JP2000188255A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
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- JP2000188255A JP2000188255A JP2000042771A JP2000042771A JP2000188255A JP 2000188255 A JP2000188255 A JP 2000188255A JP 2000042771 A JP2000042771 A JP 2000042771A JP 2000042771 A JP2000042771 A JP 2000042771A JP 2000188255 A JP2000188255 A JP 2000188255A
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- substrate
- developing
- gas
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Abstract
(57)【要約】
【課題】ノズルより被処理基板の表面に供給される現像
液の基板裏面への回り込みを効果的に阻止して汚染の防
止と現像工程の質の向上をはかること。 【解決手段】カップＣＰの内側壁面６４の上端には、ス
ピンチャック６０上の半導体ウエハＷの周縁部の裏面と
適当な隙間Ｇを形成するようにリング部材６６が取り付
けられている。このリング部材６６の内側で、かつスピ
ンチャック６０の下側に、有底筒状のバッファ室６８が
設けられている。バッファ室６８の底面には１つまたは
複数の気体導入口６８ａが形成されており、図示しない
ガス供給源からの気体たとえば空気またはＮ2 ガスが気
体導入口６８ａよりバッファ室６８内に導入される。室
内に導入された気体は、リング部材６６と半導体ウエハ
Ｗとの隙間Ｇを通って室外へ抜ける。このようにして、
スピンチャック６０上の半導体ウエハＷの周縁部の裏面
に沿ってウエハＷの半径方向内側から半径方向外側に向
かって気流が流れる。
液の基板裏面への回り込みを効果的に阻止して汚染の防
止と現像工程の質の向上をはかること。 【解決手段】カップＣＰの内側壁面６４の上端には、ス
ピンチャック６０上の半導体ウエハＷの周縁部の裏面と
適当な隙間Ｇを形成するようにリング部材６６が取り付
けられている。このリング部材６６の内側で、かつスピ
ンチャック６０の下側に、有底筒状のバッファ室６８が
設けられている。バッファ室６８の底面には１つまたは
複数の気体導入口６８ａが形成されており、図示しない
ガス供給源からの気体たとえば空気またはＮ2 ガスが気
体導入口６８ａよりバッファ室６８内に導入される。室
内に導入された気体は、リング部材６６と半導体ウエハ
Ｗとの隙間Ｇを通って室外へ抜ける。このようにして、
スピンチャック６０上の半導体ウエハＷの周縁部の裏面
に沿ってウエハＷの半径方向内側から半径方向外側に向
かって気流が流れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スピンナ機構とノ
ズルを用いて被処理基板上に現像液を盛るスプレー式の
現像装置に関する。
ズルを用いて被処理基板上に現像液を盛るスプレー式の
現像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトリソグラフ
ィー工程では、半導体ウエハの表面にフォトレジストを
塗布し（レジスト塗布工程）、レジスト上にマスクパタ
ーンを焼き付けてから（露光工程）、レジストの感光部
もしくは非感光部を選択的に現像液に溶解させて（現像
工程）、ウエハ表面にレジストパターンを形成するよう
にしている。従来より、この種の現像工程には、上面の
開口したカップ内に設けたスピンナ機構で半導体ウエハ
を回転させながら上方のノズルより現像液をウエハ表面
に噴射して供給し、表面張力で液盛りするスプレー方式
の現像装置が用いられている。
ィー工程では、半導体ウエハの表面にフォトレジストを
塗布し（レジスト塗布工程）、レジスト上にマスクパタ
ーンを焼き付けてから（露光工程）、レジストの感光部
もしくは非感光部を選択的に現像液に溶解させて（現像
工程）、ウエハ表面にレジストパターンを形成するよう
にしている。従来より、この種の現像工程には、上面の
開口したカップ内に設けたスピンナ機構で半導体ウエハ
を回転させながら上方のノズルより現像液をウエハ表面
に噴射して供給し、表面張力で液盛りするスプレー方式
の現像装置が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
スプレー式現像装置では、ノズルより半導体ウエハの表
面に噴射供給された現像液がウエハ周端からウエハ裏面
に回り込んで、ウエハだけでなくスピンチャックや駆動
モータ等も汚してしまうという不具合があった。
スプレー式現像装置では、ノズルより半導体ウエハの表
面に噴射供給された現像液がウエハ周端からウエハ裏面
に回り込んで、ウエハだけでなくスピンチャックや駆動
モータ等も汚してしまうという不具合があった。
【０００４】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、ノズルより被処理基板の表面に供給される現像
液の基板裏面への回り込みを効果的に阻止して汚染の防
止と現像工程の質の向上をはかるようにした現像装置を
提供することを目的とする。
もので、ノズルより被処理基板の表面に供給される現像
液の基板裏面への回り込みを効果的に阻止して汚染の防
止と現像工程の質の向上をはかるようにした現像装置を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、被処理基板をスピンチャックの上に載
せて回転させながらノズルを介して現像液を前記被処理
基板の表面に供給するようにした現像装置において、前
記スピンチャック上の前記被処理基板の裏面の周縁部に
沿って基板の内側から外側へ気流を流す手段を具備する
構成とした。
めに、本発明は、被処理基板をスピンチャックの上に載
せて回転させながらノズルを介して現像液を前記被処理
基板の表面に供給するようにした現像装置において、前
記スピンチャック上の前記被処理基板の裏面の周縁部に
沿って基板の内側から外側へ気流を流す手段を具備する
構成とした。
【０００６】本発明の現像装置では、ノズルより被処理
基板の表面に供給された現像液が基板周縁部にて基板裏
面側から流れてくる気流の圧力を受けるため、基板裏面
へ回ることはない。したがって、基板裏面やスピンチャ
ックを汚すことがなく、基板表面上に正しく液盛りされ
る。
基板の表面に供給された現像液が基板周縁部にて基板裏
面側から流れてくる気流の圧力を受けるため、基板裏面
へ回ることはない。したがって、基板裏面やスピンチャ
ックを汚すことがなく、基板表面上に正しく液盛りされ
る。
【０００７】本発明の好適な一態様は、被処理基板をス
ピンチャックの上に載せて回転させながらノズルを介し
て現像液を前記被処理基板の表面に供給するようにした
現像装置において、前記スピンチャック上の前記被処理
基板の裏面の周縁部と所定の隙間を形成すように設けら
れたリング部材と、前記リング部材の内側で、かつ前記
スピンチャックの下側に設けられた気体導入口を有する
筒状のバッファ室とを有し、前記気体導入口より前記バ
