DE112005003128T5

DE112005003128T5 - Verbesserte Gleichförmigkeit bei der Sprühbearbeitung von Chargen durch Ausnutzen unabhängiger Kassettendrehung

Info

Publication number: DE112005003128T5
Application number: DE112005003128T
Authority: DE
Inventors: Steven Portland Johnston; Chin-chang Portland Cheng; Soley Portland Ozer
Original assignee: Intel Corp
Current assignee: Intel Corp
Priority date: 2004-12-17
Filing date: 2005-12-15
Publication date: 2008-01-31
Also published as: JP2008523983A; WO2006066164A3; US20060131276A1; TW200633043A; CN101080806A; WO2006066164A2

Abstract

Verfahren, das aufweist:
Bereitstellen eines Substrates, das auf einem Drehteller angeordnet ist;
Drehen des Drehtellers, um das Substrat um eine Mittelachse des Drehtellers zu drehen;
Drehen des Substrates unabhängig von dem Drehteller, wobei das Drehen des Substrates gleichzeitig mit dem Drehen des Drehtellers geschieht; und
Ausgeben einer Chemikalie auf das Substrat von wenigstens einem festen Ort aus.

Description

Hintergrund
Auf dem Gebiet der Bearbeitung von Halbleiterwafern liefern Sprühwerkzeuge für die chargenweise Bearbeitung einen Weg, um in effizienter Weise Chemikalien auf den Oberflächen mehrerer Wafer gleichzeitig zu verteilen. Sprühwerkzeuge für die chargenweise Bearbeitung bieten die Vorteile sowohl von Eintauchsystemen für die chargenweise Bearbeitung und Naß reinigungsystemen dahingehend, daß Sprühwerkzeuge für die chargenweise Bearbeitung es Benutzern ermöglichen, große Chargen mit hohem Durchsatz oder Chargen mit kurzen Zykluszeiten zu bearbeiten. Sprühwerkzeuge für die chargenweise Bearbeitung können für eine Vielfalt von Halbleiterprozessen verwendet werden, einschließlich, jedoch nicht beschränkt auf das Ablösen von Fotolack, das stromlose Plattieren und das Reinigen von Wafern. Die Chemikalien, die bei Chargen-Sprühprozessen verwendet werden, können wieder zugeführt werden, um den Verbrauch an Chemikalien zu verringern, und können erhitzt oder gekühlt werden, wie es für die bestimmten Halbleiter-Bearbeitungsschritte, die durchgeführt werden, nötig ist.
Ein Nachteil bei herkömmlichen Sprühwerkzeugen für die chargenweise Bearbeitung ist, daß auf der Oberfläche des Halbleiterwafers oftmals eine ungleichmäßige Verteilung der Chemikalien auftritt. Innerhalb einer Kammer mit dem Sprühwerkzeug für die chargenweise Bearbeitung sind die Halbleiterwafer im allgemeinen auf einer Prozeßkassette angeordnet, die eine feste Drehung in bezug auf eine oder mehrere Sprühsäulen ausübt, welche verwendet werden, um Chemikalien zu verteilen. Die feste Drehung bewirkt, daß die Chemikalien über die Oberfläche des Halbleiterwafers in einer unidirektionalen Weise verteilt werden, was somit zu einer nicht gleichförmigen Verteilung von Chemikalien auf der Waferoberfläche führt. Bestimmte Bereiche der Oberfläche des Halbleiterwafers werden großen Mengen der Chemikalien ausgesetzt, während andere Bereiche der Waferoberfläche sehr geringen Mengen der Chemikalien ausgesetzt werden. Dies führt typischerweise zu einer hohen Fehlerrate bei Rohchips für integrierte Schaltungen, die aus dem Halbleiterwafer geschnitten werden, ebenso wie zu lokalisierter Nichtgleichförmigkeit.
