KR100295019B1 - 현상장치및현상방법 - Google Patents

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KR100295019B1
KR100295019B1 KR1019950032781A KR19950032781A KR100295019B1 KR 100295019 B1 KR100295019 B1 KR 100295019B1 KR 1019950032781 A KR1019950032781 A KR 1019950032781A KR 19950032781 A KR19950032781 A KR 19950032781A KR 100295019 B1 KR100295019 B1 KR 100295019B1
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이나다히로이치
쓰네마쓰구니에
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다카시마 히로시
도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
히가시 데쓰로
동경 엘렉트론 주식회사
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    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Abstract

현상장치는, 레지스트도포면이 위가 되도록 웨이퍼를 실질적으로 수평으로 유지하면서 웨이퍼를 회전시키는 스핀척과, 이 스핀척상의 웨이퍼의 레지스트도포면에 대하여 비스듬한 방향으로부터 현상액을 공급하는 노즐과, 이 노즐에 현상액을 공급하는 공급원과, 스핀척상의 기판의 둘레부를 둘러싸듯이 설치되어서 웨이퍼에 공급된 현상액을 배출하는 드레인통로를 가지는 컵과, 웨이퍼의 회전방향으로 추종하는 방향으로 현상액이 토출되도록 노즐을 수평면내에서 이동시키는 벨트구동기구를 가진다.

Description

현상장치 및 현상방법
제1도는, 본 발명의 실시예에 관계된 현상장치를 가지는 도포현상처리 시스템의 전체의 개요를 나타낸 평면도.
제2도는, 도포현상처리시스템을 나타낸 정면도.
제3도는, 도포현상처리시스템을 나타낸 배면도.
제4도는, 도포현상처리시스템내에 있어서의 청정공기의 흐름을 나타낸 개략 정면도.
제5도는, 도포현상처리시스템내에 있어서의 청정공기의 흐름을 나타낸 개략 정면도.
제6도는, 실시예의 현상유니트의 요부의 구성을 나타낸 일부 단면 개략 측면도.
제7도는, 현상액노즐을 X축방향으로 이동시키기 위한 구동기구를 나타낸 사시도.
제8도는, 현상액토출 개시시에 있어서의 현상액노즐과 웨이퍼와의 위치관계를 나타낸 평면도.
제9도는, 스캔 종료시에 있어서의 현상액노즐과 웨이퍼와의 위치관계를 나타낸 평면도.
제10도는, 현상액공급용 노즐을 나타낸 종단면도.
제11도는, 본 발명의 실시예에 관계된 현상방법을 나타낸 플로우차트.
제12도 a~제12도 f는, 일련의 현상처리공정을 설명하기 위하여, 각각 현상장치를 옆에서 보고 나타낸 종단면도.
제13도는, 스핀회전중의 웨이퍼에 대한 현상액의 공급을 설명하기 위한 모식도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
2 : 현상액 8 : 고리형상 컵
10 : 카세트스테이션 11 : 간막이판
12 : 프로세스스테이션 14 : 인터페이스부
12a,14a,16a : 에어공급실 20 : 카세트 얹어놓는대
20a : 돌기 22 : 웨이퍼반송용 로봇
24 : 주웨이퍼반송기구 26 : 웨이퍼반송용 로봇
107 : 구멍 108 : 액저류부
140 : 벨트구동기구 142 : 벨트
144 : 블록 146,148 : 풀리
150 : 모우터 160 : 가스공급원
165 : 현상액공급원 170 : 배기펌프
180 : 린스노즐 CR : 웨이퍼카세트
W : 반도체 웨이퍼 G1 ~ G5 : 유니트어셈블리
EXT : 익스텐션유니트 COT : 레지스트도포유니트
DEV : 현상유니트 COL : 쿨링유니트
AD: 애드히젼유니트 ALIM : 얼라이먼트유니트
PREBAKE : 프리베킹유니트 POBAKE : 포스트베이킹유니트
EXTCOL : 익스텐션ㆍ쿨링유니트 BR : 버퍼카세트
DR : 개구부 θ1: 현상액의 토출각도
θ2: 변위 부착 각도 J1: 현상액의 운동벡터
J2: 반대방향의 운동벡터 R1: 웨이퍼의 회전운동벡터
이퍼의 현상처리면쪽으로부터 뒷면쪽으로 돌아들어가서, 웨이퍼 뒷면이나 스핀척 및 구동모우터 등은 오염시켜 버린다.
