CN107170693A - 工艺液体供给方法及装置 - Google Patents

工艺液体供给方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107170693A
CN107170693A CN201610126910.3A CN201610126910A CN107170693A CN 107170693 A CN107170693 A CN 107170693A CN 201610126910 A CN201610126910 A CN 201610126910A CN 107170693 A CN107170693 A CN 107170693A
Authority
CN
China
Prior art keywords
process liquid
spray unit
substrate
liquid spray
support arm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610126910.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107170693B (zh
Inventor
张修凯
张宏文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HONGSU TECH Co Ltd
Grand Plastic Technology Corp
Original Assignee
HONGSU TECH Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HONGSU TECH Co Ltd filed Critical HONGSU TECH Co Ltd
Priority to CN201610126910.3A priority Critical patent/CN107170693B/zh
Publication of CN107170693A publication Critical patent/CN107170693A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107170693B publication Critical patent/CN107170693B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种工艺液体供给方法及装置,所述方法包含:控制第一工艺液体喷洒单元在基板的中心位置的上方停留并喷洒第一工艺液体,同时控制第二工艺液体喷洒单元移动至所述基板的边缘,并且喷洒第二工艺液体;升高所述第一工艺液体喷洒单元的位置,停止所述第一工艺液体的喷洒及控制所述第二工艺液体喷洒单元移动至所述基板的所述中心位置的上方并继续喷洒所述第二工艺液体;以及控制所述第一工艺液体喷洒单元移动至第一原点及所述第二工艺液体喷洒单元自所述中心位置朝远离第二原点的方向移动并继续喷洒所述第二工艺液体。

Description

工艺液体供给方法及装置
技术领域
本发明涉及一种工艺液体供给方法及装置,特别是涉及一种适用于基板处理的工艺液体供给方法及装置。
背景技术
请参照图1,其显示一种传统的工艺液体供给装置100的上视图。所述工艺液体供给装置100包含一第一工艺液体喷洒单元110、一第二工艺液体喷洒单元120、一旋转平台130以及位在所述旋转平台130外侧的一第一原点140和一第二原点150。所述第一工艺液体喷洒单元110包含一第一基座112、一第一支臂114和一第一喷嘴116,其中所述第一基座112设置在所述旋转平台130的外侧,并且所述第一支臂114的一端固定在所述第一基座112上,所述第一支臂114的另一端与所述第一喷嘴116连接。同样地,所述第二工艺液体喷洒单元120包含一第二基座122、一第二支臂124和一第二喷嘴126,其中所述第二基座122设置在所述旋转平台130的外侧,并且所述第二支臂124的一端固定在所述第二基座122上,所述第二支臂124的另一端与所述第二喷嘴126连接。