Herkömmliche Sprühwerkzeuge für die chargenweise Bearbeitung haben keine brauchbaren Optionen zum Verringern oder Beseitigen dieser nicht gleichförmigen Verteilung von Chemikalien auf der Waferoberfläche. Demgemäß werden verbesserte Sprühwerkzeuge für die chargenweise Bearbeitung benötigt.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
1 ist ein herkömmliches Sprühwerkzeug für die chargenweise Bearbeitung.
2 zeigt, wie ein Halbleiterwafer an einer Prozeßkassette angeordnet ist.
3 ist ein Sprühwerkzeug für die chargenweise Bearbeitung, das gemäß der Erfindung aufgebaut ist.
4 ist ein Querschnitt eines Sprühwerkzeuges für die chargenweise Bearbeitung, das gemäß der Erfindung aufgebaut ist.
5 ist ein weiteres Sprühwerkzeug für die chargenweise Bearbeitung, das gemäß der Erfindung aufgebaut ist.
6 ist eine Halterung für Halbleiter, die gemäß der Erfindung aufgebaut ist.
7 ist noch ein weiteres Sprühwerkzeug für die chargenweise Bearbeitung, das gemäß der Erfindung aufgebaut ist.
Genaue Beschreibung
Beschrieben hierin werden Sprühwerkzeugsysteme für die chargenweise Bearbeitung und Verfahren, die für eine verbesserte Verteilung von Chemikalien über die Oberfläche eines Halbleiterwafers sorgen. In der folgenden Beschreibung werden verschiedene Aspekte der veranschaulichten Implementierungen beschrieben werden, indem Ausdrücke verwendet werden, die üblicherweise von den Fachleuten benutzt werden, um das Wesen ihrer Arbeit an andere Fachleute weiterzugeben. Es wird jedoch den Fachleuten deutlich, daß die vorliegende Erfindung mit nur einigen der beschriebenen Aspekte in die Praxis umgesetzt werden kann.
Zum Zwecke der Erläuterung sind bestimmte Zahlen, Materialien und Ausgestaltungen aufgeführt, um für ein gründliches Verständnis der veranschaulichten Implementierungen zu sorgen. Es wird jedoch einem Fachmann deutlich werden, daß die vorliegende Erfindung ohne die bestimmten Einzelheiten in die Praxis umgesetzt werden kann. In anderen Fällen sind wohlbekannte Merkmale weggelassen oder vereinfacht, um die veranschaulichten Implementierungen nicht zu verschleiern.
Verschiedene Arbeitsgänge werden als mehrere getrennte Arbeitsgänge beschrieben, wiederum in einer Weise, die am hilfreichsten für das Verständnis der vorliegenden Erfindung ist, jedoch sollte die Reihenfolge der Beschreibung nicht so verstanden werden, daß sie impliziert, daß diese Arbeitsgänge notwendigerweise reihenfolgenabhängig sind. Insbesondere brauchen diese Arbeitsgänge nicht in der Abfolge der Darstellung durchgeführt zu werden.
1 veranschaulicht ein herkömmliches Sprühwerkzeug 100 für die chargenweise Bearbeitung. Innerhalb einer Prozeßkammer (nicht gezeigt) sind zwei oder mehr Prozeßkassetten 102 auf einem Drehteller 104 angeordnet. Jede Prozeßkassette 102 hält eine Gruppe Halbleiterwafer 106 in einer gestapelten Anordnung. 1 zeigt nur den oberen Halbleiterwafer 106 des Stapels. Jede Gruppe kann irgendeine vernünftige Anzahl von Halbleiterwafern 106 enthalten, zum Beispiel fünfundzwanzig Halbleiterwafer 106. Natürlich können die Prozeßkassetten 102 mehr oder weniger als fünfundzwanzig Wafer 106 halten. Das Sprühwerkzeug 100 für die chargenweise Bearbeitung umfaßt auch eine oder mehrere Sprühsäulen 108, aus denen ein oder mehrere Chemikalien auf die Halbleiterwafer 106 ausgegeben (z.B. gesprüht) werden. Die Sprühsäulen 108 können eine seitliche Sprühsäule 108 (A) und/oder eine mittige Sprühsäule 108 (B) umfassen.
