CN101615572A - 用于有选择地蚀刻基板表面的基板处理装置和方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于有选择地蚀刻基板表面的基板处理方法。在该基板处理方法中，通过第一喷嘴向旋转的基板的中心部位供应蚀刻剂，通过第二喷嘴供应蚀刻防止剂以用于稀释所述蚀刻剂，该第二喷嘴设置在与基板的中心部位相偏离的预定位置处。

Description

用于有选择地蚀刻基板表面的基板处理装置和方法

相关申请的交叉引用

根据35 U.S.C.§119，该美国非临时专利申请要求2008年6月24日申请的申请号为10-2008-0059697的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

在此公布的本发明涉及一种基板处理装置和方法，尤其涉及一种用于有选择地蚀刻基板表面的基板处理装置和方法。

背景技术

一般情况下，蚀刻通常出现于半导体器件的加工工艺中，用于对在半导体基板上形成的层(如，金属层、氧化层、多晶硅层和光刻胶层)进行图案成型。

例如，蚀刻方法包括化学蚀刻、等离子蚀刻、离子束蚀刻和反应离子蚀刻。目前，旋转蚀刻作为一种化学蚀刻方法而被广泛地应用。在旋转蚀刻工艺中，可在旋转半导体基板期间通过向所述半导体基板注射化学制品而对所述半导体基板进行蚀刻。

在旋转蚀刻工艺中，可以通过中心供应方法向半导体基板的中心(旋转中心)注射化学制品(蚀刻剂)，或者可以通过扫描供应方法从半导体基板的中心部位至边缘部位向半导体基板注射化学制品。在旋转蚀刻工艺中，由于是利用离心力使化学制品从半导体基板表面的中心部位向边缘部位流动，从而从半导体基板表面移除薄层，因此难以根据半导体基板表面的区域调整半导体基板表面的蚀刻速度。

发明内容

本发明提供的基板处理装置和方法用于根据在前工序的分散程度(degreeof scattering of the previous process)有选择地蚀刻基板。

参照说明书和附图，可以进一步理解本发明的本质和优点。

本发明的实施例提供了用于蚀刻基板表面的基板处理方法，该方法包括：通过第一喷嘴向旋转的基板的中心部位供应蚀刻剂；和通过设置在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处的第二喷嘴供应蚀刻防止剂，以用于稀释所述蚀刻剂。

在一些实施例中，可以当从所述预定位置开始沿朝向基板的边缘部位的方向持续移动所述第二喷嘴时，通过所述第二喷嘴供应蚀刻防止剂。

在其他实施例中，可以当从所述预定位置开始沿朝向基板的边缘部位的方向移动所述第二喷嘴时，通过所述第二喷嘴供应蚀刻防止剂，且在移动所述第二喷嘴的期间所述第二喷嘴至少短暂地驻留一次。

在另一些其他实施例中，可以在相同的时间段内向所述基板供应所述蚀刻防止剂和所述蚀刻剂。

在又一些其他实施例中，可以向所述基板供应加热后或冷却后的蚀刻防止剂。

在又一些其他实施例中，可以利用所述蚀刻剂以不同的蚀刻速度蚀刻所述基板的表面区域，所述蚀刻速度根据所述蚀刻防止剂的供应量、温度或注射位置而发生变化。

本发明的其他实施例也提供了用于蚀刻基板表面的基板处理方法，这些方法包括向基板供应蚀刻剂和蚀刻防止剂以用于蚀刻基板，其中向基板的不同区域供应所述蚀刻剂和所述蚀刻防止剂，且至少部分所述不同区域是相互重合的。

在一些实施例中，向所述基板上供应所述蚀刻剂的区域可以大于向所述基板上供应所述蚀刻防止剂的区域。

在其他实施例中，可以分别在预定的时间段内供应所述蚀刻剂和所述蚀刻防止剂，且至少部分所述时间段是相互重合的。

在另一些其他实施例中，可以向所述基板的中心部位供应所述蚀刻剂。

在又一些其他实施例中，可以向所述基板的全部区域供应所述蚀刻剂，且向除所述基本的中心区域外的所述基板的其他全部区域供应所述蚀刻防止剂。

而在又一些其他实施例中，可以旋转所述基板，并可以直接向所述基板的旋转中心供应所述蚀刻剂，且在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处可以直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂。