ッファ室内に導入された気体が前記隙間を通って室外へ
抜ける構成である。かかる構成において、好ましくは、
前記バッファ室内に前記気体導入口を介して前記気体を
供給するガス供給手段を有してよい。
ピンチャックの上に載せて回転させながらノズルを介し
て現像液を前記被処理基板の表面に供給するようにした
現像装置において、前記スピンチャック上の前記被処理
基板の裏面の周縁部と所定の隙間を形成すように設けら
れたリング部材と、前記リング部材の内側で、かつ前記
スピンチャックの下側に設けられた気体導入口を有する
筒状のバッファ室とを有し、前記気体導入口より前記バ
ッファ室内に導入された気体が前記隙間を通って室外へ
抜ける構成である。かかる構成において、好ましくは、
前記バッファ室内に前記気体導入口を介して前記気体を
供給するガス供給手段を有してよい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
実施形態を説明する。
実施形態を説明する。
【０００９】先ず、図１〜図５につき本発明の一実施形
態による現像装置を含む塗布現像処理システムを説明す
る。図１〜図３はこの塗布現像処理システムの全体構成
を示す図であって、図１は平面図、図２は正面図および
図３は背面図である。
態による現像装置を含む塗布現像処理システムを説明す
る。図１〜図３はこの塗布現像処理システムの全体構成
を示す図であって、図１は平面図、図２は正面図および
図３は背面図である。
【００１０】この処理システムは、被処理基板として半
導体ウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚たとえば２
５枚単位で外部からシステムに搬入しまたはシステムか
ら搬出したり、ウエハカセットＣＲに対して半導体ウエ
ハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーショ
ン１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつ半導体ウエハＷ
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位
置に多段配置してなる処理ステーション１２と、この処
理ステーション１２と隣接して設けられる露光装置（図
示せず）との間で半導体ウエハＷを受け渡しするための
インタフェース部１４とを一体に接続した構成を有して
いる。
導体ウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚たとえば２
５枚単位で外部からシステムに搬入しまたはシステムか
ら搬出したり、ウエハカセットＣＲに対して半導体ウエ
ハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーショ
ン１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつ半導体ウエハＷ
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位
置に多段配置してなる処理ステーション１２と、この処
理ステーション１２と隣接して設けられる露光装置（図
示せず）との間で半導体ウエハＷを受け渡しするための
インタフェース部１４とを一体に接続した構成を有して
いる。
【００１１】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に
複数個たとえば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞ
れのウエハ出入口を処理ステーション１２側に向けてＸ
方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）およ
びウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配
列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２２が各ウ
エハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになって
いる。さらに、このウエハ搬送体２２は、θ方向に回転
可能に構成されており、後述するように処理ステーショ
ン１２側の第３の組Ｇ3 の多段ユニット部に属するアラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンション
ユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになってい
る。
すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に
複数個たとえば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞ
れのウエハ出入口を処理ステーション１２側に向けてＸ
方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）およ
びウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配
列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２２が各ウ
エハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになって
いる。さらに、このウエハ搬送体２２は、θ方向に回転
可能に構成されており、後述するように処理ステーショ
ン１２側の第３の組Ｇ3 の多段ユニット部に属するアラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンション
ユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになってい
る。
【００１２】処理ステーション１２では、図１に示すよ
うに、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２４が設
けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複
数の組に亙って多段に配置されている。この例では、５
組Ｇ1,Ｇ2,Ｇ3,Ｇ4,Ｇ5の多段配置構成であり、第１お
よび第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ユニットはシステム正面
（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ3 の多
段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置
され、第４の組Ｇ4 の多段ユニットはインタフェース部
１４に隣接して配置され、第５の組Ｇ5 の多段ユニット
は背部側に配置されている。
うに、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２４が設
けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複
数の組に亙って多段に配置されている。この例では、５
組Ｇ1,Ｇ2,Ｇ3,Ｇ4,Ｇ5の多段配置構成であり、第１お