当使用所述工艺液体供给装置100处理一基板W时,先通过所述第一工艺液体喷洒单元110在所述基板W的上方沿一第一路径R1依序喷洒化学蚀刻液体以及清洗液体,接着再换为使用所述第二工艺液体喷洒单元120在所述基板W的上方沿一第二路径R2喷洒清洗液体。应当注意的是,由于所述第一工艺液体喷洒单元110与所述第二工艺液体喷洒单元120采用相同的构型(例如,所述第一工艺液体喷洒单元110的所述第一支臂114和所述第一喷嘴116之间夹角为直角,以及所述第二工艺液体喷洒单元120的所述第二支臂124和所述第二喷嘴126之间夹角也一样为直角),且所述二喷嘴116、126为在同一水平平面运动通过所述基板W的中心位置O;因此,当所述第一工艺液体喷洒单元110作动时,为避免两个工艺液体喷洒单元之间互相干涉,必须先将所述第二工艺液体喷洒单元120设定在停放于所述第二原点150。同理,当所述第二工艺液体喷洒单元120作动时,同样为避免两个工艺液体喷洒单元之间互相干涉,必须先将所述第一工艺液体喷洒单元110设定在停放于所述第一原点140。
然而,当所述第一工艺液体喷洒单元110与所述第二工艺液体喷洒单元120在交接时,所述基板W会有一段时间没有被施加工艺液体。具体而言,请参照图2,其显示一种传统的工艺液体供给方法的流程图,尤其指当所述第一工艺液体喷洒单元110与所述第二工艺液体喷洒单元120在交接时的流程图。首先,当所述第一工艺液体喷洒单元110在所述基板W的上方沿所述第一路径R1(由A点经O点至B点)依序喷洒化学蚀刻液体以及清洗液体后,进行步骤S11:控制所述第一工艺液体喷洒单元110停留在所述基板W的边缘的A点并且停止喷洒清洗液体。接着,进行步骤S12:控制所述第一工艺液体喷洒单元110沿一垂直方向Z向上抬升,其中在将所述第一工艺液体喷洒单元110抬升的步骤中会耗费约1.5秒的时间。接着,进行步骤S13:控制所述第一工艺液体喷洒单元110从所述A点移动至所述第一原点140,其中在将所述第一工艺液体喷洒单元110从所述A点移动至所述第一原点140的步骤中会耗费约1秒的时间。接着,进行步骤S14:控制所述第二工艺液体喷洒单元120从所述第二原点150移动至所述基板W的边缘的C点,其中在将所述第二工艺液体喷洒单元120从所述第二原点150移动至所述C点的步骤中会耗费约2秒的时间。接着,进行步骤S15:控制所述第二工艺液体喷洒单元120沿所述垂直方向Z下降,其中在将所述第二工艺液体喷洒单元120下降的步骤中会耗费约1.5秒的时间。最后,进行步骤S16:控制所述第二工艺液体喷洒单元120在所述基板W的上方沿所述第二路径R2(由C点经O点至D点)喷洒清洗液体。
因此,当所述第一工艺液体喷洒单元110与所述第二工艺液体喷洒单元120在交接时,所述基板W会有大约6秒的时间没有被施加清洗液体。在这段时间内,容易发生因化学蚀刻液体残留而与所述基板W进行非预期的化学反应,进而影响产品品质的问题。
有鉴于此,有必要提出一种新的工艺液体供给方法及装置,能有效避免因等待所述第一工艺液体喷洒单元110与所述第二工艺液体喷洒单元120交接,而造成所述基板W会有一段时间没有被施加清洗液体,进而导致残留的化学蚀刻液体与所述基板W进行非预期的化学反应所造成的在制造过程中变异问题。
发明内容
为解决上述现有技术的问题,本发明的目的在于提供一种工艺液体供给方法及装置,通过改变工艺液体供给装置的第一工艺液体喷洒单元和第二工艺液体喷洒单元的作动时序,以及改变所述第二工艺液体喷洒单元的结构,使得所述第一工艺液体喷洒单元和所述第二工艺液体喷洒单元在进行交接时,不会中断清洗液的供给,进而避免基板的表面因化学蚀刻液体的残留而导致在制造过程中变异问题。
为达成上述目的,本发明提供一种工艺液体供给方法,适用于基板处理,包含:控制一第一工艺液体喷洒单元在所述基板的中心位置的上方停留并喷洒一第一工艺液体,同时控制一第二工艺液体喷洒单元移动至所述基板的边缘,并且开始喷洒一第二工艺液体;升高所述第一工艺液体喷洒单元的位置,停止所述第一工艺液体的喷洒及控制所述第二工艺液体喷洒单元移动至所述基板的所述中心位置的上方并继续喷洒所述第二工艺液体;以及控制所述第一工艺液体喷洒单元移动至一第一原点及所述第二工艺液体喷洒单元自所述中心位置朝远离一第二原点的方向移动并继续喷洒所述第二工艺液体。
