WO2005100637A1 - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents

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Kotaro Tsurusaki
Hiroshi Tanaka
Takayuki Toshima
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Abstract

 処理槽内1の半導体ウエハWの左右両側にそれぞれ、複数の処理液供給ノズル10を異なる高さに設ける。各ノズル10の吐出口は半導体ウエハWを向いている。予め定められた手順に従い、選択された1つまたは複数のノズル10から処理液が吐出される。薬液処理を行う場合、例えば、最初に最下段のノズル10から薬液の吐出が行われ、その後、薬液を吐出するノズル10を順次上側にずらしてゆく。処理槽1内の薬液をリンス液に置換しながらリンス処理を行う場合には、例えば、最初に最下段のノズル10からリンス液の吐出が行われ、その後、全てのノズル10からリンス液の吐出を行う。これにより、液処理の効率および均一性が向上する。

Description

明 細 書
液処理装置および液処理方法
技術分野
[0001] この発明は、半導体ウェハおよび LCD用ガラス基板等の被処理体に処理液を供 給して処理を施す装置および方法に関するものである。
背景技術
[0002] 半導体製造装置の製造工程においては、半導体ウェハあるいは LCD用ガラス基 板等の被処理体に、薬液あるいはリンス液等の処理液が貯留された処理槽に浸漬し た状態で処理液を処理槽内に供給しながら、エッチング処理あるいは洗浄処理等の 液処理が行われている。
[0003] JP10— 229065Aには、被処理体を収容する処理槽の対向するコーナー部に配 置された処理液吐出口から交互に処理液を吐出する液処理装置が開示されている。 まず、一方のコーナー部に配置された処理液吐出ロカ 処理液が吐出される。する と処理槽内に処理液の対流が生じ、パーティクルは対流に乗って流れ、処理槽から オーバーフローする処理液に乗せて排出される。このとき、処理槽内に流速の遅い 処理液の滞留部分が生じ、そこにはパーティクルの滞留が生じうる。パーティクルの 滞留が生じる前に、一方のコーナー部の処理液吐出口からの処理液の吐出を停止 するとともに他方のコーナー部の処理液吐出ロカも処理液の吐出を開始する。このと き、他方の吐出ロカもの処理液の吐出に起因して処理槽内に新たに生じた対流が、 一方の吐出ロカもの処理液の吐出に起因して処理槽内に生じていた対流と衝突し、 これにより生じた処理液の乱流により滞留部分の処理液を移動させる。移動した処理 液は新たに生じた対流に乗って流れ、処理槽からオーバーフローする処理液に乗せ て排出される。このようにして定期的に滞留部分を消失させることにより、被処理体へ のパーティクルの再付着を防止しつつ液処理が行われる。
[0004] しかし、滞留は決まった場所に生じ、その場所には十分に高 、流速で処理液が流 れることはない。また、処理液は直接被処理体に向けて吐出されていない。このため 、処理が不均一になる可能性があり、また、この問題は液処理がエッチング処理であ る場合に顕著となる。
[0005] JP6— 204201Aには、被処理体を収容する処理槽内に薬液を供給して薬液処理 を行った後、処理槽内にリンス液を供給してリンス処理を行う液処理装置が開示され ている。処理液は処理槽底部に配設された 2つの供給ノズルから処理槽内に供給さ れる。薬液処理を行った後、供給ノズルからリンス液を供給して処理槽内の薬液をォ 一バーフローさせることにより、処理槽内の薬液がリンス液に置換され、リンス処理が 引き続き行われる。
[0006] JP6— 204201Aの装置において、リンス液を大流量で供給すると、処理槽内に生 じる上昇液流により、ホルダ力も被処理体が浮き上がるおそれがある。このため、リン ス液の流量を制限せざるを得ず、薬液からリンス液への迅速な置換が困難となる。こ のことは、スループットの低下および薬液処理の均一性の低下という問題を生じさせ る。
発明の開示
[0007] 本発明の目的は、被処理体の均一な液処理を可能とすることにある。
[0008] 本発明の他の目的は、被処理体の均一な薬液処理を可能とすることにある。
[0009] 本発明の他の目的は、薬液処理後に処理槽内の薬液を迅速にリンス液に置換する ことにある。
[0010] 上記目的を達成するため、本発明は、被処理体に液処理を施すための液処理装 置において、処理液および被処理体を収容することができる処理槽と、前記処理槽 内の被処理体の側方において異なる高さに配置され、各々が前記処理槽に収容さ れた被処理体を向いた吐出口を有する複数の処理液供給ノズルと、処理液供給源 から前記複数の処理液供給ノズルへの処理液の供給を制御する複数の処理液供給 バルブと、複数の処理液供給期間にそれぞれ前記複数の処理液供給ノズルから選 択された 1つ以上の処理液供給ノズルから処理液が供給されるように、かつ、各処理 液供給期間とその直前の処理液供給期間とで前記複数の処理液供給ノズルのうち の少なくとも 1つの処理液供給ノズルの処理液供給状態が異なるように、前記複数の 処理液供給バルブの動作を予め定められたシーケンスに基づいて制御するコント口 ーラと、を備えたことを特徴とする液処理装置を提供する。 [0011] 好適な一実施形態にぉ 、て、前記複数の処理液供給ノズルは、第 1グループと第 2 グループとに分割され、前記第 1グループに属する複数の処理液供給ノズルが被処 理体の一方の側方で異なる高さに配置され、かつ、前記第 2グループに属する複数 の処理液供給ノズルが被処理体の他方の側方で異なる高さに配置されて 、る。この 場合、好ましくは、前記複数の処理液供給ノズルは、前記第 1グループに属する各処 理液供給ノズルと同じ高さに位置する前記第 2グループに属する処理液供給ノズル が存在するような位置関係で配置されている。前記液処理は、前記処理液として薬 液を用いて被処理体を処理するものとすることができる。このとき、前記コントローラは 、前記複数の処理液供給期間のうちの少なくとも一部の処理液供給期間にお ヽて、 同じ高さに位置する前記第 1および第 2グループの処理液供給ノズルが同時に薬液 を吐出するように、前記複数の処理液供給バルブの動作を制御するように構成する ことができる。これに代えて、前記コントローラは、前記複数の処理液供給期間のうち の少なくとも一部の処理液供給期間において、前記第 1グループに属する処理液供 給ノズル力 薬液が吐出されるとともに同じ高さに位置している前記第 2グループに 属する処理液供給ノズルから薬液が供給されな!ヽ状態と、前記第 2グループに属す る処理液供給ノズルカゝら薬液が吐出されるとともに同じ高さに位置している前記第 1 グループに属する処理液供給ノズルカゝら薬液が供給されない状態とが交互に繰り返 されるように、前記複数の処理液供給バルブの動作を制御するように構成することも できる。前記液処理は、前記処理液としてリンスを用いて被処理体を処理するものと することもできる。このとき、前記コントローラは、前記複数の処理液供給期間のうちの 少なくとも 1つの処理液供給期間において、前記第 1グループに属する処理液供給ノ ズルカ 薬液が吐出されるとともに同じ高さに位置している前記第 2グループに属す る処理液供給ノズルカゝら薬液が供給されな ヽように、前記複数の処理液供給バルブ の動作を制御するように構成することができる。
