JPH0246465A - 現像機 - Google Patents
現像機Info
- Publication number
- JPH0246465A JPH0246465A JP19696888A JP19696888A JPH0246465A JP H0246465 A JPH0246465 A JP H0246465A JP 19696888 A JP19696888 A JP 19696888A JP 19696888 A JP19696888 A JP 19696888A JP H0246465 A JPH0246465 A JP H0246465A
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- JP
- Japan
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- developer
- temperature
- photoresist film
- gas
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009428 plumbing Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は現像機に関し、特に半導体ウェーハのホトリソ
グラフィ工程に使用される現像機に関する。
グラフィ工程に使用される現像機に関する。
従来の現像機は、半導体ウェーハを吸着した真空チャッ
クの上方に設けた現像液滴下ノズルより、前記半導体ウ
ェーハの上に設けて素子形成用パターンを露光したホト
レジスト膜の上に現像液を滴下して盛り、前記パターン
を現像していた。
クの上方に設けた現像液滴下ノズルより、前記半導体ウ
ェーハの上に設けて素子形成用パターンを露光したホト
レジスト膜の上に現像液を滴下して盛り、前記パターン
を現像していた。
上述した従来の現像機は、現像液の温度調整が現像液滴
下ノズルに接続された配管で行なわれており、ホトレジ
スト膜上に滴下され盛られた状態では、現像液の温度が
室温等の環境温度に左右されて最適温度を維持するのが
困難となり、現像後のホトレジスト膜に形成されたパタ
ーンの精度が低下したり、適切な現像状態を得るための
処理時間が安定しない等の問題点を有していた。
下ノズルに接続された配管で行なわれており、ホトレジ
スト膜上に滴下され盛られた状態では、現像液の温度が
室温等の環境温度に左右されて最適温度を維持するのが
困難となり、現像後のホトレジスト膜に形成されたパタ
ーンの精度が低下したり、適切な現像状態を得るための
処理時間が安定しない等の問題点を有していた。
本発明の目的は、ホトレジスト膜上の現像液の温度を制
御して最適条件の現像を行い現像されたホトレジスト膜
のパターン精度を向上させる現像機を提供することにあ
る。
御して最適条件の現像を行い現像されたホトレジスト膜
のパターン精度を向上させる現像機を提供することにあ
る。
本発明の第１の現像機は、半導体ウェーハを真空チャッ
クに吸着させて前記半導体ウェーハの上に設けたホトレ
ジスト膜の露光パターンを現像する現像機において、前
記真空チャックの上方に設けて前記ホトレジスト膜上に
盛られた現像液に温度調整された気体を吹付けるための
気体吹出ノズルを備えている。
クに吸着させて前記半導体ウェーハの上に設けたホトレ
ジスト膜の露光パターンを現像する現像機において、前
記真空チャックの上方に設けて前記ホトレジスト膜上に
盛られた現像液に温度調整された気体を吹付けるための
気体吹出ノズルを備えている。
本発明の第２の現像機は、半導体ウェーハを真空チャッ
クに吸着させて前記半導体ウェーハの上に設けたホトレ
ジスト膜の露光パターンを現像する現像機において、前
記半導体ウェーハの周縁部で前記ホトレジスト膜上に盛
られた現像液に接触するように設けて前記ホトレジスト
膜上に盛られた現像液の温度を調整するための液体又は
気体を循環させる配管を内蔵するカップを備えている。
クに吸着させて前記半導体ウェーハの上に設けたホトレ
ジスト膜の露光パターンを現像する現像機において、前
記半導体ウェーハの周縁部で前記ホトレジスト膜上に盛
られた現像液に接触するように設けて前記ホトレジスト
膜上に盛られた現像液の温度を調整するための液体又は
気体を循環させる配管を内蔵するカップを備えている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための現像機
の模式断面図である。
の模式断面図である。
第１図に示すように、スピンモータ１に接続されて回転
する真空チャック２の上に、表面にホトレジスト膜を形
成し素子形成用パターンを露光した半導体ウェーハ３を
吸着させ、真空チャック２の上方に設けた現像液滴下ノ
ズル４より半導体ウェーハ３の上に温度調整された現像
液５を滴下して半導体ウェーハ３の上に盛る。次に真空
チャックの上方に設けた少くとも１個以上の気体吹出ノ
ズル６より温度調整された気体７を現像液５の表面に吹
付けて、現像処理中の現像液を所定の温度に保持する。
する真空チャック２の上に、表面にホトレジスト膜を形
成し素子形成用パターンを露光した半導体ウェーハ３を
吸着させ、真空チャック２の上方に設けた現像液滴下ノ
ズル４より半導体ウェーハ３の上に温度調整された現像
液５を滴下して半導体ウェーハ３の上に盛る。次に真空
チャックの上方に設けた少くとも１個以上の気体吹出ノ
ズル６より温度調整された気体７を現像液５の表面に吹
付けて、現像処理中の現像液を所定の温度に保持する。
現像処理後には、スピンモータ１により半導体ウェーハ
を高速回転させた状態で純水によるすすぎ洗いや水の振
切り動作を行い現像工程を終了する。
を高速回転させた状態で純水によるすすぎ洗いや水の振
切り動作を行い現像工程を終了する。
第２図は本発明の第２の実施例を説明するための現像機
の模式断面図である。
の模式断面図である。
第２図に示すように、スピンモータ１に接続された真空
チャック２の上に表面にホトレジスト膜を形成し素子形
成用パターンを露光した半導体ウェーハ３を吸着させ、
半導体ウェーハ３の周縁部に近接して現像液の温度を調
整するための液体又は気体を循環させる配管８を内蔵す
るカップ９を設け、真空チャック２の上方に設けた現像
液滴下ノズル４より温度調整された現像液５を滴下し、
現像液５をカップ９の内側に接触させて半導体ウェーハ
３の上に盛る。次に、配管８の中に温度調整された液体
又は気体を循環させて現像液５の温度を調整する。
チャック２の上に表面にホトレジスト膜を形成し素子形
成用パターンを露光した半導体ウェーハ３を吸着させ、
半導体ウェーハ３の周縁部に近接して現像液の温度を調
整するための液体又は気体を循環させる配管８を内蔵す
るカップ９を設け、真空チャック２の上方に設けた現像
液滴下ノズル４より温度調整された現像液５を滴下し、
現像液５をカップ９の内側に接触させて半導体ウェーハ
３の上に盛る。次に、配管８の中に温度調整された液体