在另一些的实施例中，直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂的所述预定位置可以随时间发生变化。

在另一些的实施例中，直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂的所述预定位置，可以在从所述基板的中心部位到所述基板的边缘部位的方向上发生变化。

在又一些实施例中，可以向所述基板供应加热后或冷却后的蚀刻防止剂。

在又一些实施例中，所述蚀刻防止剂可以为去离子水或惰性气体。

本发明的另一些其他实施例还提供了用于蚀刻基板表面的基板处理装置，这些装置包括：旋转头，用于在所述旋转头上支撑有基板时进行旋转；第一喷嘴，用于向放置在所述旋转头上的基板注射蚀刻剂；第二喷嘴，用于在加工期间向放置在所述旋转头上的基板注射蚀刻防止剂；和控制单元，用于控制所述第一喷嘴以使得通过所述第一喷嘴向所述基板的中心部位注射所述蚀刻剂，并用于控制所述第二喷嘴以使得通过所述第二喷嘴在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处向所述基板注射所述蚀刻防止剂。

在一些实施例中，所述基板处理装置可以进一步包括去离子水供应单元，所述去离子水供应单元用于向所述第二喷嘴供应作为所述蚀刻防止剂的去离子水。

在其他实施例中，所述去离子水供应单元可以包括加热器和冷却器中的至少一个，所述加热器用于加热向所述第二喷嘴供应的去离子水，所述冷却器用于冷却向所述第二喷嘴供应的去离子水。

在另一些其他实施例中，所述控制单元可以控制所述第二喷嘴，以使得所述第二喷嘴在从所述预定位置移动到所述基板边缘部位的期间注射作为蚀刻防止剂的去离子水。

附图说明

本发明实施例所包含的附图有助于更进一步地理解本发明，且这些附图并入和组成了本说明书的一部分。这些附图解释说明了本发明的示例性实施例，并与文字描述一起共同解释说明了本发明的原理。在附图中：

图1为本发明实施例基板处理装置的示意图；

图2为用于显示图1所示容器内部构造的剖视图；

图3为用于显示图1所示第一喷嘴和第二喷嘴的注射位置的示意图；

图4至7为在第二喷嘴的不同的蚀刻条件和注射条件下的蚀刻速度的曲线图；

图8为用于根据本发明的实施例说明蚀刻速度的再现性的表格和曲线图。

具体实施方式

下面将结合附图1至附图8详细地描述本发明的优选实施例。然而，本发明还具有其它不同形式的实施方式，因此本发明不应理解为局限于在此提出的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开的内容详细完整，并将本发明的范围充分地传达给本领域内的技术人员。为了使图示清晰，对附图中的图层尺寸和区域尺寸进行了放大。

下述描述中举例说明了一种单一基板类型的蚀刻装置，该蚀刻装置用于从半导体基板表面移除薄层，且该蚀刻装置可作为用于解释说明本发明实施例的例子。但本发明并不局限于此。也就是说，本发明还可应用于其它的用于处理半导体基板表面的装置中，这些装置可通过在旋转半导体基板时向该半导体基板供应化学制品而处理该半导体基板表面。例如，用于移除半导体基板表面的外来杂质的清洁装置，以及用于移除经过显影工序后仍然残留在基板上的多余光刻胶的灰化装置。

