DE19718983B4 - Vorrichtungen, Verwendung und Verfahren zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche eines Halbleiterwafers - Google Patents

Vorrichtungen, Verwendung und Verfahren zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche eines Halbleiterwafers Download PDF

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Abstract

Vorrichtung zum Aufbringen einer Substanz auf die Oberfläche eines Halbleiterwafers, mit
einem Gehäuse (10),
zumindest einer Zuführung (12), durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Vorrichtung geführt wird, und Düsen (16), durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Oberfläche geführt wird,
wobei zumindest eine der Düsen (16) benachbart zu einem Mittelpunkt der Oberfläche und zumindest eine der Düsen (16) benachbart zum Rand des sich gegenüber der Vorrichtung befindenden Halbleiterwafers angeordnet sind,
wobei die Fläche der Düsenöffnung der Düse (16), die benachbart zur Mitte der Oberfläche angeordnet ist, kleiner als die Fläche der Düsenöffnung der Düse (16) ist, die benachbart zum Rand der Oberfläche angeordnet ist,
und wobei jede Düse (16) von dem Mittelpunkt der Oberfläche einen vorgegebenen radialen Abstand ri aufweist,
dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil der Düsen auf einer Kreisbahn oder entlang eines Teils einer Kreisbahn um den Mittelpunkt der...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zum Aufbringen einer Substanz, insbesondere eines Entwicklers, auf eine Oberfläche. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung Vorrichtungen zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
  • Bei der Herstellung von integrierten Halbleiterprodukten kommt es häufig zu Prozeßschritten, bei denen eine Substanz auf die Oberfläche eines Halbleiterwafers aufgebracht werden muß. Insbesondere bei der Strukturierung der Waferoberfläche mittels einer Phototechnik muß eine Entwicklerflüssigkeit auf den belichteten Photolack aufgebracht werden, um das durch die Belichtung entstandene latente Bild in dem Photolack zu entwickeln.
  • Beim nasschemischen Entwicklerprozess von Photolacken entstehen jedoch, bedingt durch die Inhomogenität beim Entwicklerauftrag, Schwankungen der Lackstrukturbreiten, die unmittelbar in das zu ätzende Substrat übertragen werden. Daraus folgt eine Schwankung der Strukturmaße innerhalb eines Chips und von Chip zu Chip, welche z.B. zu unterschiedlichen elektrischen Parametern der integrierten Schaltungen aber auch zum Ausfall einer integrierten Schaltung führen kann.
  • Der naßchemische Entwicklungsprozeß von Photolacken nach dem Belichten erfolgt beispielsweise durch die Herstellung einer „Entwicklerpfütze" (Puddle) mit einer E2-nozzle der Firma TEL (Tokyo Electron Limited).
  • Dazu wird die E2-nozzle bis zur Wafermitte gefahren. Während des danach erfolgenden Entwicklerauftrags dreht sich der Wafer um 180°, so daß die gesamte Waferoberfläche mit Entwickler benetzt wird.
  • Da sich der Wafer dreht während aus allen Düsen der E2-nozzle auf Grund des gleichen Düsendurchmessers die gleiche Entwicklermenge austritt, tritt in der Wafermitte eine höhere Flächenkonzentration (Entwicklermenge pro Flächeneinheit) des Entwicklers als am Rand auf. Die sich dabei ergebende Entwicklerdichteverteilung über den Wafer ist in 7 schematisch dargestellt.
  • Daraus ist ersichtlich, daß in Abhängigkeit vom Abstand zur Wafermitte der Entwickler tendenziell zur Wafermitte hin unverbrauchter ist und intensiver wirkt.
  • Nachweisbar sind die Auswirkungen dieser inhomogen Entwicklerverteilung beispielsweise durch die folgenden Messungen.
  • a. Absoluter Lackdunkelabtrag
  • Dabei steht der Begriff „Dunkelabtrag" für die Differenz aus der Lackdicke eines unbelichteten Wafers ohne Entwicklungsschritt und der Lackdicke eines unbelichteten Wafers mit Entwicklungsschritt.
