KR101066594B1 - 기판 처리 장치, 이의 노즐 셋팅 방법 및 이를 이용한 기판처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 이의 노즐 셋팅 방법 및 이를 이용한 기판처리 방법 Download PDF

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Abstract

기판 처리 장치는 다수의 공정 유닛 및 제어부를 구비한다. 각 공정 유닛은 기판을 처리하는 약액을 기판에 분사하는 다수의 분사노즐을 구비한다. 제어부는 공정 유닛별로 각 분사노즐에서 분사될 약액의 종류 및 상기 각 분사노즐의 분사 조건을 설정하고, 상기 다수의 분사 노즐의 구동 순서에 따라 각 분사 노즐의 구동을 제어한다. 공정 유닛들은 동일 약액을 분사하는 분사노즐의 구동 순번이 서로 동일하게 설정된다. 이에 따라, 기판 처리 장치는 분사 노즐의 구동 순서에 상관없이 특정 분사 노즐의 약액 분사를 생략할 수 있으며, 공정 유닛들은 다양한 약액을 이용하여 서로 다른 공정을 실시할 수 있다.

Description

기판 처리 장치, 이의 노즐 셋팅 방법 및 이를 이용한 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF SETTING NOZZLE USING THE SAME AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 반도체 기판을 제조하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판을 처리하는 기판 처리 장치, 이의 노즐 셋팅 방법 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 기판 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photo Resist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher) 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어 나가게 되는데, 이러한 공정의 진행에 따라 기판 내에는 식각이나 애셔의 제거공정으로 완전제거가 되지 않은 이물질이 남게 된다. 이러한 이물질의 제거를 위한 공정으로는 순수(Deionized Water) 또는 약액(Chemical)을 이용한 세정공정(Wet Cleaning)이 있다.
기판 세정장치는 배치식 세정장치(Batch Processor)와 매엽식 세정장치(Single Processor)로 구분된다. 배치식 세정장치는 한번에 25매 또는 50매를 처 리할 수 있는 크기의 약액조(Chemical Bath), 린스조(Rinse Bath), 건조조(Dry Bath) 등을 구비한다. 배치식 세정장치는 기판들을 각각의 조(Bath)에 일정 시간 동안 담가 이물을 제거한다. 이러한 배치식 세정장치는 기판의 상부 및 하부가 동시에 세정되고 동시에 대용량을 처리할 수 있는 이점이 있다. 그러나, 기판의 대구경화가 진행될수록 조의 크기가 커져 장치의 크기 및 약액의 사용량이 많아질 뿐만 아니라, 동시에 약액조 내에서 세정이 진행중인 기판에서는 인접한 기판로부터 떨어져 나온 이물이 재부착되는 문제가 있다.
최근에는 기판 직경의 대형화로 인해 매엽식 세정장치가 많이 사용된다. 매엽식 세정장치는 한 장의 기판을 처리할 수 있는 작은 크기의 챔버(Chamber)에서 기판을 기판 척(Chuck)으로 고정시킨 후 모터(Motor)에 의해 기판을 회전시키면서, 기판 상부에서 노즐(Nozzle)을 통해 약액 또는 순수를 기판에 제공한다. 기판의 회전력에 의해 약액 또는 순수 등이 기판 상부로 퍼지며, 이에 따라, 기판에 부착된 이물이 제거된다. 이러한 매엽식 세정장치는 배치식 세정장치에 비해 장치의 크기가 작고 균질의 세정효과를 갖는 것이 장점이다.
일반적으로 매엽식 세정장치는 일측으로부터 로딩/언로딩부, 인덱스 로봇, 버퍼부, 공정유닛들, 및 메인 이송 로봇을 포함하는 구조로 이루어진다. 각 공정 유닛에는 약액을 분사하는 다수의 노즐이 설치된다. 노즐들은 서로 다른 약액을 분사하며, 공정유닛들은 노즐들의 구동 순서가 동일하다. 이러한 노즐들은 노즐의 구동 순서상 선행 구동되는 노즐순으로 생략이 가능하나, 이전 순번의 노즐의 구동이 생략되지 않은 상태에서 이후 순번의 노즐 구동을 생략할 수 없다.
