JP3588277B2

JP3588277B2 - 基板の現像処理方法

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Publication number: JP3588277B2
Application number: JP21129899A
Authority: JP
Inventors: 和生坂本; 健太郎山村
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-07-26
Filing date: 1999-07-26
Publication date: 2004-11-10
Anticipated expiration: 2019-07-26
Also published as: JP2001044100A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の現像処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体製造プロセスにおけるレジスト処理工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）などの基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し，露光装置によって所定のパターンを露光する。その後，上記のパターンに応じたレジストパターンを得るため，ウェハに現像液を塗布して現像処理を行っている。
【０００３】
ここで従来のフォトレジストを現像する現像処理方法の例を示すと，先ずウェハをスピンチャック上に真空吸着によって保持する。そして，ウェハを低速で回転させつつ，ウェハの上面に現像液を供給し，表面張力により現像液を液盛りする。しかる後に，回転を停止させ，ウェハを所定時間静止させて現像する。現像終了後，ウェハを再び回転させて，ウェハの表面に純水を供給して洗浄する。最後に，ウェハを高速度で回転させて，ウェハ表面の水分を振り切りながら乾燥させて現像処理を行っていた。
【０００４】
しかし，上述のように現像液がレジスト膜表面に直接供給されると，現像液中に存在する微少な気泡や，現像液がレジストに接触する際に発生する微少な気泡がレジスト膜に付着し，部分的に現像が行われ無くなる等の現像欠陥を引き起こすことがあった。
【０００５】
そのため従来は現像液を供給する前に，ウェハ表面に純水と現像液を順に供給して，純水から純水と現像液との混合液に置換しながら，ウェハ上に当該混合液による液膜を形成し，その後続けて現像液を供給して，ウェハ上の混合液を現像液に置換するようにして，現像のための現像液がいきなりレジスト膜に接触することを防止していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，始めにウェハの表面に供給された純水を現像液濃度の高い混合液へ置換するには，置換自体に時間がかかり好ましくない。また，置換自体がウェハ全面において均一に行われないため，均一な現像処理がされないおそれがあった。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，基板の現像処理において，ウェハ面内にて均一に現像処理を行うことのできる基板の現像処理方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
参考例として，基板に現像液を供給して，現像処理を行う現像処理方法であって，前記基板の表面に実質的な純水を供給する第１工程と，その後前記基板を回転させて前記基板上の前記純水の量を減少させつつ，純水の薄膜を前記基板の表面に形成する第２工程と，その後前記基板に現像液を供給して基板上に現像液の液盛りをする第３工程とを有することを特徴とする基板の現像処理方法を提案できる。ここで液盛りとは，供給された薬液が表面張力によって基板上で盛り上って溜まることをいい，液膜とは，基板を回転しながら薬液を供給したときにできる，液盛りより薄い基板上の薬液の膜をいい，薄膜とは，基板上の液膜を遠心力によって飛ばして形成された液膜よりさらに薄い膜をいう。
【０００９】