Der Drehteller 104 kann sich innerhalb der Prozeßkammer entweder in eine Richtung im Gegenuhrzeigersinn (wie in 1 gezeigt) oder in eine Richtung im Uhrzeigersinn drehen. Die Sprühsäulen 108 drehen sich nicht und bleiben an festen Positionen innerhalb der Prozeßkammer, wenn sie eine Chemikalie 110 ausgeben. Wenn sich der Drehteller 104 dreht, drehen sich die Halbleiterwafer 106 um eine Mittelachse des Drehtellers 104 und werden an den Sprühsäulen 108 vorbeigeführt, wo sie die abgegebene Chemikalie 110 aufnehmen. Bei manchen bekannten Systemen wird nur die seitliche Sprühsäule 108 (A) verwendet. Bei anderen bekannten Systemen wird sowohl die seitliche Sprühsäule 108 (A) als auch die mittlere Sprühsäule 108 (B) verwendet (wie in 1 gezeigt).
Die Prozeßkassetten 102 sind an dem Drehteller 104 festgelegt, so daß es keine relative Bewegung zwischen dem Drehteller 104 und den Prozeßkassetten 102 gibt. Als ein Ergebnis wird eine nach außen weisende Kante 112 jedes Halbleiterwafers 106 (d.h. die Kante, die relativ zu der Mitte des Drehtellers 104 nach außen weist) immer nach außen weisen, wenn sich der Drehteller 104 dreht, und eine nach innen weisende Kante 114 jedes Halbleiterwafers 106 (d.h. die Kante, die relativ zu der Mitte des Drehtellers 104 nach innen weist) wird immer nach innen weisen, wenn sich der Drehteller 104 dreht. Wenn zum Beispiel der Halbleiterwafer 106 in einer solchen Weise zugeführt wird, daß seine Waferkerbe der Mitte des Drehtellers 104 zugewandt ist, wird, wenn sich der Drehteller 104 dreht, die Waferkerbe weiter zur Mitte des Drehtellers 104 weisen.
Bei Systemen, die nur die seitliche Sprühsäule 108 (A) verwenden, bewirkt die Drehung des Drehtellers 104, daß die nach außen weisende Kante 112 fortgesetzt der einzige Teil des Halbleiterwafers 106 ist, der mit der Chemikalie 110 besprüht wird. Die nach innen weisende Kante 114 erhält die Chemikalie 110 nur, nachdem sie über die ganze Oberfläche des Halbleiterwafers 106 gewandert ist. Obwohl der exakte Weg der Chemikalie 110 über die Oberfläche jedes Halbleiterwafers 106 durch Variablen, so wie die Sprühkraft, Drehgeschwindigkeit und den Winkel des Wafers 106 relativ zu einer Normalen diktiert ist, kann die Chemikalie 110 insgesamt als sich hauptsächlich über den Wafer 106 in einer im wesentlichen einzigen Richtung von der nach außen weisenden Kante 112 zu der nach innen weisenden Kante 114 bewegend beschrieben werden. Diese unidirektionale Bewegung wird eine nicht gleichförmige Verteilung der Chemikalie 110 über die Oberfläche des Halbleiterwafers 106 hervorrufen.
Bei Systemen, die sowohl die Seiten-Sprühsäule 108 (A) als auch die mittlere Sprühsäule 108 (B) verwenden, kann sich die Chemikalie 110 in zwei Richtungen über den Halbleiterwafer 106 bewegen. Wenn sich die Prozeßkassette 102 an der seitlichen Sprühsäule 108 (A) vorbeibewegt, ist die nach außen weisende Kante 112 weiter der erste Teil des Halbleiterwafers 106, der die Chemikalie 110 erhält. Und wenn sich die Prozeßkassette 102 an der mittleren Sprühsäule 108 (B) vorbeibewegt, ist die nach innen weisende Kante 114 der erste Teil des Halbleiterwafers 106, der die Chemikalie 110 erhält. Obwohl die Chemikalie 110 nun über die Oberfläche des Halbleiterwafers 102 in einer bidirektionalen Art verteilt wird, gibt es weiter Probleme mit der Nichtgleichförmigkeit.