[0012] 他の好適な一実施形態にお!、て、前記液処理は、前記処理液としてリンス液を用 いて被処理体を処理するものとすることができる。このとき、前記コントローラは、異な る高さに配置された前記複数の処理液供給ノズルのうち最も下側に配置された処理 液供給ノズルがリンス液を吐出した後に、前記最も下側に配置された処理液供給ノズ ルと、それ以外の処理液供給ノズルから選択された 1以上の処理液供給ノズルとがリ ンス液を吐出するように、前記処理液供給バルブを制御するように構成することがで きる。この場合、好ましくは、前記コントローラは、異なる高さに配置された前記複数の ノズルのうち最も下側に配置された処理液供給ノズルがリンス液を吐出した後に、全 ての処理液供給ノズルがリンス液を吐出するように、前記処理液供給バルブを制御 するように構成される。
[0013] 更に他の好適な一実施形態にぉ 、て、前記液処理は、前記処理液としてリンス液 により希釈された薬液を用いて被処理体を処理するものとすることができる。このとき 、好ましくは、前記処理液供給源が、薬液供給源とリンス液供給源とを含み、前記薬 液供給源に接続された薬液供給管路が、前記リンス液供給源と前記複数の処理液 供給ノズルとを接続する処理液供給管路に合流し、前記薬液供給管路に、そこから 前記処理液供給管路に流出する薬液の流量を調節する流量調節装置が設けられ、 前記コントローラは、前記処理液供給管路力 前記複数の処理液供給ノズルに供給 される供給される処理液の流量に応じて、前記流量調節装置を調節して、処理液中 に含まれる薬液成分の濃度を実質的に一定に維持するように構成されている。更に 好ましくは、前記コントローラは、或る一つの処理液供給期間において処理液を吐出 する処理液供給ノズルの数が、前記或る一つの処理液供給期間に続く他の処理液 供給期間にお ヽて処理液を吐出する処理液供給ノズルの数と異なるように、前記処 理液供給バルブを制御するように構成され、更に、前記コントローラは、前記或る一 つの処理液供給期間において前記処理液供給管路を流れる処理液の薬液濃度力 前記他の処理液供給期間にお!ヽて前記処理液供給管路を流れる処理液の薬液濃 度と等しくなるように、処理液を吐出する処理液供給ノズルの数に応じて、前記流量 調節装置を制御するように構成されている。前記流量調節装置は、前記薬液供給管 路カゝら前記処理液供給管路への薬液の流出を遮断できるように構成することができ、 これによりこの液処理装置がリンス液により希釈された薬液を用いた液処理とリンス液 のみを用いた液処理とを選択的に実行することができる。
[0014] また、本発明は、処理槽内に設置されるとともに各々が被処理体を向いた吐出口を 有する複数の処理液供給ノズルから選択された 1つ以上の処理液供給ノズルから処 理液を吐出する工程と、その後、前記複数の処理液供給ノズルのうちの少なくとも 1 つの処理液供給ノズルの処理液の吐出状態を変更する工程と、を備えたことを特徴 とする液処理方法を提供する。
[0015] 好適な一実施形態において、異なる処理液供給期間に異なる高さに配置された処 理液供給ノズルカゝら処理液が供給される。
[0016] 他の好適な一実施形態において、被処理体の一方の側方に配置された処理液供 給ノズルから処理液が供給された後、被処理体の他方の側方に配置された処理液 供給ノズルカゝら処理液が供給される。
[0017] 本発明は更に、薬液が蓄えられた処理槽に被処理体を浸漬して薬液処理を行うェ 程と、前記処理槽内にリンス液を供給することにより被処理体のリンス処理を行うとと もに前記処理槽内の薬液をリンス液に置換するリンス工程と、を備え、前記リンス工程 は、処理槽内に設置されるとともに各々が被処理体を向いた吐出口を有する複数の 処理液供給ノズルから選択された 1つ以上の処理液供給ノズルからリンス液を吐出す る工程と、その後、前記複数の処理液供給ノズルのうちの少なくとも 1つの処理液供 給ノズルのリンス液の吐出状態を変更する工程と、を含むことを特徴とする液処理方 法を提供する。
[0018] 好適な一実施形態において、前記リンス液処理プロセスにおける或る期間内に、被 処理体の一方の側方に配置された処理液供給ノズルおよび被処理体の他方の側方 に配置された処理液供給ノズルからリンス液が供給される。
[0019] 他の好適な一実施形態にお!、て、前記リンス液処理プロセスにお 、て、前記複数 の処理液供給ノズルのうちの最も下側に配置された処理液供給ノズルがリンス液を 吐出した後に、全ての処理液供給ノズルがリンス液を吐出する。
[0020] 他の好適な実施形態にお!、て、前記リンス液処理プロセスにお 、て、前記複数のノ ズルの全ての処理液供給ノズルがリンス液を吐出した後に、最も下側に配置された 処理液供給ノズルがリンス液を吐出し、その後、全ての処理液供給ノズルがリンス液 を吐出する。
[0021] 本発明は更に、液処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なソフトゥ エアが記録された記録媒体であって、当該ソフトウェアを実行することにより、前記制 御コンピュータが前記液処理装置を制御して本発明に基づく液処理方法を実行させ る、記録媒体を提供する。
図面の簡単な説明
[0022] [図 1]本発明の第 1実施形態に係る液処理装置の配管系統を処理槽の概略断面図と ともに示す配管図である。
[図 2]図 1に示す処理槽の概略平面図である。
[図 3]本発明による液処理方法の薬液処理プロセスにおける薬液供給状態を示す概 略断面図である。
[図 4]本発明の第 2実施形態に係る液処理装置において第 1実施形態に対する変更 部分を示す配管図である。
[図 5]本発明による液処理方法の他の薬液処理プロセスにおける薬液供給状態を示 す概略断面図である。
[図 6]本発明による液処理方法のさらに他の薬液処理プロセスにおける薬液供給状 態を示す概略断面図である。
[図 7]本発明の第 3実施形態に係る液処理装置において第 1実施形態に対する変更 部分を示す配管図である。
[図 8]本発明による液処理方法のリンス液処理プロセスにおけるリンス液供給状態を 示す概略断面図である。
[図 9]本発明による液処理方法の他のリンス液処理プロセスにおけるリンス液供給状 態を示す概略断面図である。
[図 10]本発明による液処理方法の更に他のリンス液処理プロセスにおけるリンス液供 給状態を示す概略断面図である。
[図 11]リンス液処理プロセスにおける比抵抗の回復を示すグラフである。
好適な実施形態の説明
[0023] 以下に、この発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここ では、この発明に係る液処理装置を半導体ウェハの洗浄処理装置に適用した場合 について説明する。
[0024] [第 1実施形態] まず、図 1乃至図 3および図 8乃至図 10を参照して、第 1実施形態について説明す る。
本発明による液処理装置の構成を示す図 1および図 2を参照すると、液処理装置 は、被処理体である半導体ウェハ W (以下に「ウェハ W」と 、う)を収容する処理槽 1 を備えている。この処理槽 1内には、ウェハ Wを挟んで両側に配置された複数対の処 理液供給ノズル 11R, 12R, 13R, 14R, 11L, 12L, 13Lおよび 14Lが配置されて いる。各ノズルは、ウェハ Wに向力つて、処理液を供給することができる。本実施形態 においては、処理液として薬液またはリンス液が選択的に供給され、特に薬液はリン ス液により希釈された状態で供給される。本例では、薬液はフッ酸 (HF)であり、リン ス液は純水(DIW)であり、フッ酸は純水により希釈されて希釈フッ酸 (DHF)として供 給される。図示された実施形態では、添え字 Rが付された右側ノズル (第 1グループ のノズル)および添え字 Lが付された左側ノズル(第 2グループのノズル)力 処理槽 1 の対向する側壁に沿ってそれぞれ配置されて!、る。ウェハ Wの右側側方の側壁に下 力も順にノズル 11R, 12R, 13Rおよび 14Rが上下方向に間隔をおいて配置され、 ウェハ Wの左側側方の側壁に下から順にノズル 11L, 12L, 13Lおよび 14Lが上下 方向に間隔をお 、て配置されて 、る。同じ数字が付されたノズルは同じ高さに配置さ れている。