JP3851486B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板（以下「基板」という）を処理する基板処理装置において、その処理液による基板処理でのより一層の均一化を図ることが可能な基板処理装置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬して処理する基板処理装置が存在する。このような基板処理装置においては、フッ酸等の薬液および純水（以下、薬液および純水を総称して処理液とする）へのロット（バッチ処理を行うときの一組の複数の基板）の浸漬処理を繰り返し、基板表面の汚染物質を除去したり、基板表面の酸化膜をエッチングしたり、レジスト膜を剥離したりする一連の基板処理を達成している。
【０００３】
図１３はそのような処理の一例を表す図であり、処理槽１６１の下側に配置された処理液の供給管１６３から一定の方向に向けて処理液Ｌを供給する場合を示している。このような基板処理装置においては、たとえば図１３に示すように、１組（２つ）の矢印ＡＲ９で代表されるような１種類の流れを形成することにより処理液の供給が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような１種類の流れにより基板処理が行われている場合においては、処理槽内において処理液の流れがよどむ部分（たとえば部分Ｐ１）が存在することがある。そして、この「よどみ」が生じた部分においては、パーティクルや反応生成物が滞留することとなったり、あるいは処理液の濃度分布の不均一性を生じさせるなどの事態を招来することになる。すなわち、このような「よどみ」は、基板処理の均一化を阻害する要因となるという問題がある。
【０００５】
また、基板処理の均一性の低下という上記のような問題は、基板を浸漬して処理する基板処理装置のみならず、浸漬せずに保持した基板に対して処理液を供給することにより基板処理を行う基板処理装置においても同様に起こり得る。
【０００６】
そこで、本発明は前記問題点に鑑み、基板に対する処理液の供給にあたって、その均一性を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の基板処理装置は、処理槽中に貯留された処理液により基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽内に固定保持され、かつ処理槽内に貯留された処理液に浸漬された基板に対して処理液を供給することが可能な複数の供給手段と、前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、を備え、前記複数の供給手段は、少なくとも３つの供給手段で構成され、前記少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板の周囲の互いに異なる位置に設けられ、前記浸漬基板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に異なる位置に対して処理液を供給することが可能であり、前記切換手段は、前記少なくとも３つの供給手段を所定の順序で選択して、当該選択した供給手段から処理液を供給するように切り換えて、前記複数の供給手段のそれぞれから供給される処理液同士を互いに干渉させることなく処理液の複数種類の流れを形成することを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の基板処理装置は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記供給手段は、基板表面の剥離処理を行う処理液を基板に対して供給することにより、基板の剥離処理を行うことを特徴とする。
【００１０】
請求項３に記載の基板処理装置は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽内に貯留された処理液を排出することが可能な複数の排出手段と、前記切換手段は、前記複数の排出手段のうちいずれの排出手段を用いて処理液の排出を行うかを選択的に切り換えることを特徴とする。
請求項４に記載の基板処理装置は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記複数の供給手段のうちの少なくとも１つの供給手段を、前記排出手段として共用することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項５に記載の基板処理方法は、処理槽中に貯留された処理液によって基板の浸漬処理を行う基板処理方法であって、前記処理槽内の互いに異なる位置に設けられた複数の供給手段のうち１つ以上の供給手段を含む第１の組合せに係る供給手段を用いて処理液の第１の流れを形成し、前記処理槽内に固定保持され、かつ前記処理槽内の処理液に浸漬された基板に対して処理液を供給する第１の工程と、前記複数の供給手段のうち１つ以上の供給手段を含む組合せであって、前記第１の工程で用いられた第１の組合せとは異なる第２の組合せに係る供給手段を用いて処理液の第２の流れを形成して前記基板に対して処理液を供給する第２の工程と、を含み、前記複数の供給手段は、少なくとも３つの供給手段で構成され、前記少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板の周囲の互いに異なる位置に設けられ、前記浸漬基板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に異なる位置に対して処理液を供給することが可能であり、前記第１の組み合わせと前記第２の組み合わせとは、前記少なくとも３つの供給手段を所定の順序で選択したものであることを特徴とする。
【００１２】
さらに、請求項６に記載の基板処理装置は、基板表面に対して処理液を供給する処理を行う基板処理装置であって、処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽空間内の所定位置に固定保持された基板表面に対して処理液を吐出供給することが可能な複数の供給手段と、前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、を備え、前記複数の供給手段は、少なくとも３つの供給手段で構成され、前記少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、固定保持された基板の周囲の互いに異なる位置に設けられ、前記固定保持された基板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に異なる位置に対して処理液を吐出供給することが可能であり、前記切換手段は、前記少なくとも３つの供給手段を所定の順序で選択して、当該選択した供給手段から処理液を吐出供給するように切り換えて、前記複数の供給手段のそれぞれから供給される処理液同士を互いに衝突させることなく処理液の複数種類の流れを形成することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項７に記載の基板処理装置は、請求項６に記載の基板処理装置において、前記複数の供給手段のそれぞれは、円筒断面内の所定の角度にわたる円弧部分に形成された複数個の孔から処理液を吐出させることによって吐出供給を行う供給管を有することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
＜Ａ．第１実施形態＞
＜Ａ１．基板処理装置の全体構成＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１の全体構成を示す斜視図である。図示のように、この基板処理装置１は、未処理基板を収納しているカセットＣＳが投入されるカセット搬入部２と、このカセット搬入部２からのカセットＣＳが載置され内部から複数の基板（ロット）が同時に取り出される基板取出部３と、カセットＣＳから取り出された未処理基板が順次浸漬処理される基板処理部５と、浸漬処理後の複数の処理済み基板が同時にカセットＣＳ中に収納される基板収納部７と、処理済み基板を収納しているカセットＣＳが払い出されるカセット搬出部８とを備える。さらに、装置の前側には、基板取出部３から基板収納部７に亙って基板移載搬送機構９が配置されており、浸漬処理前、浸漬処理中及び浸漬処理後のロットを一箇所から別の箇所に搬送したり移載したりする。
【００１６】
カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣＲ１を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置された一対のカセットＣＳを基板取出部３に移載する。
【００１７】
基板取出部３は、昇降移動する一対のホルダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣＳ中の未処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能にする。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、カセットＣＳ中から基板が押し上げられる。カセットＣＳ上方に押し上げられた基板は、基板移載搬送機構９に設けられた搬送ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部５に投入される。
【００１８】
基板処理部５は、フッ酸等の薬液を貯留して薬液処理を行う薬液槽ＣＢを備える薬液処理部５２と、純水を貯留して水洗処理を行う水洗槽ＷＢを有する水洗処理部５４と、薬液または純水を貯留して単一槽内で各種の薬液処理や水洗処理を行う多機能槽ＭＢを有する多機能処理部５６とを備える。なお、本明細書においては、基板に何らかの処理を行う薬液槽ＣＢ、水洗槽ＷＢ、多機能槽ＭＢを総称して処理用槽とする。
【００１９】
基板処理部５において、薬液処理部５２および水洗処理部５４の後方側には、第１基板浸漬機構５５が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能なリフターＬＨ１によって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を薬液処理部５２の薬液槽ＣＢに浸漬したり、水洗処理部５４の水洗槽ＷＢに浸漬したりする。リフターＬＨ１は、薬液槽ＣＢと水洗槽ＷＢとの間で基板を搬送することが可能であるとともに、それら処理用槽に対して基板を昇降させることによって当該基板を処理用槽に貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理液から離脱させることができる。
【００２０】
また、多機能処理部５６の後方側には、第２基板浸漬機構５７が配置されており、これに設けた上下動可能なリフターＬＨ２によって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を多機能処理部５６の多機能槽ＭＢ内に支持する。リフターＬＨ２は、基板を保持して多機能槽ＭＢに当該基板を搬入するとともに多機能槽ＭＢから当該基板を搬出する役割を担っており、多機能槽ＭＢに対して基板を昇降させることによって当該基板を多機能槽ＭＢに貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理液から離脱させることができる。なお、５２ａ、５６ａはリフターＬＨ１、ＬＨ２にそれぞれ設けられた基板を支持するための基板受部を示す。
【００２１】
また、多機能処理部５６には、蓋５８が設けられている。蓋５８は、その下部に駆動機構（図示省略）を有しており、当該駆動機構によって多機能槽ＭＢの上端部を開閉する開閉動作を行うことができる。蓋５８は、多機能槽ＭＢの上端部を閉鎖することにより、多機能槽ＭＢに貯留された処理液への汚染物質の流入を防止するとともに、多機能槽ＭＢ内の雰囲気が外部に漏洩するのを防ぐ役割を有している。
【００２２】
基板収納部７は、基板取出部３と同様の構造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによって、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け取ってカセットＣＳ中に収納する。
【００２３】
また、カセット搬出部８は、カセット搬入部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボットＣＲ２を備え、基板収納部７上に載置された一対のカセットＣＳをカセットステージ８ａ上の所定位置に移載する。
【００２４】
基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９１、９２よってロットを把持することにより、基板取出部３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部５の第１基板浸漬機構５５に設けたリフターＬＨ１側に移載したり、このリフターＬＨ１側から隣りの第２基板浸漬機構５７に設けたリフターＬＨ２側に基板を移載したり、このリフターＬＨ２側から基板収納部７のホルダ７ａ、７ｂに基板を移載したりする。
【００２５】
＜Ａ２．基板処理装置の制御機構＞
次に、上記基板処理装置１の制御機構について説明する。図２は、図１の基板処理装置１の制御機構を説明するための機能ブロック図である。この基板処理装置１には、卓上型コンピュータ等からなる制御部３０が組み込まれており、オペレータは制御部３０を介して装置に指令を与えたり、処理パターンや処理条件の設定を行ったりできる。
【００２６】
