JPH01204421A - ホトレジスト塗布方法 - Google Patents
ホトレジスト塗布方法Info
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- JPH01204421A JPH01204421A JP2754688A JP2754688A JPH01204421A JP H01204421 A JPH01204421 A JP H01204421A JP 2754688 A JP2754688 A JP 2754688A JP 2754688 A JP2754688 A JP 2754688A JP H01204421 A JPH01204421 A JP H01204421A
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジスト塗布方法、及び、その装置に係り、特
に、集積回路製造に使われる加工精度の高いホトリソグ
ラフィープロセスに好適なレジスト塗布方法に関する。
に、集積回路製造に使われる加工精度の高いホトリソグ
ラフィープロセスに好適なレジスト塗布方法に関する。
従来のレジスト塗布方法は、特開昭61−285716
号公報に記載のように、レジスト塗布膜厚さを現像寸法
のレジスト膜厚依存性において現われる脈動特性におけ
る極値に相当する値にするようになっている。
号公報に記載のように、レジスト塗布膜厚さを現像寸法
のレジスト膜厚依存性において現われる脈動特性におけ
る極値に相当する値にするようになっている。
上記従来技術はウェハ基板上のレジスト塗布11J厚の
ばらつき低減について考慮されておらず、ホトリソグラ
フィプロセスにおける現像寸法のばらつき低減に限界が
あった。
ばらつき低減について考慮されておらず、ホトリソグラ
フィプロセスにおける現像寸法のばらつき低減に限界が
あった。
本発明の目的はウェハ基板上のレジスト塗布膜厚のばら
つきを低減することにより、集積回路製造制造における
マスク転写(ホトリソグラフィー)プロセスでの、現像
寸法のばらつきを低減して、集積回路素子の製造歩留り
を高くすることにある。
つきを低減することにより、集積回路製造制造における
マスク転写(ホトリソグラフィー)プロセスでの、現像
寸法のばらつきを低減して、集積回路素子の製造歩留り
を高くすることにある。
上記目的は、ウェハ上へレジスト液を滴下し。
ウェハを高速回転させて、レジスト液を薄く拡げ、1μ
m程度のレジスト薄膜をウェハ上面に形成するとき、未
硬化のレジスト薄膜から蒸発する溶媒の蒸発速度を種々
の手段で均一化することにより、レジスト液の粘度がウ
ェハ全領域で均等に変化するようにすることにより達成
される。
m程度のレジスト薄膜をウェハ上面に形成するとき、未
硬化のレジスト薄膜から蒸発する溶媒の蒸発速度を種々
の手段で均一化することにより、レジスト液の粘度がウ
ェハ全領域で均等に変化するようにすることにより達成
される。
通常のレジスト塗布方法では、ウェハ上にレジスト液を
回転塗布させると、第2図のように、ウェハ中央部のレ
ジスト膜厚は薄く、周辺部は厚くなる傾向を示す。これ
は、ウェハを高速回転させたとき、ウェハと周囲の空気
との相対速度がウェハ周辺部の方が大きく、周辺部の空
気の換気がよくレジスト液から、溶媒が蒸発がし易いた
め、第8図のように、レジスト液の粘度が急激に増加す
る結果である。(回転塗布時レジスト液の粘度が高いぼ
ど、第3図のようにレジスト塗布膜厚は厚い)。そこで
、回転塗布時の溶媒の蒸発速度をウェハ上で均一化する
と、レジスト液の粘度の変化が均一化されるため、レジ
スト塗布膜厚もウェハ上面全域で均一化される。
回転塗布させると、第2図のように、ウェハ中央部のレ
ジスト膜厚は薄く、周辺部は厚くなる傾向を示す。これ
は、ウェハを高速回転させたとき、ウェハと周囲の空気
との相対速度がウェハ周辺部の方が大きく、周辺部の空
気の換気がよくレジスト液から、溶媒が蒸発がし易いた
め、第8図のように、レジスト液の粘度が急激に増加す
る結果である。(回転塗布時レジスト液の粘度が高いぼ
ど、第3図のようにレジスト塗布膜厚は厚い)。そこで
、回転塗布時の溶媒の蒸発速度をウェハ上で均一化する
と、レジスト液の粘度の変化が均一化されるため、レジ