なお、右側のノズルおよび左側のノズル力 高さ方向に関して互い違いに 配置されていてもよい。ノズル 11R, 12R, 13R, 14R, 11L, 12L, 13Lおよび 14L は、個々を区別する必要がない場合には、ノズル 10とも表記する。液処理装置は更 に、ノズル 11R, 12R, 13R, 14R, 11L, 12L, 13Lおよび 14Lへの処理液の供給 をそれぞれ制御するために、処理液供給バルブ 21R, 22R, 23R, 24R, 21L, 22L , 23Lおよび 24Lを備えている。これらのバルブ 21R, 22R, 23R, 24R, 21L, 22L , 23Lおよび 24Lは、個々を区別する必要がない場合には、バルブ 20とも表記する 。各ノ レブ 20は、開閉および開度の調節が可能である。液処理装置は更に、ノズル 10に、処理液として、 DHFまたは DIWが供給されるように切り換える切換手段として 開閉バルブ 35および 35Aを備えている。液処理装置は更に、処理液供給バルブ 20 および開閉バルブ 35, 35Aの動作を制御するコントローラとして、中央演算処理装 置 5 (以下に「CPU5」 t 、う)を有する制御コンピュータ 50を備えて 、る。 [0026] 処理槽 1の上方には、複数枚例えば 50枚のウェハ Wを、垂直姿勢で、水平方向に 列を成すように保持する保持棒 2aを有するウェハボート 2が、昇降可能に配設されて いる。このウェハボート 2によって保持された複数枚のウェハ Wは、ウェハボート 2が 下降することにより処理槽 1内に収容される。
[0027] 特に図 2に示すように、各処理液供給ノズル 10は、処理槽 1の側壁に沿って水平方 向に延びるパイプの形に形成されている。各ノズル 10には、複数のノズル孔 10aが 形成されている。ノズル孔 10aの配列ピッチは、ウェハボート 2により保持されたゥェ ハ Wの配列ピッチと同じである。各ノズル孔 10aは、隣接するウェハ W間の空間に対 応する位置に配置されている。複数のノズル孔 10aのうちの 2つずつが、ノズルの 10 の同じ長手方向位置に配置されている。各 2つのノズル孔 10aは、ななめ上向きおよ びななめ下向きに処理液を噴射するように配置されて 、る。図 3にお 、て処理液の噴 射を示す矢印より明らかなように、各 2つのノズル孔 10aのうちの少なくとも 1つのノズ ル孔 10aの軸線は、隣接するウェハ Wの間の空間を向いている。言い換えれば、ゥ ェハの表面に垂直な方向力 見た場合(図 3参照)、各 2つのノズル孔 10aのうちの少 なくとも 1つのノズル孔 10aの軸線の延長は、ウェハ Wと交差している。従って、各 2 つのノズル孔 10aのうちの少なくとも 1つのノズル孔 10aから、隣接するウェハ Wの間 の空間に向けて処理液が噴射される。
[0028] 再度図 1を参照すると、液処理装置は、純水(リンス液)供給源 30と薬液供給源 32 とを含む処理液供給源 3を有して 、る。純水供給源 30には各処理液供給ノズル 10 に向けて処理液を供給する処理液供給管路 4が接続されている。処理液供給管路 4 には、薬液供給源 32に接続された薬液供給管路 31が接続されている。処理液供給 管路 4は、右側のノズル用の管路 4Rと左側のノズル用の管路 4Lとに分岐しており、 管路 4Rおよび管路 4Lはそれぞれ更に複数の分岐管路 41に分岐しており、各分岐 管路 41は各処理液ノズル 10に接続されている。各分岐管路 41には、前記処理液供 給バルブ 20の一つ(図 2も参照)と、フローメータ 6 (図 2では表示を省略)とが介設さ れている。制御コンピュータ 50の制御信号に基づいて、各バルブ 20が開閉され、ま た必要に応じて各バルブ 20の開度が調整される。
[0029] 薬液供給源 32は、薬液貯留タンク 33と、薬液貯留タンク 33内に貯留される濃い薬 液 (HF)を加圧して薬液供給管路 31に送り出すための圧送ガス (本例では、窒素 (N )ガス)の供給源 34と、薬液貯留タンク 33と Nガス供給源 34とを接続するガス供給
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管路 36と、ガス供給管路 36に介設されて薬液貯留タンク 33からの HFの送出を調節 する開閉バルブ 35と、薬液供給管路 31に介設された開閉バルブ 35Aと、を有してい る。開閉バルブ 35および 35Aによって処理液の切換手段が構成されてる。開閉バル ブ 35および 35Aは、制御コンピュータ 50からの制御信号に基づいて開閉される。開 閉バルブ 35および 35Aが開かれた場合は、 HFが薬液供給管路 31から処理液供給 管路 4に流れてそこを流れる DIWに合流し、これにより DHFが処理液としてノズル 10 に供給される。開閉バルブ 35および 35Aが閉じられた場合は、 DIWのみがノズル 1 0に供給される。なお、ガス供給管路 36には、 Nガス供給源 34と開閉バルブ 35との
2
間にフィルタ Fが介設されて!/、る。
[0030] 次に、上記のように構成される液処理装置を用いた薬液処理及びリンス処理の手 順について、図 3、図 8〜図 10を参照して説明する。
[0031] 以下に説明する薬液処理プロセスおよびリンス液処理プロセスは、前記 CPU5を含 む制御コンピュータ 50すなわちコントローラの制御の下で自動的に実行される。前述 した各処理液供給バルブ 20および開閉バルブ 35, 35Aだけでなぐ液処理装置の 全ての機能要素は信号ラインを介して制御コンピュータ 50に接続されており、制御コ ンピュータ 50が発生する指令に基づいて動作する。機能要素とは、所定の液処理プ 口セスを実行するために動作する全ての要素を意味しており、処理液供給を制御す るためのノ レブ等の制御要素のみならず、例えばウェハボート 2の駆動機構および 図示しない基板搬送機等も含まれる。制御コンピュータ 50は、典型的には、実行す るソフトウェアに依存して任意の機能を実現することができる汎用コンピュータである
[0032] 制御コンピュータ 50は、前記 CPU5に加えて、 CPU5をサポートする回路 51、およ び制御ソフトウェアを格納した記録媒体 52を有する。制御ソフトウェアを実行すること により、制御コンピュータ 50は、液処理装置の各機能要素、特に処理液供給バルブ 20および開閉バルブ 35, 35A等の液供給に関連する機能要素を、所定のプロセス レシピ (本例では処理液供給シーケンス或いはバルブ操作シーケンス)により定義さ れた後述する薬液処理プロセス及びリンス液処理プロセスの各工程が実行されるよう に制御する。
[0033] 記録媒体 52は、制御コンピュータ 50に固定的に設けられるもの、或いは制御コン ピュータ 50に設けられた読み取り装置に着脱自在に装着されて該読み取り装置によ り読み取り可能なものであってもよい。最も典型的な実施形態においては、記録媒体 52は、液処理装置のメーカーのサービスマンによって制御ソフトウェアがインスト一 ルされたハードディスクドライブである。他の実施形態においては、記録媒体 52は、 制御ソフトウェアが書き込まれた CD—ROMまたは DVD— ROMのようなリムーパブ ルディスクであり、このようなリムーバブルディスクは制御コンピュータ 50に設けられた 光学的読取装置により読み取られる。記録媒体 52は、 RAM(random access memory)または ROM(read only memory)のいずれの形式のものであってもよく、また 、記録媒体 52は、カセット式の ROM或いはメモリカードのようなものであってもよい。 要するに、コンピュータの技術分野において知られている任意のものを記録媒体 52 として用いることが可能である。なお、複数の液処理装置が配置される工場において は、各液処理装置の制御コンピュータ 50を統括的に制御する管理コンピュータに制 御ソフトウェアが格納されていてもよい。この場合、各液処理装置は通信回線を介し て管理コンピュータにより操作され、所定の液処理プロセスを実行する。なお、図 4お よび図 7においては、図面の簡略化のため、制御コンピュータのうちの CPU5のみが 表記されているが、実際には図 1に示したものと同様の構成を有する制御コンビユー タ(50)が設けられている。