2 veranschaulicht, wie der Halbleiterwafer 106 in der Prozeßkassette 102 angeordnet ist. Wie gezeigt verwendet die Prozeßkassette 102 mehrere aufrecht stehende Einbauelemente 102, um den Stapel der Halbleiterwafer 106 zu sichern. Wenn sich der Drehteller 104 dreht und jeder Halbleiterwafer 106 eine unidirektionale oder bidirektionale Anwendung der Chemikalie 110 erhält, ist gezeigt worden, daß die aufrecht stehenden Einbauelemente 200 zu Effekten der führenden und nachlaufenden Kante führen können, die zu einer Nichtgleichförmigkeit in einem oder mehreren Gebieten 202 in der Nähe der aufrecht stehenden Einbauelemente 200 führen kann. Dies ist noch ein weiteres Problem, das bei herkömmlichen Sprühwerkzeugen für die chargenweise Bearbeitung auftritt.
Um diese Probleme der Nichtgleichförmigkeit zu milder, stellen die Sprühwerkzeuge für die chargenweise Bearbeitung, die gemäß der Erfindung aufgebaut sind, Chargen-Sprühprozesse zur Verfügung, bei denen die Halbleiterwafer 106 unabhängig von dem Drehtisch 104 gedreht werden. Mit anderen Worten drehen sich, wenn sich der Drehteller 104 während eines Chargen-Sprühprozesses dreht, die Halbleiterwafer 106 relativ zu und unabhängig von dem Drehteller 104. Dies ermöglicht es, daß bei jedem Halbleiterwafer 106 der gesamte Umfang zu den Sprühsäulen 108 freiliegt, anstatt nur einer nach außen weisenden Kante 112 oder einer nach innen weisenden Kante 114.
3 veranschaulicht ein Sprühwerkzeug 300 für die chargenweise Bearbeitung gemäß einer Implementierung der Erfindung. Das Sprühwerkzeug 300 für die chargenweise Bearbeitung umfaßt den Drehteller 104, der innerhalb einer Prozeßkammer (nicht gezeigt) angeordnet ist. Der Drehteller 104 kann sich entweder in eine Richtung im Uhrzeigersinn oder im Gegenuhrzeigersinn drehen. Das Sprühwerkzeug 300 für die chargenweise Bearbeitung umfaßt auch Sprühsäulen 308, um Chemikalien 110 abzugeben, einschließlich, jedoch nicht beschränkt auf eine seitliche Sprühsäule 308 (A) und eine mittlere Sprühsäule 308 (B).
Eine oder mehrere Prozeßkassetten 302 sind auf dem Drehteller 104 angebracht. Gemäß der Erfindung können sich die Prozeßkassetten 302 unabhängig von dem Drehteller 104 drehen. Die Drehung kann entweder in einer Richtung im Gegenuhrzeigersinn geschehen, wie in 3 gezeigt, oder in einer Richtung im Uhrzeigersinn. Bei manchen Implementierungen kann die Drehung der Prozeßkassetten 302 in derselben Richtung sein, wie die des Drehtellers 104, während bei anderen Implementierungen die Drehung der Prozeßkassetten 302 in der entgegengesetzten Richtung zu der des Drehtellers 104 sein kann. Bei manchen Implementierungen kann sich jede Prozeßkassette 302 unabhängig von anderen Prozeßkassetten 302, die auf demselben Drehteller 104 angeordnet sind, drehen.