图1显示了本发明实施例基板处理装置1，图2为用于显示图1所示容器110内部构造的剖视图。

参见图1和图2，基板处理装置1用于进行蚀刻加工，以蚀刻形成于半导体基板W(下文中称之为基板)上的薄层(如，金属层、氧化层、多晶硅层和光刻胶层)。

基板处理装置1包括容器110、升降机构单元120、旋转头130和液体供应单元200。

容器：

容器110在蚀刻加工期间避免化学制品和烟雾喷溅或流向外部区域。该容器110具有开口的顶部，并提供了在其中进行基板W处理的空间A，且旋转头130也设置在空间A中。

容器110用于根据化学制品的种类分别收集用过的化学制品。因此，化学制品可以重复利用。容器110包括多个收集管道110a、110b和110c。加工过程中使用的化学制品根据其种类被收集在收集管道110a、110b和110c中。本实施例中，容器110可包括三个收集管道110a、110b和110c。下文中，收集管道110a、110b和110c也可分别称之为内侧收集管道110a，中间收集管道110b，和外侧收集管道110c。

内侧收集管道110a具有围绕旋转头130的圆环形状，中间收集管道110b具有围绕内侧收集管道110a的圆环形状，外侧收集管道110c具有围绕中间收集管道110b的圆环形状。收集管道110a、110b和110c分别包括入口111a、111b和111c。入口111a、111b和111c设置在容器110内部，且与空间A相连通。入口111a、111b和111c具有环绕旋转头130的环形形状。基板W旋转时作用于化学制品的离心力，使得注射到基板W上用以处理基板W的化学制品被迫通过入口111a、111b和111c流入收集管道110a、110b和110c。外侧收集管道110c的入口111c垂直设置在中间收集管道110b的入口111b的上方，中间收集管道110b的入口111b垂直设置在内侧收集管道110a的入口111a的上方。换言之，即收集管道110a、110b和110c的入口111a、111b和111c设置在不同的高度上。

内侧收集管道110a的内壁112a上形成有多个开口113a，且开口113a呈环状设置。各开口113a的形状为狭缝。各开口113a用作排气孔，以将进入内侧收集管道110a的气体通过位于旋转头130下方的空间排向容器110的外部。内壁112a连接有排出管115a，内侧收集管道110a收集的处理液通过该排出管115a排向外部化学制品再生系统。中间收集管道110b的内壁114a上形成有狭缝状的排气孔113b，排气孔113b呈环状设置以将气体从中间收集管道110b中排出。中间收集管道110b的底壁114b连接有排出管115b，中间收集管道110b收集的注向基板W的处理液通过该排出管115b排向外部化学制品再生系统。外侧收集管道110c具有大致为圆盘状的底壁116b，且穿过底壁116b的中心部位形成有用于容纳旋转轴132的开口。底壁116b连接有排出管115c，外侧收集管道110c收集的处理液通过排出管115c排向外部化学制品再生系统。外侧收集管道110c形成了容器110的全部外壁。外侧收集管道110c的底壁116b连接有排气管117，进入外侧收集管道110c的气体通过排气管117排向外侧收集管道110c的外部。通过内侧收集管道110a的内壁112a上的开口113a、以及中间收集管道110b的内壁114a上的排气孔113b排出的气体，可通过与外侧收集管道110c相连的排气管117向容器110的外部排尽。排气管117的入口端以预定的长度从底壁116b向上伸出。

升降机构单元：

升降机构单元120驱动容器110沿向上方向和向下方向线性移动。在容器110垂直移动时，容器110的高度相对旋转头130的高度发生变化。升降机构单元120包括托架122、移动轴124和驱动单元126。托架122固定在容器110的外壁上，移动轴124与托架122固定连接，移动轴124可通过驱动单元126向上移动或向下移动。当将基板W向下放置在旋转头130上时，或将基板W从旋转头130上抬起时，容器110向下移动，所以旋转头130可从容器110中向上伸出。加工过程中可按如下方式调节容器110的高度，该方式使供应给基板W的处理液可以根据处理液的种类而分别收集在收集管道110a、110b和110c中。作为另一种选择，升降机构单元120也可以驱动旋转头130向上或向下移动。