[0034] まず、図示しないウェハ搬送手段によって保持された複数例えば 50枚のウェハ W を、ウェハボート 2に受け渡して、ウェハボート 2を下降させ、ウェハ Wを、予め処理槽 1内に貯留された DHFに浸漬する。
[0035] 次に、所定の処理液供給シーケンスに基づ!/ヽて以下のように処理液供給バルブ( 以下においては単に「バルブ」ともいう) 20を切り換えて、薬液処理プロセスを実行す る。まず、バルブ 21Rおよび 21Lのみが開放して、最も下の処理液供給ノズル(以下 においては単に「ノズル」という) 11Rおよび 11Lから DHFが吐出されて、第 1の薬液 処理段階 (第 1のエッチング処理段階)が実行される(図 3 (a)参照)。第 1のエツチン グ処理段階が所定時間実行された後、バルブ 21Rおよび 21Lが閉じ、バルブ 22R および 22Lのみが開放して、下から 2番目のノズル 12Rおよび 12Lから DHFが吐出 されて、第 2の薬液処理段階 (第 2のエッチング処理段階)が実行される(図 3 (b)参 照)。第 2のエッチング処理段階が所定時間実行された後、バルブ 22Rおよび 22Lが 閉じ、バルブ 23Rおよび 23Lのみが開放して、下から 3番目のノズル 13Rおよび 13L 力 処理液が吐出されて、第 3の薬液処理段階 (第 3のエッチング処理段階)が実行 される(図 3 (c)参照)。第 3のエッチング処理段階が所定時間実行された後、バルブ 23Rおよび 23Lが閉じ、バルブ 24Rおよび 24Lのみが開放して、最も上のノズル 14 Rおよび 14L力も DHFが吐出されて、第 4の薬液処理段階 (第 4のエッチング処理段 階)が所定時間実行される(図 3 (d)参照)。以上により薬液処理プロセス (エッチング 処理プロセス)が終了する。
[0036] 上記の薬液処理プロセスによれば、上下方向に多段に配置されるとともにウエノ、 W に向けて DHF (処理液)を吐出するように構成された複数のノズルカゝら DHFを順次 吐出するようにしているため、各ウェハ Wの各領域力 前記第 1〜第 4の薬液処理段 階のうちの少なくとも 1つの段階において、高流速の DHF流れに晒される。このため 、各ウェハにおけるエッチングの面内均一性が向上する。また、ウェハ表面に垂直な 方向から見た場合(図 3参照)に、ウェハ面内にその中心が存在する(即ち、ウェハ面 内に滞留部分が生じる)ような対流は実質的に生じない。このため、滞留部分におい て生じうるパーティクルの再付着が生じるおそれはない。すなわち、エッチング処理 プロセス中に生じたパーティクルは、処理槽 1からのオーバーフローに乗って処理槽 1外に排出される。
[0037] 上記のようにしてエッチング処理プロセス (薬液処理プロセス)が終了した後、開閉 バルブ 35を閉じて薬液の供給を停止する。そして、異なる期間に異なる処理液 (DI W)の供給状態が実現されるように以下のように処理液供給バルブ 20を切り換えて、 リンス液処理プロセスを実行する。
[0038] まず、図 8 (a)に示すように、バルブ 21Rおよび 21Lを開放して、最も下のノズル 11 Rおよび 11L力 リンス液として DIWを吐出して、第 1のリンス液処理段階が所定時 間実行される。その後、図 8 (b)に示すように、バルブ 21Rおよび 21Lを開放状態に 維持したまま、さらにバルブ 22R, 23R, 24R, 22L, 23Lおよび 24Lを開放して、全 てのノズル 11R, 12R, 13R, 14R, 11L, 12L, 13Lおよび 14Lから DIWを吐出し て、第 2のリンス液処理段階が所定時間実行される。このようにして、処理槽 1から D HFおよび DIWをオーバーフローさせながら処理槽 1内の DHFを DIWで置換しなが らリンス液処理プロセスを行う。
[0039] 上記のリンス液処理プロセスによれば、第 1のリンス液処理段階において最も下のノ ズル 11Rおよび 11L力も DIWを供給することにより、置換が困難な処理槽 1の底部に ある DHFを、処理槽 1の底部を高流速で流れて処理槽 1の上部に向かい最後に処 理槽カもオーバーフローする DIWの流れに乗せて、速やかに置換することができる。 また、ウェハ Wの側方に配置されたノズル 10がウェハ Wに向けて DIWを吐出するた め、ノズル 10力ゝら大流量で DIWを吐出しても、処理槽底部 1に配置されて上向きにリ ンス液を供給するノズルを用いた場合に比べて、ウェハ Wの浮き上がりが生じ難 ヽ。 このため、第 2のリンス液処理段階において、ノズル 10から大流量で DIWを吐出する ことができ、 DHF力も DIWへの置換を効率よく迅速に行うことができ、液処理プロセ ス全体のスループットを向上させることができる。また、迅速な処理液の置換が可能と なることより、リンス液プロセス中に処理槽 1内に残存する HF成分の影響を最小限に することができ、エッチング処理プロセスの均一性を向上させることができる。なお、 第 2のリンス液処理段階においては、処理液供給バルブ 20の開度を大きくすることが 好ましい。
[0040] 上述したリンス液処理プロセスは、以下のように改変することができる。
[0041] 第 1の変形例においては、図 9 (a)に示すように、初期の第 1のリンス液処理段階に おいて、図 8 (a)に示したのと同様に、バルブ 21Rおよび 21Lを開放して最も下のノ ズル 11Rおよび 11Lのみから DIWが吐出され、その後の第 2のリンス液処理段階に おいて、図 9 (b)に示すように、バルブ 21Rおよび 21Lを開放状態に維持したまま、さ らにバルブ 22R, 23Rおよび 24Rを開放して、左側の最も下のノズル 11L並びに右 側の全てのノズル 11R, 12R, 13Rおよび 14Rから DIWを吐出することにより、処理 槽 1内の液をオーバーフローさせながらリンス液処理プロセスを行ってもょ 、。これに 代えて、第 2のリンス液処理段階において、右側の最も下のノズル 11R並びに左側の 全てのノズル 11L, 12L, 13Lおよび 14Lから DIWを吐出してもよい。このようにすれ ば、第 2のリンス処理液段階において、隣接するウェハ Wの間の空間内で DIW流れ の衝突が生じないため、 DIW流れはスムースに隣接するウェハ Wの間の空間を流れ 当該空間を出る。このため、リンス液処理プロセスを効率良く行うことができる。この場 合も、第 2のリンス液処理段階において DIWを大流量で吐出しても、ウェハ Wの浮き 上がりは生じ難い。
[0042] 第 2の変形例においては、まず図 10 (a)および図 10 (b)に示すように、図 9 (a)およ び図 9 (b)を参照して説明した第 1および第 2のリンス液処理段階と同様の第 1および 第 2のリンス液処理段階を順次実行する。その後、図 10 (c)に示すように、図 8 (b)を 参照して説明した第 2のリンス液処理段階と同様の第 3のリンス液処理段階を実行す る。
[0043] なお、図 8乃至図 10に示すリンス液処理プロセスにおいて、第 1のリンス液処理段 階を実行する前、言 、換えれば最も下のノズル 11Rおよび 11L力 DIWを吐出する 前に、全ての 21R, 22R, 13R, 14R, 11L、 12L, 13Lおよび 14Lから DIWを吐出 してもよい。この場合の DIWの吐出時間は、各処理液供給ノズル 10およびその上流 側の管路内に残存する DHFをそこ力も排出できる程度の時間で十分である。このよ うに残存する DHFを予め追い出しておくことにより、 DIW置換を効率良く行うことがで きる。