  • Bei dieser Messung handelt es sich um den Dunkelabtrag des Fotolacks „UVIIHS 0.6" nach dem Entwicklungsschritt mit einer E2-Nozzle und dem Entwickler „TMAH 238 WA". Ein Photolack wurde auf einen 200mm-Silizium-Wafer aufgetragen. Danach wird eine E2-Nozzle zur Wafermitte gefahren und Entwickler wird aus den 104 Spraydüsen der E2-Nozzle auf den Wafer aufgetra gen. Während dieses Auftrags dreht sich der Wafer um 180°. Der aufgebrachte Entwickler verteilt sich so über den Wafer, daß sich eine „Entwicklerpfütze" („Puddle") einstellt. Nach einer bestimmten Entwicklungszeit wird der Puddle mit H2O abgespült.
  • 8 zeigt den sich ergebenden Dunkelabtrag für 2 Wafer. Deutlich ist der stärkere Lackabtrag zur Wafermitte hin zu erkennen. Die 50 Meßpunkte waren dabei diagonal über den Wafer von Waferrand zu Waferrand angeordnet.
  • b. Lackmaßschwankung quer über den Wafer
  • Bei dieser Messung wird die Breite von Lackstrukturen gemessen, wobei ganzflächig über den Wafer die gleiche Belichtungsdosis und der gleiche Fokus auf dem Siliziumsubstrat eingestellt ist.
  • Es wurden 200 mm-Silizium-Wafer mit dem Fotolack „UVIIHS 0.6" der Dicke 640 nm belackt und mit einem Auflösungsreticle (Schablone) belichtet. Gemessen wurden 250 nm Stege. Als Entwickler wurde „TMAH 238 WA" verwendet. Wie aus 9 ersichtlich betrugen die Maßschwankung über den Wafer insgesamt 57,8 nm. Wiederum waren dabei 50 Meßpunkte diagonal über den Wafer von Waferrand zu Waferrand angeordnet.
  • Da, wie bereits erwähnt, Lackmaßschwankungen zu Unterschieden bei den elektrischen Parametern der integrierten Schaltungen aber auch zum Ausfall einer integrierten Schaltung führen können, werden bestimmte Lack- und Ätzmaßgrenzen vorgeschrieben, um die integrierte Schaltung funktionstüchtig und zuverlässig herzustellen. Zur Einhaltung dieser Grenzen und zur Minimierung der Reworkraten in der Lithografie ist es daher notwendig, den Entwicklerprozeß so zu optimieren, daß entwicklerauftragsbedingte Lackmaßschwankungen reduziert werden.
  • Aus dem Artikel "Neue Düsen gegen Verschmutzung", Oberfläche + JOT, 1987, Heft 9, Seite 52, ist ein Rotationszerstäuber bekannt, bei dem durch geeignete Konturwahl der Kontur des rotierenden Körpers eine Abscheidung und Anhaftung von Lackpartikeln verhindert wird.
  • Aus der US-Patentschrift 5,625,433 ist eine Vorrichtung zum Aufbringen von Entwickler auf ein Resist bekannt. Benachbarte Düsen der Vorrichtung haben gleiche Abstände zueinander und gleiche Durchmesser. Die Düsen werden geradlinig bewegt während sich das Resist dreht.
  • Aus der US-Patentschrift 4,564,280 ist eine Vorrichtung zum Aufbringen von Entwickler bekannt, bei der Düsen unterschiedliche Abstände zueinander haben. Die Düsen sind bezüglich Durchmesser oder Form identisch oder nicht identisch.
    •
  • Es ist somit die Aufgabe der vorliegenden Erfindung Vorrichtungen, eine Verwendung und Verfahren zum Aufbringen einer Substanz, insbesondere eines Entwicklers, auf eine Oberfläche bereitzustellen, die eine hinreichend gleichmäßige Verteilung der aufzubringenden Substanz auf der Oberfläche gewährleisten.
  • Diese Aufgabe wird von den Verfahren, der Verwendung sowie den Vorrichtungen gemäß den Patentansprüchen gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen, Ausgestaltungen und Aspekte der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen, der Beschreibung und den beiliegenden Zeichnungen.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung werden die Düsen relativ zur Oberfläche im wesentlichen geradlinig und gleichförmig bewegt.
  • Gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird zumindest ein Teil der Düsen relativ zur Oberfläche jeweils entlang zumindest eines Teils eines Kreises bewegt.
  • Erfindungsgemäß wird ebenfalls eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens bereitgestellt. Die Vorrichtung umfaßt ein Gehäuse, zumindest eine Zuführung, durch welche die aufzubringende Substanz zu der Vorrichtung geführt wird, und Düsen, durch welche die aufzubringende Substanz zu der Oberfläche geführt wird, wobei zumindest eine der Düsen benachbart zur Mitte der Oberfläche und zumindest eine der Düsen benachbart zum Rand der Oberfläche angeordnet ist. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche der Düse, die benachbart zur Mitte der Oberfläche angeordnet ist, kleiner als die Fläche der Düse ist, die benachbart zum Rand der Oberfläche angeordnet ist. Außerdem gilt die unten angegebene Formel für die Flächen der Düsenöffnungen.
  • Weiterhin wird erfindungsgemäß eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens bereitgestellt, bei der ein Gehäuse, zumindest eine Zuführung, durch welche die aufzubringende Substanz zu der Vorrichtung geführt wird, und Düsen vorgesehen sind, durch welche die aufzubringende Substanz zu der Oberfläche des Halbleiterwafers geführt wird, wobei zumindest zwei der Düsen benachbart zur Mitte der Oberfläche und zumindest zwei der Düsen benachbart zum Rand der Oberfläche angeordnet sind. Diese weitere Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß der radiale Abstand zwischen zwei der Düsen, die benachbart zur Mitte der Oberfläche angeordnet sind, größer als der radiale Abstand zwischen zwei der Düsen ist, die benachbart zum Rand der Oberfläche angeordnet sind.
  • Bevorzugt weist jede Öffnung von der Mitte des Halbleiterwafers einen vorgegebenen radialen Abstand ri auf.
  • Weiterhin ist es bevorzugt, wenn sich zumindest für einen Teil der Düsen die Flächen Si der Düsenöffnungen gemäß der Formel Si+n/Si = ((ri+n+1 2 – ri+n 2)/(ri+1 2 – ri 2))verhalten.
  • Ebenso ist es bevorzugt, wenn zumindest für einen Teil der Düsen die Beziehung 2 ri+1 2 – ri 2 = ri+2 2 gilt.
    •
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren der Zeichnung näher dargestellt. Es zeigen:
  • 1 ein Diagramm für eine nahezu optimale Düsenanordnung, wobei die Düsen jeweils die gleiche Düsenfläche besitzen,
  • 2 ein Diagramm für eine nahezu optimale Auswahl der Düsenradien in Abhängigkeit von der radialen Position der jeweiligen Düse oberhalb der Oberfläche,
  • 3 eine erfindungsgemäße Vorrichtung zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche,
  • 4 eine Aufsicht auf die Unterseite einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 5 eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens,
  • 6 eine weitere erfindungsgemäße Vorrichtung zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche,
  • 7 die Entwicklerverteilung bei Verwendung einer 128-düsigen E2-Nozzle gemäß einem herkömmlichen Verfahren,
  • 8 ein Diagramm des absoluten Lack-Dunkelabtrags bei einem herkömmlichen Verfahren, und
  • 9 ein Diagramm der Lackmaßschwankungen bei einem herkömmlichen Verfahren.
  • Im folgenden werden die geometrischen Überlegungen, die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegen, näher dargestellt. Dabei wird davon ausgegangen, daß die zu benetzende Oberfläche so ausgebildet ist, daß man von einem Mittelpunkt der Oberfläche sprechen kann. Ein Halbleiterwafer ist ein Beispiel für eine solche Oberfläche. Zur Benetzung einer derartigen Oberfläche werden die Düsen üblicherweise auf Kreisbahnen um den Mittelpunkt über die Oberfläche geführt, d.h. jede Düse besitzt während der Benetzung der Oberfläche einen festen radialen Abstand ri vom Mittelpunkt der Oberfläche. Dabei wird, für die folgenden Überlegungen, der radiale Abstand der Düse, die dem Mittelpunkt am nächsten liegt, gleich Null gesetzt, auch wenn die Düse nicht direkt über dem Mittelpunkt zentriert ist. Weiterhin ist zu bemerken, daß, wenn zwei oder mehr Düsen im wesentlichen den gleichen radialen Abstand vom Mittelpunkt der Oberfläche besitzen, diese Düsen als eine einzige Düse mit entsprechend vergrößerter Düsenöffnung betrachtet werden. Zur Abschätzung der von einer Düse benetzten Fläche wird davon ausgegangen, daß eine Düse näherungsweise zumindest einen Teil des Kreisrings benetzt, der zwischen dem Radius ri der Düse selbst und ri+1 der radial nächsten Düse liegt.