制御部３０は、その本体部であるＣＰＵ３１と、読み出し専用メモリーであるＲＯＭ３２と、読み書き自在のメモリーであるＲＡＭ３３と、制御用ソフトウェアやレシピ（処理手順を既述したファイル）などを記憶しておく磁気ディスク３４と、付随する入出力機器とのインターフェイスである入出力ポート３５と、基板処理装置１を直接制御する装置とのインターフェイスであるネットワークポート３６と、基板処理装置１外部に設けられているホストコンピュータなどと通信を行う通信ポート３７とを備えている。また、制御部３０には、入出力ポート３５を介してディスプレイ３８とキーボード３９とが付随して設けられており、オペレータはディスプレイ３８の表示を確認しつつ、キーボード３９からコマンドやパラメータを入力することができる。
【００２７】
制御部３０に入力された指令は、処理用のソフトウェアに基づいて処理され、必要に応じて制御部３０からネットワークポート３６を介してマスターコントローラ４０および槽コントローラ５０などに伝達される。マスターコントローラ４０は、搬送ロボットＴＲ（図１参照）の動作を制御する。また、槽コントローラ５０は、槽制御装置５１に指令を伝達して、各処理用槽への注排液などを制御する。なお、槽コントローラ５０を介した制御部３０による処理用槽への供給および排出の制御などについては後に詳述する。
【００２８】
＜Ａ３．処理用槽の構成＞
次に、基板処理装置１に設けられている処理用槽の構成について説明する。ここでは、処理用槽の一例として多機能処理部５６の多機能槽ＭＢについて説明する。図３は、多機能槽ＭＢ（ＭＢ１）の構成を示す図である。多機能槽ＭＢは、主として処理槽６１、回収部６２、およびそれらに付随する注排液機構によって構成されている。処理槽６１は、多機能槽ＭＢの主要部であり、純水または薬液（フッ酸等）を貯留することが可能であり、その処理液中に基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗの表面処理を進行させる槽である。
【００２９】
処理槽６１の内部壁面においては、複数（ここでは４本）の処理液の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄが設けられている。これらの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄは、円筒形状（図ではその断面形状が表されている）を有しており、その円筒表面に処理液を供給するための孔（図示せず）を有している。また、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄは、それぞれ、図３において、処理槽６１の左上方、左下方、右上方、右下方の位置にそれぞれ配置されており、それぞれ、バルブ６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄを介して、処理液の供給源６５ａ，６５ｂ，６５ｃ，６５ｄに接続されている。
【００３０】
そして、たとえば供給管６３ａは、バルブ６４ａを開状態にすることにより、処理液の供給源６５ａにおいて蓄えられた処理液を、供給管６３ａの表面に設けられた孔から処理槽６１に対して供給することができる。なお、簡略化のため図示していないが、供給源６５ａにおいては、それぞれ、複数の種類の処理液を選択するための選択バルブなどを有しており、この選択用バルブとバルブ６４とを用いて、所望の処理液を供給することができる。また、他の供給管６３ｂ，６３ｃ，６３ｄについても同様であり、それぞれ、バルブ６４ｂ，６４ｃ，６４ｄを介して、同様の処理液の供給源６５ｂ，６５ｃ，６５ｄに蓄えられる処理液を供給することができる。さらに、処理槽６１の供給管６３から供給された処理液は、やがてその上方から溢れ出て（オーバーフローして）、回収部６２によって回収された後、排出される。
【００３１】
また、処理槽６１の底部には、排出用バルブ６６ｅと排液部６７ｅとが設けられている。この排出用バルブ６６ｅを閉状態としておくことにより、上記のようなオーバーフロー処理を行うことができる。また、この排出用バルブ６６ｅを開状態とすることにより、処理槽６１に貯留された処理液を排液部６７ｅに向けて短時間で排出することなどが可能であり、処理槽６１内の処理液の全入れ替えなどの動作を行うことが可能である。
【００３２】
ここにおいて、この処理槽６１においては、エッチング処理やレジスト膜の剥離処理を行うことができる。たとえば、基板のエッチング処理には、フッ酸などの薬液が用いられ、また、基板上のレジスト膜などの不要物を除去する剥離処理には、（１）オゾン（Ｏ3）を純水に溶解したオゾン（Ｏ3）水、（２）オゾン（Ｏ3）水と炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ3）などの重炭酸イオンを含む添加物との混合液、（３）硫酸（Ｈ2ＳＯ4）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ）との混合液、（４）硫酸（Ｈ2ＳＯ4）とオゾンとの混合液、（５）有機剥離液、あるいは（６）有機剥離液で処理した後の基板を洗浄処理するイソプロピルアルコール液などのリンス液が使用される。
【００３３】
このうち、有機剥離液としては、たとえば、１−メチル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシド、イソプロパノールアミン、ジメチルスルホシキド、モノエタノールアミン、２−（２アミノエトキシ）エタノール、ヒドロキシアミン、カテコール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマテイックジオール、パーフレン、フェノールを主成分とする薬液が使用される。より具体的には、たとえば、▲１▼１−メチル−２ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシドとイソプロパノールアミンとの混合液、▲２▼ジメチルスルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液、▲３▼２−（２アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合液、▲４▼２−（２アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチルピロリドンとの混合液、▲５▼モノエタノールアミンと水とアロマテイックジオールとの混合液、▲６▼パーフレンとフェノールとの混合液、の（６種類の）混合液のそれぞれが、有機剥離剤として用いられる。
【００３４】
また、処理槽６１における処理の種類などによって、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから供給される処理液の供給量（流量）が変化する。これは、バルブ６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄの開閉量や、図示しない処理液供給用のポンプの圧力などを制御することにより行われる。特に、上述の剥離処理においては、大流量の処理液（したがって大きな液圧を有する処理液）を基板に対して供給することにより、基板の表面に付着した不要なレジスト膜などを剥離することが可能になる。
【００３５】
さらに、処理対象となる複数の基板Ｗは、処理槽６１に貯留された処理液に浸漬された状態において、起立状態で保持されている。そして、図３に示すように、供給管６３ａは基板Ｗの左上方から処理液を供給し、供給管６３ｂは基板Ｗの左下方から処理液を供給し、供給管６３ｃは基板Ｗの右上方から処理液を供給し、供給管６３ｄは基板Ｗの右下方から処理液を供給する。つぎに、これらの複数の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄを用いた処理動作について詳述する。
【００３６】
＜Ａ４．動作＞
＜第１の動作＞
ここでは、上記の４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄを用いて選択的に処理液を基板に対して供給する場合について説明する。図４は、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給方向を示す模式図であり、図５は、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給動作を示す動作図（タイミングチャート）である。また、図６は、異なる時刻における、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給状況を示す図である。
【００３７】
図４に示すように、これら４つの供給管のそれぞれは、（処理槽内の処理液に）浸漬された基板（浸漬基板）Ｗの周辺部の互いに異なる位置に設けられ、浸漬基板の主面（図では円形面）の中心Ｃに向かう方向に対して相対的に所定の側（図では左側）にずれた相互に異なる位置に対して処理液を供給するように構成されている。たとえば、供給管６３ａは基板の中心Ｃに向かって中心Ｃの左側にずれた位置に対して処理液を供給し、供給管６３ｂも基板の中心Ｃに向かって中心Ｃの左側にずれた位置に対して処理液を供給する。他の供給管６３ｃ，６３ｄについても同様であり、基板の中心Ｃに向かって（同一の）左側にずれた位置に対して処理液を供給する。
【００３８】
この実施形態においては、このような４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄの全てから同時に処理液を供給するのではなく、４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのそれぞれからの処理液の供給が、所定の順序で切り換えて行われる場合を例示する。このような切換動作は、上記の制御部３０の指令に基づいて、槽コントローラ５０を介して、各バルブ６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄの開閉などを伴うことにより実現される。
【００３９】
つぎに、図５の動作図をも参照しながら、このような切換動作について説明する。図５の動作図に示すように、まず、時刻ｔ０において、供給管６３ａからの供給が開始される。図６（ａ）は、供給管６３ａからのみ処理液が供給される様子を示す。そして、所定時間Δｔ経過後、時刻ｔ１において、供給管６３ａからの供給が停止され、今度は、供給管６３ａに代わって、供給管６３ｃからの供給が開始される。図６（ｂ）は、供給管６３ｃからのみ処理液が供給される様子を示す。つぎに、時刻ｔ２において、供給管６３ｃからの供給が停止され、供給管６３ｄからの供給が開始される。図６（ｃ）は、供給管６３ｄからのみ処理液が供給される様子を示す。さらに、時刻ｔ３において、供給管６３ｄからの供給が停止され、供給管６３ｂからの供給が開始される。図６（ｄ）は、供給管６３ｂからのみ処理液が供給される様子を示す。その後、時刻ｔ４において、供給管６３ｂからの処理液の供給が停止される。また、この各供給管６３からの処理液の供給時間Δｔ（＝ｔ１−ｔ０，ｔ２−ｔ１，...）は、たとえば、数秒から数十秒である。この供給時間は、処理槽６１の大きさおよび処理液の流量などに応じて適切な値が設定される。
【００４０】
以降、順次、時刻ｔ４，ｔ５，...において供給管６３ａ，６３ｂ，からの供給が開始されるとともに、時刻ｔ５，ｔ６，...において供給管６３ｃ，６３ｄからの供給が停止される。すなわち、図６（ａ）〜（ｄ）に示される各動作をこの順序で繰り返すことにより、４つの供給管からの処理液の供給動作を行う。
【００４１】
ここにおいて、４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのうちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換えて処理液の供給動作を行うので、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、処理液の様々な流れ（ここでは４種類の流れ）を形成することができる。したがって、一定の流れが継続することに起因する「よどみ」等の発生を抑制することができるので、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【００４２】
さらに、浸漬基板Ｗの主面の中心Ｃに向かう方向に対して所定の側（同一の側）にずれた相互に異なる位置に対して処理液を供給する４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄによって、所定の順序（ここでは、供給管の配置位置に関して時計回りの順序）で処理液が供給されるので、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのそれぞれによる供給時点においては、図６（ａ）〜（ｄ）のそれぞれに示す独自の流れが形成される一方で、さらに大きな時間単位で考察すると、基板の中心Ｃに対して（時計回りに）回転するような処理液の流れを形成することが可能である。したがって、基板に対して均一な処理が可能になる。
【００４３】