본 발명의 목적으로 하는 바는, 현상얼룩이 생기는 일 없이 웨이퍼 전체를 균일하게 현상처리할 수 있는 현상장치 및 현상방법을 제공하는 것에 있다.
또, 본 발명의 목적으로 하는 바는, 웨이퍼 뒷면쪽을 오염하지 않는 현상장치 및 현상방법을 제공하는 것에 있다. 제 1 의 발명에 관계된 현상장치는, 레지스트도포면이 위가 되도록 기판을 실질적으로 수평으로 유지하면서 기판을 회전시키는 스핀척과, 이 스핀척상의 기판의 레지스트도포면에 대하여 비스듬한 방향으로부터 현상액을 공급하는 노즐과, 이 노즐에 현상액을 공급하는 공급원과, 스핀척상의 기판의 둘레부를 둘러싸듯이 설치되고, 기판에 공급된 현상액을 배출하는 드레인통로를 가지는 컵과, 기판의 회전방향을 따르는 방향으로 현상액이 토출되도록 노즐을 수평 면내에서 이동시키는 노즐이동수단을 가진다.
제 13 도에 도시한 바와 같이, 기판(W)에 대하여 각도(θ1)를 갖게 하여서 현상액(2)을 토출시키면, 현상액(2)의 운동벡터(J1)가 웨이퍼(W)의 회전운동벡터(R1)와 실질적으로 같은 방향이 되고, 공급현상액(2)이 기판(W)의 움직임에 추종하게 된다. 이에 의하여 공급현상액(2)은 기판 이퍼반송용 로봇(22)이 카세트얹어놓는대(20)를 따라서 이동가능하게 설치되어 있다. 로봇(22)은, Y축방향 및 Z축방향으로 이동가능하고, 또한, 수직축 둘레로도 회전가능하며, 컨트롤러(도시하지 않음)로부터의 지령을 받아서 소망하는 카세트(CR)에 액세스할 수 있도록 되어 있다. 또한, 로봇(22)은, 제 3 도에 도시한 얼라이먼트유니트(ALIM)및 익스텐션유니트(EXT)에도 액세스할 수 있도록 되어 있다.
제 1 도에 도시한 바와 같이, 처리스테이션(12)의 중앙에는 수직반송형의 주웨이퍼반송기구(24)가 설치되어 있다. 주웨이퍼반송기구(24)의 주위에는 5조의 유니트어셈블리(G1),(G2),(G3),(G4),(G5)가 배치되어 있다. 각 유니트어셈블리(G1),(G2),(G3),(G4),(G5)는 복수 각종의 처리유니트를 갖추고 있다. 제 2 도에 도시한 바와 같이, 제 1 및 제 2의 유니트어셈블리(G1),(G2)는 시스템 정면쪽에 나란히 놓여 있다. 제 3 도에 도시한 바와 같이, 제 3의 유니트어셈블리(G3)는 카세트스테이션(10)에 인접하여 배치되고, 제 4의 유니트어셈블리(G4)는 인터페이스부(14)에 인접하여 배치되어 있다. 제 1 도에 도시한 바와 같이, 제 5의 유니트어셈블리(G5)는 시스템 배면부쪽에 배치되어 있다.
제 2 도에 도시한 바와 같이, 제 1유니트어셈블리(G1)의 레지스트도포유니트(COT) 및 현상유니트(DEV)에서는, 컵(8)내에서 웨이퍼(W)를 스핀 공급되도록 되어 있다.
그리고, 필터(46)의 불어내는쪽 부근에 온도ㆍ습도센서(50)가 설치되어 있고, 그 센서출력이 온도/습도조정기의 제어부에 주어지고, 피드백 방식으로 청정공기의 온도 및 습도가 적정하게 제어되도록 되어 있다.
제 4 도에 있어서 각 스피너형 처리유니트(COT), (DEV)의 주 웨이퍼반송기구(24)에 면한 측벽에는 웨이퍼 및 반송암이 출입하기 위한 개구부(DR)가 형성되어 있다. 각 개구부(DR)에는 각 유니스로부터 파티클 또는 오염물이 주웨이퍼 반송기구(24)쪽에 들어가지 않도록 하기 위하여, 셔터(도시하지 않음)가 부착되어 있다.
상기의 레지스트도포 현상처리시스템에 있어서는 예컨대 다음과 같은 차례로 웨이퍼(W)를 각 유니트에 반송하여 처리를 한다.
