JPS6116522A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPS6116522A JPS6116522A JP59138318A JP13831884A JPS6116522A JP S6116522 A JPS6116522 A JP S6116522A JP 59138318 A JP59138318 A JP 59138318A JP 13831884 A JP13831884 A JP 13831884A JP S6116522 A JPS6116522 A JP S6116522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- slice
- film
- spinner
- box filled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
半導体産業において、リンゲラフィブロセスは微細化の
だめには非常に重要なプロセスになっそきている。なか
でも、最近、特に固体撮像素子のようにリソグラフィプ
ロセスのバラツキがそのまま画像の良否に直接税われる
ようになると非常に厳密に注意をはらう必要がある。本
発明は、このプロセスの中で最も重要な位置を占めるレ
ジスト塗布工程に関する。
だめには非常に重要なプロセスになっそきている。なか
でも、最近、特に固体撮像素子のようにリソグラフィプ
ロセスのバラツキがそのまま画像の良否に直接税われる
ようになると非常に厳密に注意をはらう必要がある。本
発明は、このプロセスの中で最も重要な位置を占めるレ
ジスト塗布工程に関する。
従来例の構成とその問題点
従来のレジスト塗布工程は、スピナー支持台の上にスラ
イスをのせ、雰囲気としては、溶剤などのガ箋スを排気
し、単なる空気中か、窒素雰囲気中で、レジストを滴下
し、スピナーでレジスト塗布を行ない、その後、すぐに
乾燥炉内に挿入し、ベークを行ない、均一なレジスト塗
布を行なっていた。ところが、このレジスト膜は、−見
、均一には見えるが、ミクロ的に見れば、完全な均一な
膜を得ることは困難で、第１図ａ、ｂに示すように、ス
ライス１の面上に、レジストを塗布すると、その局部２
では、レジスト膜３面に、放射状に約２００μｍ周期の
１００への波高をもった波状の不均一な膜が得られる。
イスをのせ、雰囲気としては、溶剤などのガ箋スを排気
し、単なる空気中か、窒素雰囲気中で、レジストを滴下
し、スピナーでレジスト塗布を行ない、その後、すぐに
乾燥炉内に挿入し、ベークを行ない、均一なレジスト塗
布を行なっていた。ところが、このレジスト膜は、−見
、均一には見えるが、ミクロ的に見れば、完全な均一な
膜を得ることは困難で、第１図ａ、ｂに示すように、ス
ライス１の面上に、レジストを塗布すると、その局部２
では、レジスト膜３面に、放射状に約２００μｍ周期の
１００への波高をもった波状の不均一な膜が得られる。
なお、４は下層のＡμ蒸着膜、５はスライス上の８１０
２膜である。この状態に、回路パターンを転写し、現像
し、たとえばＡ２配線を行なうと、Ａｎ線に不均一性を
生じる。
２膜である。この状態に、回路パターンを転写し、現像
し、たとえばＡ２配線を行なうと、Ａｎ線に不均一性を
生じる。
これを固体撮像素子に用いると、フォトダイオードの光
量にバラツキを生じさせ、そのまま画像に、 濃淡とし
て現われることになり、非常に画質を劣化させ大きな問
題となる。またメモリー等、他の超微細化を必要とする
デバイスにおいては、これが加工限の大きな一因ともな
る。尚、同図において、ｔｌ−１μｍ、 ｔ ２−２
００μｍ 、ｔ３−１０ｏ八である。
量にバラツキを生じさせ、そのまま画像に、 濃淡とし
て現われることになり、非常に画質を劣化させ大きな問
題となる。またメモリー等、他の超微細化を必要とする
デバイスにおいては、これが加工限の大きな一因ともな
る。尚、同図において、ｔｌ−１μｍ、 ｔ ２−２
００μｍ 、ｔ３−１０ｏ八である。
発明の目的
本発明は、レジスト塗布にあたって、レジスト膜に不均
一性を生じさせないためのレジスト塗布方法を提供する
ものである。
一性を生じさせないためのレジスト塗布方法を提供する
ものである。
発明の構成
本発明はスライスにレジスト塗布を行なうにあたって、
スピナーボックスの雰囲気を溶剤蒸気で満たし、スライ
スにレジストを滴下し、スピナーでレジストを広げレジ
スト塗布を行なった後、溶剤蒸気で満たされた、他のボ
ックス内に対置し、その後、ベークを行なう工程をそな
えたもので、これにより、波状の不均一な膜面が解消さ
れる。
スピナーボックスの雰囲気を溶剤蒸気で満たし、スライ
スにレジストを滴下し、スピナーでレジストを広げレジ
スト塗布を行なった後、溶剤蒸気で満たされた、他のボ
ックス内に対置し、その後、ベークを行なう工程をそな
えたもので、これにより、波状の不均一な膜面が解消さ
れる。
実施例の説明
スピンコータのボックス内において、Ｓｉスライスをス
ピンチャックに支持し、ボックス内をキシレンの蒸気で
充満させ、０ＦＰＲ８００３００Ｐのレジストを滴下し
、回軟数４００ＯＲＰＭで回転させて、レジストを広げ
る。しかし、この場合、前述のような膜の不均一がどう
しても発生する。
ピンチャックに支持し、ボックス内をキシレンの蒸気で
充満させ、０ＦＰＲ８００３００Ｐのレジストを滴下し
、回軟数４００ＯＲＰＭで回転させて、レジストを広げ
る。しかし、この場合、前述のような膜の不均一がどう
しても発生する。
ここで、ボックス内の雰囲気が排気状態にあると、外気
と接する表面層のレジストから溶剤がとび去り、表面層
が不均一のまま固定化してしまい、更に、そのまま、乾
燥炉に持ち込まれ不均一性が完全に固定されてしまう。
と接する表面層のレジストから溶剤がとび去り、表面層
が不均一のまま固定化してしまい、更に、そのまま、乾