なお、４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから同時に処理液を供給する場合には、別個の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから供給される処理液の相互間による流れが干渉するため、基板の中心に対して回転するような処理液の流れを形成することが困難であるのに対して、上記のように時間的に異なるタイミングで各供給管から処理液を供給する場合には、このような相互干渉が抑制されるため、基板の中心Ｃに対して回転するような処理液の流れを効率的に形成することが可能になる。特に、上述の剥離処理を行う場合においては、大流量の処理液（したがって大きな液圧を有する処理液）を基板Ｗに対して供給するにあたって、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのそれぞれから供給される処理液同士が互いに干渉することなく、各供給時間にわたる各供給管のそれぞれから供給される処理液の液圧を十分に利用した上で、処理液の供給を行うことが可能である。これにより、基板の表面に付着した不要なレジスト膜などの剥離をより有効に行うことができる。
【００４４】
また、基板Ｗは、それ自身が回転されることなく固定された状態で保持されるので、基板Ｗなどからのパーティクルの発生も最小限に止めることができる。
【００４５】
さらに、上記においては、４つの供給管により処理液の供給を行ったが、少なくとも３つの供給管からの処理液の供給を行うことにより、同様の処理を行うことができる。たとえば、基板Ｗの周囲の異なる３カ所（たとえば、基板Ｗの左上位置と基板Ｗの右上位置と基板Ｗの直下位置との合計３カ所）の位置に設けられた３つの供給管を用いても同様の処理を行うことが可能である。
【００４６】
＜その他の動作＞
上記においては、浸漬基板Ｗの主面の中心Ｃに向かう方向に対して所定の側（左側）にずれた位置に対して処理液を供給する４つの供給管を用いる場合において、供給管の配置位置に関して時計回りの順序（すなわち、供給管６３ａ，６３ｃ，６３ｄ，６３ｂの順）で処理液が供給される場合を例示したが、これに限定されない。たとえば、浸漬基板Ｗの主面の中心Ｃに対して右側にずれた位置に対して処理液を供給する４つの供給管を用いて、供給管の配置位置に関して反時計回りの順序（すなわち、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｄ，６３ｃの順）で処理液を供給してもよい。また、これら４つの供給管からの処理液の供給順序は、さらに別の順序（たとえば、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄの順）であってもよい。
【００４７】
さらには、所定の時刻において、４つの供給管のうちの２つ以上を組合せて処理液の供給を行うようにしてもよい。すなわち、２つ以上の供給管が同時に処理液の供給を行うべきであるとして選択されてもよい。たとえば、（１）供給管６３ａ，６３ｃを同時に用いて処理液の供給を行う動作と供給管６３ｂ，６３ｄを同時に用いて処理液の供給を行う動作とを交互に行うような動作であってもよく、あるいは、（２）所定の時刻において供給管６３ａ，６３ｂを同時に用いて処理液の供給を行い、別の時刻において、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃを同時に用いて処理液の供給を行い、さらに別の時刻において、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄを同時に用いて処理液の供給を行う動作を繰り返すような動作であってもよい。このような場合であっても、４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのうちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換えて処理液の供給動作が行われるので、処理液の様々な流れを形成することが可能である。
【００４８】
＜Ａ５．変形例＞
上記第１実施形態においては、処理槽６１に貯留された処理液がオーバーフローによって回収部６２を介して排出される場合を示したが、これに限定されない。たとえば、図７に示すようなオーバーフローを用いない閉鎖系の多機能槽ＭＢ（ＭＢ４）を有する基板処理装置にも適用することが可能である。
【００４９】
図７においては、図３の多機能槽ＭＢ１と同一の要素については同一の参照符号を付して示している。図７の多機能槽ＭＢ４は、多機能槽ＭＢ１と同様の構成に加えて、さらに、排出用バルブ６６ａ，６６ｂ，６６ｃ，６６ｄと、排液部６７ａ，６７ｂ，６７ｃ，６７ｄとを有している。これらの排出用バルブ６６ａ，６６ｂ，６６ｃ，６６ｄなどを用いることにより、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから供給された処理液を処理槽６１から回収することができる。
【００５０】
なお、ここでは、処理槽６１内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽６１内に貯留された処理液を排出することが可能な複数の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄを排出管として共用することにより処理液の排出を行う場合を示すが、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄとは別個に排出専用の排出管を設けてもよい。
【００５１】
そして、これらの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのいずれかから、処理液の排出が行われる。この排出動作は、上記の供給動作に前後して行う（すなわち、排出動作と供給動作とを順次に行う）ようにしてもよく、あるいは、供給動作と同時に行うようにしてもよい。供給管と排出管とを共用した上で、供給動作と排出動作とを同時に行うときには、その時点で供給動作を行っている供給管以外の供給管が、排出動作を行う排出管として選択される。
【００５２】
この排出動作において、いずれの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから排出を行うかは、上記の制御部３０などによってあらかじめ定められた手順によって選択的に切り換えられる。これにより、処理液の様々な流れを形成することができるので、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【００５３】
なお、ここでは、閉鎖系の多機能槽ＭＢにおいて、処理液の排出を行う排出管（供給管と共用）を処理槽６１内の複数の位置に設ける場合を示したが、これに限定されず、オーバーフローを用いる多機能槽ＭＢにおいて上記のような排出管を設けてもよい。
【００５４】
＜Ｂ．第２実施形態＞
つぎに、第２実施形態について説明する。図８は、第２実施形態に係る基板処理装置の多機能槽ＭＢ（ＭＢ２）を示す模式図である。第２実施形態の基板処理装置は、第１実施形態の基板処理装置と同様の構成を有しており、ここでは相違点を中心に説明する。
【００５５】
この第２実施形態における基板処理においては、処理槽６１において処理液を貯留せずに基板Ｗの処理を行う点で、処理槽６１に貯留された処理液に基板Ｗを浸漬して基板処理を行う第１実施形態と大きく相違する。この第２実施形態では、図９に示すような、孔ｈを有する供給管６３を用いて、空間内に保持された基板Ｗ（図８）に対して、処理液を吹き付ける（吐出供給する）ことにより、基板表面の処理を行うことができる。この供給管は、円筒断面内の所定の角度θにわたる円弧部分において、吐出部として機能する複数個の孔Ｈを有している。そして、この孔Ｈから処理液を噴出（吐出）させることにより、基板Ｗへの処理液の吹き付け（吐出供給）を行うことができる。
【００５６】
ここで、基板Ｗは、リフターＬＨ（ＬＨ２など）による昇降により、処理槽６１空間内の所定位置（図示の位置）に到達することが可能であり、基板処理時においてその所定位置に保持される。そして、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄは、円筒面において円弧上に設けられた複数の孔Ｈから処理液を噴出させることにより、処理槽空間内の所定位置に保持された基板Ｗの表面に対して処理液を供給する。そして、複数の供給管のうちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換えることにより、上記と同様の処理を行うことができる。
【００５７】
ここにおいて、基板Ｗ上において、その主面全体をいくつか（ここでは４つ）の領域に区分しておき、複数の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのそれぞれに対して処理液を吹き付けるべき領域を各供給管に対する吐出対象領域として割り当てている。そして、これらの各吐出対象領域に対応する供給管から所定の順序で順次に処理液を吐出することによって、基板に対して処理液を均一に供給することが可能になる。また、１つの供給管による吐出供給によって基板Ｗの全面に対して処理液を供給する場合に比べて、各供給管が担当すべき吐出領域を小さく設定することが可能である。
【００５８】
また、これらの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから同時に処理液を噴出させた場合には、複数の供給管のそれぞれから供給される処理液が相互に衝突することによって、互いの処理液の流れの方向や強さが減衰することになり、基板に接触する際の処理液の液圧が低下する。しかしながら、この第２実施形態においては、上記第１実施形態と同様に、複数の供給管からの処理液の供給を同時ではなく時間的にずらして行う。言い換えれば、処理槽６１内の互いに異なる位置に設けられた供給管から基板に対して処理液を供給するにあたって、複数の供給管のうちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換える。したがって、複数の供給管から供給される処理液が相互に衝突することによる基板に対する液圧の低下を防止することができる。したがって、基板に対する処理液の均一な供給を効率的に行うことができる。
【００５９】
＜Ｃ．第３実施形態＞
＜Ｃ１．構成＞
つぎに、第３実施形態について説明する。第３実施形態の基板処理装置は、各処理用槽以外の構成においては、第１実施形態の基板処理装置と同様の構成を有しており、ここでは、第３実施形態の処理用槽の一例として多機能槽について説明する。
【００６０】
図１０は、第３実施形態に係る基板処理装置の多機能槽ＭＢ（ＭＢ３）を示す模式図である。以下に示すように、第３実施形態の多機能槽ＭＢ３は、上記の各第１および第２実施形態とは、供給管の配置や、上下に配置される供給管の間に処理液の流れを整える整流板が設けられる点などにおいて異なっている。
【００６１】
まず、多機能槽ＭＢは、主として処理槽６１、回収部６２、およびそれらに付随する注排液機構によって構成されている。処理槽６１は、多機能槽ＭＢの主要部であり、純水または薬液（フッ酸等）を貯留することが可能であり、その処理液中に基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗの表面処理を進行させる槽である。
【００６２】
処理槽６１の内部壁面においては、複数（ここでは４本）の処理液の供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊが設けられている。これらの供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊは、円筒形状（図ではその断面形状が表されている）を有しており、その円筒表面に処理液を供給するための孔（図示せず）を有している。これらの供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊは、処理槽６１の下方において、上下２段に分かれた位置にそれぞれ配置されており、より具体的には、供給管６３ｇ，６３ｉは上段位置（上側）に配置され、供給管６３ｈ，６３ｊは下段位置（供給管６３ｇ，６３ｉよりも下側の位置）に配置されている。
【００６３】
また、これらの供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊは、それぞれ、バルブ６４ｇ，６４ｈ，６４ｉ，６４ｊを介して、処理液の供給源６５ｇ，６５ｈ，６５ｉ，６５ｊに接続されている。そして、たとえば供給管６３ｇは、バルブ６４ｇを開状態にすることにより、処理液の供給源６５ｇにおいて蓄えられた処理液を、供給管６３ｇの表面に設けられた孔から処理槽６１に対して供給することができる。なお、簡略化のため図示していないが、供給源６５ｇにおいては、それぞれ、複数の種類の処理液を選択するための選択バルブなどを有しており、この選択用バルブとバルブ６４とを用いて、所望の処理液を供給することができる。また、他の供給管６３ｈ，６３ｉ，６３ｊについても同様であり、それぞれ、バルブ６４ｈ，６４ｉ，６４ｊを介して、同様の処理液の供給源６５ｈ，６５ｉ，６５ｊに蓄えられる処理液を供給することができる。さらに、処理槽６１の供給管６３から供給された処理液は、やがてその上方から溢れ出て（オーバーフローして）、回収部６２によって回収された後、排出される。
【００６４】
また、処理槽６１の底部には、排出用バルブ６６ｋと排液部６７ｋとが設けられている。この排出用バルブ６６ｋを閉状態としておくことにより、上記のようなオーバーフロー処理を行うことができる。また、この排出用バルブ６６ｋを開状態とすることにより、処理槽６１に貯留された処理液を排液部６７ｋに向けて短時間で排出することなどが可能であり、処理槽６１内の処理液の全入れ替えなどの動作を行うことが可能である。
【００６５】
ここにおいて、この処理槽においては、エッチング処理やレジスト膜の剥離処理を行うことができる。処理液については、第１実施形態において詳述したものなどを用いることができる。
【００６６】