  • Ausgehend von diesen Kreisringen gilt für das Flächenverhältnis σni der Kreisringe Ai+n zu Ai σni = Ai+n/Ai = (ri+n+1 2 – ri+n 2 )/(ri+1 2 – ri 2)mit Ai = Fläche des Kreisringes i: (ri+1 2 – ri 2)·π und
    Ai+n = Fläche des Kreisringes i + n: (ri+n+1 2 – ri+n 2)·π
  • Daraus ergibt sich, daß eine Düse in der Nähe des Rands der Oberfläche eine deutlich größere Fläche zu bedecken hat als eine Düse, die in der Nähe des Mittelpunkts der Oberfläche angeordnet ist. Dementsprechend stellt sich am Rand der Oberfläche, gleiche Düsenöffnungen vorausgesetzt, eine deutlich geringere Substanzmenge pro Flächeneinheit ein.
  • Um diesem Effekt entgegenzuwirken, ist es gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehen, daß die Abstände der Düsen in der Nähe des Mittelpunkts der Oberfläche größer als die Abstände der Düsen in der Nähe des Rands der Oberfläche gewählt sind. Mit anderen Worten ausgedrückt, diese Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt zumindest einen Referenzpunkt, der im Betrieb der Vorrichtung in der Nähe des Mittelpunkts der Oberfläche, bevorzugt direkt über dem Mittelpunkt der Oberfläche angeordnet ist. Zwei Düsen der Vorrichtung, die benachbart zu diesem Referenzpunkt angeordnet sind, besitzen bei dieser Ausführungsform einen größeren radialen Abstand als zwei Düsen, die entfernt von diesem Referenzpunkt angeordnet sind.
  • Bevorzugt werden die Abstände der einzelnen Düsen so radial verteilt, daß, einen konstanten Substanzfluß vorausgesetzt, jede Düse einen flächenmäßig identischen Anteil der Oberfläche überstreicht. Dadurch ist ein nahezu uniformer Substanzauftrag gewährleistet.
  • Für diese optimale radiale Verteilung der Düsen gilt daher: 2 ri+1 2 – ri 2 = ri+2 2.
  • Diese radiale Verteilung der Düsen ist in 1 dargestellt. Für die meisten Anwendungen ist es jedoch ausreichend, wenn nur ein Teil der Düsen, bevorzugt die in der Nähe des Mittelpunkts der Oberfläche (in der Nähe des Referenzpunktes), gemäß dieser Beziehung angeordnet sind.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden, bei gleichmäßigen Abständen der einzelnen Düsen, die Flächen der Düsenöffnung so angepaßt, daß die Fläche einer Düse, die benachbart zur Mitte der Oberfläche angeordnet ist, kleiner als die Fläche einer Düse ist, die benachbart zum Rand der Oberfläche angeordnet ist. Oder mit anderen Worten ausgedrückt, auch diese Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt zumindest einen Referenzpunkt, der im Betrieb der Vorrichtung in der Nähe des Mittelpunkts der Oberfläche, bevorzugt direkt über dem Mittelpunkt der Oberfläche angeordnet ist. Eine Düse der Vorrichtung, die benachbart zu diesem Referenzpunkt angeordnet ist, besitzt bei dieser Ausführungsform eine kleinere Düsenöffnung als eine Düse, die entfernt von diesem Referenzpunkt angeordnet ist.
  • Bevorzugt sind die Düsenöffnungen dabei so gewählt, daß ein direkt zu der jeweiligen Kreisringfläche proportionaler Entwicklerfluß gegeben ist.