이로 인해, 두 개 이상의 공정 유닛에 동일한 약액이 제공되더라도, 경우에 따라 해당 약액을 동일 순번의 노즐들에 셋팅할 수 없으므로, 약액 레시피의 작성 회수가 증가하고, 공정 유닛들이 서로 다른 공정을 처리하기 어렵다.
본 발명의 목적은 동시에 다양한 공정을 실시할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 처리 장치에서 노즐을 셋팅하는 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 장치는 다수의 공정 유닛 및 제어부로 이루어진다.
각 공정 유닛은 기판이 안착되는 기판 지지부재, 및 상기 기판 지지부재의 일측에 나란히 배치되고 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 상기 기판을 처리하는 약액을 분사하는 다수의 분사노즐을 구비한다. 제어부는 공정 유닛별로 각 분사노즐에서 분사될 약액의 종류 및 상기 각 분사노즐의 분사 조건을 설정하고, 상기 다수의 분사 노즐의 구동 순서에 따라 각 분사 노즐의 구동을 제어한다. 여기서, 상기 공정 유닛들은 동일 약액을 분사하는 분사노즐의 구동 순번이 서로 동일하다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 장치의 노즐 셋팅 방법은, 상기 공정 유닛별로 기판의 처리 공정에 필요한 약액들을 설정하되, 어느 한 약액이 두 개 이상의 공정 유닛에 제공될 경우, 상기 분사 노즐들의 구동 순서상 서로 동일한 순번을 갖는 분사노즐들로부터 해당 약액이 분사되도록 설정한다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 방법은 다음과 같다. 먼저, 상기 공정 유닛별로 기판의 처리 공정에 필요한 약액들을 설정하되, 어느 한 약액이 두 개 이상의 공정 유닛에 제공될 경우, 상기 분사 노즐들의 구동 순서상 서로 동일한 순번을 갖는 분사노즐들로부터 해당 약액이 분사되도록 설정한다. 설정된 약액을 이용하여 각 공정 유닛에서 기판을 처리한다.
상술한 본 발명에 따르면, 공정 유닛들은 동일 약액을 분사하는 분사 노즐의 순번이 서로 동일하다. 이에 따라, 기판 처리 장치는 분사 노즐의 구동 순서에 상관없이 특정 분사 노즐의 약액 분사를 생략할 수 있으며, 새로운 약액 레시피의 작성 회수가 감소되며, 공정 유닛들은 다양한 약액을 이용하여 서로 다른 공정을 실시할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 한편, 이하에서는 웨이퍼를 기판의 일례로 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 로딩/언로딩부(110), 인덱스 로봇(Index Robot)(200), 버퍼부(300), 메인 이송 로봇(Main Transfer Robot)(500), 다수의 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606), 및 제어부(700)를 포함할 수 있다.
상기 로딩/언로딩부(110)는 다수의 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)를 포한다. 이 실시예에 있어서, 상기 로딩/언로딩부(110)는 네 개의 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)를 구비하나, 상기 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)의 개수는 상기 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트(Foot print) 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.
상기 로드 포트들(110a, 110b, 110c, 110d)에는 웨이퍼들이 수납되는 풉들(Front Open Unified Pods: FOUPs)(120a, 120b, 120c, 120d)이 안착된다. 각 풉(120a, 120b, 120c, 120d)은 웨이퍼들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 상기 풉(120a, 120b, 120c, 120d)에는 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606) 안에 투입되어 처리가 완료된 웨이퍼들 또는 상기 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)로 투입되어 처리될 웨이퍼들을 수납한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 상기 기판 처리 시스템(1000)에 의해 처리가 완료된 웨이퍼를 가공 웨이퍼라 하고, 아직 처리되지 않은 웨이퍼를 원시 웨이퍼라 한다.