また、処理槽６１における処理の種類などによって、供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊから供給される処理液の供給量（流量）が変化する。これは、バルブ６４ｇ，６４ｈ，６４ｉ，６４ｊの開閉量や、図示しない処理液供給用のポンプの圧力などを制御することにより行われる。特に、上述の剥離処理においては、大流量の処理液を供給し、基板に対して大きな液圧を有する処理液を供給することにより、基板の表面に付着した不要なレジスト膜などを剥離することが可能になる。
【００６７】
さらに、処理対象となる複数の基板Ｗは、処理槽６１に貯留された処理液に浸漬された状態において、起立状態で保持されている。これらの基板Ｗに対して、後述するように、上記の上側に配置される供給管６３ｇ，６３ｉを用いて処理液の第１の流れを形成する動作と、下側に配置される供給管６３ｈ，６３ｊおよび整流板６８を用いて第２の流れを形成する動作とを切り換えることにより、処理槽６１内に異なる２種類の流れを形成することにより、基板処理を行う。
【００６８】
そのため、上側に配置される供給管６３ｇ，６３ｉと下側に配置される供給管６３ｈ，６３ｊとの間には、整流板６８が設けられている。この整流板６８は、薄板状の部材の全面にわたって多数の微小孔ＨＬを有する構成を有している。
【００６９】
そして、整流板６８の下側に配置される（下段の）供給管６３ｈ，６３ｊから供給される処理液は、基板Ｗの下方のあらゆる位置に存在する微小孔ＨＬ（整流板６８）を介して基板Ｗへと向かうことになるので、基板Ｗに対して下側から上側へと（一定の方向に）向かう流れ（並進流）（図１２（ｂ）参照）が形成されることになる。すなわち、整流板６８は、下段の供給管６３ｈ，６３ｊから供給される処理液の流れを整える機能を有している。
【００７０】
一方、整流板６８の上側に配置される供給管６３ｇ，６３ｉから供給される処理液は、整流板６８を介さずに直接的に基板Ｗに対して供給され、たとえば、処理槽６１内において左右対称に大きく循環するような流れ（循環流）（図１２（ａ）参照）が形成される。これにより、処理槽６１内の基板Ｗの表面処理にあたって、高効率のパーティクルの排出効果を有することが可能である。
【００７１】
このような上段の供給管６３ｇ，６３ｉを用いた処理液の供給と下段の供給管６３ｈ，６３ｊおよび整流板６８を用いた処理液の供給とは、それぞれ異なる流れを形成する。したがって、これらの２種類の流れを切り換えて動作させることにより、より適切な処理液の供給を行うことができる。
【００７２】
つぎに、これらの複数の供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊなどを用いた処理動作について詳述する。
【００７３】
＜Ｃ２．動作＞
図１１は、第３実施形態における動作を示すフローチャートである。図１１に示すように、薬液処理Ａ（ステップＳＰ１０）を行った後に、第１の純水リンス処理（ステップＳＰ２０）、第２の純水リンス処理（ステップＳＰ３０）、および薬液処理Ｃ（ステップＳＰ４０）を行う場合について説明する。
【００７４】
まず、ステップＳＰ１０において、上段の供給管６３ｇ，６３ｉを用いて、薬液処理Ａを行うための処理液（薬液）を供給する。これにより、所定の薬液による基板Ｗの表面等に対する処理を進行させる。
【００７５】
つぎに、ステップＳＰ２０において、第１の純水リンス処理Ｂ１を行う。それに先だって、上記の薬液処理Ａから純水リンス処理Ｂ１に移行するに際しては、排出用バルブ６６ｋを開くことにより処理槽６１に貯留されていた薬液を急速に排出した後、純水を供給することが可能である。あるいは、基板Ｗを雰囲気中に露出させることが好ましくない場合には、純水を追加供給することにより、徐々に薬液を排出するようにすることも可能である。
【００７６】
そして、この純水リンス処理Ｂ１においては、上段の供給管６３ｇ，６３ｉを用いて、所定の流量（たとえば、２２リットル／分）の処理液を供給する。これにより、図１２（ａ）の矢印ＡＲ１に示すように、処理槽６１内において左右対称に大きく循環するような流れ（循環流）を形成して、基板Ｗの表面等に対する純水リンス処理を進行させる。なお、この純水リンス処理Ｂ１においては、下段の供給管６３ｈ，６３ｊからの処理液の供給は、ゼロ（すなわち停止）もしくは微量の供給のみを行うものとする。
【００７７】
このような第１の純水リンス処理Ｂ１を所定時間行った後、次の第２の純水リンス処理Ｂ２に移行する。
【００７８】
次の純水リンス処理Ｂ２（ステップＳＰ３０）においては、下段の供給管６３ｈ，６３ｊを用いて、所定の流量（たとえば、２２リットル／分）の処理液を供給する。これにより、図１２（ｂ）に示すように、基板Ｗに対して下側から上側へと向かう流れ（並進流）を形成して、基板Ｗの表面等に対する純水リンス処理を進行させる。なお、この純水リンス処理Ｂ１においては、上段の供給管６３ｇ，６３ｉからの処理液の供給は、ゼロ（すなわち停止）もしくは微量の供給のみを行うものとする。
【００７９】
ここにおいて、第１の純水リンス処理Ｂ１においては、図１２（ａ）の矢印に示すような、処理槽６１内において左右対称に大きく循環するような流れ（矢印ＡＲ１）を形成することにより、非常に高効率にパーティクルの排出処理を行うことが可能であるが、このような１種類の流れによる処理を継続する場合には、処理槽６１内の所定の部分においては「よどみ」が生じることがある。たとえば、図１２（ａ）においては、処理槽６１の上方から回収部６２へと溢れ出る流れと、矢印ＡＲ１で示す流れとの間に挟まれた部分Ｐ１において「よどみ」が生じている場合を示している。
【００８０】
しかしながら、この第３実施形態においては、次の第２の純水リンス処理Ｂ２において、図１２（ｂ）の矢印ＡＲ２に示すように、供給管６３ｈ，６３ｊを用いた処理液の供給により浸漬基板の下側から上側へと向かう流れ（ＡＲ２）を形成して処理を行う。したがって、循環流（ＡＲ１）とは異なる流れを処理槽内に生じさせることができる。これにより、循環流だけを用いた場合に部分Ｐ１などの所定の位置に滞留しやすい滞留物をも排出することが可能になるので、より効率的な基板処理を行うことが可能である。
【００８１】
上記のように、２種類の流れを適宜に使い分けることにより、適切な処理液（純水）の供給を行うことが可能であり、純水リンス処理を効率よく行うことができる。
【００８２】
そして、このような純水リンス処理の後、次の薬液処理Ｃがこれらの基板Ｗに対して行われる（ステップＳＰ４０）。薬液処理Ｃは、薬液処理Ａと同一または別個の薬液を用いて行われる。
【００８３】
なお、ここでは、第１の純水リンス処理Ｂ１の処理の後、第２の純水リンス処理Ｂ２の処理を行う場合について説明したが、これに限定されず、たとえば、逆であってもよい。この場合であっても、２種類の流れを適宜に使い分けることにより、適切な処理液の供給を行うことが可能である。
【００８４】
＜Ｄ．その他＞
上記においては、第１実施形態と第２実施形態とにおいてそれぞれ別個の実施形態に係る基板処理装置であるとして示したが、これに限定されず、第１実施形態において示した浸漬処理と、第２実施形態において示した処理液の吐出供給処理とを、順次に行うことが可能な多機能槽を有する基板処理装置であってもよい。たとえば、まず、第１実施形態において示した浸漬処理によって薬液処理などを行った後、処理槽６１内の処理液（薬液）を排出し、第２実施形態において示した処理液（純水）の吐出供給処理により純水リンス処理を行ってもよい。
【００８５】
【発明の効果】
以上のように、請求項１ないし請求項４に記載の基板処理装置によれば、複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換えることができるので、処理液の様々な流れを形成することができる。したがって、一定の流れが継続することに起因する「よどみ」等の発生を抑制することができるので、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【００８６】
また、少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に異なる位置に対して、所定の順序で処理液を供給するので、基板の中心に対して回転するような処理液の流れを形成することが可能であり、基板に対して均一な処理が可能になる。
【００８７】
また、請求項３に記載の基板処理装置によれば、複数の排出手段のうちいずれの排出手段を用いて処理液の排出を行うかを選択的に切り換えるので、処理液の様々な流れを形成することができる。したがって、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【００８８】
さらに、請求項５に記載の基板処理方法によれば、第１の工程と第２の工程とにおいて、互いに異なる組合せに係る供給手段を用いて、互いに異なる処理液の流れを形成することができる。したがって、一定の流れが継続することに起因する「よどみ」等の発生を抑制することができるので、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【００８９】
また、請求項６及び請求項７に記載の基板処理装置によれば、複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の吐出供給を行うかを選択的に切り換えることができるので、複数の供給手段から供給される処理液が相互に衝突することによる基板に対する液圧の低下を防止することができる。したがって、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置１の全体構成を示す斜視図である。
【図２】基板処理装置１の制御機構を説明するための機能ブロック図である。
【図３】多機能槽ＭＢ（ＭＢ１）の構成を示す図である。
【図４】各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給方向を示す模式図である。
【図５】各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給動作を示す動作図（タイミングチャート）である。
【図６】異なる時刻における、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給状況を示す図である。
【図７】変形例に係る多機能槽ＭＢ（ＭＢ４）を示す図である。
【図８】第２実施形態に係る基板処理装置の多機能槽ＭＢ（ＭＢ２）を示す模式図である。
【図９】供給管６３を示す斜視図である。
【図１０】第３実施形態に係る基板処理装置の多機能槽ＭＢ（ＭＢ３）を示す模式図である。
【図１１】第３実施形態における動作を示すフローチャートである。
【図１２】第１の流れ（循環流）と第２の流れ（並進流）とを示す模式図である。
【図１３】従来例を説明する図である。
【符号の説明】
１ 基板処理装置
５ 基板処理部
５６ 多機能処理部
６１ 処理槽
６２ 回収部
６３，６３ａ〜６３ｄ，６３ｇ〜６３ｊ 供給管
６４，６４ａ〜６４ｄ，６４ｇ〜６４ｊ バルブ
６５ａ〜６５ｄ，６５ｇ〜６５ｊ 供給源
６６ａ〜６６ｅ，６６ｇ〜６６ｋ 排出用バルブ
６７ａ〜６７ｅ，６７ｇ〜６７ｋ 排液部
６８ 整流板
Ｈ，ＨＬ 孔
Ｌ 処理液
ＭＢ，ＭＢ１〜ＭＢ４ 多機能槽
Ｗ 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板（以下「基板」という）を処理する基板処理装置において、その処理液による基板処理でのより一層の均一化を図ることが可能な基板処理装置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬して処理する基板処理装置が存在する。このような基板処理装置においては、フッ酸等の薬液および純水（以下、薬液および純水を総称して処理液とする）へのロット（バッチ処理を行うときの一組の複数の基板）の浸漬処理を繰り返し、基板表面の汚染物質を除去したり、基板表面の酸化膜をエッチングしたり、レジスト膜を剥離したりする一連の基板処理を達成している。
【０００３】
図１３はそのような処理の一例を表す図であり、処理槽１６１の下側に配置された処理液の供給管１６３から一定の方向に向けて処理液Ｌを供給する場合を示している。このような基板処理装置においては、たとえば図１３に示すように、１組（２つ）の矢印ＡＲ９で代表されるような１種類の流れを形成することにより処理液の供給が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような１種類の流れにより基板処理が行われている場合においては、処理槽内において処理液の流れがよどむ部分（たとえば部分Ｐ１）が存在することがある。そして、この「よどみ」が生じた部分においては、パーティクルや反応生成物が滞留することとなったり、あるいは処理液の濃度分布の不均一性を生じさせるなどの事態を招来することになる。すなわち、このような「よどみ」は、基板処理の均一化を阻害する要因となるという問題がある。
【０００５】
また、基板処理の均一性の低下という上記のような問題は、基板を浸漬して処理する基板処理装置のみならず、浸漬せずに保持した基板に対して処理液を供給することにより基板処理を行う基板処理装置においても同様に起こり得る。
【０００６】
