TW201003767A - Substrate treating apparatus and method for selectively etching substrate surface - Google Patents

Description

201003767 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係揭露關於-種基板處理農置及方法，特別 地是一種選擇性蝕刻基板表面之處理裝置及方法。 【先前技術】 通常，蝕刻係用於半導體裝置製程中的方法，提供 半導體基板上形成刻層（例如，—金屬層、一氧化 層、一多矽晶體層、和一光阻層）。 颠刻方法之範例包括有化學㈣、魏侧、離子 束餘刻和反應式離子_。近期，旋轉綱廣泛地被當 作-種化學則方法使用。在旋轉钱刻製程中，藉由旋 轉半導體絲時，將化學敝人半導縣板，錄刻半 導體基板。 在旋轉侧製程中，化學劑（餘刻劑）可藉由中心供 應，注人㈣縣板財心（旋射心）；或者， 可猎由掃描供應法注人自半導縣板中心部位至半導 體基板邊緣部位。在旋轉_製程中，藉由使 將化=從半導體基板表面之中心部分流至邊 /刀’㈣層自半導體基板表面移除，所料容 V體基板表面之區域來調整半導體基板表㈣_率。 【發明内容】 本發明根據切㈣之散佈 刻基板之基板處理裝置及方法。又边仏選擇性蝕 藉由參考說明書及關’進—步瞭解本發明的本質 3 201003767 和優點。 本發明之具體實施例提供蝕刻基板表面之基板處 理方法，其方法包括：透過第一噴嘴供應蝕刻劑至旋轉 基板之中心部分；及透過第二噴嘴供應防蝕液體，以稀 釋蝕刻劑，其中第二喷頭係配置於相隔於基板中心部分 之一預定位置。 在一些具體實施例中，其中注入防蝕液體之第二喷 嘴，由預定位置朝基板的邊緣部份持續移動。 在其他具體貫施例中’其中注入防钱液體之第二喷 备’自預定位置朝基板之邊緣部位的持續移動過程中， 至少會暫停一次。 仍然在其他具體貫施例中，防餘液體和钕刻劑係以 相同時段被注入於基板。 甚至在其他具體實施例中，防餘液體係被加熱或冷 卻後注入基板。 仍然在其他具體f施例巾，藉由侧劑配合防鎌 刻基板表面，其中I虫刻率係根據防敍液體之供給 里、溫度或注入位置而變化。 主在本發_其他具體實施财，-制純刻基板 濟早板，理方*，其方法包括注人侧劑和防钱液 -予土板，藉由蝕刻劑與防蝕液體蝕刻基板，其中蝕刻 體被注入於基板之不同區域，蝕刻劑與防蝕 液體在不同區域中至少有—部分會互相重叠。 些具體實施例中，餘人㈣狀基板區域大 於被注入防蝕液體之基板區域。 在其他具體貫施财’侧劑和祕㈣係分別在 4 201003767 一預定時段被注入基板，且至少一時段蝕刻劑與防蝕液 體被同時注入。 仍然在其他具體實施例中，蝕刻劑被注入至基板之 中心部分。 甚至在其他具體實施例中，該独刻劑係被注入至基 板之整個區域，而該防蝕液體被注入基板中心區域以外 之所有區域。 仍然在其他具體實施例中，基板在旋轉時，蝕刻劑 被直接注入至基板的旋轉中心’且防蝕液體被直接注入 至相隔於中心部分之一預定位置。 在進一步具體實施例中，防蝕液體被直接注入至基 板的預定位置’隨著時間而改變。 在仍然進一步具體實施例中，防蝕液體被直接注入 至基板之預定位置，其預定位置自基板之中心部分至邊 緣部分而改變。 在甚至進一步具體實施例中，防蝕液體係被加熱或 冷卻後被注入至基板。 i 在仍然進一步具體實施例中，防蝕液體係為去離子 水或惰性氣體。 