먼저, 웨이퍼카세트(CR)로 부터 처리전의 실리콘웨이퍼(W)를 1매씩 웨이퍼반송체(22)에 의하여 반출하고 얼라이먼트유니트(ALIM)로 반입한다. 여기서 위치결정된 웨이퍼(W)를 로붓(24)에 의하여 반출하고 애드히젼유니트(AD)내로 반입하고, 애드히젼처리한다. 이 애드히젼처리의 종료후, 웨이퍼(W)를 주 웨이퍼 반송기구(24)에 의하여 쿨링유니트(COL)로 반송하여, 여기서 냉각한다. 이후, 웨이퍼(W)를 레지스트도포유니트(COT), 프리베이킹유니트(PREBAKE), 익스텐션ㆍ쿨링유니트(EXTCOL), 인터페이스고, 블록(144)은 벨트(142)에 고정되어 있다.
벨트(142)는 1쌍의 풀리(146),(148)의 사이에 건너걸려지고, 구동풀리(146)는 모우터(150)의 회전축에 연결되어 있다. 모우터(150)를 회전구동시키면, 벨트구동기구(140)에 의하여 노즐(70)이 X축방향으로 직선이동하도록 되어 있다. 노즐(70)의 이동스토로크는, 컵(8)의 바깥편위치(홈포지션)으로부터 컵(8)의 중앙근방위치(액칠하기 포지션)까지이다.
제 10 도에 도시한 바와 같이, 노즐(70)의 하단부(액토출부)(82)는 리니어하게 형성되고, 이 하단부(82)에 다수의 작은 지름의 토출구멍(80)이 1열로 줄지어 있다. 토출구멍(80)의 피치간격은 약 6㎜이고, 지름은 약 1.8㎜이다. 노즐하단부(액토출부)(82)의 길이는, 6인치 지름 웨이퍼용으로 약 42㎜이고, 8인치 지름의 웨이퍼용으로 약 60㎜이며, 12인치 지름 웨이퍼용으로 약 84㎜ 이다. 또한 토출구멍(80)의 배열의 전장은 웨이퍼 직경의 1/5 ~ 1/2의 범위내에 있는 것이 바람직하다.
노즐(70)의 내부에는 2 계통의 통로가 형성되어 있다. 제 1계통의 통로(100),(102),(104)는 내관(90a),(92a)를 개재하여 현상액공급원(165)에 연이어 통하고, 현상액(2)이 흐르도록 되어 있다. 제 2 계통의 통로(94),(96),(98)는 외관(90b),(92b)을 개재하여 온도조정수 공급부(도시하지 않음)에 연이어 통하고, 온도조정된 물이 흐르도록 되어 있다. 또 쪽에는 정류판(106)이 부착되어 있다. 이 정류판(106)에는 액저류뷰(108)에 연이어 통하는 다수의 구멍(107)이 형성되어 있다. 액저류부(108)는 각 토출구멍(80)에 연이어 통하고 있다. 현상액(2)은, 통로(104)에 도입된 후에, 그 일부가 정류판(106)의 구멍(107)을 개재하여 액저류부(108)로 흘러들고, 다수의 구멍(80)으로부터 토출되고, 다른 일부가 내관(92a)을 개재하여 현상액공급원(165)에 리턴되도록 되어 있다.
노즐(70)에 공급되는 현상액(2)은, 관(90a)내및 토출부(80)내에서 각각 온도조절관(90b) 및 온도조절부(84)에서 일정온도로 유지되기 때문에 양호한 상태로 토출된다.
제 13 도, 제 6 도 및 제 10 도에 도시한 바와 같이, 노즐(70)의 토출구멍(80)은 비스듬히 아래편을 향하고, 현상액(2)은 토출구멍(80)으로부터 웨이퍼(W)에 대하여 각도(θ1)를 이루고 토출되도록 되어 있다. 본 실시예에서는 액토출각도(θ1)를 약 45℃로 설정하고 있다.
제 8 도 및 제 9 도에 도시한 바와 같이 노즐(70)은 수평아암(76)과 평행은 아니고, 수평면내에서 수평아암(76)에 대하여 각도(θ1)를 이루고 부착되어 있다. 이에 의하여 1열의 토출구멍(80)은 Y축에 대하여 각도(θ1)만큼 비스듬히 변위하고 있다. 이 변위부착각도(θ2)는 본 실시예에서는 약 10°로 설정되어 있다. 또한, 각도(θ1)는 5~20°의 범위내에 설정되는 것이 바람직하다.
다음에, 제 11 도, 제 12도a~제 12 도f, 및 제 13 도를 참조하면서 현상처리프로세스에 대하여 설명한다.