そこで、本発明は前記問題点に鑑み、基板に対する処理液の供給にあたって、その均一性を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の基板処理装置は、処理槽中に貯留された処理液により基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽内に固定保持され、かつ処理槽内に貯留された処理液に浸漬された基板に対して処理液を供給することが可能な複数の供給手段と、前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、を備え、前記複数の供給手段は、少なくとも３つの供給手段で構成され、前記少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板の周囲の互いに異なる位置に設けられ、前記浸漬基板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に異なる位置に対して処理液を供給することが可能であり、前記切換手段は、前記少なくとも３つの供給手段を所定の順序で選択して、当該選択した供給手段から処理液を供給するように切り換えて、前記複数の供給手段のそれぞれから供給される処理液同士を互いに干渉させることなく処理液の複数種類の流れを形成することを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の基板処理装置は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記供給手段は、基板表面の剥離処理を行う処理液を基板に対して供給することにより、基板の剥離処理を行うことを特徴とする。
【００１０】
請求項３に記載の基板処理装置は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽内に貯留された処理液を排出することが可能な複数の排出手段と、前記切換手段は、前記複数の排出手段のうちいずれの排出手段を用いて処理液の排出を行うかを選択的に切り換えることを特徴とする。
請求項４に記載の基板処理装置は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記複数の供給手段のうちの少なくとも１つの供給手段を、前記排出手段として共用することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項５に記載の基板処理方法は、処理槽中に貯留された処理液によって基板の浸漬処理を行う基板処理方法であって、前記処理槽内の互いに異なる位置に設けられた複数の供給手段のうち１つ以上の供給手段を含む第１の組合せに係る供給手段を用いて処理液の第１の流れを形成し、前記処理槽内に固定保持され、かつ前記処理槽内の処理液に浸漬された基板に対して処理液を供給する第１の工程と、前記複数の供給手段のうち１つ以上の供給手段を含む組合せであって、前記第１の工程で用いられた第１の組合せとは異なる第２の組合せに係る供給手段を用いて処理液の第２の流れを形成して前記基板に対して処理液を供給する第２の工程と、を含み、前記複数の供給手段は、少なくとも３つの供給手段で構成され、前記少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板の周囲の互いに異なる位置に設けられ、前記浸漬基板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に異なる位置に対して処理液を供給することが可能であり、前記第１の組み合わせと前記第２の組み合わせとは、前記少なくとも３つの供給手段を所定の順序で選択したものであることを特徴とする。
【００１２】
さらに、請求項６に記載の基板処理装置は、基板表面に対して処理液を供給する処理を行う基板処理装置であって、処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽空間内の所定位置に固定保持された基板表面に対して処理液を吐出供給することが可能な複数の供給手段と、前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、を備え、前記複数の供給手段は、少なくとも３つの供給手段で構成され、前記少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、固定保持された基板の周囲の互いに異なる位置に設けられ、前記固定保持された基板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に異なる位置に対して処理液を吐出供給することが可能であり、前記切換手段は、前記少なくとも３つの供給手段を所定の順序で選択して、当該選択した供給手段から処理液を吐出供給するように切り換えて、前記複数の供給手段のそれぞれから供給される処理液同士を互いに衝突させることなく処理液の複数種類の流れを形成することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項７に記載の基板処理装置は、請求項６に記載の基板処理装置において、前記複数の供給手段のそれぞれは、円筒断面内の所定の角度にわたる円弧部分に形成された複数個の孔から処理液を吐出させることによって吐出供給を行う供給管を有することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
＜Ａ．第１実施形態＞
＜Ａ１．基板処理装置の全体構成＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１の全体構成を示す斜視図である。図示のように、この基板処理装置１は、未処理基板を収納しているカセットＣＳが投入されるカセット搬入部２と、このカセット搬入部２からのカセットＣＳが載置され内部から複数の基板（ロット）が同時に取り出される基板取出部３と、カセットＣＳから取り出された未処理基板が順次浸漬処理される基板処理部５と、浸漬処理後の複数の処理済み基板が同時にカセットＣＳ中に収納される基板収納部７と、処理済み基板を収納しているカセットＣＳが払い出されるカセット搬出部８とを備える。さらに、装置の前側には、基板取出部３から基板収納部７に亙って基板移載搬送機構９が配置されており、浸漬処理前、浸漬処理中及び浸漬処理後のロットを一箇所から別の箇所に搬送したり移載したりする。
【００１６】
カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣＲ１を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置された一対のカセットＣＳを基板取出部３に移載する。
【００１７】
基板取出部３は、昇降移動する一対のホルダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣＳ中の未処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能にする。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、カセットＣＳ中から基板が押し上げられる。カセットＣＳ上方に押し上げられた基板は、基板移載搬送機構９に設けられた搬送ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部５に投入される。
【００１８】
基板処理部５は、フッ酸等の薬液を貯留して薬液処理を行う薬液槽ＣＢを備える薬液処理部５２と、純水を貯留して水洗処理を行う水洗槽ＷＢを有する水洗処理部５４と、薬液または純水を貯留して単一槽内で各種の薬液処理や水洗処理を行う多機能槽ＭＢを有する多機能処理部５６とを備える。なお、本明細書においては、基板に何らかの処理を行う薬液槽ＣＢ、水洗槽ＷＢ、多機能槽ＭＢを総称して処理用槽とする。
【００１９】
基板処理部５において、薬液処理部５２および水洗処理部５４の後方側には、第１基板浸漬機構５５が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能なリフターＬＨ１によって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を薬液処理部５２の薬液槽ＣＢに浸漬したり、水洗処理部５４の水洗槽ＷＢに浸漬したりする。リフターＬＨ１は、薬液槽ＣＢと水洗槽ＷＢとの間で基板を搬送することが可能であるとともに、それら処理用槽に対して基板を昇降させることによって当該基板を処理用槽に貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理液から離脱させることができる。
【００２０】
また、多機能処理部５６の後方側には、第２基板浸漬機構５７が配置されており、これに設けた上下動可能なリフターＬＨ２によって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を多機能処理部５６の多機能槽ＭＢ内に支持する。リフターＬＨ２は、基板を保持して多機能槽ＭＢに当該基板を搬入するとともに多機能槽ＭＢから当該基板を搬出する役割を担っており、多機能槽ＭＢに対して基板を昇降させることによって当該基板を多機能槽ＭＢに貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理液から離脱させることができる。なお、５２ａ、５６ａはリフターＬＨ１、ＬＨ２にそれぞれ設けられた基板を支持するための基板受部を示す。
【００２１】
また、多機能処理部５６には、蓋５８が設けられている。蓋５８は、その下部に駆動機構（図示省略）を有しており、当該駆動機構によって多機能槽ＭＢの上端部を開閉する開閉動作を行うことができる。蓋５８は、多機能槽ＭＢの上端部を閉鎖することにより、多機能槽ＭＢに貯留された処理液への汚染物質の流入を防止するとともに、多機能槽ＭＢ内の雰囲気が外部に漏洩するのを防ぐ役割を有している。
【００２２】
基板収納部７は、基板取出部３と同様の構造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによって、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け取ってカセットＣＳ中に収納する。
【００２３】
また、カセット搬出部８は、カセット搬入部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボットＣＲ２を備え、基板収納部７上に載置された一対のカセットＣＳをカセットステージ８ａ上の所定位置に移載する。
【００２４】
基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９１、９２よってロットを把持することにより、基板取出部３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部５の第１基板浸漬機構５５に設けたリフターＬＨ１側に移載したり、このリフターＬＨ１側から隣りの第２基板浸漬機構５７に設けたリフターＬＨ２側に基板を移載したり、このリフターＬＨ２側から基板収納部７のホルダ７ａ、７ｂに基板を移載したりする。
【００２５】
＜Ａ２．基板処理装置の制御機構＞
次に、上記基板処理装置１の制御機構について説明する。図２は、図１の基板処理装置１の制御機構を説明するための機能ブロック図である。この基板処理装置１には、卓上型コンピュータ等からなる制御部３０が組み込まれており、オペレータは制御部３０を介して装置に指令を与えたり、処理パターンや処理条件の設定を行ったりできる。
【００２６】
制御部３０は、その本体部であるＣＰＵ３１と、読み出し専用メモリーであるＲＯＭ３２と、読み書き自在のメモリーであるＲＡＭ３３と、制御用ソフトウェアやレシピ（処理手順を既述したファイル）などを記憶しておく磁気ディスク３４と、付随する入出力機器とのインターフェイスである入出力ポート３５と、基板処理装置１を直接制御する装置とのインターフェイスであるネットワークポート３６と、基板処理装置１外部に設けられているホストコンピュータなどと通信を行う通信ポート３７とを備えている。また、制御部３０には、入出力ポート３５を介してディスプレイ３８とキーボード３９とが付随して設けられており、オペレータはディスプレイ３８の表示を確認しつつ、キーボード３９からコマンドやパラメータを入力することができる。
【００２７】
制御部３０に入力された指令は、処理用のソフトウェアに基づいて処理され、必要に応じて制御部３０からネットワークポート３６を介してマスターコントローラ４０および槽コントローラ５０などに伝達される。マスターコントローラ４０は、搬送ロボットＴＲ（図１参照）の動作を制御する。また、槽コントローラ５０は、槽制御装置５１に指令を伝達して、各処理用槽への注排液などを制御する。なお、槽コントローラ５０を介した制御部３０による処理用槽への供給および排出の制御などについては後に詳述する。
【００２８】
＜Ａ３．処理用槽の構成＞
次に、基板処理装置１に設けられている処理用槽の構成について説明する。ここでは、処理用槽の一例として多機能処理部５６の多機能槽ＭＢについて説明する。図３は、多機能槽ＭＢ（ＭＢ１）の構成を示す図である。多機能槽ＭＢは、主として処理槽６１、回収部６２、およびそれらに付随する注排液機構によって構成されている。処理槽６１は、多機能槽ＭＢの主要部であり、純水または薬液（フッ酸等）を貯留することが可能であり、その処理液中に基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗの表面処理を進行させる槽である。
【００２９】
処理槽６１の内部壁面においては、複数（ここでは４本）の処理液の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄが設けられている。これらの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄは、円筒形状（図ではその断面形状が表されている）を有しており、その円筒表面に処理液を供給するための孔（図示せず）を有している。また、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄは、それぞれ、図３において、処理槽６１の左上方、左下方、右上方、右下方の位置にそれぞれ配置されており、それぞれ、バルブ６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄを介して、処理液の供給源６５ａ，６５ｂ，６５ｃ，６５ｄに接続されている。