燥炉に持ち込まれ不均一性が完全に固定されてしまう。
ところが本発明のようにボックス内を溶剤蒸気雰囲気中
で、行なうことによって、表面層からのレジスト溶剤の
飛散を防ぎ、不均一性の固定化がなされない、そこで、
この状態のスライスを、次につづく、同じくキシレンの
蒸気で充満したボックス内に挿入し、しばらく（数分）
放置する。すると膜の不均一性は緩和され、第２図の要
部断面図のように、均一な膜３が得られた。そこで、そ
の後乾燥炉に挿入し、真に均一なレジスト膜を得ること
ができだ。ただし、このスライスの放置はスピンチャッ
ク上でも行なっても、同じ結果を得たが、スループット
とじては大きく落ちるため、生産性からは好ましくない
。
で、行なうことによって、表面層からのレジスト溶剤の
飛散を防ぎ、不均一性の固定化がなされない、そこで、
この状態のスライスを、次につづく、同じくキシレンの
蒸気で充満したボックス内に挿入し、しばらく（数分）
放置する。すると膜の不均一性は緩和され、第２図の要
部断面図のように、均一な膜３が得られた。そこで、そ
の後乾燥炉に挿入し、真に均一なレジスト膜を得ること
ができだ。ただし、このスライスの放置はスピンチャッ
ク上でも行なっても、同じ結果を得たが、スループット
とじては大きく落ちるため、生産性からは好ましくない
。
発明の効果
この発明によって、膜の不均一性はなくなり、このプロ
セスを使用した固体撮像素子においては前述のよう々し
ま状の画像の劣下は見られなかった。
セスを使用した固体撮像素子においては前述のよう々し
ま状の画像の劣下は見られなかった。
第１図ｄはスライスの正面図、第１図すはへ２蒸着面上
にレジストを塗布した状態の従来例要部断面図、第２図
は本発明実施例の要部断面図である。 １・・・・・・シリコンスライス、２・・・・・シリコ
ンチップ、３・・・・・・レジスト、４・・・・・・Ａ
２蒸着膜、６・・・・・・Ｓ ｉＯ２゜ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図
にレジストを塗布した状態の従来例要部断面図、第２図
は本発明実施例の要部断面図である。 １・・・・・・シリコンスライス、２・・・・・シリコ
ンチップ、３・・・・・・レジスト、４・・・・・・Ａ
２蒸着膜、６・・・・・・Ｓ ｉＯ２゜ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図
Claims (1)
- スライスにレジスト塗布を行なうにあたって、スピナー
ボックスの雰囲気を溶剤蒸気で満たし、前記スライスに
レジストを滴下し、スピナーでレジスト塗布を行なった
後、溶剤蒸気で満たされた他のボックス内に放置し、そ
の後、ベークを行なう工程をそなえたレジスト塗布方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138318A JPS6116522A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138318A JPS6116522A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116522A true JPS6116522A (ja) | 1986-01-24 |
Family
ID=15219091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59138318A Pending JPS6116522A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116522A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6391425A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Haaman:Kk | 燃焼器具 |
| JPH0452003A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-20 | Nkk Corp | チャタマーク防止圧延方法 |
| JP2007223091A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Ube Nitto Kasei Co Ltd | 直線一溝スペーサの製造方法 |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP59138318A patent/JPS6116522A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6391425A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Haaman:Kk | 燃焼器具 |
| JPH0361088B2 (ja) * | 1986-10-06 | 1991-09-18 | Harman Co Ltd | |
| JPH0452003A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-20 | Nkk Corp | チャタマーク防止圧延方法 |
| JPH084804B2 (ja) * | 1990-06-18 | 1996-01-24 | 日本鋼管株式会社 | チャタマーク防止圧延方法 |
| JP2007223091A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Ube Nitto Kasei Co Ltd | 直線一溝スペーサの製造方法 |
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