상기 로딩/언로딩부(110)와 상기 버퍼부(300) 사이에는 제1 이송 통로(410)가 위치하고, 상기 제1 이송 통로(410)에는 상기 인덱스 로봇(200)이 설치되며, 상 기 인덱스 로봇(200)의 아래에는 제1 이송 레일(420)이 설치된다. 상기 인덱스 로봇(200)은 상기 제1 이송 레일(20)을 따라 이동하며 상기 버퍼부(300)와 상기 풉들(120a, 120b, 120c, 120d) 간에 웨이퍼들을 이송한다. 구체적으로, 상기 인덱스 로봇(200)은 상기 로딩/언로딩부(110)에 안착된 풉(120a, 120b, 120c, 120d)으로부터 원시 웨이퍼를 인출하여 상기 버퍼부(300)에 적재하고, 상기 버퍼부(300)로부터 가공 웨이퍼를 인출하여 해당 풉에 적재한다.
상기 버퍼부(300)는 상기 다수의 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606) 및 상기 메인 이송 로봇(500)이 설치된 영역과 상기 인덱스 로봇(200)이 설치된 제1 이송 통로(410) 사이에 위치한다. 상기 버퍼부(300)는 상기 인덱스 로봇(200)에 의해 이송된 원시 웨이퍼들을 수납하고, 상기 공정 유닛들(601, 602, 603, 604, 605, 606)에서 처리된 가공 웨이퍼들을 수납한다.
상기 버퍼부(300)에 수납된 원시 웨이퍼들은 상기 메인 이송 로봇(500)에 의해 각 공정 유닛으로 이송된다. 상기 메인 이송 로봇(500)은 제2 이송 통로(430)에 설치되고, 상기 제2 이송 통로(430)에 설치된 제2 이송 레일(440)을 따라 이동한다. 상기 제2 이송 통로(430)는 상기 다수의 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)과 연결된다.
상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 버퍼부(300)로부터 원시 웨이퍼를 픽업한 후, 상기 제2 이송 레일(440)를 따라 이동하면서 해당 공정 유닛에 원시 웨이퍼를 제공한다. 또한, 상기 메인 이송 로봇(500)은 다수의 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)에서 처리된 가공 웨이퍼를 상기 버퍼부(300)에 적재한다.
상기 제2 이송 통로(430)의 양 측에는 상기 공정 유닛들(601, 602, 603, 604, 605, 606)이 배치되면, 각 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)은 상기 원시 웨이퍼를 처리하여 상기 가공 웨이퍼를 생성한다. 본 발명의 일례로, 상기 공정 유닛들(601, 602, 603, 604, 605, 606)에서 이루어지는 처리 공정으로는 상기 원시 웨이퍼를 세정하는 세정 공정 등이 있다. 상기 다수의 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)은 두 개의 공정 유닛이 상기 제2 이송 통로(430)를 사이에 두고 서로 마주하게 배치되며, 상기 제2 이송 통로(430)의 양측에는 각각 3개의 공정 유닛 배치된다.
이 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 시스템(1000)은 6개의 공정 유닛을 구비하나, 상기 공정 유닛의 개수는 상기 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 또한, 이 실시예에 있어서, 상기 공정 유닛들(601, 602, 603, 604, 605, 606)은 단층 구조로 배치되나, 12개의 공정 유닛들이 6개씩 복층 구조로 배치될 수도 있다.
상기 공정 유닛들(601, 602, 603, 604, 605, 606)은 제1 내지 제6 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)으로 이루어지고, 상기 제1 내지 제6 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)은 서로 동일한 구조를 갖는다. 따라서, 이하, 각 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)의 구성에 대한 구체적인 설명에 있어서, 상기 제1 공정 유닛(601)을 일례로 하여 설명하고, 제2 내지 제6 공정 유닛(602, 603, 604, 605, 606)에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 공정 유닛을 나타낸 사시도이다.
도 2를 참조하면, 제1 공정 유닛(601)은 기판 지지부재(610), 처리 용기(620) 및 제1 및 제2 노즐 유닛(630, 640)을 포함할 수 있다.