[0044] 以上説明した複数の処理段階力 なるリンス液処理プロセスが終了したら、全ての 処理液供給バルブ 20を閉じ、ウェハボート 2を上昇させてウェハ Wを処理槽 1から搬 出して、図示しないウェハ搬送手段にウェハ Wを受け渡す。以上により、一連の液処 理プロセスが完了する。
[0045] 上述したリンス液処理プロセスは、以下のようにも改変することができる。すなわち、 最初に最も下の供給ノズル 11Rおよび 11L力も DIWを所定時間吐出した後、これら 供給ノズル 11Rおよび 11Lからの DIWの吐出を継続しながら、その他の供給ノズル 1 2R, 13R, 14R, 12L, 13Lおよび 14Lから選択された 1つまたは複数のノズルから DIWの吐出を行う。この場合、供給ノズル 12R, 13R, 14R, 12L, 13Lおよび 14L 力 選択される 1つまたは複数のノズルの組み合わせは、時間帯毎に変更される。 [0046] なお、上述した薬液処理プロセスにおいては、各薬液処理段階において、同じ高さ にある左右のノズル 10から同時に DHFを吐出した力 これに限定されるものではなく 、或る一つの薬液処理段階において異なる高さにある左右の供給ノズルから同時に DHFが供給されてもよいし、また、或る薬液処理段階において、左側のみ或いは右 側のみの 1つまたは複数の供給ノズル 10から同時に DHFを吐出してもよい。また、 薬液処理プロセスは、左側のみ或いは右側のみの供給ノズル 10を利用して、これら のノズル 10を適宜切り換えて行ってもよ!、。
[0047] 以上説明したように本実施形態によれば、複数の処理液供給ノズル 10を用いるとと もに、各処理液供給期間 (各処理段階)とその直前の処理液供給期間とで少なくとも 1つのノズル 10の処理液供給状態が異なる(本例では吐出状態から非吐出状態或 いはその逆の変更)ようにして!/、るため、各処理液供給期間における処理液流れの 状態が変化し、これにより均一性の高い迅速な液処理が可能となる。
[0048] [第 2実施形態]
次に、図 4乃至図 6を参照して第 2実施形態について説明する。図 4は、第 2実施形 態の液処理装置において第 1実施形態の液処理装置と異なる部分を示す配管系統 図である。第 2実施形態の液処理装置の図 4に示されていない部分は、第 1実施形 態の液処理装置と同じであるので、図示および説明は省略する。
[0049] 第 2実施形態では、薬液供給管路 31に開閉バルブ 37aおよび 37bからなる切換バ ルブ装置 37 (すなわち、流量調節装置)を設け、処理液供給ノズル 10から供給され る DHFの総流量が変更されても供給される DHF中の HF濃度が変化しないように、 切換バルブ装置 37を CPU5 (制御コンピュータ)力 の信号に基づいて制御している
[0050] 切換バルブ装置 37は、並列に設置された 2つの開閉バルブ、すなわち薬液供給管 路 31に介設される大流量用の第 1の開閉バルブ 37aと、薬液供給管路 31から分岐 したノ ィパス管路 38に介設される小流量用の第 2の開閉バルブ 37bとからなる。本実 施形態においては、第 1の開閉バルブ 37aは開放状態で 2LZminの HFの通過を 許容し、第 2の開閉バルブ 37bは開放状態で lL/minの HFの通過を許容する。
[0051] DHF中の HF濃度を一定に維持するため、第 1および第 2の切換開閉バルブ 37a および 37bは、 CPU5 (制御コンピュータ)からの制御信号に基づいて選択的に開放 される。本実施形態においては、 2つの処理液供給バルブ(例えばバルブ 21Rおよ び 21L)のみが開放して 2本の処理液供給ノズル(例えばノズル 11Rおよび 11L)の み力も DHFが供給される場合には、処理槽 1内に供給される DHFの総流量は 20L Zminであり、供給バルブ 21R〜24Rおよび 21L〜24Lの 1つのみが開放されて供 給ノズル 11R〜14Rおよび 11L〜14Lの 1つのみから DHFが供給される場合には、 処理槽 1内に供給される DHFの総流量は lOLZminである。
[0052] 両方の場合で処理槽 1内に供給される DHF中の HF濃度を同じにするために、供 給バルブ 20の切換に対応して第 1および第 2の開閉バルブ 37aおよび 37bが切り換 えられる。すなわち、 2本のノズル 11Rおよび 11Lから DHFが供給される場合には、 大流量用の第 1の開閉バルブ 37aを開放して、処理液供給管路 4に 2LZminの HF が流れ込むようにする。また、 1本のノズル 10 (例えば供給ノズル 11R)のみ力 DH Fが供給される際は、小流量用の第 2の切換開閉バルブ 37bを開放して、第 1の供給 管路に lL/minの HFが流れ込むようにする。これにより、前者の場合と後者の場合 とで、 DHF中の HF濃度が同じになる。
[0053] 次に、図 5を参照して、第 2実施形態に係る液処理装置を用いた一連の液処理プロ セスについて説明する。
[0054] まず、図示しないウェハ搬送手段によって保持された複数例えば 50枚のウェハ W を、ウェハボート 2に受け渡して、ウェハボート 2を下降させ、ウェハ Wを、予め処理槽 1内に貯留された DHFに浸漬する。その後、制御コンピュータ 50の制御の下で、各 処理液供給バルブ 20を以下のように順次開閉して処理を施す。
[0055] まず最初に、バルブ 21Rおよび 21Lのみが開放して、最も下の供給ノズル 11Rおよ び 11Lから DHFが吐出されて、第 1の薬液処理段階 (第 1のエッチング処理段階)が 実行される(図 5 (a)参照)。第 1のエッチング処理段階が所定時間実行された後、バ ルブ 21Rおよび 21Lが閉じ、バルブ 22Rおよび 22Lのみが開放して、下から 2番目 のノズル 12Rおよび 12L力も DHFが吐出されて、第 2の薬液処理段階 (第 2のエッチ ング処理段階)が実行される(図 5 (b)参照)。第 2のエッチング処理段階が所定時間 実行された後、バルブ 22Rおよび 22Lが閉じ、バルブ 23Lのみが開放して、左側の 下から 3番目のノズル 13L力も DHFが吐出されて、第 3の薬液処理段階 (第 3のエツ チング処理段階)が実行される(図 5 (c)参照)。第 3のエッチング処理段階が所定時 間実行された後、バルブ 23Lが閉じ、バルブ 23Rのみが開放して、右側の下から 3番 目のノズル 13Rから DHFが吐出されて、第 4の薬液処理段階 (第 4のエッチング処理 段階)が実行される(図 5 (d)参照)。第 4のエッチング処理段階が所定時間実行され た後、バルブ 23Rが閉じ、バルブ 24Lのみが開放して、左側の最も上のノズル 14L 力 DHFが吐出されて、第 5の薬液処理段階 (第 5のエッチング処理段階)が行われ る(図 5 (e)参照)。第 5のエッチング処理段階が所定時間実行された後、バルブ 24L が閉じ、バルブ 24Rのみが開放して、右側の最も上の供給ノズル 14Rから DHFが吐 出されて、第 6の薬液処理段階 (第 6のエッチング処理段階)が所定時間実行される ( 図 5 (f)参照)。以上により一連の薬液処理プロセス(エッチング処理プロセス)が終了 する。
[0056] なお、上述した第 1乃至第 6の処理段階に代えて、例えば図 6に示すように、第 1の エッチング処理段階に供給ノズル 11Rおよび 11L力もの吐出(図 6 (a)参照)、第 2の エッチング処理段階に供給ノズル 12Rおよび 12L力もの吐出(図 6 (b)参照)、第 3の エッチング処理段階に供給ノズル 13Lからの吐出(図 6 (c)参照)、第 4のエッチング 処理段階に供給ノズル 14Rからの吐出(図 6 (d)参照)、第 5のエッチング処理段階に 供給ノズル 14Lからの吐出(図 6 (e)参照)、そして第 6のエッチング処理段階に供給 ノズル 13Rからの吐出(図 6 (f)参照)を順次行うことにより、エッチング処理プロセスを 実行してちょい。