【００３０】
そして、たとえば供給管６３ａは、バルブ６４ａを開状態にすることにより、処理液の供給源６５ａにおいて蓄えられた処理液を、供給管６３ａの表面に設けられた孔から処理槽６１に対して供給することができる。なお、簡略化のため図示していないが、供給源６５ａにおいては、それぞれ、複数の種類の処理液を選択するための選択バルブなどを有しており、この選択用バルブとバルブ６４とを用いて、所望の処理液を供給することができる。また、他の供給管６３ｂ，６３ｃ，６３ｄについても同様であり、それぞれ、バルブ６４ｂ，６４ｃ，６４ｄを介して、同様の処理液の供給源６５ｂ，６５ｃ，６５ｄに蓄えられる処理液を供給することができる。さらに、処理槽６１の供給管６３から供給された処理液は、やがてその上方から溢れ出て（オーバーフローして）、回収部６２によって回収された後、排出される。
【００３１】
また、処理槽６１の底部には、排出用バルブ６６ｅと排液部６７ｅとが設けられている。この排出用バルブ６６ｅを閉状態としておくことにより、上記のようなオーバーフロー処理を行うことができる。また、この排出用バルブ６６ｅを開状態とすることにより、処理槽６１に貯留された処理液を排液部６７ｅに向けて短時間で排出することなどが可能であり、処理槽６１内の処理液の全入れ替えなどの動作を行うことが可能である。
【００３２】
ここにおいて、この処理槽６１においては、エッチング処理やレジスト膜の剥離処理を行うことができる。たとえば、基板のエッチング処理には、フッ酸などの薬液が用いられ、また、基板上のレジスト膜などの不要物を除去する剥離処理には、（１）オゾン（Ｏ3）を純水に溶解したオゾン（Ｏ3）水、（２）オゾン（Ｏ3）水と炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ3）などの重炭酸イオンを含む添加物との混合液、（３）硫酸（Ｈ2ＳＯ4）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ）との混合液、（４）硫酸（Ｈ2ＳＯ4）とオゾンとの混合液、（５）有機剥離液、あるいは（６）有機剥離液で処理した後の基板を洗浄処理するイソプロピルアルコール液などのリンス液が使用される。
【００３３】
このうち、有機剥離液としては、たとえば、１−メチル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシド、イソプロパノールアミン、ジメチルスルホシキド、モノエタノールアミン、２−（２アミノエトキシ）エタノール、ヒドロキシアミン、カテコール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマテイックジオール、パーフレン、フェノールを主成分とする薬液が使用される。より具体的には、たとえば、▲１▼１−メチル−２ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシドとイソプロパノールアミンとの混合液、▲２▼ジメチルスルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液、▲３▼２−（２アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合液、▲４▼２−（２アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチルピロリドンとの混合液、▲５▼モノエタノールアミンと水とアロマテイックジオールとの混合液、▲６▼パーフレンとフェノールとの混合液、の（６種類の）混合液のそれぞれが、有機剥離剤として用いられる。
【００３４】
また、処理槽６１における処理の種類などによって、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから供給される処理液の供給量（流量）が変化する。これは、バルブ６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄの開閉量や、図示しない処理液供給用のポンプの圧力などを制御することにより行われる。特に、上述の剥離処理においては、大流量の処理液（したがって大きな液圧を有する処理液）を基板に対して供給することにより、基板の表面に付着した不要なレジスト膜などを剥離することが可能になる。
【００３５】
さらに、処理対象となる複数の基板Ｗは、処理槽６１に貯留された処理液に浸漬された状態において、起立状態で保持されている。そして、図３に示すように、供給管６３ａは基板Ｗの左上方から処理液を供給し、供給管６３ｂは基板Ｗの左下方から処理液を供給し、供給管６３ｃは基板Ｗの右上方から処理液を供給し、供給管６３ｄは基板Ｗの右下方から処理液を供給する。つぎに、これらの複数の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄを用いた処理動作について詳述する。
【００３６】
＜Ａ４．動作＞
＜第１の動作＞
ここでは、上記の４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄを用いて選択的に処理液を基板に対して供給する場合について説明する。図４は、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給方向を示す模式図であり、図５は、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給動作を示す動作図（タイミングチャート）である。また、図６は、異なる時刻における、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給状況を示す図である。
【００３７】
図４に示すように、これら４つの供給管のそれぞれは、（処理槽内の処理液に）浸漬された基板（浸漬基板）Ｗの周辺部の互いに異なる位置に設けられ、浸漬基板の主面（図では円形面）の中心Ｃに向かう方向に対して相対的に所定の側（図では左側）にずれた相互に異なる位置に対して処理液を供給するように構成されている。たとえば、供給管６３ａは基板の中心Ｃに向かって中心Ｃの左側にずれた位置に対して処理液を供給し、供給管６３ｂも基板の中心Ｃに向かって中心Ｃの左側にずれた位置に対して処理液を供給する。他の供給管６３ｃ，６３ｄについても同様であり、基板の中心Ｃに向かって（同一の）左側にずれた位置に対して処理液を供給する。
【００３８】
この実施形態においては、このような４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄの全てから同時に処理液を供給するのではなく、４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのそれぞれからの処理液の供給が、所定の順序で切り換えて行われる場合を例示する。このような切換動作は、上記の制御部３０の指令に基づいて、槽コントローラ５０を介して、各バルブ６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄの開閉などを伴うことにより実現される。
【００３９】
つぎに、図５の動作図をも参照しながら、このような切換動作について説明する。図５の動作図に示すように、まず、時刻ｔ０において、供給管６３ａからの供給が開始される。図６（ａ）は、供給管６３ａからのみ処理液が供給される様子を示す。そして、所定時間Δｔ経過後、時刻ｔ１において、供給管６３ａからの供給が停止され、今度は、供給管６３ａに代わって、供給管６３ｃからの供給が開始される。図６（ｂ）は、供給管６３ｃからのみ処理液が供給される様子を示す。つぎに、時刻ｔ２において、供給管６３ｃからの供給が停止され、供給管６３ｄからの供給が開始される。図６（ｃ）は、供給管６３ｄからのみ処理液が供給される様子を示す。さらに、時刻ｔ３において、供給管６３ｄからの供給が停止され、供給管６３ｂからの供給が開始される。図６（ｄ）は、供給管６３ｂからのみ処理液が供給される様子を示す。その後、時刻ｔ４において、供給管６３ｂからの処理液の供給が停止される。また、この各供給管６３からの処理液の供給時間Δｔ（＝ｔ１−ｔ０，ｔ２−ｔ１，...）は、たとえば、数秒から数十秒である。この供給時間は、処理槽６１の大きさおよび処理液の流量などに応じて適切な値が設定される。
【００４０】
以降、順次、時刻ｔ４，ｔ５，...において供給管６３ａ，６３ｂ，からの供給が開始されるとともに、時刻ｔ５，ｔ６，...において供給管６３ｃ，６３ｄからの供給が停止される。すなわち、図６（ａ）〜（ｄ）に示される各動作をこの順序で繰り返すことにより、４つの供給管からの処理液の供給動作を行う。
【００４１】
ここにおいて、４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのうちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換えて処理液の供給動作を行うので、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、処理液の様々な流れ（ここでは４種類の流れ）を形成することができる。したがって、一定の流れが継続することに起因する「よどみ」等の発生を抑制することができるので、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【００４２】
さらに、浸漬基板Ｗの主面の中心Ｃに向かう方向に対して所定の側（同一の側）にずれた相互に異なる位置に対して処理液を供給する４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄによって、所定の順序（ここでは、供給管の配置位置に関して時計回りの順序）で処理液が供給されるので、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのそれぞれによる供給時点においては、図６（ａ）〜（ｄ）のそれぞれに示す独自の流れが形成される一方で、さらに大きな時間単位で考察すると、基板の中心Ｃに対して（時計回りに）回転するような処理液の流れを形成することが可能である。したがって、基板に対して均一な処理が可能になる。
【００４３】
なお、４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから同時に処理液を供給する場合には、別個の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから供給される処理液の相互間による流れが干渉するため、基板の中心に対して回転するような処理液の流れを形成することが困難であるのに対して、上記のように時間的に異なるタイミングで各供給管から処理液を供給する場合には、このような相互干渉が抑制されるため、基板の中心Ｃに対して回転するような処理液の流れを効率的に形成することが可能になる。特に、上述の剥離処理を行う場合においては、大流量の処理液（したがって大きな液圧を有する処理液）を基板Ｗに対して供給するにあたって、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのそれぞれから供給される処理液同士が互いに干渉することなく、各供給時間にわたる各供給管のそれぞれから供給される処理液の液圧を十分に利用した上で、処理液の供給を行うことが可能である。これにより、基板の表面に付着した不要なレジスト膜などの剥離をより有効に行うことができる。
【００４４】
また、基板Ｗは、それ自身が回転されることなく固定された状態で保持されるので、基板Ｗなどからのパーティクルの発生も最小限に止めることができる。
【００４５】
さらに、上記においては、４つの供給管により処理液の供給を行ったが、少なくとも３つの供給管からの処理液の供給を行うことにより、同様の処理を行うことができる。たとえば、基板Ｗの周囲の異なる３カ所（たとえば、基板Ｗの左上位置と基板Ｗの右上位置と基板Ｗの直下位置との合計３カ所）の位置に設けられた３つの供給管を用いても同様の処理を行うことが可能である。
【００４６】
＜その他の動作＞
上記においては、浸漬基板Ｗの主面の中心Ｃに向かう方向に対して所定の側（左側）にずれた位置に対して処理液を供給する４つの供給管を用いる場合において、供給管の配置位置に関して時計回りの順序（すなわち、供給管６３ａ，６３ｃ，６３ｄ，６３ｂの順）で処理液が供給される場合を例示したが、これに限定されない。たとえば、浸漬基板Ｗの主面の中心Ｃに対して右側にずれた位置に対して処理液を供給する４つの供給管を用いて、供給管の配置位置に関して反時計回りの順序（すなわち、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｄ，６３ｃの順）で処理液を供給してもよい。また、これら４つの供給管からの処理液の供給順序は、さらに別の順序（たとえば、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄの順）であってもよい。
【００４７】