8인치 지름의 실리콘 웨이퍼(W)에 포토레지스트를 도포하고 이것을 베이킹하고, 다시 패턴노광한다. 웨이퍼(W)를 노광기(도시하지 않음)로부터 반출하고, 이것을 현상유니트(DEV)에 반입한다(공정S1). 제 12 도 a에 도시한 바와 같이, 스핀척(60)에 의하여 웨이퍼(W)를 진공흡착 유지한다. 이때, 노즐(70)은 홈 위치에 있다.
드레인통로(69)를 개재하여 컵(8)내를 배기함과 동시에, N2가스를 통로(68a)을 개재하여 버퍼실(65)에 공급한다(공정S2). 이에 의하여 버퍼실(65)로부터 간격(67)을 통해서 통로(69)를 향하여 N2가스기류를 생기게 한다. 이 가스기류는, 간격(67)의 위치에서 안에서 밖을 향하는 흐름이 되고, 웨이퍼(W)의 뒷면쪽으로의 현상액(2)의 돌아듦을 저지한다. 특히, 간격(67)의 장소에서는 오리피스 효과에 의하여 가스기류가 빨라지므로, 웨이퍼(W)뒷면으로의 현상액(2)의 침입이 완전히 저지된다.
스핀척(60)에 의하여 웨이퍼(W)를 약 1000rpm의 고속도로 회전시킨다(공정S3).
제 12 도b에 도시한 바와 같이, 노즐(70)을 홈 위치로부터 드레인통로(69)의 개구의 바로 위에 이동시키고, 드레인통로(69)를 향해서 노즐(70)로 부터 현상액(2)을 약 0.5초간만 더미디스펜스한다(공정S4).
제 12 도c 및 제 8 도에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 고속 회전중에, 현상액(2)을 토출시키면서 노즐(70)을 웨이퍼(W)를 따라서 스캔시킨다(공정S5). 노즐(70)의 스캐닝속도는 매초60㎜~10㎜의 범위이다. 이와 같은 노즐(70)의 스캔영역은, 토출구멍(80)의 개수 및 피치에도 의존하지만 통상은 웨이퍼(W)의 약 1/4영역내에 설정된다. 이 경우에, 토출구멍(80)의 열이 웨이퍼(W)의 회전방향과 대략 직교하도록 스캔시키는 것이 바람직하다. 또한, 공정 S4에서 공정 S9까지는 노즐(70)로부터 계속해서 현상액(2)을 토출시킨다. 또, 노즐과 웨이퍼(W)와의 사이의 클리어런스를 2~10㎜의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 클리어런스를 2~4㎜의 범위로 하는 것이 더욱 바람직하다.
제 1 3 도에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)에 대하여 각도(θ1)을 갖게 하여서 현상액(2)을 토출시키면, 현상액(2)의 운동벡터(J1)가 웨이퍼(W)의 회전운동벡터(R1)와 실질적으로 같은 방향이 되고, 공급현상액(2)이 웨이퍼(W)의 움직임을 따르게 된다. 이에 의하여 공급현상액(2)은 웨이퍼(W)상에 튀는 일 없이 부드럽게 떨어진다.
한편, 웨이퍼(W)의 회전운동벡터(R1)와는 반대방향의 운동벡터(J2)로 현상액(2)을 공급하면, 현상액(2)은 웨이퍼(W)상에 급격히 떨어지고, 현상액(2)의 튐이 다량으로 일어나게 한다.
또한, 현상액(2)의 토출각도(θ1)를 90°로 한 경우도 마찬가지로 현상액(2)의 튐이 일어난다. 이 경우에, 현상액(2)의 토출각도(θ1)는 웨이퍼 회전속도가 30rpm일 때는 30~60°의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 45°로 설정하는 것이 가장 바람직하다. 또한, 현상액(2)의 토출각도 (θ1)는 웨이퍼 회전속도가 30 rpm 보다 빠르지 않으면 45°보다 작은 편이 바람직하고, 15 ~ 45°의 범위로 하는 것이 바람직하다.
제 9 도에 도시한 바와 같이, 안쪽 가장끝단부의 토출구멍(80)이 웨이퍼 회전축을 조금 오버하는 위치에서 노즐(70)을 정지시킨다(공정S6).