上記参考例によれば，基板の表面に現像液を供給する前に，純水を供給し，その後基板を回転させて前記純水の量を減少させつつ，基板表面に前記純水の薄膜を形成している。そのため現像液供給時に，現像液中に存在する微少な気泡や現像液がレジスト膜に接触する際発生する微少な気泡がレジスト膜に付着することを防止できる。また基板全面に渡り均一な前記純水の薄膜を形成するため，基板面内での現像処理が均一に行われる。
【００１０】
別の参考例として，基板に現像液を供給して，現像処理を行う現像処理方法であって，前記基板の表面に実質的な純水を供給する第１工程と，その後前記基板の表面に現像液を供給して，前記純水と混合する第２工程と，その後前記基板を回転させて，前記基板上の現像液と純水の混合液の量を減少させつつ，前記基板の表面上に前記混合液の薄膜を形成する第３工程と，前記基板に現像液を供給して基板上に現像液の液盛りをする第４工程を有することを特徴とする基板の現像処理方法を提案できる。
【００１１】
上記参考例によれば，基板に現像液を供給し液盛りする前に，基板表面に純水と現像液を順に供給し，その後基板を回転させつつ，その純水と現像液の混合液の量を減少させて，基板の表面に前記混合液の薄膜を形成する。そのため，現像液を供給して液盛りする時に，現像液中に存在する微少な気泡や，現像液がレジスト膜表面と接触する際に発生する微少な気泡が，レジスト膜に付着することを防止できる。また基板を回転させて，混合液をとばして混合液の薄膜を形成するために，基板全面で混合液濃度に斑が無く，基板面内で現像処理が均一に行われる。
【００１２】
上記参考例の前記第２工程において，現像液と純水が混合されたところで，現像液の供給を一旦停止しても良い。
【００１３】
このように，現像液の供給を一旦停止するため，前記第３工程における前記混合液の薄膜の形成が効率よく行われる。
【００１４】
本発明によれば，基板に現像液を供給して，現像処理を行う現像処理方法であって，基板を第１の回転数で回転させつつ基板の表面に実質的な純水を供給する第１工程と，前記第１工程で使用した第１の回転数より高い第２の回転数で前記基板を回転させ，前記基板表面上の純水を振り切りつつ現像液を吐出し，前記純水と前記現像液とを混合液化させたところで現像液の供給を止める第２工程と，現像液の供給を停止し，なおかつ前記基板を前記第２工程での第２の回転数で回転させた状態で前記混合液を振り切り，前記基板の表面上に前記混合液の薄膜を形成する第３工程と，前記基板を第２の回転数よりも低い第３の回転数で回転させつつ，前記基板に現像液を供給して基板上に現像液を液盛りする第４工程と，を有することを特徴とする基板の現像処理方法が提供される。
また，前記第３工程において，基板の回転数を変動させてもよい。
前記第３工程と前記第４工程との間に，前記基板の回転数を前記第２の回転数に維持した状態で基板に現像液を供給してもよい。
【００１５】
上記発明においては，前記基板を回転させて前記混合液を減少させる際に，回転数を一定にしたり，前記回転の回転数を変化させるようにしても良い。
【００１６】
このように，前記基板を回転させて前記混合液を減少させる際に，回転数を一定もしくは変化させることによって，必要に応じて薄膜の厚さをコントロールでき，基板全面でより均一な混合液の薄膜を形成できるため，基板面内で現像処理が均一に行われる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下，添付図面を参照して，本発明の好ましい実施の形態について説明する。
【００１８】
図１は，本実施の形態にかかる基板の現像処理方法に使用する現像処理装置が組み込まれている塗布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００１９】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しをするインタフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２０】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の位置決め突起６の位置に例えば４個の各カセットＣがウェハＷの出入り口を処理ステーション３側に向けて，Ｘ方向（図１中の上下方向）一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２１】
