ
し、真空度があまり高いとフォトレジストの材料特性を
変化させるおそれがあるため、前述のように７６０ｍｍ
Ｈｇから１０-2Ｔｏｒｒの範囲内の減圧状態に制御して
排気時間を長くすることで対応するとよい。
【００２５】例えば、フォトレジストの溶媒がＥＣＡ
（エチルセルソルブアセテート）またはジグライムで膜
厚が４０μｍであるときは、１Ｔｏｒｒの真空度で３分
間排気すれば充分である。フォトレジスト膜２ａが上記
の乾燥状態に到達したら開閉弁Ｖ2 を開いて減圧チャン
バＣを大気開放し、基板１を搬出する。
（エチルセルソルブアセテート）またはジグライムで膜
厚が４０μｍであるときは、１Ｔｏｒｒの真空度で３分
間排気すれば充分である。フォトレジスト膜２ａが上記
の乾燥状態に到達したら開閉弁Ｖ2 を開いて減圧チャン
バＣを大気開放し、基板１を搬出する。
【００２６】なお、減圧チャンバＣを真空ポンプＰによ
って排気するときに減圧チャンバＣの排気口に向かって
強い気流が発生し、これによってフォトレジスト膜２ａ
が流動して膜厚が偏るおそれがある。そこで、減圧チャ
ンバＣ内の基板１を気流調整手段である気流調整板Ｂ上
に載置し、減圧チャンバＣの排気中の気流を矢印Ｄで示
すように気流調整板Ｂの外周縁に向かって分散させるこ
とで、減圧チャンバＣ内に局部的な強い気流が発生する
のを防ぐのが望ましい。
って排気するときに減圧チャンバＣの排気口に向かって
強い気流が発生し、これによってフォトレジスト膜２ａ
が流動して膜厚が偏るおそれがある。そこで、減圧チャ
ンバＣ内の基板１を気流調整手段である気流調整板Ｂ上
に載置し、減圧チャンバＣの排気中の気流を矢印Ｄで示
すように気流調整板Ｂの外周縁に向かって分散させるこ
とで、減圧チャンバＣ内に局部的な強い気流が発生する
のを防ぐのが望ましい。
【００２７】このようにして基板１上のフォトレジスト
膜２ａを減圧チャンバＣ内で乾燥させた後、従来例と同
様に加熱乾燥処理（ポストベーク）を行なう。スピンナ
によって基板１に塗布された直後のフォトレジスト膜２
ａはその外周縁に従来例と同様の盛り上がり部を有する
が、減圧チャンバＣ内の乾燥処理によってフォトレジス
トの溶媒分が予め除去されているため、ポストベーク工
程で前記盛り上がり部が拡散するおそれはない。従っ
て、膜厚の不均一な部分の少ないフォトレジスト膜を得
ることができる。
膜２ａを減圧チャンバＣ内で乾燥させた後、従来例と同
様に加熱乾燥処理（ポストベーク）を行なう。スピンナ
によって基板１に塗布された直後のフォトレジスト膜２
ａはその外周縁に従来例と同様の盛り上がり部を有する
が、減圧チャンバＣ内の乾燥処理によってフォトレジス
トの溶媒分が予め除去されているため、ポストベーク工
程で前記盛り上がり部が拡散するおそれはない。従っ
て、膜厚の不均一な部分の少ないフォトレジスト膜を得
ることができる。
【００２８】本実施例においてはフォトレジストをスピ
ンナによって塗布する場合について説明したが、公知の
ロールコータ等を用いて塗布する場合でも同様に適用で
きる。
ンナによって塗布する場合について説明したが、公知の
ロールコータ等を用いて塗布する場合でも同様に適用で
きる。
【００２９】また、フォトレジストを塗布する工程と減
圧チャンバ内において乾燥させる工程を別にすることな
く、減圧チャンバ内において基板にフォトレジストを塗
布し、そのまま減圧チャンバを排気して乾燥させてもよ
い。いずれにしても、製品ごとの品質のバラつきを低減
するには、フォトレジストを塗布する工程と減圧チャン
バ内で乾燥する工程の間の時間（間隔）を一定にするの
が望ましい。
圧チャンバ内において乾燥させる工程を別にすることな
く、減圧チャンバ内において基板にフォトレジストを塗
布し、そのまま減圧チャンバを排気して乾燥させてもよ
い。いずれにしても、製品ごとの品質のバラつきを低減
するには、フォトレジストを塗布する工程と減圧チャン
バ内で乾燥する工程の間の時間（間隔）を一定にするの
が望ましい。
【００３０】このようにして得られたフォトレジスト膜
は、広い範囲で膜厚が均一であるために基板の利用面積
が広く、従って一枚の基板から多くの製品を製作でき
る。すなわち、半導体製品等の歩留まりの向上に大きく
貢献できる。
は、広い範囲で膜厚が均一であるために基板の利用面積
が広く、従って一枚の基板から多くの製品を製作でき
る。すなわち、半導体製品等の歩留まりの向上に大きく
貢献できる。
【００３１】さらに、フォトレジストを塗布したのちに
ポストベークのみを行なう場合に比べて、フォトレジス
ト膜をパターニングするときの解像度が向上し、より高
精度のパターンを得ることができるという利点もある。
ポストベークのみを行なう場合に比べて、フォトレジス
ト膜をパターニングするときの解像度が向上し、より高
精度のパターンを得ることができるという利点もある。
【００３２】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、次に記載するような効果を奏する。
で、次に記載するような効果を奏する。
【００３３】フォトレジスト塗布直後の膜厚不均一部が
拡散するのを防ぎ広い範囲で均一な膜厚を有するフォト
レジスト膜を得ることができる。その結果、基板の利用
面積が増加するため、半導体製品の歩留まりを大きく改
善できる。
拡散するのを防ぎ広い範囲で均一な膜厚を有するフォト
レジスト膜を得ることができる。その結果、基板の利用
面積が増加するため、半導体製品の歩留まりを大きく改
善できる。
【図１】一実施例によるフォトレジストの塗布方法を説
明する図である。
明する図である。
【図２】従来例によって塗布されたフォトレジスト膜を
説明するもので、（ａ）はその断面図、（ｂ）は（ａ）
の円Ａで囲んだ部分をポストベーク処理前の状態で示す
部分拡大断面図、（ｃ）は前記部分をポストベーク処理
後の状態で示す部分拡大断面図である。