구체적으로는 안쪽 가장 끝단부로부터 두번째의 토출구멍(80)을 웨이퍼회전축에 위치시킨다. 이와 같이 노즐(70)을 웨이퍼(W)에 대하여 배치하면, 웨이퍼 중앙영역에 있어서 현상액(2)의 공급부족을 일으키는 일없이 웨이퍼(W)의 전면에 걸쳐서 균일하게 현상액(2)이 공급된다. 덧붙여서 말하면, 노즐(70)의 스캐닝시간은 약 1초간이다. 이 노즐(70)의 스캐닝중에 있어서는 현상액(2)은 웨이퍼(W)상에 액막을 만드는 일 없이, 원심분리에 의하여 웨이퍼(W)상으로 부터 완전히 뿌리쳐져 버린다.
노즐 정지 후, 스핀척(60)의 회전수를 1000rpm에서 100rpm으로 다운시키고, 웨이퍼(W)의 회전을 더디게 한다(공정S7). 이어서, 스핀척(60)의 회전수를 100rpm으로부터 30rpm으로 더욱 다운시킨다(공정S8). 제 1 단계의 감속회전시간은 약 1.5초간이다. 제 2 단계의 감속회전시간은 약 2초간 이다. 또한 공정 S6으로부터 공정 S8까지 웨이퍼 회전속도를 단계적으로 다운시키는 이유는 웨이퍼(W)의 회전속도를 1000rpm으로부터 30rpm까지 급격히 다운시키면, 현상액(2)이 웨이퍼(W)의 중앙부에 지나치게 모여서 현상액(2)의 액막의 두께에 불균일이 생기기 때문이다.
제 1 2 도d에 도시한 바와 같이, 30rpm 의 회전속도를 유지하면, 웨이퍼(W)로의 현상액(2)의 공급량과 웨이퍼(W)로 부터의 현상액(2)의 배출량이 밸런스하여, 웨이퍼(W)상에 현상액(2)의 액막이 형성된다(공정S9). 약 5초간에 걸쳐서 웨이퍼(W)상에 현상액(2)의 액막을 유지하고, 도포레지스트를 현상한다.
제 12 도e에 도시한 바와 같이, 노즐(70)로 부터의 현상액(2)의 토출을 정지하고(공정S10), 노즐(70)을 더미디스펜스위치에 일단 후퇴시키고, 다시 홈위치에 노즐(70)을 되돌린다(공정S11). 제 12 도f에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전속도를 30rpm으로 부터 1000rpm까지 단숨에 상승시켜서, 웨이퍼(W)를 고속회전시킨다(공정S12). 그리고, 린스노즐(180)을 웨이퍼(W)의 위편에 위치시키고 린스노즐(180)로 부터 웨이퍼(W)에 세정액(4)을 소정시간 스프레이하고 현상액(2)을 웨이퍼(W)로 부터 완전제거한다(공정S13).
린스후 웨이퍼의 회전을 정지함과 동시에, 버퍼실(65)로의 백가스의 공급을 정지한다(공정S14). 단, 드레인(69)내의 배기는 그대로 속행한다. 스핀척의 진공흡착유지를 해제하고, 웨이퍼(W)를 현상유니트(DEV)으로 부터 반출한다(동정S15). 상기 공정 S1 로부터 공정 S15 까지의 1 사이클의 처리시간은 약 15초간이다.
상기 실시예에 의하면 노즐(70)을 웨이퍼(W)의 바로 위에 스캔시키기 직전에, 노즐(70)로 부터 현상액으로 토출을 개시시킨다. 이에 의하여 스캐닝의 처음부터 노즐(70)로부터 안정하게 현상액(2)이 토출된다.
이 때문에 웨이퍼(W)의 전면에 대하여 구석구석까지 균일하게 현상액(2)이 공급된다.
본 발명에 의하면 토출개시시에 노즐로부터 힘차게 나오는 최초의 현상액을 기판으로부터 벗어난 곳을 향하게 하고 토출이 안정한 후에 노즐로부터의 현상액이 기판상에 공급된다. 이에 의하여 기판표면이 현상액으로 부터 최초에 받는 충격을 작게 할 수 있다. 토출개시시에 노즐로 부터 토출된 현상액은, 컵에 직접 떨어져서 효과적으로 회수된다. 기판상에 노즐이 스캔되는 것으로, 회전하는 기판의 표면전체에 안정된 토출류의 현상액이 공급된다.
또, 기판에 대하여 각도(θ1)를 갖게 하여서 현상액을 토출시키면, 현상액의 운동벡터(J1)가 웨이퍼(W)의 회전운동벡터(R1)와 실질적으로 같은 방향이 되고, 공급현상액이 기판(W)의 움직임에 추종하게 된다. 이에 의하여 공급현상액을 기판상에 부드럽게 떨어지게 할 수 있고, 기판 표면이 손상하거나, 현상액 속에 기포가 생기는 일도 없다.