さらには、所定の時刻において、４つの供給管のうちの２つ以上を組合せて処理液の供給を行うようにしてもよい。すなわち、２つ以上の供給管が同時に処理液の供給を行うべきであるとして選択されてもよい。たとえば、（１）供給管６３ａ，６３ｃを同時に用いて処理液の供給を行う動作と供給管６３ｂ，６３ｄを同時に用いて処理液の供給を行う動作とを交互に行うような動作であってもよく、あるいは、（２）所定の時刻において供給管６３ａ，６３ｂを同時に用いて処理液の供給を行い、別の時刻において、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃを同時に用いて処理液の供給を行い、さらに別の時刻において、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄを同時に用いて処理液の供給を行う動作を繰り返すような動作であってもよい。このような場合であっても、４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのうちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換えて処理液の供給動作が行われるので、処理液の様々な流れを形成することが可能である。
【００４８】
＜Ａ５．変形例＞
上記第１実施形態においては、処理槽６１に貯留された処理液がオーバーフローによって回収部６２を介して排出される場合を示したが、これに限定されない。たとえば、図７に示すようなオーバーフローを用いない閉鎖系の多機能槽ＭＢ（ＭＢ４）を有する基板処理装置にも適用することが可能である。
【００４９】
図７においては、図３の多機能槽ＭＢ１と同一の要素については同一の参照符号を付して示している。図７の多機能槽ＭＢ４は、多機能槽ＭＢ１と同様の構成に加えて、さらに、排出用バルブ６６ａ，６６ｂ，６６ｃ，６６ｄと、排液部６７ａ，６７ｂ，６７ｃ，６７ｄとを有している。これらの排出用バルブ６６ａ，６６ｂ，６６ｃ，６６ｄなどを用いることにより、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから供給された処理液を処理槽６１から回収することができる。
【００５０】
なお、ここでは、処理槽６１内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽６１内に貯留された処理液を排出することが可能な複数の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄを排出管として共用することにより処理液の排出を行う場合を示すが、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄとは別個に排出専用の排出管を設けてもよい。
【００５１】
そして、これらの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのいずれかから、処理液の排出が行われる。この排出動作は、上記の供給動作に前後して行う（すなわち、排出動作と供給動作とを順次に行う）ようにしてもよく、あるいは、供給動作と同時に行うようにしてもよい。供給管と排出管とを共用した上で、供給動作と排出動作とを同時に行うときには、その時点で供給動作を行っている供給管以外の供給管が、排出動作を行う排出管として選択される。
【００５２】
この排出動作において、いずれの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから排出を行うかは、上記の制御部３０などによってあらかじめ定められた手順によって選択的に切り換えられる。これにより、処理液の様々な流れを形成することができるので、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【００５３】
なお、ここでは、閉鎖系の多機能槽ＭＢにおいて、処理液の排出を行う排出管（供給管と共用）を処理槽６１内の複数の位置に設ける場合を示したが、これに限定されず、オーバーフローを用いる多機能槽ＭＢにおいて上記のような排出管を設けてもよい。
【００５４】
＜Ｂ．第２実施形態＞
つぎに、第２実施形態について説明する。図８は、第２実施形態に係る基板処理装置の多機能槽ＭＢ（ＭＢ２）を示す模式図である。第２実施形態の基板処理装置は、第１実施形態の基板処理装置と同様の構成を有しており、ここでは相違点を中心に説明する。
【００５５】
この第２実施形態における基板処理においては、処理槽６１において処理液を貯留せずに基板Ｗの処理を行う点で、処理槽６１に貯留された処理液に基板Ｗを浸漬して基板処理を行う第１実施形態と大きく相違する。この第２実施形態では、図９に示すような、孔ｈを有する供給管６３を用いて、空間内に保持された基板Ｗ（図８）に対して、処理液を吹き付ける（吐出供給する）ことにより、基板表面の処理を行うことができる。この供給管は、円筒断面内の所定の角度θにわたる円弧部分において、吐出部として機能する複数個の孔Ｈを有している。そして、この孔Ｈから処理液を噴出（吐出）させることにより、基板Ｗへの処理液の吹き付け（吐出供給）を行うことができる。
【００５６】
ここで、基板Ｗは、リフターＬＨ（ＬＨ２など）による昇降により、処理槽６１空間内の所定位置（図示の位置）に到達することが可能であり、基板処理時においてその所定位置に保持される。そして、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄは、円筒面において円弧上に設けられた複数の孔Ｈから処理液を噴出させることにより、処理槽空間内の所定位置に保持された基板Ｗの表面に対して処理液を供給する。そして、複数の供給管のうちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換えることにより、上記と同様の処理を行うことができる。
【００５７】
ここにおいて、基板Ｗ上において、その主面全体をいくつか（ここでは４つ）の領域に区分しておき、複数の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのそれぞれに対して処理液を吹き付けるべき領域を各供給管に対する吐出対象領域として割り当てている。そして、これらの各吐出対象領域に対応する供給管から所定の順序で順次に処理液を吐出することによって、基板に対して処理液を均一に供給することが可能になる。また、１つの供給管による吐出供給によって基板Ｗの全面に対して処理液を供給する場合に比べて、各供給管が担当すべき吐出領域を小さく設定することが可能である。
【００５８】
また、これらの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから同時に処理液を噴出させた場合には、複数の供給管のそれぞれから供給される処理液が相互に衝突することによって、互いの処理液の流れの方向や強さが減衰することになり、基板に接触する際の処理液の液圧が低下する。しかしながら、この第２実施形態においては、上記第１実施形態と同様に、複数の供給管からの処理液の供給を同時ではなく時間的にずらして行う。言い換えれば、処理槽６１内の互いに異なる位置に設けられた供給管から基板に対して処理液を供給するにあたって、複数の供給管のうちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換える。したがって、複数の供給管から供給される処理液が相互に衝突することによる基板に対する液圧の低下を防止することができる。したがって、基板に対する処理液の均一な供給を効率的に行うことができる。
【００５９】
＜Ｃ．第３実施形態＞
＜Ｃ１．構成＞
つぎに、第３実施形態について説明する。第３実施形態の基板処理装置は、各処理用槽以外の構成においては、第１実施形態の基板処理装置と同様の構成を有しており、ここでは、第３実施形態の処理用槽の一例として多機能槽について説明する。
【００６０】
図１０は、第３実施形態に係る基板処理装置の多機能槽ＭＢ（ＭＢ３）を示す模式図である。以下に示すように、第３実施形態の多機能槽ＭＢ３は、上記の各第１および第２実施形態とは、供給管の配置や、上下に配置される供給管の間に処理液の流れを整える整流板が設けられる点などにおいて異なっている。
【００６１】
まず、多機能槽ＭＢは、主として処理槽６１、回収部６２、およびそれらに付随する注排液機構によって構成されている。処理槽６１は、多機能槽ＭＢの主要部であり、純水または薬液（フッ酸等）を貯留することが可能であり、その処理液中に基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗの表面処理を進行させる槽である。
【００６２】
処理槽６１の内部壁面においては、複数（ここでは４本）の処理液の供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊが設けられている。これらの供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊは、円筒形状（図ではその断面形状が表されている）を有しており、その円筒表面に処理液を供給するための孔（図示せず）を有している。これらの供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊは、処理槽６１の下方において、上下２段に分かれた位置にそれぞれ配置されており、より具体的には、供給管６３ｇ，６３ｉは上段位置（上側）に配置され、供給管６３ｈ，６３ｊは下段位置（供給管６３ｇ，６３ｉよりも下側の位置）に配置されている。
【００６３】
また、これらの供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊは、それぞれ、バルブ６４ｇ，６４ｈ，６４ｉ，６４ｊを介して、処理液の供給源６５ｇ，６５ｈ，６５ｉ，６５ｊに接続されている。そして、たとえば供給管６３ｇは、バルブ６４ｇを開状態にすることにより、処理液の供給源６５ｇにおいて蓄えられた処理液を、供給管６３ｇの表面に設けられた孔から処理槽６１に対して供給することができる。なお、簡略化のため図示していないが、供給源６５ｇにおいては、それぞれ、複数の種類の処理液を選択するための選択バルブなどを有しており、この選択用バルブとバルブ６４とを用いて、所望の処理液を供給することができる。また、他の供給管６３ｈ，６３ｉ，６３ｊについても同様であり、それぞれ、バルブ６４ｈ，６４ｉ，６４ｊを介して、同様の処理液の供給源６５ｈ，６５ｉ，６５ｊに蓄えられる処理液を供給することができる。さらに、処理槽６１の供給管６３から供給された処理液は、やがてその上方から溢れ出て（オーバーフローして）、回収部６２によって回収された後、排出される。
【００６４】
また、処理槽６１の底部には、排出用バルブ６６ｋと排液部６７ｋとが設けられている。この排出用バルブ６６ｋを閉状態としておくことにより、上記のようなオーバーフロー処理を行うことができる。また、この排出用バルブ６６ｋを開状態とすることにより、処理槽６１に貯留された処理液を排液部６７ｋに向けて短時間で排出することなどが可能であり、処理槽６１内の処理液の全入れ替えなどの動作を行うことが可能である。
【００６５】
ここにおいて、この処理槽においては、エッチング処理やレジスト膜の剥離処理を行うことができる。処理液については、第１実施形態において詳述したものなどを用いることができる。
【００６６】
また、処理槽６１における処理の種類などによって、供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊから供給される処理液の供給量（流量）が変化する。これは、バルブ６４ｇ，６４ｈ，６４ｉ，６４ｊの開閉量や、図示しない処理液供給用のポンプの圧力などを制御することにより行われる。特に、上述の剥離処理においては、大流量の処理液を供給し、基板に対して大きな液圧を有する処理液を供給することにより、基板の表面に付着した不要なレジスト膜などを剥離することが可能になる。
【００６７】
さらに、処理対象となる複数の基板Ｗは、処理槽６１に貯留された処理液に浸漬された状態において、起立状態で保持されている。これらの基板Ｗに対して、後述するように、上記の上側に配置される供給管６３ｇ，６３ｉを用いて処理液の第１の流れを形成する動作と、下側に配置される供給管６３ｈ，６３ｊおよび整流板６８を用いて第２の流れを形成する動作とを切り換えることにより、処理槽６１内に異なる２種類の流れを形成することにより、基板処理を行う。
【００６８】
そのため、上側に配置される供給管６３ｇ，６３ｉと下側に配置される供給管６３ｈ，６３ｊとの間には、整流板６８が設けられている。この整流板６８は、薄板状の部材の全面にわたって多数の微小孔ＨＬを有する構成を有している。
【００６９】
そして、整流板６８の下側に配置される（下段の）供給管６３ｈ，６３ｊから供給される処理液は、基板Ｗの下方のあらゆる位置に存在する微小孔ＨＬ（整流板６８）を介して基板Ｗへと向かうことになるので、基板Ｗに対して下側から上側へと（一定の方向に）向かう流れ（並進流）（図１２（ｂ）参照）が形成されることになる。すなわち、整流板６８は、下段の供給管６３ｈ，６３ｊから供給される処理液の流れを整える機能を有している。
【００７０】
一方、整流板６８の上側に配置される供給管６３ｇ，６３ｉから供給される処理液は、整流板６８を介さずに直接的に基板Ｗに対して供給され、たとえば、処理槽６１内において左右対称に大きく循環するような流れ（循環流）（図１２（ａ）参照）が形成される。これにより、処理槽６１内の基板Ｗの表面処理にあたって、高効率のパーティクルの排出効果を有することが可能である。
【００７１】
このような上段の供給管６３ｇ，６３ｉを用いた処理液の供給と下段の供給管６３ｈ，６３ｊおよび整流板６８を用いた処理液の供給とは、それぞれ異なる流れを形成する。したがって、これらの２種類の流れを切り換えて動作させることにより、より適切な処理液の供給を行うことができる。
【００７２】