Die Prozeßkassetten 302 können jede eine Gruppe Halbleiterwafer 106 halten. Die Halbleiterwafer 106 sind stationär in bezug auf die Prozeßkassetten 302 und bewegen sich nicht relativ zu den Prozeßkassetten 302. Die unabhängige Drehung der Prozeßkassetten 302 jedoch bewirkt, daß sich die Halbleiterwafer 106 relativ zu dem Drehteller 104 drehen. Die Halbleiterwafer 106 drehen sich um entweder ihre Mittelachse oder die Mittelachse der Prozeßkassette 302. Anders als bei herkömmlichen Systemen, bei denen nur die nach außen weisende Kante 112 oder die nach innen weisende Kante 114 direkt besprüht werden, ermöglicht es die Drehung des Drehtellers 104 in Kombination mit der Drehung der Prozeßkassetten 302, daß der gesamte Umfang jedes Halbleiterwafers 106 direkt von den Sprühsäulen 308 besprüht wird. Das Sprühen des Halbleiterwafers 106 entlang seinem gesamten Umfang liefert viele Vorteile, so wie das Minimieren von Problemen, die sich aus dem unidirektionalen oder bidi rektionalen Aufbringen der Chemikalie 110 ergeben, Minimieren des Einflusses der aufrecht stehenden Einbauelemente 200 und Verbessern der Gleichförmigkeit über die Oberfläche der Halbleiterwafer 106.
Bei manchen Implementierungen der Erfindung kann sich der Drehteller 104 mit Geschwindigkeiten drehen, die bis hinauf zu 300 Umdrehungen pro Minute (Upm) reichen. Bei manchen Implementierungen können sich die Prozeßkassetten 302 mit Geschwindigkeiten drehen, die bis zu 200 Upm reichen. Bei weiteren Implementierungen können viele andere Upm-Bereiche entweder für den Drehteller 104 oder die Prozeßkassetten 302 verwendet werden.
4 ist ein Querschnitt einer Implementierung eines Sprühwerkzeuges 300 für die chargenweise Bearbeitung, die einen Mechanismus umfaßt, um die Prozeßkassetten 302 zu drehen. Das Sprühwerkzeug für die chargenweise Bearbeitung kann eine Prozeßkammer 400 umfassen, welches die Sprühsäulen 308 (A) und 308 (B) und die Prozeßkassetten 302 beherbergt. Wie gezeigt halten die Prozeßkassetten 302 jede einen Stapel der Halbleiterwafer 106. Jede Prozeßkassette 302 kann auf einer mittleren Haltesäule 402 angeordnet sein, die die Prozeßkassette 302 hält und dreht. Bei manchen Implementierungen können die mittleren Haltesäulen 402 an den Prozeßkassetten 302 mittels eines formschlüssigen Verriegelungsmechanismus befestigt sein. Bei manchen Implementierungen können die mittleren Haltesäulen 402 an Motoreinheiten 404 befestigt sein, die verwendet werden, eine Drehung bei den mittleren Haltesäulen 402 hervorzurufen. Die Motoreinheiten 404 drehen daher die Prozeßkassetten 302 mit Hilfe der mittleren Haltesäulen 402.
Bei Implementierungen der Erfindung können die Motoreinheiten 404 auf dem Drehteller 104 angeordnet sein. Der Drehteller 104 kann sich dann um eine Achse 406 drehen. Der Drehteller 104 kann die Motoreinheit 404 drehen, während die Motoreinheiten 404 die Prozeßkassetten 302 drehen. Bei manchen Implementierungen können der Drehteller 104 und die Motoreinheiten 404 innerhalb der Prozeßkammer 400 untergebracht sein, wie in 4 gezeigt. Bei manchen Implementierungen können die Motoreinheiten 404 innerhalb des Drehtellers 104 angeordnet sein, währen die Prozeßkassetten 302 auf dem Drehteller 104 angeordnet sind.