旋转头：

在加工过程中，旋转头130用于支持基板W。旋转头130设置在容器110的内部。旋转头130包括支撑销135和夹紧销136。支撑销135设置在旋转头130的顶面，用以支撑所装载的基板W，以使基板W处于与旋转头130的顶面空间上相分离的位置处。夹紧销136用于固定基板W。也就是说，在加工过程中，支撑销135用于将基板W支撑在与旋转头130的顶面空间上相分离的位置处，夹紧销136用于夹住基板W的边缘部位。

旋转头130底部的中心部位连接有转轴132。转轴132为空心轴，且能够将旋转部件134的旋转力传递给旋转头130。旋转部件134可包括驱动单元(未图示)，如用于产生旋转力的发动机，和动力传递单元(未图示)，如用于将驱动单元的旋转力传递给转轴132的皮带或链条。也就是说，可利用习知的零部件来配置旋转部件134。

液体供应单元：

液体供应单元200包括第一摆动喷嘴单元210、第二摆动喷嘴单元220、固定喷嘴单元230和控制单元240。

第一摆动喷嘴单元210可以包括用于向基板供应蚀刻剂的多个第一喷嘴212。每个第一喷嘴212能够借助摆动和垂直运动而移动到基板中心的上方。第一喷嘴212向基板注射不同的化学制品。第一供应单元270为第一喷嘴212供应处理液以作为蚀刻液。第一供应单元270可以包括供应管272、两个化学制品存储单元274、阀门276和流速控制器(未图示)。化学制品存储单元274根据将要从基板上移除的目标层存储有相应的化学制品。例如，像氢氟酸(HF)、臭氧水(或臭氧水和氢氟酸的混合物)、SC1(standard cleaning-1，标准清洁-1)化学制品、稀释的氢氟酸(DHF)等作为蚀刻剂的化学制品，且缓冲氧化蚀刻剂(BOE，buffered oxide etchant)如氟化氢缓冲溶液也可存储在化学制品存储单元274中。

第二摆动喷嘴单元220可以包括用于向基板供应蚀刻防止剂的第二喷嘴222，第二喷嘴222能够借助摆动和垂直运动而移动到基板的上方。第二供应单元280为第二喷嘴222供应作为蚀刻防止剂的去离子水(DIW，deionized water)或超纯水(UPW，ultra pure water)。第二供应单元280可以包括供应管282、去离子水存储单元284、阀门286、加热器287、冷却器288和流速控制器(未图示)。加热器287和冷却器288设置在供应管282上，用以通过加热或冷却去离子水而调节去离子水的温度。当在室温中使用去离子水时，加热器287和冷却器288就不需要了。在本实施例中，去离子水用作一种蚀刻防止剂。然而，作为其他选择，也可使用惰性气体代替去离子水作为蚀刻防止剂，或者也可使用能够用于稀释供应至基板的蚀刻剂的化学制品作为蚀刻防止剂。第二喷嘴222可以在静止状态下，或在沿基板的除基板中心区域之外的其他全部区域移动时，向设置在旋转头130上的基板注射去离子水。其中，由第一喷嘴212向该基板的基板中心区域处注射蚀刻剂。

固定喷嘴单元230固定在容器110的上部。固定喷嘴单元230包括喷嘴232，该喷嘴用于向基板供应去离子水、臭氧水和氮气，以在向基板供应蚀刻剂之前或之后清洁、漂洗和烘干该基板。与第一摆动喷嘴单元210和第二摆动喷嘴单元220的情况类似，固定喷嘴单元230连接有供应单元(未图示)，该供应单元用于为固定喷嘴单元230供应上述液体。这对本领域的普通技术人员而言是显而易见的。

控制单元240驱动第一喷嘴212在加工位置PP1和等待位置SP1之间移动，并驱动第二喷嘴222在加工位置PP2和等待位置SP2之间移动。

在加工过程中，第一喷嘴212在加工位置PP1处向基板的中心区域注射蚀刻剂。等待位置SP1设在容器110的外侧边处，且在第一喷嘴212移动到加工位置PP1之前，第一喷嘴212位于等待位置SP1处。在加工过程中，第二喷嘴222在加工位置PP2处注射作为蚀刻防止剂的去离子水，且第二喷嘴222向基板上除基板中心区域之外的其他全部区域注射去离子水，其中由第一喷嘴212向该基板的基板中心区域处注射蚀刻剂。等待位置SP2设在容器110的外侧边处，且在第二喷嘴222移动到加工位置PP2之前，第二喷嘴222位于等待位置SP2处。在第二喷嘴222向基板注射去离子水期间，第二喷嘴222可以不停留在固定位置上，而是可以在控制单元240的控制下向基板的边缘部位移动。