よび第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ユニットはシステム正面
（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ3 の多
段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置
され、第４の組Ｇ4 の多段ユニットはインタフェース部
１４に隣接して配置され、第５の組Ｇ5 の多段ユニット
は背部側に配置されている。
【００１３】図２に示すように、第１の組Ｇ1 では、カ
ップＣＰ内で半導体ウエハＷをスピンチャックに載せて
所定の処理を行うスピンナ型処理ユニットとして本実施
例によるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユ
ニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
第２の組Ｇ2 でも、本実施例によるレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順
に２段に重ねられている。レジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）ではレジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの
上でも面倒であることから、このように下段に配置する
のが好ましい。しかし、必要に応じて上段に配置するこ
とも可能である。
ップＣＰ内で半導体ウエハＷをスピンチャックに載せて
所定の処理を行うスピンナ型処理ユニットとして本実施
例によるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユ
ニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
第２の組Ｇ2 でも、本実施例によるレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順
に２段に重ねられている。レジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）ではレジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの
上でも面倒であることから、このように下段に配置する
のが好ましい。しかし、必要に応じて上段に配置するこ
とも可能である。
【００１４】図３に示すように、第３の組Ｇ3 では、半
導体ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオ
ーブン型の処理ユニットたとえばクーリングユニット
（ＣＯＬ）、アドヒージョンユニット（ＡＤ）、アライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）およびポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）
が下から順に８段に重ねられている。第４の組Ｇ4 で
も、オーブン型の処理ユニット、たとえばクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニ
ット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（Ｅ
ＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキン
グユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキング
ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順にたとえば８段に
重ねられている。
導体ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオ
ーブン型の処理ユニットたとえばクーリングユニット
（ＣＯＬ）、アドヒージョンユニット（ＡＤ）、アライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）およびポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）
が下から順に８段に重ねられている。第４の組Ｇ4 で
も、オーブン型の処理ユニット、たとえばクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニ
ット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（Ｅ
ＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキン
グユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキング
ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順にたとえば８段に
重ねられている。
【００１５】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処
理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアド
ヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、
ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができ
る。しかし、ランダムな多段配置とすることも可能であ
る。
ット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処
理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアド
ヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、
ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができ
る。しかし、ランダムな多段配置とすることも可能であ
る。
【００１６】インタフェース部１４は、奥行方向では処
理ステーション１２と同じ寸法を有するが、幅方向では
小さなサイズにつくられている。インタフェース部１４
の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置
型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部に
は周辺露光装置２８が配設され、中央部にはウエハ搬送
体２６が設けられている。このウエハ搬送体２６は、
Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺
露光装置２８にアクセスするようになっている。さら
に、ウエハ搬送体２６は、θ方向に回転可能に構成さ
れ、処理ステーション１２側の第４の組Ｇ4 の多段ユニ
ットに属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）に