ウェハ搬送体７は，θ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）にも回転自在に構成されており，後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属するアライメント装置３２とエクステンション装置３３に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２２】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，５つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５が配置可能であり，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して配置されて，さらにオプションとして波線で示した第５の処理装置群Ｇ５は背面側に別途配置可能となっている。
【００２３】
第１の処理装置群Ｇ１では図２に示すように，２種類のスピンナ型処理装置，例えばウェハＷに対してレジストを塗布して処理するレジスト塗布装置１５と，本実施の形態にかかる現像処理方法に使用するウェハＷに現像液を供給して処理する現像処理装置１６が下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジスト塗布装置１７と，現像処理装置１８とが下から順に２段に積み重ねられている
【００２４】
第３の処理装置群Ｇ３では，図３に示すように，ウェハＷを載置台に乗せて所定の処理を施すオーブン型の処理装置，例えば冷却処理を行うクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント装置３２，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３３，露光処理前の加熱処理を行うプリベーキング装置３４，３５及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３６，３７等が下から順に例えば８段に重ねられている。
【００２５】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００２６】
次に，インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び露光装置（図示せず）に対してアクセスできるように構成されている。
【００２７】
本実施の形態にかかる現像処理方法に使用する現像処理装置１６は，図４に示すように，ケーシング６１内において，上面が開口した環状のカップ６２と，カップ６２内にてウェハＷを水平に載置するスピンチャック６３と，現像液をウェハＷに対して供給する現像液供給ノズル６４と，リンス液としての純水をウェハＷに対して供給する純水供給ノズル６５とを備えている。
【００２８】
カップ６２は底面６６が傾斜しており，底面６６の最下部にはカップ６２内で飛散した現像液を排液する排液管６７が接続されている。スピンチャック６３を挟んで，前記排液管６７の反対側には，カップ６２内部の雰囲気を排気する排気管６８が接続されている。なお，スピンチャック６３に保持されたウェハＷの下方には，ウェハＷの裏面を洗浄するために裏面洗浄ノズル６９が設けられている。
【００２９】
スピンチャック６３は，ウェハＷを載置面に吸着保持するように構成されており，カップ６２下方に設けられたモータ７０と支柱７１を介して接続されている。モータ７０は，制御装置８０によって制御できるように構成されている。従って，この制御装置８０の命令によってウェハＷの回転数を変化させることができる。スピンチャック６３は図示しない昇降機構により昇降自在となっている。
【００３０】
現像供給ノズル６４は，図５に示すようにカップ６２の上方に，アーム７２によって吊り下げられている。このアーム７２には駆動機構（図示せず）が取り付けられており，これらの駆動機構（図示せず）によって，アーム７２は，ケーシング６１の壁面に沿って設けられている搬送レール７５に沿って，往復矢印で示す水平方向に移動自在である。かかる構成によって，現像液供給ノズル６４は，ウェハＷ上を平行に移動自在となり，現像処理の各工程に応じて移動する。また現像供給ノズル６４上面には現像液を現像供給ノズル６４に供給するための現像液供給管７６が取り付けられている。
【００３１】