상기 기판 지지부재(610)는 상기 처리 용기(620) 안에 수용되며, 웨이퍼(10) 처리시 상기 웨이퍼(10)를 고정한다. 상기 처리 용기(620)는 상기 기판 지지부재(610)를 둘러싸고, 상기 웨이퍼(10)의 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 상기 처리 용기(620)는 상면이 개방되고, 상기 기판 지지부재(610)에 안착된 웨이퍼(10)는 상기 처리 용기(620)의 개방된 상면을 통해 외부로 노출된다.
상기 처리 용기(620)의 외측벽에는 승강 유닛(650)이 설치되며, 상기 승강 유닛(650)은 상기 처리 용기(620)를 승강 및 하강 시킨다. 구체적으로, 상기 승강 유닛(650)은 상기 웨이퍼(10)가 상기 기판 지지부재(610)에 안착되거나, 기판 지지부재(610)로부터 들어 올려질 때 상기 웨이퍼(10)가 상기 처리 용기(620)의 상부로 돌출되도록 상기 처리 용기(620)를 하강시킨다. 또한, 승강 유닛(650)은 웨이퍼(10)의 처리 공정 진행시, 상기 처리 용기(620)를 승상시켜 상기 웨이퍼(10)의 처리가 상기 처리 용기(620) 내에서 이루어지도록 한다.
이 실시예에 있어서, 상기 제1 공정 유닛(601)는 상기 처리 용기(620)를 수직 이동시켜 처리 용기(620)와 상기 기판 지지부재(610)간의 상대적인 수직 위치를 변경시키나, 상기 기판 지지부재(610)를 수직 이동시켜 상기 처리 용기(620)와 상기 기판 지지부재(610) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.
상기 처리 용기(620)의 외측에는 상기 제1 및 제2 노즐 유닛(630, 640)이 설치된다. 상기 제1 노즐 유닛(630)과 상기 제2 노즐 유닛(640)은 서로 이격되어 위 치하며, 각각 상기 웨이퍼(10)에 처리액을 분사하여 상기 웨이퍼(10)를 처리한다. 구체적으로, 상기 제1 노즐 유닛(630)은 상기 웨이퍼(10)를 처리하기 위한 약액을 분사하고, 상기 제2 노즐 유닛(640)은 상기 웨이퍼(10)에 순수를 분사한다. 상기 제1 및 제2 노즐 유닛(630, 640)은 처리액 분사시 분사구가 상기 웨이퍼(10)의 중앙부 상부에 위치한다.
상기 제1 노즐 유닛(630)은 제1, 제2 및 제3 분사노즐(631, 632, 633)을 구구비한다. 이 실시예에 있어서, 상기 제1 노즐 유닛(630)은 세 개의 분사노즐(631, 632, 633)을 구비하나, 상기 분사 노즐(631, 632, 633)의 개수는 처리 공정에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.
상기 제1 내지 제3 분사노즐(631, 632, 633)은 상기 처리 용기(620)의 일측에서 서로 나란하게 순차적으로 배치되며, 상기 제1 분사노즐(631)이 상기 처리 용기(620)와 가장 인접하게 배치된다. 본 발명의 일례로, 상기 제1 내지 제3 분사노즐(631, 632, 633)은 서로 다른 약액을 분사하며, 웨이퍼(10)의 처리 공정시 한번에 하나의 분사 노즐만 구동된다.
제1 내지 제3 분사노즐(631, 632, 633)은 노즐 이동부(660)에 의해 이동된다. 상기 노즐 이동부(660)는 이동 레일(670)에 결합되어 상기 이동 레일(670)을 따라 이동하며, 각 분사노즐(631, 632, 633)을 이동시켜 해당 분사노즐의 분사구를 상기 웨이퍼(10)의 중앙부 상부에 위치시킨다. 본 발명의 일례로, 상기 노즐 이동부(660)는 한번에 하나의 분사노즐을 픽업하여 이동시킨다.