[0057] 図 5 (c)〜(f)および図 6 (c)〜(f)に示すように片側の供給ノズル 10のみ力も DHF が吐出される場合には、左右両側の供給ノズルから同時に DHFが吐出される場合 に生じるウェハ W中央部付近での DHF流れの衝突が発生しない。従って、ウェハ W 中央部付近においても DHFが高速でスムースに流れ、ウェハ Wの中央部に対する 処理を確実に行うことができる。また、 DHF流れの衝突に起因して生じる乱流により ウエノ、 W処理の面内均一性が損なわれる可能性がある力 片側の供給ノズル 10の み力も DHFが供給されて 、ると〖こきはそのようなことが起こることはな!/、。
[0058] なお、図 4では、切換バルブ装置 37は 2つの開閉バルブ 37aおよび 37bを有してお り 2段階の流量調整を可能とするものであつたが、薬液供給管路にさらにバイパス管 路を追加するとともに切換バルブ装置に全部で 3個以上の開閉バルブを設けること により 3段階以上の流量調整が可能となるようにしてもょ 、。
[0059] なお、第 2実施形態の液処理装置を用いた場合も、エッチング処理プロセスの終了 後に第 1実施形態と同様なリンス処理プロセスを行うことができる。
[0060] [第 3実施形態]
次に、図 7を参照して第 3実施形態について説明する。図 7は、第 3実施形態の液 処理装置において第 1実施形態の液処理装置と異なる部分を示す配管系統図であ る。第 3実施形態の液処理装置の図 4に示されていない部分は、第 1実施形態の液 処理装置と同じであるので、図示および説明は省略する。
[0061] 第 3実施形態では、処理液供給管路 4及び薬液供給管路 31にそれぞれ第 1及び 第 2のフローメータ 39aおよび 39bが介設され、また、処理液供給管路 4と薬液供給 管路 31の接続部あるいはその近傍の薬液供給管路 31に開度調整可能な流量調整 バルブ 37A (流量調節装置)を介設している。
[0062] 処理液供給管路 4を流れる DIWの流量を第 1のフローメータ 39aが検出して、制御 コンピュータ (CPU5)に伝達し、また、薬液供給管路 31を流れる HFの流量を第 2の フローメータ 39bが検出して制御コンピュータに伝達する。制御コンピュータは、第 1 のフローメータ 39aが検出した DIW流量に基づいて、供給ノズル 10に供給される D HFの濃度を所定値とするために必要な HF流量を、制御コンピュータに予め記憶さ れたデータ或いは関係式に基づいて算出し、流量調整バルブ 37Aの開度を第 2の フローメータ 39bの検出信号を用いてフィードバック制御する。これにより DHF濃度 力 ¾HF流量に関わらず一定に維持される。
[0063] なお、第 3実施形態の液処理装置を用いても、第 1および第 2実施形態と同様なェ ツチング処理プロセスおよびリンス液処理プロセスを行うことが可能である。
[0064] なお、上記第 1乃至第 3実施形態では、薬液処理プロセスは 、わゆる DHF洗浄プ ロセスであったが、これには限定されず、他の薬液洗浄プロセスであってもよい。他の 薬液洗浄プロセスとしては、 NH OHを用いる APM洗浄プロセス、 HC1および H O
4 2 2 を用いる HPM洗浄プロセス、 HFおよび H Oを用いる FPM洗浄プロセス並びに H Fおよび NH Fを用いる BHF洗浄プロセス等が例示される。また、薬液処理プロセス
4
は、いわゆる洗浄プロセスに限定されず、いわゆるウエットエッチングプロセスであつ てもよい。また、液処理の対象物は半導体ウェハに限定されず、例えば LCD用ガラ ス基板であってもよい。
実施例
[0065] 本発明に基づくリンス処理プロセスと従来のリンス処理プロセスとのリンス処理効率 を比較するために実験を行った。
[0066] [実験条件]
半導体ウェハ Wに対して DHFによるエッチング処理を施した後、以下の条件でリン ス処理を行った。実施例においては、最も下の 2つの供給ノズル 11Rおよび 11Lから DIWを総流量 40LZminの流量で 2分間吐出し、その後、 6本の処理液供給ノズル 1 2R, 13R, 14R, 12L, 13Lおよび 14Lから総流量 90LZminで DIWを吐出した。 一方、比較例においては、処理槽底部に配置された 2つの処理液供給ノズル(11R , 11Lに相当)から総流量 40LZminで DIWを吐出した。
[0067] リンス処理効果は、処理槽内の液の比抵抗の変化に基づいて評価した。図 11に示 すように、比較例では、処理槽内の液の比抵抗が約 14Μ Ω—cmに達する(このこと は処理槽内の DHFが十分に DIWに置換されたことを示す)までに約 16〜17分要し た。これに対して実施例では、処理槽内の液の比抵抗が比較例に比べて約 6分も早 い約 10〜: L 1分で約 14Μ Ω— cmに達した。

Claims

請求の範囲
[1] 被処理体に液処理を施すための液処理装置にお!ヽて、
処理液および被処理体を収容することができる処理槽と、
前記処理槽内の被処理体の側方において異なる高さに配置され、各々が前記処 理槽に収容された被処理体を向!ヽた吐出口を有する複数の処理液供給ノズルと、 処理液供給源から前記複数の処理液供給ノズルへの処理液の供給を制御する複 数の処理液供給バルブと、
複数の処理液供給期間にそれぞれ前記複数の処理液供給ノズルから選択された 1 つ以上の処理液供給ノズルカゝら処理液が吐出されるように、かつ、各処理液供給期 間とその直前の処理液供給期間とで前記複数の処理液供給ノズルのうちの少なくと も 1つの処理液供給ノズルの処理液供給状態が異なるように、前記複数の処理液供 給バルブの動作を予め定められたシーケンスに基づいて制御するコントローラと、 を備えたことを特徴とする液処理装置。
[2] 請求項 1に記載の液処理装置において、
前記複数の処理液供給ノズルは、第 1グループと第 2グループとに分割され、前記 第 1グループに属する複数の処理液供給ノズルが被処理体の一方の側方で異なる 高さに配置され、かつ、前記第 2グループに属する複数の処理液供給ノズルが被処 理体の他方の側方で異なる高さに配置されている、
ことを特徴とする液処理装置。
[3] 請求項 2に記載の液処理装置において、
前記複数の処理液供給ノズルは、前記第 1グループに属する各処理液供給ノズル と同じ高さに位置する前記第 2グループに属する処理液供給ノズルが存在するような 位置関係で配置されて!、る、
ことを特徴とする液処理装置。
[4] 請求項 3に記載の液処理装置において、
前記液処理は、前記処理液として薬液を用いて被処理体を処理するものであり、 前記コントローラは、前記複数の処理液供給期間のうちの少なくとも一部の処理液 供給期間において、同じ高さに位置する前記第 1および第 2グループの処理液供給 ノズルが同時に薬液を吐出するように、前記複数の処理液供給バルブの動作を制御 するように構成されている、
ことを特徴とする液処理装置。
[5] 請求項 3に記載の液処理装置において、
前記液処理は、前記処理液として薬液を用いて被処理体を処理するものであり、 前記コントローラは、前記複数の処理液供給期間のうちの少なくとも一部の処理液 供給期間において、前記第 1グループに属する処理液供給ノズルカゝら薬液が吐出さ れるとともに同じ高さに位置している前記第 2グループに属する処理液供給ノズルか ら薬液が供給されな 、状態と、前記第 2グループに属する処理液供給ノズルから薬 液が吐出されるとともに同じ高さに位置している前記第 1グループに属する処理液供 給ノズルから薬液が供給されな!、状態とが交互に繰り返されるように、前記複数の処 理液供給バルブの動作を制御するように構成されて ヽる、
ことを特徴とする液処理装置。
[6] 請求項 1に記載の液処理装置において、