また純水供給ノズル６５は，図５に示すように，現像供給ノズル６４と同様，駆動機構（図示しない）を備えたアーム７３により吊り下げられている。純水供給ノズル６５は，前記アーム７３によって，搬送レール７５に沿って往復矢印で示す水平方向に移動自在となっている。また純水供給ノズル６５は，図示しない純水供給源と純水送液管７７を介して接続されている。
【００３２】
次に以上のように構成された現像処理装置１６を用いた現像処理方法の作用を，塗布現像処理システム１で行われるウェハＷの塗布現像処理のプロセスと共に説明する。
【００３３】
先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群Ｇ３に属するアライメント装置３２に搬入する。次いで，アライメント装置３２にて位置合わせの終了したウェハＷは，主搬送装置１３によって，アドヒージョン装置３１，クーリング装置３０，レジスト塗布装置１５又１７，プリベーキング装置３３又は３４に順次搬送され，所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション・クーリング装置４１に搬送される。
【００３４】
次いで，ウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，このウェハＷはポストエクスポージャベーキング装置４４又は４５，クーリング装置４３に順次搬送され，これらの処置装置にて所定の処理が施された後，現像処理装置１６又は１８に搬送される。
【００３５】
次に現像処理装置１６に搬入されたウェハＷの現像処理方法を図６のフローに従って説明する。
【００３６】
先ず前処理の終了したウェハＷは，主搬送体１３によって現像処理装置１６内に搬送され，スピンチャック６３に吸着保持される。この時，純水供給ノズル６５はホーム位置７８からウェハＷの中心へ移動する（図６に示す工程Ｓ１）。
【００３７】
次に，スピンチャック６３上のウェハＷを２０ｒｐｍ（図６中のＮは回転数（ｒｐｍ）を示す）程度の低速度で回転させ，純水供給ノズル６５から（例えば８秒間）ウェハＷ表面に純水が供給される。この時，ウェハ表面には，供給された純水が液盛りされている（工程Ｓ２）。
【００３８】
所定時間純水を供給した後，純水の供給を停止し，ホーム位置７８から現像供給ノズル６４がウェハＷ上に移動する。その後ウェハＷの回転を１０００ｒｐｍまで上げ，現像液を現像液ノズル６４から（例えば１秒間）吐出する。この時に，工程Ｓ２で形成された純水膜を振り切りながら現像液を供給し，純水から純水と現像液との混合液に置換される（工程Ｓ３）。
【００３９】
工程Ｓ３のウェハＷの回転数１０００ｒｐｍを保ちながら，現像液の供給を（例えば１秒間）停止する。このため，前記混合液が遠心力によって飛散され，前記混合液の薄膜が形成される（工程Ｓ４）。
【００４０】
所定時間経過後，ウェハＷの回転数を３０ｒｐｍまで落とし，現像液が再びウェハＷ上に（例えば２秒間）供給され，ウェハＷ上に現像液が液盛りされる（工程Ｓ５）。
【００４１】
その後，ウェハＷの回転を（例えば６０秒間）停止し，所定時間現像される（工程Ｓ６）。
【００４２】
現像終了後，再びウェハＷの回転数を１０００ｒｐｍまで上げ，純水供給ノズル６５と裏面洗浄ノズル６９からウェハＷの表面と裏面にそれぞれ純水を（例えば１５秒間）供給し，ウェハＷ表面の現像液を洗い流す（工程Ｓ７）。
【００４３】
純水供給ノズル６５と裏面洗浄ノズル６９からの純水の供給を停止し，ウェハＷの回転数をさらに３０００ｒｐｍまで上げ，ウェハＷの表面の水分を遠心力によって（例えば１０秒間）振り切り，乾燥させる（工程Ｓ８）。
【００４４】
一連の現像処理が終了したウェハＷを，搬送体１３がスピンチャック６３から受け取り，現像処理装置１６から搬出する（工程Ｓ９）。
【００４５】
以上の本実施の形態にかかる現像処理方法によれば，工程Ｓ３でウェハＷ上に形成された純水と現像液との混合液の液膜を，工程Ｓ４で現像液の供給を停止して，１０００ｒｐｍで振り切り，前記混合液の薄膜を形成する。この薄膜を形成することで，ウェハ表面上の混合液濃度がウェハＷ全面に渡りより均一になることから，この後の現像工程を含めて，ウェハＷ面内の現像が斑なく行われ，歩留まりの向上につながる。
【００４６】
また，工程Ｓ４において，現像液を供給しないでウェハＷを高速回転させるため，純水から純水と現像液との混合液への置換が速く行われ，置換自体にかかる時間を短縮させることができる。
【００４７】