スト塗布膜厚もウェハ上面全域で均一化される。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。レジ
ストを塗布するためのウェハ3をウェハ保持装置5の上
に載せる。ウェハ3を真空吸着した後、ウェハにレジス
ト溶液を滴下し、回転軸8を中心にして、ウェハ保持装
置5を数千rpmまで高速回転すると、レジスト液2は
1μm程度の厚さに薄くなり、溶媒が蒸発して固化し、
レジスト膜が形成される。本実施例ではウェハ保持装置
5の周辺部に、ウェハ3、及び、レジスト液2を冷却す
るための冷却素子4を組み込んでいる。この冷却素子は
電力供給線7に通電することによって駆動される。又、
冷却素子として低温流体によって、ウェハ及びレジスト
を冷却する方式のものも用いることができる。ウェハ上
に滴下されたレジスト液のうち、ウェハの周辺部に拡が
ったレジスト液は冷却素子によって、その温度が低下し
、溶媒の蒸発速度が減少する。ウェハ保持装置5が回転
するとき、ウェハ各部の空気に対する相対速度はウェハ
中心部からの距離に比例して、大きくなり、そのままで
は、ウェハ周辺部でレジスト液からの溶媒の蒸発量がウ
ェハ中心部に比較して大きくなるから、ウェハ周辺部の
レジスト液の粘度が急速に増加し、その結果、ウェハ周
辺部のレジスト膜厚が第2図のように厚くなる。しかし
、本実施例では、ウェハ周辺部が冷却素子4によって冷
却されるため、ウェハ周辺部のレジスト液の温度が低下
し、溶媒の蒸発が抑制される。冷却素子の冷却力をIr
i適化することにより、ウェハ中心部の溶媒蒸発量とウ
ェハ周辺部の溶媒蒸発量を均等化させるとレジスト液の
粘度がウェハ全領域で均一化され、ホトレジスト膜厚は
ウェハ全領域で均一になる。本実施例によれば、ウェハ
周辺部からの溶媒蒸発量を抑えて、ウェハ全領域での溶
媒蒸発量を均一化できるので、レジスト塗布膜厚を均一
化することができる。
ストを塗布するためのウェハ3をウェハ保持装置5の上
に載せる。ウェハ3を真空吸着した後、ウェハにレジス
ト溶液を滴下し、回転軸8を中心にして、ウェハ保持装
置5を数千rpmまで高速回転すると、レジスト液2は
1μm程度の厚さに薄くなり、溶媒が蒸発して固化し、
レジスト膜が形成される。本実施例ではウェハ保持装置
5の周辺部に、ウェハ3、及び、レジスト液2を冷却す
るための冷却素子4を組み込んでいる。この冷却素子は
電力供給線7に通電することによって駆動される。又、
冷却素子として低温流体によって、ウェハ及びレジスト
を冷却する方式のものも用いることができる。ウェハ上
に滴下されたレジスト液のうち、ウェハの周辺部に拡が
ったレジスト液は冷却素子によって、その温度が低下し
、溶媒の蒸発速度が減少する。ウェハ保持装置5が回転
するとき、ウェハ各部の空気に対する相対速度はウェハ
中心部からの距離に比例して、大きくなり、そのままで
は、ウェハ周辺部でレジスト液からの溶媒の蒸発量がウ
ェハ中心部に比較して大きくなるから、ウェハ周辺部の
レジスト液の粘度が急速に増加し、その結果、ウェハ周
辺部のレジスト膜厚が第2図のように厚くなる。しかし
、本実施例では、ウェハ周辺部が冷却素子4によって冷
却されるため、ウェハ周辺部のレジスト液の温度が低下
し、溶媒の蒸発が抑制される。冷却素子の冷却力をIr
i適化することにより、ウェハ中心部の溶媒蒸発量とウ
ェハ周辺部の溶媒蒸発量を均等化させるとレジスト液の
粘度がウェハ全領域で均一化され、ホトレジスト膜厚は
ウェハ全領域で均一になる。本実施例によれば、ウェハ
周辺部からの溶媒蒸発量を抑えて、ウェハ全領域での溶
媒蒸発量を均一化できるので、レジスト塗布膜厚を均一
化することができる。
第4図に本発明の第二の実施例を示す。本実施例では第
1図と異なり、ウェハ保持装置5の中央部に加熱素子1
1が組込まれている。この加熱素子11はウェハ3の中
央部の温度を上げ、ウェハ中央部のレジストの温度も上
げる働きをする。レジストの温度が上昇すると、レジス
トからの溶媒の蒸発速度が大きくなるから、本実施例で
はウェハ中央部のレジストの粘度が、ウェハ外周部と同
程度になり、レジスト塗布膜厚も中央部が薄くなるとい
う現象もなくなり、ウェハ全面で均一な膜厚になる。本
実施例では、ウェハ中央部のレジストの粘度がウェハ周
辺部と同程度になる結果、レジスト膜厚が均一になる。
1図と異なり、ウェハ保持装置5の中央部に加熱素子1
1が組込まれている。この加熱素子11はウェハ3の中