在仍然本發明的其他具體實施例中，提供蝕刻基板 表面之基板處理裝置，其中包括：旋轉座，組裝於用來 支撐基板之一處’且旋轉座可於該處旋轉；第一喷嘴’ 組裝於旋轉座上，並注入蝕刻劑於基板；第二喷嘴，設 置於旋轉座上’於製程中注入防蝕液體；及控制器，被 設置用以控制第—喷嘴注入触刻劑於基板中心位置及 控制第二喷嘴注入防蝕液體於基板中心區域以外之區 5 201003767 域。 在一些具體實施例中，基板處理裝置，進一步包括 —去離子水供應器，係提供去離子水至第二噴頭1其中 去離子水被當成防钱液體。 在其他具體實施例中，去離子水供應器至少包括： —加熱器，係加熱第二喷頭之去離子水；及一冷卻器， 係冷卻第二噴頭之去離子水。 ° 在仍然其他具體實施例中，其中控制器係控制第二 噴嘴，藉此，第二喷嘴自預定位置至基板邊緣位置注入 如同防蝕液體之去離子水。 【實施方式】 本發明之較佳具體實施例將於以下參考圖丨至圖8 更詳細描述。然而，本發明能夠以不同形式予以具體實 施，且不應受限於在此所述的具體實施例。然而，這二 具體實施例之說明可徹底和完全明白本發明之揭示，並 熟諸此項技術人士可明白本發明之範齊。在圖式中，為 了清楚說明緣故’特別放大部分層和區域之尺寸。 在下面說明中，單基板類型蝕刻裝置，係被設置成 移除半導體基板表面上之薄層，用以當作說明本發明具 體實施例之範例。然而，本發明並未受此限制。即是， 本發明可運用至其他被設置成處理半導體基板表面之 裝置，這類裝置可於旋轉半導體基板時，供應化學劑至 半導體基板，例如清洗裝置，係被設置成從半導體基板 表面移除外來物質；及灰化裝置，其係被設置成在顯影 製程後’移除殘留於基板上之不必要光阻。 6 201003767 圖1說明’根據本發明之具體實施例之基板處理裝 置1 ;圖2為說明圖1所述的容器11〇内部之截面圖。、 請即參考圖1和2，基板處理裝置i係執行韻刻製 程，用於在半導體基板（以下稱為基板）W上形成一蝕 刻層（例如，一金屬層、一氧化層、一多晶石夕層、和一 光阻層）。 基板處理裝置1包括容器110、舉升裝置12〇、旋 轉座130、和流體供應器200。 (容器） 容器110可避免化學劑和熱氣於蝕刻製程期間濺 濕或流至外部區域。容器11〇具有一可開啟之上端，提 供基板W運作之空間A，且旋轉座13〇係配置於空間A。 容器110係分別收集不同之化學劑。因此，化學劑 可重複使用。容器110包括複數個收集筒u〇a、u〇b、 及110c。製程中使用的化學劑是根據化學劑類型而收 集在收集筒ll〇a、ll〇b、和ii〇c。在具體實施例中， 容器110可包括三個收集筒HOa、ll〇b、及ii〇c。以 下，收集筒11 〇a、Π Ob、及11 〇c將分別稱為内收集筒 ll〇a、中間收集筒ii〇b、及一外收集筒11〇<2。 内收集筒110a，係圍設旋轉座130。中間收集筒 110b，係環設内收集筒ll〇a。外收集筒li〇c係環設中 間收集筒ll〇b。收集筒ll〇a、ii〇b、及ii〇c分別包括 有 /主入口 111a、111b、及 111c。注入口 ilia、lllb、 及111c係配置於容器110内，並與空間A相通。注入 口 Ilia、111b、及lllc係環設旋轉座130。藉由旋轉 基板W所產生之離心力使化學劑流至收集筒u〇a、 7 201003767 n〇b、及ll〇c，經由注入口 11〇a、il〇b、ll〇c注入基 板w，進而加工該基板w。外收集筒丨丨此的注入口 nic 係配置於中間收集筒之注入口⑽的垂直上方位 ，，且中間收集筒11013之注入口 111b係配置於内收集 筒j 10a之注入口 ina的垂直上方位置。換句話說，收 集筒 110a、li〇b、和 ii〇c 之注入口 1Ha、1Ub、和 111c係以不同高度予以配置。 複數個開口 113a ’係設置於内收集筒丨1〇a之内壁 112a上，且被設置成一環形。