以上の現像処理装置１６で現像処理が終了した後，ウェハＷは，主搬送体１３によって，処理装置群Ｇ３に属するポストベーキング装置３６又は３７に搬送され，以後所定の処理が行われる。
【００４８】
ここで図７に示すように第１の実施の形態における工程Ｓ４と工程Ｓ５の間にウェハＷの回転数を１０００ｒｐｍに維持したまま（例えば２秒間）現像液を再びウェハＷ上に吐出しても良い（工程Ｔ５）。
【００４９】
この工程Ｔ５では，１０００ｒｐｍの高速回転で再び現像液を吐出するため，工程４において形成された現像液と純水の混合液の薄膜を速やかに現像液へ置換することができ，ウェハＷ面内において均一な現像処理が行われる。
【００５０】
次に第２の実施の形態について，図８に基づいて説明する。この第２の実施の形態は，第１の実施の形態における純水と現像液との混合液の薄膜の代わりに，純水の薄膜を形成するようにした現像処理方法である。
【００５１】
先ず第１の実施の形態と同様に，ウェハＷが，現像処理装置１６内に搬送されて，スピンチャック６３に吸着保持され（工程Ｐ１），その後純水ノズル６５から純水が供給されウェハ面上に液盛りされる（工程Ｐ２）。
【００５２】
液盛り後，純水の供給を停止し，ウェハＷの回転数を１０００ｒｐｍ（図８中のＮは回転数（ｒｐｍ）を示す）まで上昇させ，純水を振り切りながら，ウェハＷ上に純水の薄膜を形成する（工程Ｐ３）。
【００５３】
そしてウェハＷの回転数を３０ｒｐｍまで落とし，ウェハＷ表面に現像ノズル６４から現像液を供給し液盛りする（工程Ｐ４）。その後，ウェハＷの回転を停止させ，ウェハＷは所定時間現像される（工程Ｐ５）。
【００５４】
その後の工程は第１の実施の形態と同様であり，ウェハＷを洗浄し（工程Ｐ６），乾燥し（工程Ｐ７），現像処理の終わったウェハＷは，主搬送体１３によって，現像処理装置１６から搬出される（工程Ｐ８）。
【００５５】
以上の第２の実施の形態によれば，工程Ｐ３で，ウェハＷ上に純水の薄膜を形成するため，その後供給される現像液中に存在する微少な気泡や現像液を供給する際発生する微少な気泡が直接レジスト膜に付着することを防止できる。また，ウェハＷ上に形成される純水の膜が薄くなるため，ウェハＷ面内における膜厚差が小さくなり，均一な現像処理が可能となる。
【００５６】
上述の実施の形態における工程Ｓ４又は工程Ｐ３では，ウェハＷの回転数を１０００ｒｐｍにし，回転数一定に保ち純水と現像液との混合液又は純水の薄膜を形成していたが，工程Ｓ４又は工程Ｐ３においてウェハＷの回転数を変動させても良い。ウェハＷの回転数を変動させることによって，必要に応じて薄膜の厚みを制御できるばかりか，純水と現像液がより拡散され，均一な薄膜が形成されるため，ウェハ面内においてより均一な現像処理が行われる。
【００５７】
以上の実施の形態では，現像液供給前に供給する液体として純水を用いていたが，実質的な純水であれば，例えば，希薄な現像液等でも良い。また基板についても，ウェハのような円盤状のもののみならず，ＬＣＤ基板のような方形の基板に対しても適用できる。
【００５８】
【実施例】
次に，第１の実施の形態における現像処理方法を用いてウェハＷの現像処理を実施し，従来の現像方法とウェハ面内の現像処理の均一性について比較した。
【００５９】
図９に示すように本発明にかかる現像処理方法は，Ｓｔｅｐ１では，Ｎ＝２０（Ｎは回転数（ｒｐｍ））で８秒間ウェハ上に純水を供給し，Ｓｔｅｐ２では，Ｎ＝１０００で１秒間現像液を供給し，Ｓｔｅｐ３では，Ｎ＝１０００で薬液をなにも供給せず１秒間放置し，Ｓｔｅｐ４では，Ｎ＝３０で２秒間現像液を供給し，Ｓｔｅｐ５では，Ｎ＝０とし６０秒間静止し，Ｓｔｅｐ６では，Ｎ＝１０００で１５秒間純水を供給し，Ｓｔｅｐ７ではＮ＝３０００で１０秒間振り切り乾燥させる。
【００６０】
図１０に示すように従来の現像方法では，本発明の現像方法における図９のＳｔｅｐ３に相当する現像液を供給しないでウェハＷを１０００ｒｐｍで回転させる工程がなく，その分Ｓｔｅｐ２の時間を２秒間としている。
【００６１】
図１１は，それぞれの現像方法で現像処理されたウェハＷのウェハ面内の線幅分布を表している。従来の現像方法では，ウェハ周辺部Ｅの片側では，線幅が０．３６５μｍになっており，ウェハＷの中心部Ｃとの差が０．０４μｍ以上ある。一方，本発明にかかる現像方法では，ウェハ面内の線幅の差が最大でも０．０１μｍ程度しかない。したがって，本発明の方法によって，従来の方法に比べてウェハ面内の線幅の均一性が向上されたことが確認できる。
【００６２】