央部の温度を上げ、ウェハ中央部のレジストの温度も上
げる働きをする。レジストの温度が上昇すると、レジス
トからの溶媒の蒸発速度が大きくなるから、本実施例で
はウェハ中央部のレジストの粘度が、ウェハ外周部と同
程度になり、レジスト塗布膜厚も中央部が薄くなるとい
う現象もなくなり、ウェハ全面で均一な膜厚になる。本
実施例では、ウェハ中央部のレジストの粘度がウェハ周
辺部と同程度になる結果、レジスト膜厚が均一になる。
第S図に本発明の第三の実施例を示す。本実施例が第4
図と異なっているのは、加熱素子11の代りに空気吹出
管13を設けて、ウェハ中央部に空気境14を生じさせ
る点である。空気流14が存在すると、ウェハ中央部の
空気が急速に置換されるため、レジストに含まれる溶媒
が蒸発され易くなり、レジストの粘度が高くなる。その
結果。
図と異なっているのは、加熱素子11の代りに空気吹出
管13を設けて、ウェハ中央部に空気境14を生じさせ
る点である。空気流14が存在すると、ウェハ中央部の
空気が急速に置換されるため、レジストに含まれる溶媒
が蒸発され易くなり、レジストの粘度が高くなる。その
結果。
空気流14がない場合に較べて、ウェハ中央部のレジス
ト膜厚が厚くなり、空気流14の流量を調節することに
より、ウェハ全面でレジスト膜厚が均一化される。本実
施例では空気流によりウェハ中央部で溶媒蒸発速度が増
加してレジスト塗布膜厚が厚くなり、レジスト膜厚が均
一化される効果がある。
ト膜厚が厚くなり、空気流14の流量を調節することに
より、ウェハ全面でレジスト膜厚が均一化される。本実
施例では空気流によりウェハ中央部で溶媒蒸発速度が増
加してレジスト塗布膜厚が厚くなり、レジスト膜厚が均
一化される効果がある。
第6図に本発明の第四の実施例を示す。本実施例では、
レジスト供給管17の途中にレジメ1−加熱部16を設
け、この部分を加熱コイル19により加熱し、ウェハに
滴下するレジスト液18の温度をウェハ温度より高くし
ている。加熱コイル19には電源20から電流が供給さ
れる。加熱されたレジスト液18がウェハ保持装置5に
保持されたウェハ3上に滴下されると、ウェハ3、及び
、ウェハ保持装置5に熱を奪われながら、ウェハの周辺
部に拡がってゆき、周辺部はど温度が下がる。
レジスト供給管17の途中にレジメ1−加熱部16を設
け、この部分を加熱コイル19により加熱し、ウェハに
滴下するレジスト液18の温度をウェハ温度より高くし
ている。加熱コイル19には電源20から電流が供給さ
れる。加熱されたレジスト液18がウェハ保持装置5に
保持されたウェハ3上に滴下されると、ウェハ3、及び
、ウェハ保持装置5に熱を奪われながら、ウェハの周辺
部に拡がってゆき、周辺部はど温度が下がる。
回転軸8によりウェハ3が数千rpm程度の高速回転す
ると、レジストは1μm程度に薄くなるが、この時、レ
ジストの温度は中央部が高く、周辺部が低くなっている
ため、中央部の溶媒の蒸発速度が増加し、中央部のレジ
ストの粘度が高くなり易い。そのため、中央部のレジス
トの膜厚は厚くなる傾向を持つことから、薄くなり易い
中央部のレジスト膜が補正されて、均一なレジスト膜が
得られる。ウェハとの温度差が10°C以内になるよう
にレジストを加熱すると、レジスト膜厚のばらつきは5
0Å以下になる。
ると、レジストは1μm程度に薄くなるが、この時、レ
ジストの温度は中央部が高く、周辺部が低くなっている
ため、中央部の溶媒の蒸発速度が増加し、中央部のレジ
ストの粘度が高くなり易い。そのため、中央部のレジス
トの膜厚は厚くなる傾向を持つことから、薄くなり易い
中央部のレジスト膜が補正されて、均一なレジスト膜が
得られる。ウェハとの温度差が10°C以内になるよう
にレジストを加熱すると、レジスト膜厚のばらつきは5
0Å以下になる。
第7図に本発明の第五の実施例を示す。本実施例はウェ
ハ保持装置5の上面に加熱冷却素子23を均等に設けて
いる。加熱冷却素子23には電流の流れる方向を替える
ことにより、加熱、又は、冷却作用に切り替わる特性を
持つPn接合を利用した電子冷凍加熱素子が用いられる
。電子冷凍加熱素子により、ウェハ3を全体的に冷却す
ると、レジス1−2から蒸発する溶媒の量は大幅に少く
なり、ウェハ中央部及び周辺部での差が少くなり、不均
一性が減少する。一方、逆にウェハを加熱冷却素子23
により加熱すると、全体的に溶媒蒸発量は大幅に多くな