又は気体を循環させて現像液５の温度を調整する。
以上説明したように本発明は、真空チャックの上方に設
けて温度調整された気体を現像液に吹付けるための気体
吹出ノズルや真空チャックに吸着させた半導体ウェーハ
の周縁部に近接して設け、現像液の温度を調整するため
の液体又は気体を循環させる配管を内蔵するカップを備
えることにより、現像液の温度を環境温度に左右されず
最適な温度に保持させることができ、現像後のホトレジ
スト膜に形成されるパターンの精度を向上させることが
できるという効果を有する。また適切な現像状態を得る
ための処理時間も安定させることができ、実効的に処理
能力を向上させるという効果を有する。
けて温度調整された気体を現像液に吹付けるための気体
吹出ノズルや真空チャックに吸着させた半導体ウェーハ
の周縁部に近接して設け、現像液の温度を調整するため
の液体又は気体を循環させる配管を内蔵するカップを備
えることにより、現像液の温度を環境温度に左右されず
最適な温度に保持させることができ、現像後のホトレジ
スト膜に形成されるパターンの精度を向上させることが
できるという効果を有する。また適切な現像状態を得る
ための処理時間も安定させることができ、実効的に処理
能力を向上させるという効果を有する。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例を説
明するための現像機の模式断面図である。 １・・・スピンモータ、２・・・真空チャック、３・・
・半導体ウェーハ、４・・・現像液滴下ノズル、５・・
・現像液、６・・・気体吹出ノズル、７・・・気体、８
・・・配管、９・・・カップ。 方 図
明するための現像機の模式断面図である。 １・・・スピンモータ、２・・・真空チャック、３・・
・半導体ウェーハ、４・・・現像液滴下ノズル、５・・
・現像液、６・・・気体吹出ノズル、７・・・気体、８
・・・配管、９・・・カップ。 方 図
Claims (2)
- （１）半導体ウェーハを真空チャックに吸着させて前記
半導体ウェーハの上に設けたホ トレジスト膜の露光パターンを現像する現 像機において、前記真空チャックの上方に 設けて前記ホトレジスト膜上に盛られた現 像液に温度調整された気体を吹付けるため の気体吹出ノズルを備えたことを特徴とす る現像機。 - （２）半導体ウェーハを真空チャックに吸着させて前記
半導体ウェーハの上に設けたホ トレジスト膜の露光パターンを現像する現 像機において、前記半導体ウェーハの周縁 部で前記ホトレジスト膜上に盛られた現像 液に接触するように設けて前記ホトレジス ト膜上に盛られた現像液の温度を調整する ための液体又は気体を循環させる配管を内 蔵するカップを備えたことを特徴とする現 像機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19696888A JPH0246465A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 現像機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19696888A JPH0246465A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 現像機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246465A true JPH0246465A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16366644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19696888A Pending JPH0246465A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 現像機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246465A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0443796A2 (en) * | 1990-02-19 | 1991-08-28 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Development process |
| JPH04211263A (ja) * | 1990-02-19 | 1992-08-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 現像方法 |
| US6190063B1 (en) * | 1998-01-09 | 2001-02-20 | Tokyo Electron Ltd. | Developing method and apparatus |
| JP2010182715A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
| JP2016081964A (ja) * | 2014-10-10 | 2016-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP19696888A patent/JPH0246465A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0443796A2 (en) * | 1990-02-19 | 1991-08-28 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Development process |
| JPH04211263A (ja) * | 1990-02-19 | 1992-08-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 現像方法 |
| US5700629A (en) * | 1990-02-19 | 1997-12-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Developing process |
| US6190063B1 (en) * | 1998-01-09 | 2001-02-20 | Tokyo Electron Ltd. | Developing method and apparatus |
| JP2010182715A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
| JP2016081964A (ja) * | 2014-10-10 | 2016-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
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