如上所述，在加工期间，控制单元240控制第一喷嘴212和第二喷嘴222向基板供应蚀刻剂和去离子水。

基板处理装置1的喷嘴的数量、或向喷嘴供应的处理液的数量可以根据蚀刻方法、清洁方法和烘干方法而变化。然而无论怎样，在蚀刻加工期间都应向基板供应蚀刻防止液以稀释供应给基板的蚀刻剂，从而可以根据基板的区域调整基板蚀刻速度。

如图3所示，第一喷嘴212在基板中心(以0毫米标示)注射蚀刻剂，第二喷嘴222在除基板中心以外的位置处注射去离子水。第二喷嘴222停留在区域L1的位置时，可以向基板注射去离子水，区域L1通过从靠近基板的中心位置到基板的边缘(以150毫米标示)而界定，其中在靠近基板的中心位置处第二喷嘴222不会妨碍第一喷嘴212。作为其他选择，第二喷嘴222可以当该喷嘴在区域L1的位置摆动时，向基板注射去离子水。

实施例提供的蚀刻速度：

图4至7为在第二喷嘴的不同蚀刻条件和注射条件下的蚀刻速度的曲线图。

图4为根据下述情况下第二喷嘴的注射位置而做出的基板蚀刻速度的曲线图，该情况为稀释氢氟酸(DHF，diluted hydrogen fluoride)通过第一喷嘴注向基板的中心部位达30秒。

参见图4，参考数字a1表示在不向基板注射去离子水、而仅向基板注射蚀刻剂的情况下得到的蚀刻速度曲线。这种情况下，以大约65埃至70埃范围内的速度从基板中心至基板边缘均一地蚀刻基板。

参考数字a2表示在从基板边缘向内距离10毫米的位置处(即，在基板上140毫米的位置处)向基板注射去离子水的情况下，得到的蚀刻速度曲线。这种情况下，从基板的中心(0毫米位置)至基板上注射去离子水的位置处(140毫米位置)，基板的蚀刻速度基本上是均一的，且从140毫米位置的向外蚀刻速度显著下降。

类似地，参考数字a3、a4、a5和a6表示在从基板边缘向内距离40毫米、70毫米、100毫米和130毫米的位置处向基板注射去离子水的情况下，得到的蚀刻速度曲线。可以理解，基板的蚀刻速度从注射去离子水的位置处开始显著下降。

图5为根据下述情况下第二喷嘴的去离子水的注射范围而做出的基板蚀刻速度的曲线图，该情况为稀释氢氟酸(DHF)通过第一喷嘴注向基板的中心部位达30秒。

参见图5，参考数字b1表示在如下情况下得到的蚀刻速度曲线，即，在从基板边缘40毫米至10毫米的区域内变化去离子水的注射位置以向基板注射去离子水。这种情况下，从基板的中心(0毫米位置)至基板的110毫米位置，基板的蚀刻速度基本上是均一的，且从基板的110毫米的位置向外蚀刻速度下降。然而，与图4所示的情况相比基板的蚀刻速度呈缓慢下降，图4中是在固定位置处注射去离子水。

参考数字b2表示在如下情况下得到的蚀刻速度曲线，即，在从基板边缘70毫米至10毫米的区域内变化去离子水的注射位置以向基板注射去离子水。参考数字b 3表示在如下情况下得到的蚀刻速度曲线，即，在从基板边缘100毫米至10毫米的区域内变化去离子水的注射位置以向基板注射去离子水。参考数字b4表示在如下情况下得到的蚀刻速度曲线，即，从基板边缘130毫米至10毫米的区域内变化去离子水的注射位置以向基板注射去离子水。如蚀刻速度曲线所示，当去离子水的起始注射位置靠近基板的中心时，基板的蚀刻速度从基板的中心开始下降得更加缓慢。