  • Für den Fall kreisförmiger Düsenöffnungen gilt dann für den Radius ri,Nozzle einer Düse: ri+n,Nozzle 2/ri,Nozzle 2 = ((ri+n+1 2 – ri+n 2 )/(ri+1 2 – ri 2))
  • Diese Verteilung der Radien der Düsen ist in 2 dargestellt. Für die meisten Anwendungen ist es jedoch ausreichend, wenn nur ein Teil der Düsen, bevorzugt die in der Nähe des Mittelpunkts der Oberfläche, einen Radius aufweisen, der gemäß dieser Beziehung gewählt ist. Natürlich ist auch eine gleichzeitige Anpassung der Düsenöffnungen und der radialen Abstände der Düsen möglich.
  • 3 zeigt eine derartige Vorrichtung zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche. In einem Gehäuse 10 sind Zuführungen 12 vorgesehen, durch welche die aufzubringende Substanz 14 zu der Vorrichtung geführt wird. An der den Zuführungen gegenüberliegenden Seite des Gehäuses sind Düsen 16 angeordnet, durch welche die aufzubringende Substanz 14 zu der Oberfläche (nicht gezeigt) geführt wird. Die Mittelpunkte der Düsen 16 haben jeweils den gleichen Abstand voneinander. Um einen möglichst homogenen Substanzauftrag zu gewährleisten, sind die Radien der Düsenöffnungen gemäß der vorstehenden Beziehung gewählt. Die Mitte der Vorrichtung (Referenzpunkt) ist dabei während des Betriebs der Vorrichtung direkt über dem Mittelpunkt der zu bedeckenden Oberfläche angeordnet. Weiterhin sind auf der Seite des Gehäuses, auf der die Zuführungen 12 vorgesehen sind, Kühlzuführungen 18 vorgesehen.
  • 3 zeigt eine im wesentliche lineare Anordnung der Düsen 16. Es können jedoch auch sternförmige Anordnungen der Düsen, beispielsweise zwei sich unter 90° kreuzende lineare Anordnungen von Düsen, gewählt werden. Dabei ist zu bemerken, daß, wenn zwei oder mehr Düsen im wesentlichen den gleichen radialen Abstand vom Mittelpunkt der Oberfläche bzw. vom einem Referenzpunkt besitzen, diese Düsen als eine einzige Düse mit entsprechend vergrößerter Düsenöffnung betrachtet werden.
  • Statt vieler Düsen können wenige entsprechend geformte Düsen vorgesehen sein. 4 zeigt eine Aufsicht auf die Unterseite einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Dabei wurde die Vielzahl von Düsen durch eine einzige Düse 26 ersetzt. Die Düse 26 ist so geformt, daß die Fläche der Düse 26 zum Rand der Oberfläche hin zunimmt. Insbesondere ist die Düse 26 so geformt, daß sich die Flächenanteile Si der Düse (26), die von der Mitte der Oberfläche bzw. einem Referenzpunkt P einen radialen Abstand ri besitzen, gemäß der Formel Si+n/Si = ((ri+n+1 2 – ri+n 2)/(ri+1 2 – ri 2))verhalten. Der übrige Aufbau der in 4 gezeigten Ausführungsform entspricht der in 3 gezeigten Vorrichtung.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein hinreichend homogener Substanzauftrag dadurch gewährleistet, daß die Düsen relativ zur Oberfläche im wesentlichen geradlinig und gleichförmig bewegt werden. Wie aus 5 ersichtlich, wird dazu eine lineare Düsenanordnung 40 mit Düsen, die jeweils die gleiche Düsenöffnungen und jeweils voneinander den gleichen Abstand haben, geradlinig und im wesentlichen gleichförmig über die Oberfläche eines Halbleiterwafers 41 bewegt. Die Bewegung der Düsenanordnung 40 erfolgt dabei durch Führungsmittel 44 und Antriebsmittel (nicht gezeigt), beispielsweise einem Elektromotor.
  • 6 zeigt eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Hierbei wird die Oberfläche 41 gegenüber der Düsenanordnung 40 entlang von Führungsmitteln 44 bewegt. Die Oberfläche wird dabei von einem Elektromotor (nicht gezeigt) angetrieben.