各該開口 113a具有一縫 隙開口 U3a被設置成排氣口，透過位於旋轉座 下方之空間’將導人内部收錢丨服之氣體透過旋轉 概下方的空間，排放至製容器110的外部。一排出管 115a連接至内壁112a。内收集筒丨丨如所收集的處理液 體係透過排放管115a排放至一外部化學再生系統。裂 縫型排氣口 113b，被設置於中間收集筒n〇b之内壁 114a上，並成環狀，係提供中間收集筒u〇b排放氣體。 一排放管115b連接至中間收集筒110b的底壁U4b， 中間收集筒110b收集注入基板W之處理液體，並透過 排出管115b排至外部化學再生系統。外收集筒u〇c具 有一呈碟盤狀的底壁116b，且一開口透過底壁丨丨肋的 中心部分而成形，其開口設置一旋轉軸132。一排放管 115c連接至底壁ii6b，且外收集筒u〇c透過排出管 115c將化學之處理液體排至再生系統。外收集筒11〇〇 被a又置成容器11 〇的整個外壁。一排氣管117連接至外 收集琦110c的底壁116b。導入外收集筒ii〇c之氣體 係透過排氣管117排至外收集筒u〇c之外部。氣體係 8 201003767 通過内收集筒U〇a之内壁112a的開口 113a、和中間 收集筒110b之内壁U4a的排氣口 113b排出，並通過 連接至外收集筒110c之排氣管117而排放至容器no 之外部。排氣管117之注入端係以一預定長度從底壁 116b向上凸伸。 (舉升裝置） 舉升裝置120，係線性上下移動容器110。當容器 11〇垂直移動時，容器110的高度會相對於旋轉座13〇 的高度而改變。舉升裝置120包括支架122、可動軸 124、及驅動裝置丨26。支架122係固定至容器11〇的 外壁，且可動軸124係固定於支架122。藉由驅動裝置 126，可動軸124可向上和向下移動。當基板w被向下 置於旋轉座130或從旋轉座13〇舉升離開時，容器11〇 會向下移動，以便旋轉座130可從容器11〇向上凸伸。 在製程中，容器11〇之高度根據各別收集供應予基板w 處理液體之收集筒110a、u〇b、和u〇c而調整。或者， 舉升裝置120可向上和向下移動旋轉頭13〇。 (旋轉座） 在製程中，旋轉座13〇係支撐一基板w。該旋轉座 130係配置於容器110内。旋轉座130包括支撐銷135 和爽頭銷136。支撐銷135係配置於旋轉座13〇的上表 面，用以支撐一承載基板w位於相距於旋轉座130上表 面之位置，且夾頭梢136用來固定基板W。即是，在 製程中，支㈣135用來支撐基板w與旋轉纟13〇保有 一距離，且夾頭梢136用來保持基板w的邊緣部分。 主軸132係設置於旋轉座13〇的底部中心部分。主 9 201003767 轴132為空軸形狀，並輸送旋轉組件ι34的旋轉力至旋 轉頭130。旋轉組件134可包括驅動裝置（未在圖顯 不），係如馬達，產生旋轉力；及動能輸送器（未在圖顯 不），係如皮帶和鏈子，輸送驅動裝置的旋轉力至主軸 132。如是，旋轉組件134可藉由眾所週知的部件加以 組態。 (液體供應器） 流體供應器200包括第一擺動噴嘴器21〇、第二攏 動喷嘴器220、固定噴嘴器23〇、及控制器24〇。匕 第一擺動噴頭器210可包括第一喷嘴212，其係供 蝕刻劑至基板。藉由擺動及垂直移動，第一喷嘴212可 移至基板中心上方的位置。第一喷嘴212係注入不同化 學劑至基板。第一供應器27〇係提供處理液體至第一噴 嘴212，當作蝕刻液體。第一供應器27〇可包括供應管 272、兩化學劑儲存器274、閥體276、和流率控制器（未 在圖顯示）。適當的化學劑可根據基板所欲移除之目標 層而儲藏於化學劑儲存器274。