前記液処理は、前記処理液としてリンス液を用いて被処理体を処理するものであり 前記コントローラは、異なる高さに配置された前記複数の処理液供給ノズルのうち 最も下側に配置された処理液供給ノズルがリンス液を吐出した後に、前記最も下側 に配置された処理液供給ノズルと、それ以外の処理液供給ノズルから選択された 1以 上の処理液供給ノズルとがリンス液を吐出するように、前記処理液供給バルブを制御 するように構成されている、
ことを特徴とする液処理装置。
[7] 請求項 6に記載の液処理装置において、
前記コントローラは、異なる高さに配置された前記複数のノズルのうち最も下側に配 置された処理液供給ノズルがリンス液を吐出した後に、全ての処理液供給ノズルがリ ンス液を吐出するように、前記処理液供給バルブを制御するように構成されている、 ことを特徴とする液処理装置。
[8] 請求項 3に記載の液処理装置において、 前記液処理は、前記処理液としてリンスを用いて被処理体を処理するものであり、 前記コントローラは、前記複数の処理液供給期間のうちの少なくとも 1つの処理液 供給期間において、前記第 1グループに属する処理液供給ノズルカゝら薬液が吐出さ れるとともに同じ高さに位置している前記第 2グループに属する処理液供給ノズルか ら薬液が供給されな ヽように、前記複数の処理液供給バルブの動作を制御するよう に構成されている、
ことを特徴とする液処理装置。
[9] 請求項 1に記載の液処理装置において、
前記液処理は、前記処理液としてリンス液により希釈された薬液を用いて被処理体 を処理するものであり、
前記処理液供給源が、薬液供給源とリンス液供給源とを含み、
前記薬液供給源に接続された薬液供給管路が、前記リンス液供給源と前記複数の 処理液供給ノズルとを接続する処理液供給管路に合流し、
前記薬液供給管路に、そこから前記処理液供給管路に流出する薬液の流量を調 節する流量調節装置が設けられ、
前記コントローラは、前記処理液供給管路力 前記複数の処理液供給ノズルに供 給される供給される処理液の流量に応じて、前記流量調節装置を調節して、処理液 中に含まれる薬液成分の濃度を実質的に一定に維持するように構成されて ヽる、 こをと特徴とする液処理装置。
[10] 請求項 9に記載の液処理装置において、
前記コントローラは、或る一つの処理液供給期間において処理液を吐出する処理 液供給ノズルの数が、前記或る一つの処理液供給期間に続く他の処理液供給期間 ヽて処理液を吐出する処理液供給ノズルの数と異なるように、前記処理液供給 バルブを制御するように構成され、
更に、前記コントローラは、前記或る一つの処理液供給期間において前記処理液 供給管路を流れる処理液の薬液濃度が、前記他の処理液供給期間において前記処 理液供給管路を流れる処理液の薬液濃度と等しくなるように、処理液を吐出する処 理液供給ノズルの数に応じて、前記流量調節装置を制御するように構成されて ヽる、 ことを特徴とする液処理装置。
[11] 請求項 9に記載の液処理装置において、
前記流量調節装置は、前記薬液供給管路から前記処理液供給管路への薬液の流 出を遮断できるように構成され、これによりこの液処理装置がリンス液により希釈され た薬液を用いた液処理とリンス液のみを用いた液処理とを選択的に実行できるように 構成されている、
ことを特徴とする液処理装置。
[12] 液処理方法において、
処理槽内に設置されるとともに各々が被処理体を向いた吐出口を有する複数の処 理液供給ノズルから選択された 1つ以上の処理液供給ノズルから処理液を吐出する 工程と、
その後、前記複数の処理液供給ノズルのうちの少なくとも 1つの処理液供給ノズル の処理液の吐出状態を変更する工程と、
を備えたことを特徴とする液処理方法。
[13] 請求項 12に記載の液処理方法において、
異なる処理液供給期間に異なる高さに配置された処理液供給ノズルから処理液が 供給される、
ことを特徴とする液処理方法。
[14] 請求項 12に記載の液処理方法において、
被処理体の一方の側方に配置された処理液供給ノズルから処理液が供給された 後、被処理体の他方の側方に配置された処理液供給ノズルから処理液が供給される ことを特徴とする液処理方法。
[15] 液処理方法において、
薬液が蓄えられた処理槽に被処理体を浸漬して薬液処理プロセスを実行する工程 と、
前記処理槽内にリンス液を供給することにより被処理体をリンスするとともに前記処 理槽内の薬液をリンス液に置換するリンス液処理プロセスを実行する工程と、 を備え、
前記リンス液処理プロセスは、
処理槽内に設置されるとともに各々が被処理体を向いた吐出口を有する複数の処 理液供給ノズルカゝら選択された 1つ以上の処理液供給ノズルカゝらリンス液を吐出する 工程と、
その後、前記複数の処理液供給ノズルのうちの少なくとも 1つの処理液供給ノズル のリンス液の吐出状態を変更する工程と、
を含むことを特徴とする液処理方法。
[16] 請求項 15に記載の液処理方法において、
前記リンス液処理プロセスにおける或る期間内に、被処理体の一方の側方に配置 された処理液供給ノズルおよび被処理体の他方の側方に配置された処理液供給ノ ズルカゝらリンス液が供給される、
ことを特徴とする液処理方法。
[17] 請求項 15に記載の液処理方法において、
前記リンス液処理プロセスにお 、て、前記複数の処理液供給ノズルのうちの最も下 側に配置された処理液供給ノズルがリンス液を吐出した後に、全ての処理液供給ノ ズルがリンス液を吐出する、
ことを特徴とする液処理方法。
[18] 請求項 15に記載の液処理方法において、
前記リンス液処理プロセスにお 、て、前記複数のノズルの全ての処理液供給ノズル 力 Sリンス液を吐出した後に、最も下側に配置された処理液供給ノズルがリンス液を吐 出し、その後、全ての処理液供給ノズルがリンス液を吐出する、
ことを特徴とする液処理方法。
[19] 液処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なソフトウェアが記録され た記録媒体であって、当該ソフトウェアを実行することにより、前記制御コンピュータ が前記液処理装置を制御して液処理方法を実行させるものにおいて、
前記液処理方法が請求項 12乃至 18のいずれか一項に記載の液処理方法である ことを特徴とする記録媒体。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311631A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
JP2011187891A (ja) * 2010-03-11 2011-09-22 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体
US8216417B2 (en) 2008-03-27 2012-07-10 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1736568A4 (en) * 2004-04-15 2011-01-12 Tokyo Electron Ltd LIQUID TREATMENT DEVICE AND LIQUID TREATMENT PROCESS
JP4542869B2 (ja) * 2004-10-19 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 処理方法およびその処理方法を実施するコンピュータプログラム
JP4907400B2 (ja) * 2006-07-25 2012-03-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
DE102006059810A1 (de) * 2006-12-15 2008-06-19 Rena Sondermaschinen Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Gegenständen, insbesondere von dünnen Scheiben