상기 제1 내지 제3 분사노즐(631, 632, 633) 각각은 기 설정된 약액 레시피 에 따라 약액을 분사하며, 상기 약액 레시피는 각 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)(도 1 참조)의 각 분사노즐(631, 632, 633)별로 설정된다. 상기 약액 레시피는 해당 분사노즐의 구동 순서, 분사할 약액의 종류 및 분사 조건, 예컨대, 분사 시간 등을 포함한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 약액 레시피는 상기 제어부(700)에 의해 각 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)의 각 분사노즐(631, 632, 633)별로 설정된다. 상기 제어부(700)는 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)별로 각 분사노즐(631, 632, 633)에서 분사될 약액의 종류 및 상기 각 분사노즐(631, 632, 633)의 분사 조건을 설정하고, 상기 제1 내지 제3 분사노즐(631, 632, 633)의 구동 순서에 따라 각 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)의 각 분사 노즐(631, 632, 633)의 구동을 제어한다. 이 실시예에 있어서, 상기 공정 유닛들(601, 602, 603, 604, 605, 606)의 제1 노즐 유닛들은 상기 제1 내지 제3 분사노즐(631, 632, 633)의 구동 순서가 서로 동일하다. 본 발명의 일례로, 상기 제1 내지 제3 분사노즐(631, 632, 633)의 구동 순서는 내림차순으로 설정된다. 즉, 상기 제1 내지 제3 분사노즐(631, 632, 633)은 상기 제3 분사노즐(633) -> 상기 제2 분사노즐(632) -> 상기 제1 분사노즐(631) 순으로 구동된다.
상기 제어부(700)는 상기 공정 유닛들(601, 602, 603, 604, 605, 606) 중 두 개 이상의 공정 유닛에 동일하게 제공되는 약액의 경우, 해당 공정 유닛들의 동일한 분사 노즐들에서 해당 약액이 분사되도록 설정한다. 예컨대, 불산(HF)을 초순수에 희석시킨 실온 희석불산(DHF)이 제1 및 제2 공정 유닛(601, 602)에서 웨이퍼의 처리를 위해 사용될 경우, 상기 제어부(700)는 상기 제1 및 공정 유닛(601, 602)의 제1 분사노즐들에서 상기 실온 희석불산이 분사되도록 상기 제1 및 제2 공정 유닛(601, 602)의 제1 분사노즐들에 대응하는 약액 레시피들을 서로 동일하게 설정한다. 즉, 상기 제1 공정 유닛(601)의 제1 분사 노즐(631)과 제2 공정 유닛(602)의 제1 분사 노즐은 동일한 약액 레시피가 셋팅되며, 공정시 동일한 약액을 분사한다. 이때, 상기 제1 공정 유닛(601)이 두 가지의 약액을 이용하여 웨이퍼를 처리하고, 상기 실온 희석불산을 제외한 나머지 약액이 다른 공정 유닛에서 제3 분사노즐(633)에 셋팅될 경우, 상기 제1 공정 유닛(601)도 마찬가지로 해당 약액이 제3 분사노즐(633)에 셋팅된다. 이에 따라, 상기 제1 공정 유닛(601)은 제1 및 제3 분사 노즐(631, 633)을 이용하여 상기 웨이퍼를 처리한다.
이와 같이, 상기 제어부(700)는 공정 유닛들(601, 602, 603, 604, 605, 606)이 동일한 약액을 서로 동일한 분사노즐들에서 분사하도록 설정한다. 이에 따라, 상기 기판 처리 장치(1000)는 동일 약액을 분사하는 분사노즐들에 동일한 약액 레시피를 적용할 수 있으므로, 상기 공정 유닛들(601, 602, 603, 604, 605, 606)이 서로 다른 공정을 처리할 수 있고, 작업 능률을 향상시킬 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 각 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)별 각 분사 노즐의 약액 레시피 설정 과정 및 약액 레시피에 따라 웨이퍼를 처리하는 과정을 구체적으로 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 먼저, 제어부(700)는 각 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)별로 상기 제1 노즐유닛(630)의 분사노즐들(631, 632, 633)에 대응하는 약액 레시피들을 생성한다(단계 S100).
도 4는 도 3의 각 공정 유닛별 제1 노즐 유닛의 약액 레시피 설정 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 먼저, 상기 제어부(700)는 각 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)별로 웨이퍼 처리에 필요한 약액들을 설정한다(단계 S110).