图6为根据如下情况下第二喷嘴的去离子水的注射延迟时间而做出的基板蚀刻速度的曲线图，该情况为稀释氢氟酸(DHF)通过第一喷嘴注向基板的中心部位达30秒。

参见图6，参考数字a1表示在图4所示条件下得到的蚀刻速度曲线，参考数字b4表示在图5所示条件下得到的蚀刻速度曲线。

参考数字b4-1表示在如下情况下得到的蚀刻速度曲线，即，在开始DHF注射之后延迟5秒注射去离子水，且去离子水在25秒之内传送至基板的边缘位置(140毫米位置)。蚀刻速度曲线b4-1与蚀刻速度曲线b4相比具有较小的斜率(较大的蚀刻速度)。也就是说，蚀刻速度曲线b4-1为在如下情况下得到的曲线，即，在5秒延迟时间后的25秒的时间内、从基板上20毫米位置至140毫米位置之间移动第二喷嘴时，通过第二喷嘴向基板注射去离子水。类似地，如通过延迟10秒和15秒注射去离子水得到的蚀刻速度曲线b4-2和b4-3所示，基板的蚀刻速度的增加与注射去离子水的延迟时间和喷嘴的移动速度成比例。

图7为如下情况下的基板蚀刻速度的曲线图，即，在与得到图5所示蚀刻速度曲线b4所使用的条件相同的条件下对基板进行加工，除了第二喷嘴是短暂地驻留在基板的预定位置处。

参见图7，参考数字c1、c2、c3、c4和c5表示在如下情况下得到的蚀刻速度曲线，即，第二喷嘴以不同时间周期短暂驻留在与基板边缘相距70毫米的位置处。如图7所示，在与基板边缘相距70毫米的位置处增加去离子水注射时间(喷嘴停止时间)的情况下，从该位置开始基板的蚀刻速度的显著下降与喷嘴停止时间成比例。

尽管未显示，如果将经过加热器287加热的去离子水供应给基板，则与在室温下将去离子水供应给基板的情况相比，基板的蚀刻速度将增加。此外，如果将经过冷却器288冷却的去离子水供应给基板，则与在室温下将去离子水供应给基板的情况相比，基板的蚀刻速度将下降。

如图4至图7所示，也可使用超纯水作为蚀刻防止剂，以通过使用超纯水稀释用于蚀刻基板薄层的蚀刻剂而降低蚀刻速度的水平。因此，基板的蚀刻速度可根据基板区域通过可变的条件进行调整，该可变的条件为如超纯水的注射位置、注射时间和注射量。

例如，尽管半导体基板中心部位处将要移除的薄层的厚度大于半导体基板边缘部位处将要移除的薄层的厚度，其中将要移除的薄层的厚度取决于在前工序的分散程度(degree of scattering of the previous process)，但是仍可根据上述本发明的蚀刻方法，通过在基板的中心部位处蚀刻(移除)比基板的边缘部位处厚度更大的薄层，以对半导体基板表面进行统一地加工。

图8为用于说明在如下情况下蚀刻速度的再现性的表格和曲线图，即，通过第一喷嘴向基板的中心部位注射DHF 30秒，且在DHF开始注射20秒之后、以在基板上方移动第二喷嘴的方式利用第二喷嘴向基板注射10秒超纯水。

参见图8，进行了三次测试，且蚀刻速度再现性良好。

本发明中，当在旋转基板期间利用离心力向基板供应蚀刻剂时，可通过使用可控制的第二喷嘴向期望位置处注射蚀刻防止剂，这样可对基板进行有选择地蚀刻。

而且，本发明中，可根据在前工序的分散程度(degree of scattering ofthe previous process)对基板进行有选择地蚀刻。

此外，可根据基板的区域控制基板的蚀刻速度。

上面公开的主题应被认为是一种举例性描述，而不是一种限制。所附的权利要求意在覆盖所有落入本发明本质精神和范围内的类似修改、改进和其他实施例。因此，在法律允许的最大范围内，本发明的范围取决于权利要求及其等同项可允许的最宽泛的阐述，而不受限于之前的详细描述。