も、および隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示
せず）にもアクセスできるようになっている。
理ステーション１２と同じ寸法を有するが、幅方向では
小さなサイズにつくられている。インタフェース部１４
の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置
型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部に
は周辺露光装置２８が配設され、中央部にはウエハ搬送
体２６が設けられている。このウエハ搬送体２６は、
Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺
露光装置２８にアクセスするようになっている。さら
に、ウエハ搬送体２６は、θ方向に回転可能に構成さ
れ、処理ステーション１２側の第４の組Ｇ4 の多段ユニ
ットに属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）に
も、および隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示
せず）にもアクセスできるようになっている。
【００１７】この処理システムは、クリーンルームに設
置されるが、さらにシステム内でも効率的な垂直層流方
式によって各部の清浄度を高めている。図４および図５
に、システム内における清浄空気の流れを示す。
置されるが、さらにシステム内でも効率的な垂直層流方
式によって各部の清浄度を高めている。図４および図５
に、システム内における清浄空気の流れを示す。
【００１８】図４および図５において、カセットステー
ション１０，処理ステーション１２およびインタフェー
ス部１４の上方にはエア供給室１２ａ，１４ａ，１６ａ
が設けられており、各エア供給室１２ａ，１４ａ，１６
ａの下面には防塵機能付きフィルタたとえばＵＬＰＡフ
ィルタ３０，３２，３４が取り付けられている。
ション１０，処理ステーション１２およびインタフェー
ス部１４の上方にはエア供給室１２ａ，１４ａ，１６ａ
が設けられており、各エア供給室１２ａ，１４ａ，１６
ａの下面には防塵機能付きフィルタたとえばＵＬＰＡフ
ィルタ３０，３２，３４が取り付けられている。
【００１９】図５に示すように、この処理システムの外
部または背後に空調器３６が設置されており、この空調
器３６より配管３８を通って空気が各エア供給室１２
ａ，１４ａ，１６ａに導入され、各エア供給室のＵＬＰ
Ａフィルタ３０，３２，３４より清浄な空気がダウンフ
ローで各部１０，１２，１４に供給されるようになって
いる。このダウンフローの空気は、システム下部の適当
な箇所に多数設けられている通風孔４０を通って底部の
排気口４２に集められ、この排気口４２から配管４４を
通って空調器３６に回収され循環するようになってい
る。もちろん、循環させずに排気口４２より外部に排出
するように構成することもできる。
部または背後に空調器３６が設置されており、この空調
器３６より配管３８を通って空気が各エア供給室１２
ａ，１４ａ，１６ａに導入され、各エア供給室のＵＬＰ
Ａフィルタ３０，３２，３４より清浄な空気がダウンフ
ローで各部１０，１２，１４に供給されるようになって
いる。このダウンフローの空気は、システム下部の適当
な箇所に多数設けられている通風孔４０を通って底部の
排気口４２に集められ、この排気口４２から配管４４を
通って空調器３６に回収され循環するようになってい
る。もちろん、循環させずに排気口４２より外部に排出
するように構成することもできる。
【００２０】図４に示すように、カセットステーション
１０において、カセット載置台２０の上方空間とウエハ
搬送アーム２２の移動空間とは垂れ壁式の仕切り板１１
によって互いに仕切られており、ダウンフローの空気は
両空間で別個に流れるようになっている。
１０において、カセット載置台２０の上方空間とウエハ
搬送アーム２２の移動空間とは垂れ壁式の仕切り板１１
によって互いに仕切られており、ダウンフローの空気は
両空間で別個に流れるようになっている。
【００２１】図４および図５に示すように、処理ステー
ション１２では、第１および第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ユ
ニットの中で下段に配置されているレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ），（ＣＯＴ）の天井面にＵＬＰＡフィルタ
４６が設けられており、空調器３６からの空気は配管３
８より分岐した配管４８を通ってフィルタ４６まで送ら
れるようになっている。この配管４８の途中に温度・湿
度調整器（図示せず）が設けられ、レジスト塗布工程に
適した所定の温度および湿度の清浄空気がレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ），（ＣＯＴ）に供給されるようにな
っている。そして、フィルタ４６の吹き出し側付近に温
度・湿度センサ５０が設けられており、そのセンサ出力
が該温度・湿度調整器の制御部に与えられ、フィードバ
ック方式で清浄空気の温度および湿度が設定値に制御さ
れるようになっている。
ション１２では、第１および第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ユ
ニットの中で下段に配置されているレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ），（ＣＯＴ）の天井面にＵＬＰＡフィルタ
４６が設けられており、空調器３６からの空気は配管３
８より分岐した配管４８を通ってフィルタ４６まで送ら
れるようになっている。この配管４８の途中に温度・湿
度調整器（図示せず）が設けられ、レジスト塗布工程に
適した所定の温度および湿度の清浄空気がレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ），（ＣＯＴ）に供給されるようにな
っている。そして、フィルタ４６の吹き出し側付近に温
度・湿度センサ５０が設けられており、そのセンサ出力
が該温度・湿度調整器の制御部に与えられ、フィードバ
ック方式で清浄空気の温度および湿度が設定値に制御さ
れるようになっている。
【００２２】図４において、各スピンナ型処理ユニット
（ＣＯＴ），（ＤＥＶ）の主ウエハ搬送機構２４に面す
る側壁には、ウエハおよび搬送アームが出入りするため
の開口部ＤＲが設けられている。各開口部ＤＲには、各
ユニットからパーティクルまたはコンタミネーションが
主ウエハ搬送機構２４側に入り込まないようにするた
め、シャッタ（図示せず）が取り付けられている。
（ＣＯＴ），（ＤＥＶ）の主ウエハ搬送機構２４に面す
る側壁には、ウエハおよび搬送アームが出入りするため
の開口部ＤＲが設けられている。各開口部ＤＲには、各
ユニットからパーティクルまたはコンタミネーションが
主ウエハ搬送機構２４側に入り込まないようにするた
め、シャッタ（図示せず）が取り付けられている。
【００２３】上記構成の塗布現像処理システムにおいて
は、たとえば次のように順に半導体ウエハＷを搬送して
各処理を行う。
は、たとえば次のように順に半導体ウエハＷを搬送して
各処理を行う。
【００２４】先ず、ウエハカセットＣＲから処理前の半
導体ウエハＷを１枚ずつウエハ搬送体２２により搬出し
てアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬入する。ここ
で位置決めされた半導体ウエハＷを主ウエハ搬送機構２
４により搬出してアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬
入してアドヒージョン処理を施す。このアドヒージョン
処理の終了後、半導体ウエハＷを主ウエハ搬送機構２４
により搬出してクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬入し
て、ここで冷却する。
導体ウエハＷを１枚ずつウエハ搬送体２２により搬出し
てアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬入する。ここ
で位置決めされた半導体ウエハＷを主ウエハ搬送機構２
４により搬出してアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬
入してアドヒージョン処理を施す。このアドヒージョン
処理の終了後、半導体ウエハＷを主ウエハ搬送機構２４
により搬出してクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬入し
て、ここで冷却する。
【００２５】以下、半導体ウエハＷをレジスト塗布ユニ
ット（ＣＯＴ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸ
ＴＣＯＬ）、インタフェース部１４を介して露光装置に
搬送し、次に第４の組Ｇ4 のイクステンションユニット
（ＥＸＴ）、現像ユニット（ＤＥＶ）、ポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）、第３の組Ｇ3 のイクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）等に搬送して各処理を行
い、処理済みの半導体ウエハＷをウエハカセットＣＲに
収納する。
ット（ＣＯＴ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸ
ＴＣＯＬ）、インタフェース部１４を介して露光装置に
搬送し、次に第４の組Ｇ4 のイクステンションユニット
（ＥＸＴ）、現像ユニット（ＤＥＶ）、ポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）、第３の組Ｇ3 のイクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）等に搬送して各処理を行
い、処理済みの半導体ウエハＷをウエハカセットＣＲに
収納する。
【００２６】次に、図６〜図８につき本実施形態におけ
る現像ユニット（ＤＥＶ）の構成を説明する。図６は現
像ユニット（ＤＥＶ）の要部の構成を示す一部断面略側
面図であり、図７および図８は現像ユニット（ＤＥＶ）
におけるスキャン時の現像液供給ノズルの第１および第
２の位置をそれぞれ示す略平面図である。
る現像ユニット（ＤＥＶ）の構成を説明する。図６は現
像ユニット（ＤＥＶ）の要部の構成を示す一部断面略側
面図であり、図７および図８は現像ユニット（ＤＥＶ）
におけるスキャン時の現像液供給ノズルの第１および第
２の位置をそれぞれ示す略平面図である。
【００２７】この現像ユニット（ＤＥＶ）では、環状カ
ップＣＰの内側中心部にスピンチャック６０が配置され
ている。現像処理を受けるべき半導体ウエハＷは、主ウ
エハ搬送機構２４の搬送アーム（図示せず）によりユニ
ット内に搬送されて来てスピンチャック６０の上に載置
される。スピンチャック６０は、真空吸着によって半導
体ウエハＷを保持した状態で、駆動モータ６２の回転駆
動力によって回転するように構成されている。カップＣ
Ｐの中に落ちた液体あるいは吸い込まれた気体は、カッ
プＣＰの底のドレイン口（図示せず）からドレイン管
（図示せず）を通ってトラップタンク（図示せず）へ送
られるようになっている。
ップＣＰの内側中心部にスピンチャック６０が配置され
ている。現像処理を受けるべき半導体ウエハＷは、主ウ
エハ搬送機構２４の搬送アーム（図示せず）によりユニ
ット内に搬送されて来てスピンチャック６０の上に載置
される。スピンチャック６０は、真空吸着によって半導
体ウエハＷを保持した状態で、駆動モータ６２の回転駆
動力によって回転するように構成されている。カップＣ
Ｐの中に落ちた液体あるいは吸い込まれた気体は、カッ
プＣＰの底のドレイン口（図示せず）からドレイン管
（図示せず）を通ってトラップタンク（図示せず）へ送
られるようになっている。
【００２８】カップＣＰの内側壁面６４の上端には、ス
ピンチャック６０上の半導体ウエハＷの周縁部の裏面と
適当な隙間Ｇを形成するようにリング部材６６が取り付
けられている。このリング部材６６の内側で、かつスピ
ンチャック６０の下側に、有底筒状のバッファ室６８が
設けられている。バッファ室６８の底面には１つまたは
複数の気体導入口６８ａが形成されており、図示しない
ガス供給源からの気体たとえば空気またはＮ2 ガスが気
体導入口６８ａよりバッファ室６８内に導入される。室
内に導入された気体は、リング部材６６と半導体ウエハ
Ｗとの隙間Ｇを通って室外へ抜ける。このようにして、
スピンチャック６０上の半導体ウエハＷの周縁部の裏面
に沿ってウエハＷの半径方向内側から半径方向外側に向
かって気流が流れる。
ピンチャック６０上の半導体ウエハＷの周縁部の裏面と
適当な隙間Ｇを形成するようにリング部材６６が取り付
けられている。このリング部材６６の内側で、かつスピ
ンチャック６０の下側に、有底筒状のバッファ室６８が
設けられている。バッファ室６８の底面には１つまたは
複数の気体導入口６８ａが形成されており、図示しない
ガス供給源からの気体たとえば空気またはＮ2 ガスが気
体導入口６８ａよりバッファ室６８内に導入される。室
内に導入された気体は、リング部材６６と半導体ウエハ
Ｗとの隙間Ｇを通って室外へ抜ける。このようにして、
スピンチャック６０上の半導体ウエハＷの周縁部の裏面
に沿ってウエハＷの半径方向内側から半径方向外側に向
かって気流が流れる。
【００２９】この現像ユニット（ＤＥＶ）における現像
液供給ノズル７０は、垂直支持棒７２およびジョイント
部材７４を介して水平ノズルアーム７６に支持されてお
り、水平ノズルアーム７６に結合されている駆動機構
（図示せず）の水平駆動によって、カップＣＰの外側ま
たは側方に配設されたノズル待機部７８（図７）とスピ
ンチャック６０の上方に設定された所定位置との間で直
線移動するようになっている。ノズル待機部７８では、
現像液供給ノズル７０の先端で乾燥劣化した現像液を廃
棄するために、定期的または必要に応じてダミーディス
ペンスが行われるようになっている。
液供給ノズル７０は、垂直支持棒７２およびジョイント
部材７４を介して水平ノズルアーム７６に支持されてお
り、水平ノズルアーム７６に結合されている駆動機構
（図示せず）の水平駆動によって、カップＣＰの外側ま
たは側方に配設されたノズル待機部７８（図７）とスピ
ンチャック６０の上方に設定された所定位置との間で直
線移動するようになっている。ノズル待機部７８では、
現像液供給ノズル７０の先端で乾燥劣化した現像液を廃
棄するために、定期的または必要に応じてダミーディス
ペンスが行われるようになっている。