り、不均一性が減少する。このように、全体的に冷却、
又は、加熱することにより、溶媒蒸発量の不均一性が減
少するので、レジスト膜厚の均一性が増加する。24は
電流供給線、25は回転軸。
ハ保持装置5の上面に加熱冷却素子23を均等に設けて
いる。加熱冷却素子23には電流の流れる方向を替える
ことにより、加熱、又は、冷却作用に切り替わる特性を
持つPn接合を利用した電子冷凍加熱素子が用いられる
。電子冷凍加熱素子により、ウェハ3を全体的に冷却す
ると、レジス1−2から蒸発する溶媒の量は大幅に少く
なり、ウェハ中央部及び周辺部での差が少くなり、不均
一性が減少する。一方、逆にウェハを加熱冷却素子23
により加熱すると、全体的に溶媒蒸発量は大幅に多くな
り、不均一性が減少する。このように、全体的に冷却、
又は、加熱することにより、溶媒蒸発量の不均一性が減
少するので、レジスト膜厚の均一性が増加する。24は
電流供給線、25は回転軸。
第9図に本発明の第六の実施例を示す。本実施例ではパ
イプ27の吹出口28をウェハ外周部に設けて、冷却し
た空気を吹き出させ、ウェハ周辺部の空気の温度を低下
させている。ウェハ周囲ノ温度を低下させると、レジス
ト溶媒の蒸発量が城少しで、ウェハ周囲のレジスト膜厚
を薄くさせる働きをするから、冷却気体の温度及び流量
を調節することにより、レジスト1漠厚の均一性を向上
させることができる。
イプ27の吹出口28をウェハ外周部に設けて、冷却し
た空気を吹き出させ、ウェハ周辺部の空気の温度を低下
させている。ウェハ周囲ノ温度を低下させると、レジス
ト溶媒の蒸発量が城少しで、ウェハ周囲のレジスト膜厚
を薄くさせる働きをするから、冷却気体の温度及び流量
を調節することにより、レジスト1漠厚の均一性を向上
させることができる。
第10図に本発明の第七の実施例を示す。本実施例では
拡散防止板29をウェハ2を覆うように設けて、レジス
ト溶剤の拡散を防止しているため。
拡散防止板29をウェハ2を覆うように設けて、レジス
ト溶剤の拡散を防止しているため。
拡散防止板内の溶剤蒸気圧は高くなり、溶剤の蒸発量3
2は減少して、ウェハ中心部と周辺部との差が少くなり
、均一化される。その結果、レジスト塗布膜厚が均一化
される。31はレジスト液滴下管。
2は減少して、ウェハ中心部と周辺部との差が少くなり
、均一化される。その結果、レジスト塗布膜厚が均一化
される。31はレジスト液滴下管。
これまで、ホトレジスト塗布膜厚の均一化の方法及び装
置について述べてきたが、本発明は、他の塗布膜を用い
る装置、例えば、色素の薄膜を用いる光ディスク、磁性
体の薄膜を用いる磁気ディスクの作成等でも、塗布膜の
均一化に利用することができる。
置について述べてきたが、本発明は、他の塗布膜を用い
る装置、例えば、色素の薄膜を用いる光ディスク、磁性
体の薄膜を用いる磁気ディスクの作成等でも、塗布膜の
均一化に利用することができる。
本発明によれば、ウェハ上のレジスト塗布膜厚を均一化
できるので、集積回路の微細パターンの寸法ばらつきが
低減し、製造歩留りを向上することができる。
できるので、集積回路の微細パターンの寸法ばらつきが
低減し、製造歩留りを向上することができる。
第1図は本発明の一実施例の説明図、第2図は一般的な
レジスト塗布膜厚の分布図、第3図はレジスト塗布膜厚
と粘度との関係を示す図、第4図ないし第7図は本発明
の第二ないし第五の実施例の説明図、第8図はレジス1
−粘度の溶媒蒸発量依存性を示す図、第9図、第10図
は本発明の第六。 第七の実施例の説明図である。 2・・・レジスト、3・・・ウェハ、4・・・冷却素子
、5・・・ウェハ保持装置、8・・・回転柚、11・・
・加熱素子、13・・・空気吹出管、19・・・加熱コ
イル、23・・加第1 図 第2図 第3図 第4図 瘍5図 第6図 /A 第7図 第8図 第9図 第10図
レジスト塗布膜厚の分布図、第3図はレジスト塗布膜厚
と粘度との関係を示す図、第4図ないし第7図は本発明
の第二ないし第五の実施例の説明図、第8図はレジス1
−粘度の溶媒蒸発量依存性を示す図、第9図、第10図
は本発明の第六。 第七の実施例の説明図である。 2・・・レジスト、3・・・ウェハ、4・・・冷却素子
、5・・・ウェハ保持装置、8・・・回転柚、11・・
・加熱素子、13・・・空気吹出管、19・・・加熱コ