Claims (21)

1、一种基板处理方法，用于蚀刻基板表面，其特征在于，所述方法包括：

通过第一喷嘴向旋转的基板的中心部位供应蚀刻剂；和

通过第二喷嘴供应蚀刻防止剂以用于稀释所述蚀刻剂，所述第二喷嘴设置在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处。

2、根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，当从所述预定位置开始沿朝向基板的边缘部位的方向持续移动所述第二喷嘴时，通过所述第二喷嘴供应蚀刻防止剂。

3、根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，当从所述预定位置开始沿朝向基板的边缘部位的方向移动所述第二喷嘴时，通过所述第二喷嘴供应蚀刻防止剂，且在移动所述第二喷嘴的期间所述第二喷嘴至少短暂地驻留一次。

4、根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，在相同的时间段内向所述基板供应所述蚀刻防止剂和所述蚀刻剂。

5、根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板供应加热后的蚀刻防止剂。

6、根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板供应冷却后的蚀刻防止剂。

7、根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，利用所述蚀刻剂以不同的蚀刻速度蚀刻所述基板的表面区域，所述蚀刻速度根据所述蚀刻防止剂的供应量、温度或注射位置而发生变化。

8、一种基板处理方法，用于蚀刻基板表面，其特征在于，所述方法包括向基板供应蚀刻剂和蚀刻防止剂以用于蚀刻基板，其中向基板的不同区域供应所述蚀刻剂和所述蚀刻防止剂，且至少部分所述不同区域是相互重合的。

9、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板上供应所述蚀刻剂的区域大于向所述基板上供应所述蚀刻防止剂的区域。

10、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，分别在预定的时间段内供应所述蚀刻剂和所述蚀刻防止剂，且至少部分所述时间段是相互重合的。

11、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板的中心部位供应所述蚀刻剂。

12、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板的全部区域供应所述蚀刻剂，且向除所述基板的中心区域外的所述基板的其他全部区域供应所述蚀刻防止剂。

13、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，旋转所述基板，并直接向所述基板的旋转中心供应所述蚀刻剂，且在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂。

14、根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂的所述预定位置随时间发生变化。

15、根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂的所述预定位置，在从所述基板的中心部位到所述基板的边缘部位的方向上发生变化。

16、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板供应加热后或冷却后的蚀刻防止剂。

17、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，所述蚀刻防止剂为去离子水或惰性气体。

18、一种基板处理装置，用于蚀刻基板表面，其特征在于，所述装置包括：

旋转头，用于在所述旋转头上支撑有基板时进行旋转；

第一喷嘴，用于向放置在所述旋转头上的基板注射蚀刻剂；

第二喷嘴，用于在加工期间向放置在所述旋转头上的基板注射蚀刻防止剂；和

控制单元，用于控制所述第一喷嘴以使得通过所述第一喷嘴向所述基板的中心部位注射所述蚀刻剂，并用于控制所述第二喷嘴以使得通过所述第二喷嘴在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处向所述基板注射所述蚀刻防止剂。

19、根据权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于，所述装置进一步包括去离子水供应单元，所述去离子水供应单元用于向所述第二喷嘴供应作为所述蚀刻防止剂的去离子水。

20、根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，所述去离子水供应单元包括加热器或冷却器中的至少一个，所述加热器用于加热向所述第二喷嘴供应的去离子水，所述冷却器用于冷却向所述第二喷嘴供应的去离子水。

21、根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制单元控制所述第二喷嘴，以使得所述第二喷嘴在从所述预定位置移动到所述基板边缘部位的期间注射作为蚀刻防止剂的去离子水。

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