상기 제어부(700)는 각 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)의 각 분사노즐마다 분사할 약액의 종류를 설정하여 이에 대응하는 약액 레시피들을 생성한다. 이때, 어느 한 약액이 두 개 이상의 공정 유닛에 제공될 경우, 상기 제어부(700)는 해당 약액이 동일한 순번을 갖는 분사노즐들로부터 분사되도록 설정한다(단계 S120). 이에 따라, 공정 유닛들(601, 602, 603, 604, 605, 606)은 동일한 약액이 동일한 순번의 분사노즐들에서 분사된다.
다시, 도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)별 각 분사 노즐의 약액 레시피 설정이 완료되면, 각 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)은 설정된 약액을 공급받아 각각 웨이퍼를 처리한다(단계 S200).
도 5는 도 3의 각 공정 유닛별 웨이퍼 처리 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 상기 기판 처리 장치(1000)는 동시에 두 개 이상 의 공정 유닛에서 웨이퍼의 처리가 이루어질 수 있으며, 상기 각 공정 유닛(601, 602, 603, 604, 605, 606)의 웨이퍼 처리 과정을 동일하다. 따라서, 이하, 상기 제1 공정 유닛(601)을 일례로 하여 상기 웨이퍼의 처리 과정을 구체적으로 설명한다.
먼저, 원시 웨이퍼(10)가 기판 지지부재(610)에 안착된다(단계 S210).
상기 제어부(700)(도 1 참조)는 상기 제1 및 제2 노즐 유닛(630, 640)이 정위치에 위치하는지를 확인한다(단계 S220).
상기 제어부(700)는 상기 제1 노즐 유닛(630)의 제3 분사 노즐(633)에 대응하는 약액 레시피에 근거하여 상기 제3 분사 노즐(633)을 제어하고, 이에 따라, 상기 제3 분사 노즐(633)이 설정된 약액을 상기 기판 지지부재(610)에 안착된 웨이퍼(10)에 분사한다(단계 S230). 이때, 상기 제3 분사 노즐(633)에 설정된 약액이 없을 경우, 상기 제3 분사 노즐(633)을 이용한 약액 처리를 스킵하고, 바로 다음 순서인 상기 제2 분사 노즐(632)에 의한 약액 처리를 개시한다.
상기 제3 분사 노즐(633)이 다시 정위치되면, 상기 제어부(700)는 상기 제2 분사 노즐(632)에 대응하는 약액 레시피에 근거하여 상기 제2 분사 노즐(632)을 제어하고, 이에 따라, 상기 제2 분사 노즐(632)이 설정된 약액을 상기 기판 지지부재(610)에 안착된 웨이퍼(10)에 분사한다(단계 S240). 이때, 상기 제2 분사 노즐(632)에 설정된 약액이 없을 경우, 상기 제2 분사 노즐(632)을 이용한 약액 처리를 스킵하고, 바로 다음 순서인 상기 제1 분사 노즐(631)에 의한 약액 처리를 개시한다.
상기 제2 분사 노즐(632)이 다시 정위치되면, 상기 제어부(700)는 상기 제1 분사 노즐(631)에 대응하는 약액 레시피에 근거하여 상기 제1 분사 노즐(631)을 제어하고, 이에 따라, 상기 제1 분사 노즐(631)이 설정된 약액을 상기 기판 지지부재(610)에 안착된 웨이퍼(10)에 분사한다(단계 S250). 이때, 상기 제1 분사 노즐(631)에 설정된 약액이 없을 경우, 상기 제1 분사 노즐(631)을 이용한 약액 처리를 스킵하고, 상기 제1 노즐 유닛(630)에 의한 웨이퍼의 약액 처리를 종료한다.