例如，諸如氫氟酸 (^Hydr〇fluoric Acid，HF)、臭氧水（或臭氧水和hf的 混合）、SC1化學劑、當作蝕刻劑的稀釋氟化氫（Diluted Hydrogen FluGride，卿）之化學劑、以及諸如氮氣酸 緩衝液的緩衝氧化钱刻劑（Buffered 〇xide咖祕， B0E)可儲存在化學劑儲存器gw。 第一擺動噴頭嘴220可包括第二噴嘴222，係注入 防紐體至-基板。第二噴嘴222可藉由擺動和垂直移 ，而移動至基板上方的位置。第二供應器2別係供應去 離子水（Dei〇nized Water，_或超純水（uHra p㈣ 10 201003767

Water，UPW)至第二喷頭222，當作防蝕液體。第二供 應器280可包括供應管282、去離子水儲存器284、閥 體286、加熱器287、冷卻器288、和流率控制器（未在 圖顯示）。加熱器287和冷卻器288係配置於供應管 282，用於調整加熱去離子水和冷卻去離子水之溫度。 當去離子水使用於室温時，不使用加熱器2 8 7和冷卻器 288。目前具體實施例中，去離子水係為防蝕液體。然 而，惰性氣體可取代去離子水，當作防蝕液體使用；或 者，用於稀釋提供於基板之蝕刻劑的化學劑可當作防蝕 液體使用。第二噴頭222在旋轉座13〇之固定^將去離 子水注入於基板上，或沿著除了第一喷頭212注入基板 中心區域以外的整個區域移動。 \ 固疋喷頭器230係固定於容器no的上端。該固定 喷頭器230包括喷嘴232，喷嘴232係提供去離子水、 臭氧水、、和氮氣體至基板以洗淨、清洗、乾燥基板，在 餘刻劑被注人基板之前與之後。類似在第—和第二 喷頭器210和220的情況中，供應器（未在圖顯示 至固定噴頭器230，以供應上述液體至固定喷頭器 230。熟諳此項技術人士應可明白。 控=器24〇係於製程位置PP1*預備位置奶 動匕噴頭212，且於製程位置pp2和預備 ^ 移動第二噴頭222。 ^間 劑^基板之中心區域。預備位置spi係位於容器㈣的 外且在第一喷頭212移至製程位置PP1之前，第二 喷嘴212係置放在預備位置SP1。在製程中，第二喷嘴 201003767 2 2 2係在製程位置pp2、、f λ^ > JL7jc. m ，.b 〇 '主入虽作防蝕液體使用的去 子水，弟—噴嘴222注入 W专離 之整個區域。預備位署 土板中心區域以外 4頂攝位置SP2係位於容器η 在第二喷嘴222移 〇的外，且 τ夕王表私位置ρρ2之前， 係位於預備位置SP2。當第二喷嘴22 ^噴嘴222 基板時，第二噴嘴222 ^ ^ '去離子水至 貝可能不會停留在固 在控制器240的控制々置’而是 制之下，移向基板的邊緣部分。 述，在製程中，控制器24〇可控制 212和第二噴嘴222’簡餘_ 兴 液體3=置1的噴頭數量、或供應至噴嘴的處理 液體里可根據飯刻、洗淨、乾燥方法而變更。然而 任何情況中，㈣液體可於㈣製程㈣供應至基板， 以稀釋供應至基板之烟劑’如此可㈣基板的區 整基板的敍刻率。 一如圖3所示，第一噴嘴212係在基板的中心（如〇_ 所不）注入蝕刻劑，且第二喷頭222係在除了基板中心 以外之位置上注入去離子水。當第二喷嘴222停留在區 域L1的位置時，該第二喷嘴222可注入去離子水至基 板’區域L1係定義為從靠近基板的中心之位置（其中 第二喷頭222不會和第一喷頭212形成干擾）至基板的 邊緣（如150 mm所示）。或者，當在區域L1中搖動時， 第二喷嘴222可注入去離子水至基板。 (根據具體實施例之蝕刻率） 圖4至7為顯示根據不同蝕刻情況和第二喷嘴注入 情況的钱刻率之圖式。 圖4為顯示在DHF通過一第一喷嘴注入基板的中心 12 201003767 部分30秒之狀態中，根據第二喷嘴的注入位置之基板 蝕刻率之圖式。 