Bei einer weiteren Implementierung der Erfindung können die Prozeßkassetten 302 gedreht werden, indem sich drehende Magnete verwendet werden. Eine Bodenfläche jeder Prozeßkassette 302 kann magnetisiert sein, und die drehbaren Magnete können entweder innerhalb oder außerhalb der Prozeßkammer 400 angeordnet sein. Die drehbaren Magnete können gedreht werden, um eine Drehung bei den Prozeßkassetten 302 hervorzurufen. Bei dieser Implementierung können die Prozeßkassetten 302 auf dem Drehteller 104 angeordnet sein, wobei ein Mechanismus verwendet wird, der es den Prozeßkassetten 302 erlaubt, sich frei zu drehen.
5 veranschaulicht ein Sprühwerkzeug 500 für die chargenweise Bearbeitung, das gemäß der Erfindung gebildet ist, bei dem der Stapel der Halbleiterwafer 106 sich unabhängig sowohl von einer Prozeßkassette 502, auf der er angeordnet sind, und dem Drehteller 104 dreht. Bei dieser Implementierung sind die Prozeßkassetten 502 an dem Drehteller 104 befestigt und drehen sich nicht unabhängig. Der Stapel der Halbleiterwafer 106 jedoch kann sich innerhalb der Prozeßkassetten 502 drehen. Da der Stapel der Halbleiterwafer 106 sich unabhängig sowohl von der Prozeßkassette 502 als auch vom Drehteller 104 drehen kann, zeigt wieder jeder Halbleiterwafer 106 seinen gesamten Umfang dem Sprühstrahl der Chemikalie 110. Bei manchen Implementierungen können sich die Halbleiterwafer 106 in eine Richtung im Uhrzeigersinn drehen (wie in 5 gezeigt), während bei manchen Implementierungen sich die Halbleiterwafer 106 in eine Richtung im Gegenuhrzeigersinn drehen können. Die Halbleiterwafer 106 können sich in dieselbe Richtung oder in die entgegengesetzte Richtung des Drehtellers 104 drehen.
6 veranschaulicht eine Implementierung der Prozeßkassette 502, bei der der Stapel der Halbleiterwafer 106 sich unabhängig drehen kann. Die Prozeßkassette 502 umfaßt eine Vielzahl drehbarer aufrecht stehender Elemente 600, die den Stapel der Halbleiterwafer 106 sichern und drehen. Die drehbaren aufrecht stehenden Elemente 600 müssen sich in dieselbe Richtung drehen, entweder im Uhrzeigersinn oder entgegen dem Uhrzeigersinn, um den Stapel der Halbleiterwafer 106 zu drehen. Demgemäß, obwohl sich die Prozeßkassette 502 nicht relativ zu dem Drehteller 104 dreht, tut dies der Stapel der Halbleiterwafer 106. Bei anderen Implementierungen können alternative Drehmechanismen, so wie Kugellager, verwendet werden, um den Stapel der Halbleiterwafer 106 zu sichern und zu drehen.
7 veranschaulicht noch eine weitere Implementierung eines Sprühwerkzeuges 700 für die chargenweise Bearbeitung, bei denen sich sowohl die Prozeßkassetten 702 als auch die Halbleiterwafer 106 unabhängig von dem Drehteller 104 drehen. Die Drehungen des Drehtellers 104, der Prozeßkassetten 702 und der Halbleiterwafer 106 können alle in dieselbe Richtung oder in unterschiedliche Richtungen geschehen, abhängig von dem gewünschten Strom der Chemikalien 110 über die Halbleiterwafer 106.
Die Systeme und Verfahren der Erfindung können für eine Vielfalt von Prozessen verwendet werden, die stromloses Plattieren (z.B. stromloses Kobaltplattieren) und Metallätzen umfassen, jedoch nicht darauf beschränkt sind. Die Sprühwerkzeuge für die chargenweise Bearbeitung der Erfindung können für verbesserte Gleichförmigkeit beim chemischen Auftragen über die Oberfläche des Halbleiterwafers sorgen und können Streifigkeit verringern, die oftmals nach dem Ablösen von Fotolack auf den Halbleiterwafern auftritt und die Gleichförmigkeit unter den Wafern von naßgereinigten Wafern oder Wafern, die während eines stromlosen Plattierprozesses plattiert worden sind, verbessern.