イル、23・・加第1 図 第2図 第3図 第4図 瘍5図 第6図 /A 第7図 第8図 第9図 第10図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ウェハ保持装置上のウェハにレジスト液を滴下し、
前記ウェハ保持装置を前記ウェハと共に回転させて、前
記ウェハ上にレジスト薄膜を形成させるホトレジスト塗
布方法において、 前記ウェハ上の前記レジスト薄膜から蒸発する前記レジ
スト液の溶媒の蒸発速度を前記ウェハ上で均一化したこ
とを特徴とするホトレジスト塗布方法。 2、特許請求の範囲第1項における前記ウェハ保持装置
上の前記ウェハ外周部を冷却してその温度を低下させる
ことを特徴とするホトレジスト塗布方法。 3、特許請求の範囲第1項における前記ウェハ保持装置
にウェハ冷却装置を備えたことを特徴とするホトレジス
ト塗布方法。 4、特許請求の範囲第1項における前記ウェハの中心部
を加熱してその温度を上昇させることを特徴とするホト
レジスト塗布方法。 5、特許請求の範囲第1項における前記ウェハ保持装置
に、ウェハ加熱装置を備えたことを特徴とするホトレジ
スト塗布方法。 6、特許請求の範囲第1項における前記ウェハの中心部
の気体の流速を前辺部よりも速くすることを特徴とする
ホトレジスト塗布方法。 7、特許請求の範囲第6項において、 前記ウェハの中心部に気体を吹き出させることを特徴と
するレジスト塗布方法。 8、特許請求の範囲第7項において、 前記吹き出させる気体の温度を周囲の温度よりも高くす
ることを特徴とするレジスト塗布方法。 9、特許請求の範囲第1項における前記レジスト液の温
度を前記ウェハよりも高くすることを特徴とするレジス
ト塗布方法。 10、特許請求の範囲第1項における前記ウェハ全体を
加熱又は冷却することを特徴とするレジスト塗布方法。 11、特許請求の範囲第1項における前記ウェハの外周
部付近の空気の温度を下げることを特徴とするレジスト
塗布方法。 12、特許請求の範囲第1項において、 前記ウェハの外周部付近に冷却した空気を吹き出すこと
を特徴とするレジスト塗布方法。 13、特許請求の範囲第1項において、 前記ウェハの上部に溶媒蒸気の拡散防止板を設けたこと
を特徴とするレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2754688A JPH01204421A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | ホトレジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2754688A JPH01204421A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | ホトレジスト塗布方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01204421A true JPH01204421A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12224076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2754688A Pending JPH01204421A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | ホトレジスト塗布方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01204421A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02152966A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Otsuka Pharmaceut Co Ltd | 4−ヒドロキシカルボスチリル誘導体 |
JPH06163388A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Sekisui Finechem Co Ltd | レジスト材の塗布方法 |
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