土 請即參考圖4，參考編號ai表示在去離子水未注 入基板而只有蝕刻劑注入基板之情況中所獲得的蝕刻 率曲線。在此情況中，基板係一致性蝕刻跨過中心至約 65A至70 A範圍之基板邊緣。 參考編號a2表示從基板邊緣向内相離1〇 mm的位 置上（即是，在基板14〇 mm點），注入去離子水至基板 C 之情況中所獲得的蝕刻率曲線。在此情況中，基板之蝕 J率攸中心（〇 mm點）至基板的去離子水注入位置（14〇 點）係實質一致性，然後當從14〇_點向外走向時， 蝕刻率會明顯下降。 同樣地’參考編號a3、a4、a5、和ag表示在以4〇 _、70 mm、1〇〇 _、和130 _從基板的邊緣向内隔開 去離子水注入位置之情況中所獲得的蝕刻率曲線。應可 明白，基板的蝕刻率從去離子注入位置會明顯下降。 I 、圖5為顯示在DHF透過一第一喷嘴注入基板中心部 分30秒的情況中，根據一第二喷嘴的去離子水注入範 圍的基板钱刻率之圖式。 請即參考圖5，參考編號Μ表示當從基板邊緣在 4〇 mm至10 mm區域範圍内改變去離子水注入位置時， t離子水注入基板之情況中所獲得的蝕刻率曲線。在此 h况中，基板的钱刻率從基板的中心（〇咖點）至^〇咖 點係實質-致性，然後當從基板的11〇 mm點向外走向 時丄蝕刻率會明顯下降。然而，相較於去離子水注入在 固定位置的圖4情況，基板的蝕刻率會逐漸下降。 13 201003767 ，多考、、扁號表示當從基板邊緣的70 mm至1 〇 mm 區域内改冑去離子水注人位置時，結離子水注入基板 之情况中所獲得的钱刻率曲線。參考編號b3表示當從 基板邊緣的1〇〇咖至10 mm區域内改變去離子水注入 3時’在去離子水注人基板之情況巾賴得的敍刻率 ，考編號b4表示當從基板邊緣的130 mm至1〇 _ 改變絲子水注人位置時，去離子水注人基板之 ^況中所獲得的侧率曲線。如侧率曲線所示，當去 入的開始位置接近基板中心時，基板的餘刻率 會從基板巾心更逐漸下降。 Ά 八q Λ 6為顯示在D H F透過―第—喷嘴注人基板中心部 i時嘴的㈣子水注入延 中所』^參考圖6 ’參考編號al表示在圖4描述情況 帽^的餘刻率曲線，且參考 述之情況t賴得的_㈣線。 在圖 去離ΐίΪ號㈣表示從卿注入開始，5秒鐘延遲 點）之情’入，並在25秒内輸送至基板邊緣點（140匪 Μ，餘刻^tf ^烟㈣線。據紐刻率曲線 率）。即曰 1具有較小的斜率（較大的蝕刻 第一嗔嘴 率曲線仏1為在5秒鐘延遲後，當 f過第二噴嘴注人基板之情況中所獲得的曲線去離^ 地，如以]f) ΐ,ι、1 c ， 丨J樣 ..λ # 3所不，基板的蝕刻率係與去離子太 注入的延遲時間和噴頭運動的速度成比例增加離子水 14 201003767 圖7為顯示除了第二喷嘴暫停在基板預定點之 外田基板疋在和用來獲得圖5餘刻率曲線的相同 情況下處理時的基板蝕刻率之圖式。 請即參考圖7,參考編號Chc2、c3、c4#tjcu 示第二喷嘴於不同時段暫停在和基板邊緣相離70 mm位 置之情況中所獲得的#刻率曲線。如圖7所示，在隔開 基板邊緣70 mm的位置上增加去離子水注入時間（喷嘴 停止時間）的情況巾，基板之烟率會從和喷嘴停止時 f 間成比例的位置上明顯下降。 雖然未在圖式顯示，但是如果加熱器287所加熱的 去離子水施加至基板’相較於在室溫施加去離子水至基 板之情況，基板之蝕刻率會增加。此外，如果冷卻器 288冷卻的去離子水施加至基板，相較於在室溫施加去 離子水至基板之情況，基板之韻刻率會減少。 如圖4至7所示，超純水可當作防蝕液體使用，藉 由使用超純水稀釋用來蝕刻薄基板層之蝕刻劑以減少 ( 蝕刻率程度。因此，藉由改變例如超純水的注入位置、 時間和使用里之情況，可根據基板的區域以調整基板之 姓刻率。 