つぎに、これらの複数の供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊなどを用いた処理動作について詳述する。
【００７３】
＜Ｃ２．動作＞
図１１は、第３実施形態における動作を示すフローチャートである。図１１に示すように、薬液処理Ａ（ステップＳＰ１０）を行った後に、第１の純水リンス処理（ステップＳＰ２０）、第２の純水リンス処理（ステップＳＰ３０）、および薬液処理Ｃ（ステップＳＰ４０）を行う場合について説明する。
【００７４】
まず、ステップＳＰ１０において、上段の供給管６３ｇ，６３ｉを用いて、薬液処理Ａを行うための処理液（薬液）を供給する。これにより、所定の薬液による基板Ｗの表面等に対する処理を進行させる。
【００７５】
つぎに、ステップＳＰ２０において、第１の純水リンス処理Ｂ１を行う。それに先だって、上記の薬液処理Ａから純水リンス処理Ｂ１に移行するに際しては、排出用バルブ６６ｋを開くことにより処理槽６１に貯留されていた薬液を急速に排出した後、純水を供給することが可能である。あるいは、基板Ｗを雰囲気中に露出させることが好ましくない場合には、純水を追加供給することにより、徐々に薬液を排出するようにすることも可能である。
【００７６】
そして、この純水リンス処理Ｂ１においては、上段の供給管６３ｇ，６３ｉを用いて、所定の流量（たとえば、２２リットル／分）の処理液を供給する。これにより、図１２（ａ）の矢印ＡＲ１に示すように、処理槽６１内において左右対称に大きく循環するような流れ（循環流）を形成して、基板Ｗの表面等に対する純水リンス処理を進行させる。なお、この純水リンス処理Ｂ１においては、下段の供給管６３ｈ，６３ｊからの処理液の供給は、ゼロ（すなわち停止）もしくは微量の供給のみを行うものとする。
【００７７】
このような第１の純水リンス処理Ｂ１を所定時間行った後、次の第２の純水リンス処理Ｂ２に移行する。
【００７８】
次の純水リンス処理Ｂ２（ステップＳＰ３０）においては、下段の供給管６３ｈ，６３ｊを用いて、所定の流量（たとえば、２２リットル／分）の処理液を供給する。これにより、図１２（ｂ）に示すように、基板Ｗに対して下側から上側へと向かう流れ（並進流）を形成して、基板Ｗの表面等に対する純水リンス処理を進行させる。なお、この純水リンス処理Ｂ１においては、上段の供給管６３ｇ，６３ｉからの処理液の供給は、ゼロ（すなわち停止）もしくは微量の供給のみを行うものとする。
【００７９】
ここにおいて、第１の純水リンス処理Ｂ１においては、図１２（ａ）の矢印に示すような、処理槽６１内において左右対称に大きく循環するような流れ（矢印ＡＲ１）を形成することにより、非常に高効率にパーティクルの排出処理を行うことが可能であるが、このような１種類の流れによる処理を継続する場合には、処理槽６１内の所定の部分においては「よどみ」が生じることがある。たとえば、図１２（ａ）においては、処理槽６１の上方から回収部６２へと溢れ出る流れと、矢印ＡＲ１で示す流れとの間に挟まれた部分Ｐ１において「よどみ」が生じている場合を示している。
【００８０】
しかしながら、この第３実施形態においては、次の第２の純水リンス処理Ｂ２において、図１２（ｂ）の矢印ＡＲ２に示すように、供給管６３ｈ，６３ｊを用いた処理液の供給により浸漬基板の下側から上側へと向かう流れ（ＡＲ２）を形成して処理を行う。したがって、循環流（ＡＲ１）とは異なる流れを処理槽内に生じさせることができる。これにより、循環流だけを用いた場合に部分Ｐ１などの所定の位置に滞留しやすい滞留物をも排出することが可能になるので、より効率的な基板処理を行うことが可能である。
【００８１】
上記のように、２種類の流れを適宜に使い分けることにより、適切な処理液（純水）の供給を行うことが可能であり、純水リンス処理を効率よく行うことができる。
【００８２】
そして、このような純水リンス処理の後、次の薬液処理Ｃがこれらの基板Ｗに対して行われる（ステップＳＰ４０）。薬液処理Ｃは、薬液処理Ａと同一または別個の薬液を用いて行われる。
【００８３】
なお、ここでは、第１の純水リンス処理Ｂ１の処理の後、第２の純水リンス処理Ｂ２の処理を行う場合について説明したが、これに限定されず、たとえば、逆であってもよい。この場合であっても、２種類の流れを適宜に使い分けることにより、適切な処理液の供給を行うことが可能である。
【００８４】
＜Ｄ．その他＞
上記においては、第１実施形態と第２実施形態とにおいてそれぞれ別個の実施形態に係る基板処理装置であるとして示したが、これに限定されず、第１実施形態において示した浸漬処理と、第２実施形態において示した処理液の吐出供給処理とを、順次に行うことが可能な多機能槽を有する基板処理装置であってもよい。たとえば、まず、第１実施形態において示した浸漬処理によって薬液処理などを行った後、処理槽６１内の処理液（薬液）を排出し、第２実施形態において示した処理液（純水）の吐出供給処理により純水リンス処理を行ってもよい。
【００８５】
【発明の効果】
以上のように、請求項１ないし請求項４に記載の基板処理装置によれば、複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換えることができるので、処理液の様々な流れを形成することができる。したがって、一定の流れが継続することに起因する「よどみ」等の発生を抑制することができるので、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【００８６】
また、少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に異なる位置に対して、所定の順序で処理液を供給するので、基板の中心に対して回転するような処理液の流れを形成することが可能であり、基板に対して均一な処理が可能になる。
【００８７】
また、請求項３に記載の基板処理装置によれば、複数の排出手段のうちいずれの排出手段を用いて処理液の排出を行うかを選択的に切り換えるので、処理液の様々な流れを形成することができる。したがって、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【００８８】
さらに、請求項５に記載の基板処理方法によれば、第１の工程と第２の工程とにおいて、互いに異なる組合せに係る供給手段を用いて、互いに異なる処理液の流れを形成することができる。したがって、一定の流れが継続することに起因する「よどみ」等の発生を抑制することができるので、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【００８９】
また、請求項６及び請求項７に記載の基板処理装置によれば、複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の吐出供給を行うかを選択的に切り換えることができるので、複数の供給手段から供給される処理液が相互に衝突することによる基板に対する液圧の低下を防止することができる。したがって、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置１の全体構成を示す斜視図である。
【図２】基板処理装置１の制御機構を説明するための機能ブロック図である。
【図３】多機能槽ＭＢ（ＭＢ１）の構成を示す図である。
【図４】各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給方向を示す模式図である。
【図５】各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給動作を示す動作図（タイミングチャート）である。
【図６】異なる時刻における、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給状況を示す図である。
【図７】変形例に係る多機能槽ＭＢ（ＭＢ４）を示す図である。
【図８】第２実施形態に係る基板処理装置の多機能槽ＭＢ（ＭＢ２）を示す模式図である。
【図９】供給管６３を示す斜視図である。
【図１０】第３実施形態に係る基板処理装置の多機能槽ＭＢ（ＭＢ３）を示す模式図である。
【図１１】第３実施形態における動作を示すフローチャートである。
【図１２】第１の流れ（循環流）と第２の流れ（並進流）とを示す模式図である。
【図１３】従来例を説明する図である。
【符号の説明】
１ 基板処理装置
５ 基板処理部
５６ 多機能処理部
６１ 処理槽
６２ 回収部
６３，６３ａ〜６３ｄ，６３ｇ〜６３ｊ 供給管
６４，６４ａ〜６４ｄ，６４ｇ〜６４ｊ バルブ
６５ａ〜６５ｄ，６５ｇ〜６５ｊ 供給源
６６ａ〜６６ｅ，６６ｇ〜６６ｋ 排出用バルブ
６７ａ〜６７ｅ，６７ｇ〜６７ｋ 排液部
６８ 整流板
Ｈ，ＨＬ 孔
Ｌ 処理液
ＭＢ，ＭＢ１〜ＭＢ４ 多機能槽
Ｗ 基板
Claims (7)
- 処理槽中に貯留された処理液により基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、
処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽内に固定保持され、かつ処理槽内に貯留された処理液に浸漬された基板に対して処理液を供給することが可能な複数の供給手段と、
前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、
を備え、
前記複数の供給手段は、少なくとも３つの供給手段で構成され、
前記少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板の周囲の互いに異なる位置に設けられ、前記浸漬基板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に異なる位置に対して処理液を供給することが可能であり、
前記切換手段は、前記少なくとも３つの供給手段を所定の順序で選択して、当該選択した供給手段から処理液を供給するように切り換えて、前記複数の供給手段のそれぞれから供給される処理液同士を互いに干渉させることなく処理液の複数種類の流れを形成することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記供給手段は、基板表面の剥離処理を行う処理液を基板に対して供給することにより、基板の剥離処理を行うことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽内に貯留された処理液を排出することが可能な複数の排出手段と、
前記切換手段は、前記複数の排出手段のうちいずれの排出手段を用いて処理液の排出を行うかを選択的に切り換えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項３に記載の基板処理装置において、
前記複数の供給手段のうちの少なくとも１つの供給手段を、前記排出手段として共用することを特徴とする基板処理装置。 - 処理槽中に貯留された処理液によって基板の浸漬処理を行う基板処理方法であって、
前記処理槽内の互いに異なる位置に設けられた複数の供給手段のうち１つ以上の供給手段を含む第１の組合せに係る供給手段を用いて処理液の第１の流れを形成し、前記処理槽内に固定保持され、かつ前記処理槽内の処理液に浸漬された基板に対して処理液を供給する第１の工程と、
前記複数の供給手段のうち１つ以上の供給手段を含む組合せであって、前記第１の工程で用いられた第１の組合せとは異なる第２の組合せに係る供給手段を用いて処理液の第２の流れを形成して前記基板に対して処理液を供給する第２の工程と、
を含み、
前記複数の供給手段は、少なくとも３つの供給手段で構成され、
前記少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板の周囲の互いに異なる位置に設けられ、前記浸漬基板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に異なる位置に対して処理液を供給することが可能であり、
前記第１の組み合わせと前記第２の組み合わせとは、前記少なくとも３つの供給手段を所定の順序で選択したものであることを特徴とする基板処理方法。 - 基板表面に対して処理液を供給する処理を行う基板処理装置であって、
処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽空間内の所定位置に固定保持された基板表面に対して処理液を吐出供給することが可能な複数の供給手段と、
前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、
を備え、
前記複数の供給手段は、少なくとも３つの供給手段で構成され、
前記少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、固定保持された基板の周囲の互いに異なる位置に設けられ、前記固定保持された基板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に異なる位置に対して処理液を吐出供給することが可能であり、
前記切換手段は、前記少なくとも３つの供給手段を所定の順序で選択して、当該選択した供給手段から処理液を吐出供給するように切り換えて、前記複数の供給手段のそれぞれから供給される処理液同士を互いに衝突させることなく処理液の複数種類の流れを形成することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項６に記載の基板処理装置において、
前記複数の供給手段のそれぞれは、円筒断面内の所定の角度にわたる円弧部分に形成された複数個の孔から処理液を吐出させることによって吐出供給を行う供給管を有することを特徴とする基板処理装置。
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