Die obige Beschreibung der veranschaulichten Implementierungen der Erfindung, einschließlich dessen, was in der Zusammenfassung beschrieben ist, ist nicht so beabsichtigt, daß es erschöpfend ist oder die Erfindung auf die genauen offenbarten Formen beschränkt. Obwohl bestimmte Implementierungen und Beispiele der Erfindung hierin zu Zwecken der Veranschaulichung beschrieben worden sind, sind verschiedene äquivalente Abänderungen innerhalb des Umfangs der Erfindung möglich, wie die Fachleute auf dem relevanten Gebiet erkennen werden.
Diese Abänderungen können im Lichte der obigen genauen Beschreibung an der Erfindung vorgenommen werden. Die Ausdrücke, die in den folgenden Ansprüchen verwendet werden, sollten nicht so angesehen werden, daß sie die Erfindung auf die bestimmten Implementierungen beschränken, die in der Beschreibung und den Ansprüchen offenbart sind. Statt dessen soll der Umfang der Erfindung vollständig durch die folgenden Ansprüche bestimmt werden, die entsprechend den bekannten Lehren der Interpretation von Ansprüchen betrachtet werden sollen.
Zusammenfassung
Ein Verfahren zum Durchführen eines Chargensprühens weist das Bereitstellen eines Substrats, das auf einem Drehteller angeordnet ist, das Drehen des Drehtellers, um das Substrat um eine Mittelachse des Drehtellers zu drehen, das Drehen des Substrates unabhängig von dem Drehteller, wobei das Drehen des Substrates gleichzeitig mit dem Drehen des Drehtellers geschieht, und das Sprühen einer Chemikalie auf das Substrat von wenigstens einem festen Ort aus auf. Das Drehen des Substrates unabhängig von dem Drehteller erlaubt es, daß der gesamte Umfang des Substrates dem Sprühen der Chemikalie ausgesetzt ist. Bei einer Implementierung kann das Substrat in eine Prozeßkassette gebracht werden, die Prozeßkassette kann auf dem Drehteller angeordnet werden und die Prozeßkassette kann sich unabhängig von dem Drehteller drehen, während sich der Drehteller dreht.

Claims

Verfahren, das aufweist: Bereitstellen eines Substrates, das auf einem Drehteller angeordnet ist; Drehen des Drehtellers, um das Substrat um eine Mittelachse des Drehtellers zu drehen; Drehen des Substrates unabhängig von dem Drehteller, wobei das Drehen des Substrates gleichzeitig mit dem Drehen des Drehtellers geschieht; und Ausgeben einer Chemikalie auf das Substrat von wenigstens einem festen Ort aus.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Substrat einen Halbleiterwafer aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem sich das Substrat um eine Mittelachse des Substrats dreht.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Substrat auf dem Drehteller mittels einer Prozeßkassette angeordnet ist und sich das Substrat um eine Mittelachse der Prozeßkassette dreht.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem sich der Drehteller mit einer Geschwindigkeit von bis zu 300 Upm dreht.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem sich das Substrat mit einer Geschwindigkeit von bis zu 200 Upm dreht.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Substrat auf dem Drehteller mittels einer Prozeßkassette angeordnet ist und bei dem das Drehen des Substrats unabhängig von dem Drehteller das Drehen der Prozeßkassette unabhängig von dem Drehteller aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Substrat auf dem Drehteller mittels einer Prozeßkassette angeordnet ist und bei dem das Drehen des Substrates unabhängig von dem Drehteller das Drehen einer Vielzahl aufrecht stehender Elemente, die verwendet werden, um das Substrat an der Prozeßkassette zu sichern, aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Ausgeben der Chemikalie das Aufsprühen einer Chemikalie auf das Substrat aufweist.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Chemikalie eine Lösung zum stromlosen Plattieren aufweist.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Chemikalie eine Chemikalie, die zum Ablösen von Fotolack verwendet wird, aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Chemikalie eine Chemikalie, die für das metallische oder dielektrische Ätzen verwendet wird, aufweist.