또, 클리어런스(67)에 있어서 기류가 웨이퍼 둘레부의 뒷면을 따라서 기판 안으로 부터 밖을 향해서 흐르기 때문에 웨이퍼 뒷면쪽으로의 현상액의 돌아들어감이 저지되고, 웨이퍼 뒷면이나 스핀척(60)이 오염되지 않는다.

Claims (23)

  1. 기판에 도포된 포토레지스트를 현상하는 현상장치로서, 레지스트도포면이 위가 되도록 기판을 수평으로 유지하면서 기판을 회전시키는 스핀척과, 이 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 대하여 액 토출구멍으로부터 아래로 비스듬한 방향으로 현상액을 공급하는 복수의 액 토출 구멍의 직선 배치를 갖는 노즐과, 이 노즐에 현상액을 공급하는 공급원과, 스핀척상의 기판의 둘레부를 둘러싸듯이 설치되고, 기판에 공급된 현상액을 배출하는 드레인통로를 가지는 컵과, 기판의 회전방향을 따르는 방향으로 현상액이 토출되도록 노즐을 수평면내에서 이동시켜, 현상액이 상기 액 토출구멍으로부터 기판을 향하여 똑바로 공급되도록 하고 또한 공급된 현상액이 기판상에 튀기지 않고 기판상에 안착시키는 노즐이동수단을 가지는 현상장치.
  2. 제1항에 있어서, 각 액 토출구멍은 수평면에 대하여 30°~ 60°의 각도를 이루는 방향으로 현상액을 토출하는 현상장치.
  3. 제1항에 있어서, 각 액토출구멍은 수평면에 대하여 15°~ 45°의 각도를 이루는 방향으로 현상액을 토출하는 현상장치.
  4. 제1항에 있어서, 노즐이동수단은, Y축방향으로 뻗어나와서 노즐을 지지하는 수평아암과, 이 수평아암을 수평면내에서 X축방향으로 직선 이동시키는 구동기구를 가지는 현상장치.
  5. 제4항에 있어서, 이들 액토출구멍의 열은, 수평면내에서 상기 수평아암에 대하여 10°±5°의 각도를 이루도록 배치되는 현상장치.
  6. 제1항에 있어서, 노즐이동수단은, 노즐을 수평면내에서 직선이동 시키는 벨트구동기구를 가지는 현상장치.
  7. 제1항에 있어서, 이들 액토출구멍의 열의 길이는, 기판의 지름의 1/5~1/2 인 현상장치.
  8. 제1항에 있어서, 스핀척상의 기판의 뒷면쪽으로 백가스를 공급하는 가스공급수단을 더욱 가지는 현상장치.
  9. 제1항에 있어서, 컵의 드레인통로에 연이어 통하는 배기수단을 설치하고, 이 배기수단에 의하여 컵내를 강제배기하는 현상장치.
  10. 기판에 도포된 포토레지스트를 현상하는 현상장치로서, 레지스트도포면이 위가 되도록 기판을 수평으로 유지하면서 기판을 회전시키는 스핀척과, 이 스핀척상의 기판의 레지스트도포면에 현상액을 공급하는 노즐과, 이 노즐에 현상액을 공급하는 공급원과, 스핀척상의 기판의 둘레부를 둘러싸듯이 설치되고, 기판에 공급된 현상액을 배출하는 드레인통로를 가지는 컵과, 이 드레인통로내를 배기하는 수단과, 스핀척상의 기판의 아래편에 설치되고, 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 클리어런스를 형성하는 버퍼실과, 이 버퍼실에 가스를 공급하는 가스공급수단을 갖추고, 상기 버퍼실에 가스를 공급함과 동시에, 드레인통로 내를 배기하면, 기판의 안쪽에서 바깥쪽을 향하여 흐르는 가스기류가 클리어런스에 형성되고, 이 가스기류에 의하여 기판 둘레부의 뒷면으로의 현상액의 돌아들어감이 저지되는 현상장치.
  11. 제10항에 있어서, 드레인통로는, 노즐로부터 현상액을 더미디스펜스하기 위한 상부개구를 더욱 가지는 현상장치.
  12. 제10항에 있어서 노즐은, 기판의 레지스트도포면에 대하여 비스듬한 방향으로 부터 현상액을 토출하는 토출부를 가지는 현상장치.