説明するもので、（ａ）はその断面図、（ｂ）は（ａ）
の円Ａで囲んだ部分をポストベーク処理前の状態で示す
部分拡大断面図、（ｃ）は前記部分をポストベーク処理
後の状態で示す部分拡大断面図である。
Ｃ 減圧チャンバ １ 基板 ２ａ フォトレジスト膜
Claims (4)
- 【請求項１】 液状のフォトレジストを基板に塗布して
フォトレジスト膜を得る工程と、得られたフォトレジス
ト膜を減圧雰囲気のもとに所定時間乾燥させる工程を有
するフォトレジストの塗布方法。 - 【請求項２】 減圧雰囲気の圧力が１０-2Ｔｏｒｒ以上
であることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト
の塗布方法。 - 【請求項３】 減圧雰囲気の圧力を徐々に所定の値まで
低減することを特徴とする請求項１または２記載のフォ
トレジストの塗布方法。 - 【請求項４】 減圧雰囲気内にその流動を制御するため
の気流調整手段を設けることを特徴とする請求項１ない
し３いずれか１項記載のフォトレジストの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2345895A JPH08194316A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | フォトレジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2345895A JPH08194316A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | フォトレジストの塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08194316A true JPH08194316A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=12111073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2345895A Pending JPH08194316A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | フォトレジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08194316A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030043128A (ko) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 감광막 도포 방법 |
| KR100599927B1 (ko) * | 2004-03-20 | 2006-07-19 | 주식회사 피케이엘 | 포토마스크 제작용 레지스트 베이크 장치 |
| US7353623B2 (en) | 2004-12-24 | 2008-04-08 | Seiko Epson Corporation | Solvent removal apparatus and method |
| JP2008108838A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Shinka Jitsugyo Kk | ウエハへのレジスト形成方法 |
| US9105673B2 (en) * | 2007-05-09 | 2015-08-11 | Brooks Automation, Inc. | Side opening unified pod |
| EP3454122B1 (fr) | 2017-09-11 | 2020-02-19 | Patek Philippe SA Genève | Procede de fabrication par technologie liga d'une microstructure metallique comportant au moins deux niveaux |
-
1995
- 1995-01-18 JP JP2345895A patent/JPH08194316A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030043128A (ko) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 감광막 도포 방법 |
| KR100599927B1 (ko) * | 2004-03-20 | 2006-07-19 | 주식회사 피케이엘 | 포토마스크 제작용 레지스트 베이크 장치 |
| US7353623B2 (en) | 2004-12-24 | 2008-04-08 | Seiko Epson Corporation | Solvent removal apparatus and method |
| JP2008108838A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Shinka Jitsugyo Kk | ウエハへのレジスト形成方法 |
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| EP3454122B1 (fr) | 2017-09-11 | 2020-02-19 | Patek Philippe SA Genève | Procede de fabrication par technologie liga d'une microstructure metallique comportant au moins deux niveaux |
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