Claims (14)

  1. Vorrichtung zum Aufbringen einer Substanz auf die Oberfläche eines Halbleiterwafers, mit einem Gehäuse (10), zumindest einer Zuführung (12), durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Vorrichtung geführt wird, und Düsen (16), durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Oberfläche geführt wird, wobei zumindest eine der Düsen (16) benachbart zu einem Mittelpunkt der Oberfläche und zumindest eine der Düsen (16) benachbart zum Rand des sich gegenüber der Vorrichtung befindenden Halbleiterwafers angeordnet sind, wobei die Fläche der Düsenöffnung der Düse (16), die benachbart zur Mitte der Oberfläche angeordnet ist, kleiner als die Fläche der Düsenöffnung der Düse (16) ist, die benachbart zum Rand der Oberfläche angeordnet ist, und wobei jede Düse (16) von dem Mittelpunkt der Oberfläche einen vorgegebenen radialen Abstand ri aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil der Düsen auf einer Kreisbahn oder entlang eines Teils einer Kreisbahn um den Mittelpunkt der Oberfläche geführt werden oder sich die Oberfläche dreht und die Größen der Düsenöffnungen dabei so gewählt sind, dass ein zu der jeweiligen Kreisringfläche direkt proportionaler Substanzfluss gegeben ist.
  2. Vorrichtung zum Aufbringen einer Substanz auf die Oberfläche eines Halbleiterwafers, mit einem Gehäuse (10), zumindest einer Zuführung (12), durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Vorrichtung geführt wird, und Düsen (16), durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Oberfläche geführt wird, wobei zumindest zwei der Düsen (16) benachbart zu einem Mittelpunkt der Oberfläche und zumindest zwei der Düsen (16) benachbart zum Rand des sich gegenüber der Vorrichtung befindenden Halbleiterwafers angeordnet sind, wobei der radiale Abstand zwischen zwei der Düsen (16), die benachbart zu dem Mittelpunkt der Oberfläche angeordnet sind, größer als der radiale Abstand zwischen zwei der Düsen (16) ist, die benachbart zum Rand der Oberfläche angeordnet sind, und wobei jede Düse (16) von der Mitte der Oberfläche einen vorgegebenen radialen Abstand ri aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil der Düsen auf einer Kreisbahn oder entlang eines Teils einer Kreisbahn um den Mittelpunkt der Oberfläche geführt werden oder sich der Halbleiterwafer dreht und die Abstände der einzelnen Düsen radial so verteilt sind, dass jede Düse einen flächenmäßig identischen Anteil des Halbleiterwafers überstreicht.
  3. Vorrichtung zum Aufbringen einer Substanz auf die Oberfläche eines Halbleiterwafers, mit einem Gehäuse (10), zumindest einer Zuführung (12), durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Vorrichtung geführt wird, und zumindest einer Düse (26), durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Oberfläche des sich gegenüber der Vorrichtung befindenden Halbleiterwafers geführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche der Düsenöffnung (26) zum Rand der Oberfläche hin zunimmt.
  4. Vorrichtung zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche eines Halbleiterwafers, mit einer Düsenanordnung (40), welche zumindest eine Düse aufweist, durch welche die aufzubringende Substanz zu der Oberfläche (41) des Halbleiterwafers geführt wird, Führungsmitteln (44) und Antriebsmitteln, so daß die Düsenanordnung (40) und die Oberfläche (41) relativ zueinander bewegbar sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Düsenanordnung (40) und die Oberfläche (41) relativ zueinander geradlinig und gleichmäßig bewegbar sind, und dass dadurch ein homogener Substanzauftrag gewährleistet wird, und daß die Düsenanordnung (40) eine lineare Düsenanordnung (40) mit Düsen ist, die jeweils die gleichen Düsenöffnungen und jeweils voneinander den gleichen Abstand haben oder dass die Düsenanordnung (40) eine einzige Düse enthält.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Düsenanordnung (4 0) gegenüber der Oberfläche (41) bewegbar ist.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche (41) gegenüber der Düsenanordnung (40) bewegbar ist.
  7. Verwendung der Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche zum Auftragen eines Entwicklers auf eine Photolackoberfläche.