図１２は，従来の現像方法と本発明にかかる現像方法に対するウェハＷ面内の線幅のばらつき３σの比較を現している。従来の現像方法では，３σ＝２６ｎｍであり，本発明の現像方法では，３σ＝１２ｎｍであり，均一性が向上されている。
【００６３】
【発明の効果】
本発明によれば，現像液供給時に，現像液中に存在する微少な気泡や現像液がレジスト膜に接触する際発生する微少な気泡がレジスト膜に付着することを防止でき，また基板全面に渡り均一な純水の薄膜を形成するため，基板面内での現像処理が均一に行われ，その結果歩留まりの向上が図られる。
【００６４】
本発明によれば，現像液中に存在する微少な気泡等が，レジスト膜に付着することを防止でき，また基板全面に渡り現像液濃度に斑が無くなるため，基板面内で現像処理が均一に行われ，その結果歩留まりの向上が図られる。
【００６５】
本発明によれば，現像液と純水とが混合されたところで，現像液の供給を一旦停止するため，前記第３工程における前記混合液の薄膜の形成が効率よく行われ，基板面内の現像処理の均一性が向上する。
【００６６】
本発明によれば，現像液中に存在する微少な気泡等が，レジスト膜に付着することを防止でき，また基板全面に渡り現像液濃度に斑が無くなるため，基板面内で現像処理が均一に行われ，その結果歩留まりの向上が図られる。また，現像液と純水とが混合されたところで，現像液の供給を一旦停止するため，前記第３工程における前記混合液の薄膜の形成が効率よく行われ，基板面内の現像処理の均一性が向上する。
【００６７】
本発明によれば，必要に応じて薄膜の厚さをコントロールでき，また基板全面で均一な薄膜を形成することが可能となるため，基板面内で現像処理が均一に行われ歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態にかかる現像処理方法に使用する現像処理装置を備えた塗布現像処理システムの外観を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】第１の実施の形態にかかる現像処理方法に使用する現像処理装置の構成を示す縦断面の説明図である。
【図５】図４の現像処理装置の横断面の説明図である。
【図６】第１の実施の形態にかかる基板の現像処理方法のフロー図である。
【図７】第１の実施の形態にかかる基板の現像処理方法において，現像液と純水との混合液の薄膜が形成された後，再び現像液を供給する工程を含むフロー図である。
【図８】第２の実施の形態にかかる現像処理方法のフロー図である。
【図９】実施例における本発明にかかる現像処理方法の各Ｓｔｅｐ毎のウェハの回転数，時間，供給薬液を示した表である。
【図１０】実施例における従来の現像処理方法の各Ｓｔｅｐ毎のウェハの回転数，時間，供給薬液を示した表である。
【図１１】従来の現像処理方法と本発明にかかる現像処理方法を実施したウェハ面内の線幅分布を示すグラフである。
【図１２】従来の現像処理方法と本発明にかかる現像処理方法に対する３σの比較を表すグラフである。
【符号の説明】
１塗布現像処理システム
１６，１８現像処理装置
６３スピンチャック
６４現像供給ノズル
６５純水供給ノズル
７０モータ
Ｎ回転数（ｒｐｍ）
Ｗウェハ

Claims

基板に現像液を供給して，現像処理を行う現像処理方法であって，
基板を第１の回転数で回転させつつ基板の表面に実質的な純水を供給する第１工程と，
前記第１工程で使用した第１の回転数より高い第２の回転数で前記基板を回転させ，前記基板表面上の純水を振り切りつつ現像液を吐出し，前記純水と前記現像液とを混合液化させたところで現像液の供給を止める第２工程と，
現像液の供給を停止し，なおかつ前記基板を前記第２工程での第２の回転数で回転させた状態で，前記混合液を振り切り，前記基板の表面上に前記混合液の薄膜を形成する第３工程と，
前記基板を第２の回転数よりも低い第３の回転数で回転させつつ，前記基板に現像液を供給して基板上に現像液を液盛りする第４工程と，を有することを特徴とする，基板の現像処理方法。
前記第３工程において，基板の回転数を変動させることを特徴とする，請求項１に記載の基板の現像処理方法。
前記第３工程と前記第４工程との間に，前記基板の回転数を前記第２の回転数に維持した状態で基板に現像液を供給することを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の基板の現像処理方法。