  13. 제10항에 있어서, Y축방향으로 뻗어나와서 노즐을 지지하는 수평아암과, 이 수평아암을 수평면내에서 X축방향으로 직선이동시키는 구동기구를 가지는 현상장치.
  14. 기판에 도포된 포토레지스트를 현상하는 현상방법으로서, (a) 레지스트 도포면이 위가 되도록 기판을 수평으로 유지하고, (b) 기판을 제 1의 회전속도로 스핀회전시키고, 기판의 회전중에, 현상액의 기판에 튀지 않도록 떨어진 위치에서 노즐로부터 현상액의 토출을 개시시키고, 그대로 현상액의 토출을 계속하면서 노즐을 기판의 위편 영역에서 스캐닝시키고, (c) 노즐을 기판의 중앙근방영역의 바로 위에서 정지시킴과 동시에, 기판의 회전을 상기 제 1의 회전속도로부터 제 2의 회전속도로 감속시키고 상기 제 2의 회전속도로부터 제 3의 회전속도로 기판의 회전을 더욱 감속시키고, 이에 의하여 기판상에 현상액의 막을 형성하고, (d) 기판의 회전을 제 4의 회전속도로 스핀-회전시킴과 동시에, 노즐로부터 기판상으로의 현상액의 공급을 정지시켜서, 기판상으로부터 현상액을 원심분리에 의하여 제거하는 현상방법.
  15. 제14항에 있어서, 스캐닝공정(b) 및 액막형성공정(c)에서는 노즐과 기판과의 사이의 클리어런스를 2~10㎜의 범위로 설정하는 현상방법.
  16. 제14항에 있어서, 스캐닝공정(b)의 개시시에 있어서 노즐로부터 토출되는 현상액을 컵의 드레인 통로에 직접 받게 하는 현상방법.
  17. 제14항에 있어서, 노즐은, 기판의 레지스트도포면에 대하여 30°~60°의 각도로 현상액을 토출하는 현상방법.
  18. 제14항에 있어서, 노즐은, 기판의 레지스트도포면에 대하여 15°~45°의 각도로 현상액을 토출하는 현상방법.
  19. 제14항에 있어서, 직선형상으로 배열된 복수의 액토출구멍을 가지는 노즐을 준비하고, 이들 액토출구멍의 열이 기판의 반경방향을 따르도록 노즐이 기판의 위편에 배치되어, 기판상의 액막을 형성하는 공정을 더욱 구비하는 현상방법.
  20. 제19항에 있어서, 노즐의 안쪽 가장 끝단부로 부터 두번째의 토출구멍을 웨이퍼회전축에 위치시키는 현상방법.
  21. 제14항에 있어서, 상기 기판의 회전은 액막형성공정(c)에서 제 3의 회전속도에서 기판을 회전시킨 후에 정지되는 현상방법.
  22. 제14항에 있어서, 제 1의 회전속도는 1000±2 rpm, 그리고 제 2의 회전속도는 100±0.5 rpm, 그리고 제 3의 회전속도는 30±0.5 rpm, 그리고 제 4의 회전속도는 1000±2 rpm인 현상방법.
  23. 제14항에 있어서, 단계(b)에서 노즐을 통한 현상액의 토출은 현상액이 기판에 튀지 않도록 떨어진 위치에서 기판으로부터 떨어진 위치에서 시작된 현상액의 토출과 함께 시작되는 현상방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100481537B1 (ko) * 2002-06-29 2005-04-08 동부아남반도체 주식회사 웨이퍼 현상 장치

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3377909B2 (ja) * 1996-02-28 2003-02-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5821035A (en) * 1996-03-06 1998-10-13 Sony Corporation Resist developing apparatus and resist developing method
TW359854B (en) * 1996-06-21 1999-06-01 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and processing method
JP3227595B2 (ja) * 1996-08-20 2001-11-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
KR100283442B1 (ko) * 1996-12-26 2001-04-02 이시다 아키라 현상장치및현상방법
DE19718983B4 (de) * 1997-05-05 2004-09-30 Infineon Technologies Ag Vorrichtungen, Verwendung und Verfahren zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche eines Halbleiterwafers
JP3265238B2 (ja) * 1997-08-01 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 液膜形成装置及びその方法
JP3340945B2 (ja) * 1997-08-06 2002-11-05 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理装置
KR100292612B1 (ko) * 1997-12-08 2001-08-07 윤종용 반도체 웨이퍼 정렬시스템 및 이를 이용하는 웨이퍼 정렬방법
JPH11204396A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造システムおよびデバイス製造方法
WO1999035535A1 (en) * 1998-01-09 1999-07-15 Fastar, Ltd. Linear developer
US6248171B1 (en) * 1998-09-17 2001-06-19 Silicon Valley Group, Inc. Yield and line width performance for liquid polymers and other materials
US6689215B2 (en) 1998-09-17 2004-02-10 Asml Holdings, N.V. Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface
US6210050B1 (en) 1998-12-01 2001-04-03 Advanced Micro Devices, Inc. Resist developing method and apparatus with nozzle offset for uniform developer application
US6092937A (en) * 1999-01-08 2000-07-25 Fastar, Ltd. Linear developer
JP3395696B2 (ja) 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
US6398429B1 (en) 1999-03-15 2002-06-04 Tokyo Electron Limited Developing method and developing apparatus