【００３０】次に、図６〜図９につき本実施形態の現像
ユニット（ＤＥＶ）における現像処理の工程を説明す
る。
ユニット（ＤＥＶ）における現像処理の工程を説明す
る。
【００３１】現像ユニット（ＤＥＶ）における現像処理
は、基本的には、図９に示すような５つの工程，，
，，を含んでいる。
は、基本的には、図９に示すような５つの工程，，
，，を含んでいる。
【００３２】先ず、第１工程では、水平ノズルアーム
７６を矢印Ｆの方向に駆動して、現像液ノズル７０をノ
ズル待機部７８の位置から半導体ウエハＷの周縁部の上
方に設定された第１の位置Ｐ1 （図６において実線で示
す位置）まで移動させる。この第１の位置Ｐ1 で、現像
液ノズル７０の各吐出口８０(1) ，８０(2) ，…８０
(n) はカップＣＰの上部開口に向けられる。一方、駆動
モータ６２を起動させてスピンチャック６０を回転駆動
し、被処理体の半導体ウエハＷの回転速度を高速の第１
の回転速度たとえば１０００ｒｐｍに立ち上げる。
７６を矢印Ｆの方向に駆動して、現像液ノズル７０をノ
ズル待機部７８の位置から半導体ウエハＷの周縁部の上
方に設定された第１の位置Ｐ1 （図６において実線で示
す位置）まで移動させる。この第１の位置Ｐ1 で、現像
液ノズル７０の各吐出口８０(1) ，８０(2) ，…８０
(n) はカップＣＰの上部開口に向けられる。一方、駆動
モータ６２を起動させてスピンチャック６０を回転駆動
し、被処理体の半導体ウエハＷの回転速度を高速の第１
の回転速度たとえば１０００ｒｐｍに立ち上げる。
【００３３】次に、第２工程では、図６および図７に
示すように、上記第１の位置Ｐ1 にて現像液ノズル７０
より現像液の吐出を開始させる。吐出流量はたとえば
０．８リットル／秒に設定してよい。こうして、現像液
供給ノズル７０から勢いよく吐出された現像液は半導体
ウエハＷには当たらず、カップＣＰの中に直接落ちて回
収される。この第１の位置Ｐ1 におけるウエハ外での現
像液の吐出は、所定時間たとえば０．３秒かけて行われ
る。なお、第２工程の間も、半導体ウエハＷの回転速
度を第１の速度（１０００ｒｐｍ）に維持する。
示すように、上記第１の位置Ｐ1 にて現像液ノズル７０
より現像液の吐出を開始させる。吐出流量はたとえば
０．８リットル／秒に設定してよい。こうして、現像液
供給ノズル７０から勢いよく吐出された現像液は半導体
ウエハＷには当たらず、カップＣＰの中に直接落ちて回
収される。この第１の位置Ｐ1 におけるウエハ外での現
像液の吐出は、所定時間たとえば０．３秒かけて行われ
る。なお、第２工程の間も、半導体ウエハＷの回転速
度を第１の速度（１０００ｒｐｍ）に維持する。
【００３４】次に、第３工程では、現像液供給ノズル
７０より所定の流量たとえば０．８リットル／秒で現像
液を吐出させながら、適当なスキャン速度たとえば６０
〜１００ｍｍ／秒で水平ノズルアーム７６が矢印Ｆの方
向に移動して、所定の時間たとえば１．０秒をかけて、
現像液ノズル７０を第１の位置Ｐ1 から半導体ウエハＷ
の中心部の上方に設定された第２の位置Ｐ2 （図８に示
す位置）まで移動させる。
７０より所定の流量たとえば０．８リットル／秒で現像
液を吐出させながら、適当なスキャン速度たとえば６０
〜１００ｍｍ／秒で水平ノズルアーム７６が矢印Ｆの方
向に移動して、所定の時間たとえば１．０秒をかけて、
現像液ノズル７０を第１の位置Ｐ1 から半導体ウエハＷ
の中心部の上方に設定された第２の位置Ｐ2 （図８に示
す位置）まで移動させる。
【００３５】この第１の位置Ｐ1 から第２の位置Ｐ2 へ
の移動において、現像液供給ノズル７０は、各吐出口８
０(1) ，８０(2) ，…８０(n) より安定な吐出流で現像
液を吐出しながら半導体ウエハＷ上をスキャンする。
の移動において、現像液供給ノズル７０は、各吐出口８
０(1) ，８０(2) ，…８０(n) より安定な吐出流で現像
液を吐出しながら半導体ウエハＷ上をスキャンする。
【００３６】一方、この第３工程でも、半導体ウエハ
Ｗの回転速度を第１の速度（１０００ｒｐｍ）に維持す
る。こうして、第３工程では、現像液供給ノズル７０
より吐出された現像液が、高速回転する半導体ウエハＷ
の表面に万遍に降り掛かり、ウエハ表面全体が薄い膜厚
の現像液で濡らされる（プリウェット）。
Ｗの回転速度を第１の速度（１０００ｒｐｍ）に維持す
る。こうして、第３工程では、現像液供給ノズル７０
より吐出された現像液が、高速回転する半導体ウエハＷ
の表面に万遍に降り掛かり、ウエハ表面全体が薄い膜厚
の現像液で濡らされる（プリウェット）。
【００３７】なお、図７から理解されるように、スキャ
ン開始直後に現像液供給ノズル７０からの現像液が半導
体ウエハＷに差し掛かる際、現像液供給ノズル７０の両
端の吐出口８０(1) ，８０(n) からの現像液がほぼ同時
に半導体ウエハＷの周端に当たる（乗る）ようにすると
よい。
ン開始直後に現像液供給ノズル７０からの現像液が半導
体ウエハＷに差し掛かる際、現像液供給ノズル７０の両
端の吐出口８０(1) ，８０(n) からの現像液がほぼ同時
に半導体ウエハＷの周端に当たる（乗る）ようにすると
よい。
【００３８】次に、第４工程では、半導体ウエハＷの
回転速度を第１の回転速度（１０００ｒｐｍ）よりもか
なり低い中速の第２の回転速度たとえば１００ｒｐｍで
回転させると同時に、上記第２の位置Ｐ2 にて現像液供
給ノズル７０より所定の流量たとえば０．８リットル／
秒で現像液を吐出させる。この処理は所定時間たとえば
１．５秒かけて行われ、これにより半導体ウエハＷ上で
現像液の液層がウエハ中心部から厚くなる。
回転速度を第１の回転速度（１０００ｒｐｍ）よりもか
なり低い中速の第２の回転速度たとえば１００ｒｐｍで
回転させると同時に、上記第２の位置Ｐ2 にて現像液供
給ノズル７０より所定の流量たとえば０．８リットル／
秒で現像液を吐出させる。この処理は所定時間たとえば
１．５秒かけて行われ、これにより半導体ウエハＷ上で
現像液の液層がウエハ中心部から厚くなる。
【００３９】次に、第５工程では、半導体ウエハＷの
回転速度を第２の回転速度（１００ｒｐｍ）よりも低い
低速の第３の回転速度たとえば３０ｒｐｍで回転させる
と同時に、第２の位置Ｐ2 にて現像液供給ノズル７０よ
り所定の流量たとえば０．８リットル／秒で現像液を吐
出させる。この処理は所定時間たとえば２．０秒かけて
行われる。こうして、現像液供給ノズル７０より吐出さ
れた現像液が、低速回転する半導体ウエハＷの表面に万
遍に所定時間降り掛かり、ウエハ表面全体が所望の厚さ
でほぼ均一に液盛りされる。
回転速度を第２の回転速度（１００ｒｐｍ）よりも低い
低速の第３の回転速度たとえば３０ｒｐｍで回転させる
と同時に、第２の位置Ｐ2 にて現像液供給ノズル７０よ
り所定の流量たとえば０．８リットル／秒で現像液を吐
出させる。この処理は所定時間たとえば２．０秒かけて
行われる。こうして、現像液供給ノズル７０より吐出さ
れた現像液が、低速回転する半導体ウエハＷの表面に万
遍に所定時間降り掛かり、ウエハ表面全体が所望の厚さ
でほぼ均一に液盛りされる。
【００４０】なお、第２の回転速度（１００ｒｐｍ）か
ら第３の回転速度（３０ｒｐｍ）への減速幅は小さいた
め、その減速の加速度は任意に選択してよく、たとえば
１０００ｒｐｍ／秒に設定してよい。
ら第３の回転速度（３０ｒｐｍ）への減速幅は小さいた
め、その減速の加速度は任意に選択してよく、たとえば
１０００ｒｐｍ／秒に設定してよい。