Verfahren, das aufweist: Bereitstellen eines Substrats, das auf einem Drehteller angeordnet ist; Aufgeben einer ersten Drehung auf das Substrat, die bewirkt, daß sich das Substrat um eine erste Achse dreht; Aufgeben einer zweiten Drehung auf das Substrat, die von der ersten Drehung unabhängig ist und bewirkt, daß sich das Substrat um eine zweite Achse dreht; und Ausgeben einer Chemikalie auf das Substrat von wenigstens einem festen Ort aus.
Verfahren nach Anspruch 13, bei dem das Substrat einen Halbleiterwafer aufweist.
Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die erste Achse eine Mittelachse für den Drehtisch aufweist.
Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die zweite Achse eine Mittelachse für das Substrat aufweist.
Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die zweite Achse eine Mittelachse einer Prozeßkassette aufweist, in die das Substrat gebracht ist.
Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die erste Drehung auf das Substrat durch Drehen des Drehtellers aufgegeben wird.
Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die zweite Drehung auf das Substrat durch Drehen des Substrates unabhängig von dem Drehteller aufgegeben wird.
Verfahren nach Anspruch 13, bei dem das Substrat in eine Prozeßkassette, die auf dem Drehteller angeordnet ist, gebracht ist und bei dem die zweite Drehung auf das Substrat durch Drehen der Prozeßkassette unabhängig von dem Drehteller aufgegeben wird.
Vorrichtung, die aufweist: eine Prozeßkammer; einen Drehteller, der innerhalb der Prozeßkammer untergebracht ist; wenigstens eine Prozeßkassette, die auf dem Drehteller angeordnet ist, wobei die Prozeßkassette dazu ausgelegt ist, sich unabhängig von dem Drehteller zu drehen; wenigstens eine Sprühsäule, die innerhalb der Prozeßkammer untergebracht ist, um Chemikalien auszugeben; und wenigstens einen Mechanismus, um die Prozeßkassette unabhängig von dem Drehteller zu drehen.
Vorrichtung nach Anspruch 21, weiter mit wenigstens einem Mechanismus, um den Drehteller zu drehen.
Vorrichtung nach Anspruch 21, bei der der Mechanismus zum Drehen der Prozeßkassette einen Motor aufweist, der dazu ausgelegt ist, die Prozeßkassette zu drehen.
Vorrichtung nach Anspruch 21, bei der der Mechanismus zum Drehen der Prozeßkassette Magnete verwendet, um eine Drehung bei der Prozeßkassette hervorzurufen.
Vorrichtung nach Anspruch 22, bei der der Mechanismus zum Drehen des Drehtellers einen Motor aufweist, der dazu ausgelegt ist, den Drehteller zu drehen.
Vorrichtung nach Anspruch 21, bei der der Mechanismus zum Drehen der Prozeßkassette innerhalb der Kammer untergebracht ist.
Vorrichtung, die aufweist: eine Prozeßkammer; einen Drehteller, der innerhalb der Prozeßkammer untergebracht ist; wenigstens eine Prozeßkassette, die auf dem Drehteller angeordnet ist, wobei die Prozeßkassette wenigstens einen Mechanismus zum Sichern und Drehen wenigstens eines Substrates unabhängig von dem Drehteller umfaßt; und wenigstens eine Sprühsäule, die innerhalb der Prozeßkammer untergebracht ist, um Chemikalien abzugeben.
Vorrichtung nach Anspruch 27, bei der der Mechanismus zum Sichern und Drehen wenigstens eines Substrates unabhängig von dem Drehteller eine Vielzahl sich drehender aufrechtstehender Elemente aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 27, weiter mit einem Mechanismus zum Drehen des Drehtellers.
Vorrichtung nach Anspruch 27, bei der der Mechanismus zum Sichern und Drehen wenigstens eines Substrates einen Mechanismus zum Sichern und Drehen eines Stapels aus Substraten aufweist.