JP3393082B2 (ja) 1999-04-02 2003-04-07 東京エレクトロン株式会社 現像方法および現像装置
US6312171B1 (en) 1999-08-12 2001-11-06 Tokyo Electron Limited Developing apparatus and method thereof
JP3635217B2 (ja) * 1999-10-05 2005-04-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及びその方法
US6248175B1 (en) 1999-10-29 2001-06-19 Advanced Micro Devices, Inc. Nozzle arm movement for resist development
US6270579B1 (en) 1999-10-29 2001-08-07 Advanced Micro Devices, Inc. Nozzle arm movement for resist development
US6533865B1 (en) 2000-03-08 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Acoustic/ultrasonic agitation to reduce microbubbles in developer
JP3545676B2 (ja) 2000-05-10 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及び現像処理方法
US6746826B1 (en) 2000-07-25 2004-06-08 Asml Holding N.V. Method for an improved developing process in wafer photolithography
US6770424B2 (en) * 2002-12-16 2004-08-03 Asml Holding N.V. Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms
US20050051196A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Developer dispensing apparatus with adjustable knife ring
WO2005100637A1 (ja) * 2004-04-15 2005-10-27 Tokyo Electron Limited 液処理装置および液処理方法
JP4464763B2 (ja) * 2004-08-20 2010-05-19 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7371022B2 (en) 2004-12-22 2008-05-13 Sokudo Co., Ltd. Developer endpoint detection in a track lithography system
US7781986B2 (en) 2008-02-01 2010-08-24 Fsp Technology Inc. Inverter with adjustable resonance gain
JP5133855B2 (ja) * 2008-11-25 2013-01-30 株式会社ディスコ 保護膜の被覆方法
JP5314723B2 (ja) * 2011-03-03 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 現像装置
JP5764589B2 (ja) 2012-10-31 2015-08-19 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
US10203606B1 (en) * 2017-11-22 2019-02-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for dispensing developer onto semiconductor substrate
KR102186068B1 (ko) * 2018-12-21 2020-12-07 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10998218B1 (en) * 2019-12-29 2021-05-04 Nanya Technology Corporation Wet cleaning apparatus and manufacturing method using the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4161356A (en) * 1977-01-21 1979-07-17 Burchard John S Apparatus for in-situ processing of photoplates
US4564280A (en) * 1982-10-28 1986-01-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm
JP2855046B2 (ja) * 1993-03-31 1999-02-10 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置用の基板回転保持装置
JP2594332B2 (ja) * 1987-09-02 1997-03-26 富士電機株式会社 ダイスの誘導加熱装置
JPH0238441A (ja) * 1988-07-28 1990-02-07 Nippon Oil & Fats Co Ltd 熱可塑性樹脂組成物
JPH06103687B2 (ja) * 1988-08-12 1994-12-14 大日本スクリーン製造株式会社 回転式表面処理方法および回転式表面処理における処理終点検出方法、ならびに回転式表面処理装置
JPH04504229A (ja) * 1989-11-17 1992-07-30 グリコ・アクチェンゲゼルシャフト 滑り要素の層材料の製造方法及びその装置
US5159374A (en) * 1991-04-04 1992-10-27 Vlsi Technology, Inc. Water sealing develop ring

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100481537B1 (ko) * 2002-06-29 2005-04-08 동부아남반도체 주식회사 웨이퍼 현상 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR960012298A (ko) 1996-04-20
JP2000208413A (ja) 2000-07-28
US5625433A (en) 1997-04-29
JP2000188255A (ja) 2000-07-04
JP3259092B2 (ja) 2002-02-18
JP3259091B2 (ja) 2002-02-18
TW290707B (ko) 1996-11-11

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