【００４１】上記のようにして半導体ウエハＷ上に現像
液を液盛りした後は、この状態を所定時間保持すること
により、現像処理が完了する。現像液供給ノズル７０
は、第５工程の終了後に、水平ノズルアーム７６によ
り矢印Ｆと逆方向に移送され、ノズル待機部７８へ戻さ
れる。
液を液盛りした後は、この状態を所定時間保持すること
により、現像処理が完了する。現像液供給ノズル７０
は、第５工程の終了後に、水平ノズルアーム７６によ
り矢印Ｆと逆方向に移送され、ノズル待機部７８へ戻さ
れる。
【００４２】このように、この現像ユニットでは、半導
体ウエハＷの裏側のバッファ室６８から気流がウエハ周
縁部の裏面に沿って内から外へ流れるため、ノズル７０
よりウエハ表面に供給された現像液はウエハ裏面に回る
ことがなく、したがってウエハ裏面やスピンチャック６
０等を汚すことがなく、ウエハ表面上に正しく液盛りさ
れる。
体ウエハＷの裏側のバッファ室６８から気流がウエハ周
縁部の裏面に沿って内から外へ流れるため、ノズル７０
よりウエハ表面に供給された現像液はウエハ裏面に回る
ことがなく、したがってウエハ裏面やスピンチャック６
０等を汚すことがなく、ウエハ表面上に正しく液盛りさ
れる。
【００４３】なお、現像液供給ノズル７０とは別にリン
スノズル（図示せず）が設けられ、現像処理後にこのリ
ンスノズルを介して半導体ウエハＷにリンス液が供給さ
れ、ウエハ表面の現像液が洗い落とされる。リンス機構
は本発明の要旨には関係しないため、その説明は省略す
る。
スノズル（図示せず）が設けられ、現像処理後にこのリ
ンスノズルを介して半導体ウエハＷにリンス液が供給さ
れ、ウエハ表面の現像液が洗い落とされる。リンス機構
は本発明の要旨には関係しないため、その説明は省略す
る。
【００４４】上記した実施例におけるスピンチャック、
カップ、ノズル等の各部の構造および形状等は一例であ
って、種々の変形が可能である。また、上記実施形態で
は、現像液供給ノズルを半導体ウエハＷの上方で直線移
動させたが、たとえば吐出口の配列方向をウエハ半径方
向に合わせた状態で現像液供給ノズルを周回方向に移動
させてもよい。図１〜図５の塗布現像処理システムは一
例であり、本発明は他の現像システムまたは装置にも適
用可能である。また、上記実施形態は半導体ウエハ上の
フォトレジストを現像する装置に係るものであったが、
他の被処理基板でも可能である。
カップ、ノズル等の各部の構造および形状等は一例であ
って、種々の変形が可能である。また、上記実施形態で
は、現像液供給ノズルを半導体ウエハＷの上方で直線移
動させたが、たとえば吐出口の配列方向をウエハ半径方
向に合わせた状態で現像液供給ノズルを周回方向に移動
させてもよい。図１〜図５の塗布現像処理システムは一
例であり、本発明は他の現像システムまたは装置にも適
用可能である。また、上記実施形態は半導体ウエハ上の
フォトレジストを現像する装置に係るものであったが、
他の被処理基板でも可能である。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スピンチャック上の被処理基板理基面の周縁部に沿って
基板内側から外側へ気流を流すことで、ノズルより被処
理基板の表面に供給される現像液の基板裏面への回り込
みを効果的に阻止し、汚染の防止と現像工程の質の向上
をはかることができる。
スピンチャック上の被処理基板理基面の周縁部に沿って
基板内側から外側へ気流を流すことで、ノズルより被処
理基板の表面に供給される現像液の基板裏面への回り込
みを効果的に阻止し、汚染の防止と現像工程の質の向上
をはかることができる。
【図１】本発明の一実施形態による現像ユニット（装
置）を含む塗布現像処理システムの全体構成を示す平面
図である。
置）を含む塗布現像処理システムの全体構成を示す平面
図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの構成を示す正面
図である。
図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの構成を示す背面
図である。
図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムにおける清浄空気
の流れを示す略正面図である。
の流れを示す略正面図である。
【図５】図１の塗布現像処理システムにおける清浄空気
の流れを示す略側面図である。
の流れを示す略側面図である。
【図６】実施形態における現像ユニットの要部の構成を
示す一部断面略側面図である。
示す一部断面略側面図である。
【図７】実施形態の現像ユニットにおいて現像液吐出開
始時の現像液供給ノズルの位置を示す略平面図である。
始時の現像液供給ノズルの位置を示す略平面図である。
【図８】実施形態の現像ユニットにおいてスキャン終了
時の現像液供給ノズルの位置を示す略平面図である。
時の現像液供給ノズルの位置を示す略平面図である。
【図９】実施形態の現像ユニットにおける現像処理の工
程を説明するための略側面図である。
程を説明するための略側面図である。
ＣＰ カップ ６０ スピンチャック ６２ 駆動モータ ６６ リング部材 ６８ バッファ室 ６８ａ 気体導入口 ７０ 現像液供給ノズル ７６ 水平ノズルアーム ８０(1) …８０(n) 吐出口
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理基板をスピンチャックの上に載せ
て回転させながらノズルを介して現像液を前記被処理基
板の表面に供給するようにした現像装置において、 前記スピンチャック上の前記被処理基板の裏面の周縁部
に沿って基板内側から外側へ気流を流す手段を具備する
ことを特徴とする現像装置。 - 【請求項２】 被処理基板をスピンチャックの上に載せ
て回転させながらノズルを介して現像液を前記被処理基
板の表面に供給するようにした現像装置において、 前記スピンチャック上の前記被処理基板の裏面の周縁部
と所定の隙間を形成すように設けられたリング部材と、 前記リング部材の内側で、かつ前記スピンチャックの下
側に設けられた気体導入口を有する筒状のバッファ室と
を有し、 前記気体導入口より前記バッファ室内に導入された気体
が前記隙間を通って室外へ抜けるようにしたことを特徴
とする現像装置。 - 【請求項３】 前記バッファ室内に前記気体導入口を介
して前記気体を供給するガス供給手段を有することを特
徴とする請求項２に記載の現像装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-259155 | 1994-09-29 | ||
| JP25915594 | 1994-09-29 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27698495A Division JP3180209B2 (ja) | 1994-09-29 | 1995-09-29 | 現像装置及び現像処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000188255A true JP2000188255A (ja) | 2000-07-04 |
| JP3259092B2 JP3259092B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=17330113