例如，雖然由於先前製程散佈純度，要移除的薄層 厚度於半導體基板的甲心部分係大於半導體基板的邊 緣部分，但是藉由根據本發明的上述的蝕刻方法，在基 板之中心部分蝕刻（移除）比基板之邊緣部分更大的薄 層厚度，可一致性處理半導體基板的表面。 圖8顯不用於闡述在dhf透過一第一嘴嘴注入其板 中心部分30秒、及移動基板上面的第二喷嘴時開始djjf 15 201003767 搞:20秒以後’超純水透過第二喷頭注入基 :之'!^況的钱刻率再現性之列表和圖式。 常^即參考圖8 ’試驗進行三:欠，錄刻率再現性非 根據本發明’當旋轉基板之時，利用離心力供應餘 刻劑至基板’藉由使料控繼第二喷嘴可注人防钱液 體至想要的位置，以便選擇性制基板。 此外根據本發明，根據先前製程的散佈度可選擇 性姓刻基板。 匕外根據基板的區域可控制基板的钱刻率。 上面揭示的主題只是說明而不是限制，且文後申請 專利範圍涵蓋所有這類修飾、增進和其他具體實施例， 且都在本發明的實質精神和範疇内。因此，在法律允許 的最大範圍’本發明之範疇決定於以下申請專利範圍及 其等效物之廣泛允許詮釋，且不受到前面詳細描述的限 定或限制。 【圖式簡單說明】 附圖之提供可對本發明進一步瞭解，且合併及構成 為本說明書的一部份。附圖說明本發明的示範具體實施 例，並說明本發明的原理，其中： 圖1說明根據本發明之一具體實施例的基板處理 裝置； 圖2為說明圖1所述的一容器内部之截面圖； 圖3為說明圖1所述的第一和第二喷嘴之注入部分 之圖式； 201003767 圖4至7為顯示根據一第二喷嘴的不同蝕刻情況和 注入情況的蝕刻率之圖式；及 圖8顯示用於根據本發明之一具體實施例說明蝕 刻率再現性之列表和圖式。 【主要元件符號說明】 110 容器 110a 收集筒 110b 收集筒 110c 收集筒 111a 注入口 111b 注入口 111c 注入口 112 支架 112a 内壁 113a 開口 113b 裂縫型排氣口 114a 内壁 114b 底壁 115a 排出管 115b 排出管 115c 排出管 116b 底壁 117 排氣管 120 舉升裝置 124 可動軸 17 201003767 126 驅動裝置 130 旋轉座 132 旋轉軸 134 旋轉組件 135 支撐銷 136 爽頭銷 200 流體供應器 210 第一擺動喷嘴器 212 第一喷嘴 220 第二擺動喷嘴器 230 固定喷嘴器 232 喷嘴 240 控制器 270 第一供應器 272 供應管 274 化學儲存器 276 閥體 280 第二供應器 282 供應管 284 去離子水儲存器 286 閥體 287 加熱器 288 冷卻器 18

Claims (1)

1. 201003767 七、申請專利範圍： 1. 一種用於蝕刻基板表面之基板處理方法，該方 法包括： 透過一第一喷嘴注入一钱刻劑至一旋轉基板之中 心部位；及 透過一第二喷嘴注入一防蝕液體以稀釋該蝕刻 劑，其中該第二喷嘴係設置於相隔於該基板中心部位一 預定位置。 2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中 注入該防蝕液體之該第二喷嘴，由該預定位置朝該基板 之一邊緣部份持續移動。 3. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中 注入該防蝕液體之該第二喷嘴，自該預定位置朝該基板 之該邊緣部位持續移動過程中，至少會暫停一次。 4. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中 該防蝕液體和該蝕刻劑係以相同時段被注入予該基板。 