  8. Verfahren zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche eines Halbleiterwafers, wobei ein Gehäuse (10), zumindest eine Zuführung (12), durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Vorrichtung geführt wird, und Düsen (16) vorgesehen sind, durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Oberfläche geführt wird, wobei zumindest eine der Düsen (16) benachbart zu einem Mittelpunkt der Oberfläche und zumindest eine der Düsen (16) benachbart zum Rand des sich gegenüber der Oberfläche befindenden Halbleiterwafers angeordnet wird, wobei die Fläche der Düsenöffnung der Düse (16), die benachbart zur Mitte der Oberfläche angeordnet wird, kleiner als die Fläche der Düsenöffnung der Düse (16) ist, die benachbart zum Rand der Oberfläche angeordnet wird, und wobei jede Düse (16) zum Mittelpunkt der Oberfläche mit einem vorgegebenen radialen Abstand ri angeordnet wird, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil der Düsen auf einer Kreisbahn oder entlang eines Teils einer Kreisbahn um den Mittelpunkt der Oberfläche geführt werden oder die Oberfläche gedreht wird und die Größen der Düsenöffnungen dabei so gewählt sind, dass ein zu der jeweiligen Kreisringfläche direkt proportionaler Substanzfluss gegeben ist.
  9. Verfahren zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche eines Halbleiterwafers, wobei ein Gehäuse (10), zumindest eine Zuführung (12), durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Vorrichtung geführt wird, und Düsen (16) vorgesehen sind, durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Oberfläche geführt wird, wobei zumindest zwei der Düsen (16) benachbart zu einem Mittelpunkt der Oberfläche und zumindest zwei der Düsen (16) benachbart zum Rand des sich gegenüber der Vorrichtung befindenden Halbleiterwafers angeordnet werden, wobei der radiale Abstand zwischen den zwei Düsen (16), die benachbart zu dem Mittelpunkt der Oberfläche angeordnet wer den, größer als der radiale Abstand zwischen den zwei Düsen (16) ist, die benachbart zum Rand der Oberfläche angeordnet werden, und wobei jede Düse (16) zur Mitte der Oberfläche mit einem vorgegebenen radialen Abstand ri angeordnet wird, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil der Düsen auf einer Kreisbahn oder entlang eines Teils einer Kreisbahn um den Mittelpunkt der Oberfläche geführt werden oder der Halbleiterwafer gedreht wird und die Abstände der einzelnen Düsen radial so verteilt sind, dass jede Düse einen flächenmäßig identischen Anteil des Halbleiterwafers überstreicht.
  10. Verfahren zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche eines Halbleiterwafers, wobei ein Gehäuse (10), zumindest eine Zuführung (12), durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Vorrichtung geführt wird, und zumindest eine Düse (26) vorgesehen sind, durch welche die aufzubringende Substanz (14) zu der Oberfläche des sich gegenüber der Vorrichtung befindenden Halbleiterwafers geführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Flächen der Düseöffnung (26) so angeordnet werden, dass diese zum Rand der Oberfläche hin zunehmen.
  11. Verfahren zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche eines Halbleiterwafers, wobei eine Düsenanordnung (40), welche zumindest eine Düse aufweist, durch welche die aufzubringende Substanz zu der Oberfläche (41) des Halbleiterwafers geführt wird, und Führungsmittel (44) und Antriebsmittel vorgesehen sind, so daß die Düsenanordnung (40) und die Oberfläche (41) relativ zueinander bewegbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Düsenanordnung (40) und die Oberfläche (41) relativ zueinander geradlinig und gleichmäßig bewegt werden, dass dadurch ein homogener Substanzauftrag gewährleistet wird, und dass die Düsen in der Düsenanordnung mit jeweils gleichen Düsenöffnungen und jeweils voneinander gleichen Abstand angeordnet werden oder dass in der Düsenanordnung (40) nur eine einzige Düse ausgebildet wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass ein Entwickler auf eine Photolackoberfläche aufgebracht wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Düsenanordnung (40) gegenüber der Oberfläche (41) bewegt wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche (41) gegenüber der Düsenanordnung (40) bewegt wird.
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