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000042770A Expired - Lifetime JP3259091B2 (ja) | 1994-09-29 | 2000-02-21 | 現像処理方法 |
| JP2000042771A Expired - Fee Related JP3259092B2 (ja) | 1994-09-29 | 2000-02-21 | 現像処理方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000042770A Expired - Lifetime JP3259091B2 (ja) | 1994-09-29 | 2000-02-21 | 現像処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5625433A (ja) |
| JP (2) | JP3259091B2 (ja) |
| KR (1) | KR100295019B1 (ja) |
| TW (1) | TW290707B (ja) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3377909B2 (ja) * | 1996-02-28 | 2003-02-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US5821035A (en) * | 1996-03-06 | 1998-10-13 | Sony Corporation | Resist developing apparatus and resist developing method |
| TW359854B (en) * | 1996-06-21 | 1999-06-01 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus and processing method |
| JP3227595B2 (ja) * | 1996-08-20 | 2001-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
| KR100283442B1 (ko) * | 1996-12-26 | 2001-04-02 | 이시다 아키라 | 현상장치및현상방법 |
| DE19718983B4 (de) * | 1997-05-05 | 2004-09-30 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtungen, Verwendung und Verfahren zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche eines Halbleiterwafers |
| JP3265238B2 (ja) * | 1997-08-01 | 2002-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 液膜形成装置及びその方法 |
| JP3340945B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2002-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布現像処理装置 |
| KR100292612B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2001-08-07 | 윤종용 | 반도체 웨이퍼 정렬시스템 및 이를 이용하는 웨이퍼 정렬방법 |
| JPH11204396A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造システムおよびデバイス製造方法 |
| WO1999035535A1 (en) * | 1998-01-09 | 1999-07-15 | Fastar, Ltd. | Linear developer |
| US6248171B1 (en) * | 1998-09-17 | 2001-06-19 | Silicon Valley Group, Inc. | Yield and line width performance for liquid polymers and other materials |
| US6689215B2 (en) | 1998-09-17 | 2004-02-10 | Asml Holdings, N.V. | Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface |
| US6210050B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-04-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Resist developing method and apparatus with nozzle offset for uniform developer application |
| US6092937A (en) * | 1999-01-08 | 2000-07-25 | Fastar, Ltd. | Linear developer |
| JP3395696B2 (ja) | 1999-03-15 | 2003-04-14 | 日本電気株式会社 | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 |
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- 1995-09-29 KR KR1019950032781A patent/KR100295019B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-10-03 TW TW084110337A patent/TW290707B/zh not_active IP Right Cessation
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2000
- 2000-02-21 JP JP2000042770A patent/JP3259091B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-21 JP JP2000042771A patent/JP3259092B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960012298A (ko) | 1996-04-20 |
| JP2000208413A (ja) | 2000-07-28 |
| US5625433A (en) | 1997-04-29 |
| TW290707B (ja) | 1996-11-11 |
| JP3259092B2 (ja) | 2002-02-18 |
| KR100295019B1 (ko) | 2001-10-24 |
| JP3259091B2 (ja) | 2002-02-18 |
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