i 5. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中 該防蝕液體係於加熱後被注入予基板。 6. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中 該防蝕液體係於冷卻後被注入予基板。 7. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，藉由 該#刻劑配合該防姓液體#刻該基板表面，其中钱刻率 係根據該防蝕液體之供給量、溫度或注入位置而變化。 8. —種用於蝕刻基板表面之基板處理方法，該方 法包括供應一餘刻劑和一防姓液體予一基板，藉由該餘 19 201003767 刻劑與該防蝕液體蝕刻該基板，其中該蝕刻劑和該防蝕 液體被注入於該基板的不同區域，該钱刻劑與該防独液 體於不同區域中至少有一部分會互相重疊。 9. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中 被注入該蝕刻劑之基板區域大於被注入該防蝕液體之 基板區域。 10. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中 該蝕刻劑和該防蝕液體分別於一預定時段被注入於該 基板，且至少一時段該蝕刻劑與該防蝕液體被同時注 入0 11.如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中 該蝕刻劑係被注入至該基板的中心部分。 ^ 12.如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中 違飾刻劑係被注入至基板之整個區域，而該防蝕液體被 注入該基板中心區域以外之所有區域。 ^ 13.如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中 $基板被旋轉，該敍刻劑係直接被注入至基板的旋轉中 u且该防蝕液體係直接被注入相隔於基板中 心部分一 預定位置。 14·如申請專利範圍第13項之基板處理方法，其 左入该防蝕液體之一注入位置係隨時間而變化。 15.如申請專利範圍第13項之基板處理方法，其 八〜該⑽㈣之該注人位置係自該基板之中央部 /刀至邊緣部分之方向予以改變。 20 201003767 16. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，t 該防#液體係於加熱或冷卻後被注入至該基板。” 17. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，复 §亥防蚀/夜體係為去離子水或惰性氣體。 18. —種用於蝕刻基板表面之基板處理 置包括有： 夏孩裝 -旋轉座’組裝於用以支撐—基板之—處 轉座可於該處旋轉； 疑

   一第一噴嘴，組裝於旋轉座上，係注 該基板； _劑於 -第二噴嘴，設置於旋轉座，於製程中注入防 體於該基板；及 -控制器’被設置成控制該第—嘴嘴注人餘刻鋼於 該基板巾讀置無第二喷纽人防崎齡該基、 中心區域以外之區域。 & 19·如中請專利範圍第18項之基板處理方法 -步地包括-絲子水供絲，係供應―去離子水 第二喷嘴，該去離子水係為該防蝕液體。 - 20.如申請專利範圍第19項之基板處理方法，苴 中：供應器至少包括:一加熱器，係加熱該第 離子水;"卻器’係冷卻該第二嘴嘴 21·如申請專利範圍帛19項之基板處理方法 中該控制器係控制該第二喷嘴，藉此，該第二喷兮 預定位置至該基板之該邊緣位置注人⑽液體之去離μ 201003767 子水。 22