이와 같이, 상기 기판 처리 장치(1000)는 동일한 약액이 동일한 순번의 분사 노즐들로부터 분사되도록 설정되고, 분사 노즐의 구동 순서에 상관없이 특정 분사 노즐의 약액 분사를 생략할 수 있으며, 분사 노즐의 구동 순서에 상관없이 특정 분사 노즐에서 특정 약액을 분사하도록 지정할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판 처리 장치(1000)는 약액의 종류에 따라 새로운 약액 레시피가 작성되므로, 약액 레시피의 작성 회수가 감소되고, 상기 공정 유닛들(601, 602, 603, 604, 605, 606)이 다양한 약액을 이용하여 서로 다른 공정을 실시할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 공정 유닛을 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 4는 도 3의 각 공정 유닛별 제1 노즐 유닛의 약액 레시피 설정 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 5는 도 3의 각 공정 유닛별 웨이퍼 처리 과정을 나타낸 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
110 : 로딩/언로딩부 120a, 120b, 120c, 120d : 풉
200 : 인덱스 로봇 300 : 버퍼부
500 : 메인 이송 로봇
601, 602, 603, 604, 605 : 공정 유닛
1000 : 기판 처리 시스템

Claims (12)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 기판이 안착되는 기판 지지부재 및 상기 기판을 처리하기 위한 약액을 분사하는 다수의 분사노즐을 각각 구비하는 공정 유닛들 갖는 기판 처리장치의 노즐 셋팅 방법에 있어서,
    상기 공정 유닛별로 기판의 처리 공정에 필요한 약액들을 설정하되,
    어느 한 약액이 두 개 이상의 공정 유닛에 제공될 경우, 상기 분사 노즐들의 구동 순서상 서로 동일한 순번을 갖는 분사노즐들로부터 해당 약액이 분사되도록 설정하되;
    각 공정 유닛의 분사노즐들의 구동 순서는 상기 기판 지지부재에 인접한 배치 순서에 근거하여 설정되고,
    상기 공정 유닛들은 상기 분사노즐들의 구동 순서가 서로 동일하게 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치의 노즐 셋팅 방법.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서,
    상기 공정 유닛별 각 분사 노즐의 약액 설정시, 동일 약액을 분사하는 분사 노즐들은 동일한 분사 조건으로 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치의 노즐 셋팅 방법.
  8. 기판이 안착되는 기판 지지부재 및 상기 기판을 처리하기 위한 약액을 분사하는 다수의 분사노즐을 각각 구비하는 공정 유닛들 갖는 기판 처리장치의 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 공정 유닛별로 기판의 처리 공정에 필요한 약액들을 설정하되, 어느 한 약액이 두 개 이상의 공정 유닛에 제공될 경우, 상기 분사 노즐들의 구동 순서상 서로 동일한 순번을 갖는 분사노즐들로부터 해당 약액이 분사되도록 설정하는 단계; 및
    설정된 약액을 이용하여 각 공정 유닛에서 기판을 처리하는 단계를 포함하되;
    각 공정 유닛의 분사노즐들의 구동 순서는 상기 기판 지지부재에 인접한 배치 순서에 근거하여 설정되고,
    상기 공정 유닛들은 상기 분사노즐들의 구동 순서가 서로 동일하게 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서,
    상기 공정 유닛별 각 분사 노즐의 약액 설정시, 각 약액은 서로 다른 공정 유닛들에서 동일한 순번의 분사 노즐로부터 분사되도록 설정되며, 동일 약액을 분사하는 분사 노즐들은 동일한 분사 조건으로 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 각 공정 유닛에서 기판을 처리하는 단계는,
    기판을 상기 기판 지지부재에 안착시키는 단계;
    해당 공정 유닛에 구비된 상기 분사 노즐들이 정위치에 위치하는지 확인하는 단계; 및
    상기 공정 유닛별로 상기 분사 노즐들이 설정된 약액을 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 분사하는 단계를 포함하고,
    상기 약액을 기판에 분사하는 단계는, 상기 분사 노즐들의 구동 순서에 따라 상기 분사 노즐들을 순차적으로 구동시켜 약액을 분사하되, 약액을 분사할 차례의 분사 노즐에 약액이 설정되지 않은 경우 바로 다음 순서의 분사 노즐이 약액을 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 각 공정 유닛은 한번에 하나의 분사 노즐로부터 약액이 분사되며, 하나의 공정 유닛에 구비된 분사 노즐들은 서로 다른 약액을 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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