KR101177038B1 (ko) * 2007-12-10 2012-08-27 레나 게엠베하 물품의 세정 장치 및 방법
JP5148465B2 (ja) * 2008-12-08 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置および記憶媒体
JP5323898B2 (ja) * 2011-08-01 2013-10-23 シャープ株式会社 液体吐出ノズル、及び液体吐出ノズルにおける撥水層の再生方法
KR101774185B1 (ko) * 2013-09-25 2017-09-01 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치, 접합 기판의 박리 방법 및 접착제의 제거 방법
CN104014496A (zh) * 2014-06-04 2014-09-03 深圳市华星光电技术有限公司 水洗腔室的排液方法及装置
DE102014016364A1 (de) * 2014-11-05 2016-05-12 Eisenmann Se Reinigungsverfahren und Reinigungsvorrichtung für ein oder mehrere Teile eines Applikationssystems
JP6231249B2 (ja) * 2015-06-15 2017-11-15 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理装置
JP6509104B2 (ja) * 2015-09-30 2019-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
US11220758B2 (en) * 2016-06-15 2022-01-11 Seoul Viosys Co., Ltd. Systems and methods for thermal hydro-synthesis of semiconductor materials by holding a substrate wafer within a chamber in a vertical direction
TWI597799B (zh) * 2016-10-14 2017-09-01 盟立自動化股份有限公司 溼式製程設備
JP6985957B2 (ja) 2018-02-21 2021-12-22 キオクシア株式会社 半導体処理装置
JP7101083B2 (ja) * 2018-08-23 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
CN111785623B (zh) * 2020-06-15 2022-11-04 上海华虹宏力半导体制造有限公司 湿法刻蚀方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335295A (ja) * 1997-06-05 1998-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理槽および基板処理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4985111A (en) * 1990-03-02 1991-01-15 Chemcut Corporation Process and apparatus for intermittent fluid application
JP2739419B2 (ja) 1992-09-25 1998-04-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5625433A (en) * 1994-09-29 1997-04-29 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for developing resist coated on a substrate
JPH09199467A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Mitsubishi Electric Corp 洗浄装置及びその方法
US5922138A (en) * 1996-08-12 1999-07-13 Tokyo Electron Limited Liquid treatment method and apparatus
JPH10229065A (ja) 1997-02-14 1998-08-25 Sony Corp 洗浄槽および洗浄方法
DE10036867B4 (de) * 1999-07-30 2006-04-13 Tokyo Electron Ltd. Substrat-Bearbeitungsverfahren und -vorrichtung
US6616014B1 (en) * 2000-02-25 2003-09-09 The Boc Group, Inc. Precision liquid mixing apparatus and method
JP3851486B2 (ja) * 2000-03-27 2006-11-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3662484B2 (ja) * 2000-08-09 2005-06-22 エム・エフエスアイ株式会社 ウェット処理方法及びウェット処理装置
JP4014127B2 (ja) * 2000-10-04 2007-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP3681329B2 (ja) * 2000-10-20 2005-08-10 東京エレクトロン株式会社 基板表面処理方法及び基板表面処理装置
JP2002353184A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP3953361B2 (ja) * 2002-05-08 2007-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
EP1736568A4 (en) * 2004-04-15 2011-01-12 Tokyo Electron Ltd LIQUID TREATMENT DEVICE AND LIQUID TREATMENT PROCESS

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335295A (ja) * 1997-06-05 1998-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理槽および基板処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311631A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
JP4705517B2 (ja) * 2006-05-19 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
US8216417B2 (en) 2008-03-27 2012-07-10 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2011187891A (ja) * 2010-03-11 2011-09-22 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体

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