于本发明其中之一优选实施例当中,当所述第二工艺液体喷洒单元移动到所述基板的所述中心位置上方时,所述第一工艺液体喷洒单元依然持续在所述基板的上方喷洒所述第一工艺液体,直到所述第二工艺液体喷洒单元快到达所述基板的所述中心位置的上方时,所述第一工艺液体喷洒单元才往上移并停止喷洒所述第一工艺液体。
于本发明其中之一优选实施例当中,在控制所述第二工艺液体喷洒单元移动至所述基板的边缘之前,所述第二工艺液体喷洒单元停放在所述第二原点。
于本发明其中之一优选实施例当中,在控制所述第一工艺液体喷洒单元在所述基板的所述中心位置的上方停留并喷洒所述第一工艺液体之前,还包括:控制所述第一工艺液体喷洒单元在所述基板上方沿一第一路径喷洒一化学蚀刻液体。
于本发明其中之一优选实施例当中,所述第一工艺液体喷洒单元包含一第一基座、一第一支臂以及一第一喷嘴,所述第一支臂的一端固定在所述第一基座上,且另一端与所述第一喷嘴连接,其中所述第一工艺液体喷洒单元通过控制所述第一支臂的转动,以控制所述第一喷嘴的移动。
于本发明其中之一优选实施例当中,所述第一工艺液体喷洒单元的所述第一支臂与所述第一喷嘴垂直。
于本发明其中之一优选实施例当中,所述第二工艺液体喷洒单元包含一第二基座、一第二支臂以及一第二喷嘴,所述第二支臂的一端固定在所述第二基座上,且另一端与所述第二喷嘴连接,其中所述第二工艺液体喷洒单元通过控制所述第二支臂的转动,以控制所述第二喷嘴的移动。
于本发明其中之一优选实施例当中,所述第二工艺液体喷洒单元的所述第二支臂与所述第二喷嘴之间的夹角为一钝角。
于本发明其中之一优选实施例当中,当所述第一工艺液体喷洒单元以及所述第二工艺液体喷洒单元同时位在所述基板的所述中心位置的上方时,所述第一工艺液体喷洒单元的未端与所述第二工艺液体喷洒单元的末端相距一纵向距离。
于本发明其中之一优选实施例当中,所述第一工艺液体和所述第二工艺液体为去离子水。
本发明还提供一种工艺液体供给装置,用于基板处理,包含:一旋转平台用于放置一基板;一第一工艺液体喷洒单元,用于在所述基板上方沿一第一路径喷洒一第一工艺液体;以及一第二工艺液体喷洒单元,用于在所述基板上方沿一第二路径喷洒一第二工艺液体,其中当所述第二工艺液体喷洒单元从所述基板的边缘往所述基板的中心位置移动时,所述第一工艺液体喷洒单元停留在所述基板的所述中心位置的上方并且沿一垂直方向向上抬升,使得当所述第一工艺液体喷洒单元以及所述第二工艺液体喷洒单元同时位在所述基板的所述中心位置的上方时,所述第一工艺液体喷洒单元的未端与所述第二工艺液体喷洒单元的末端相距一纵向距离。
本发明还提供一种工艺液体供给装置,用于基板处理,包含:一旋转平台用于放置一基板;至少一第一工艺液体喷洒单元具有一第一喷嘴可施加第一工艺液体至所述基板上;及至少一第二工艺液体喷洒单元具有一第二喷嘴可施加第二工艺液体至所述基板上;其中,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴可同时移动至所述基板中心位置的上方而彼此之间不会相互干涉。
于本发明其中之一优选实施例当中,所述至少第一工艺液体喷洒单元具有一第一支臂以支撑所述第一喷嘴,所述第一支臂与所述第一喷嘴垂直,所述至少第二工艺液体喷洒单元具有一第二支臂以支撑所述第二喷嘴,所述第二支臂与所述第二喷嘴间呈一钝角,且当所述第一喷嘴和所述第二喷嘴同时移动至所述基板中心位置的上方时,所述第一喷嘴位在所述第二喷嘴的上方。
于本发明其中之一优选实施例当中,当所述第二喷嘴移动快到达所述基板的所述中心位置的上方时,所述至少第一工艺液体喷洒单元可向上移动一距离。
附图说明
图1显示一种传统的工艺液体供给装置的上视图;
图2显示一种传统的工艺液体供给方法的流程图;
图3显示一种根据本发明优选实施例的工艺液体供给装置的立体视图;
图4显示图3的工艺液体供给装置的前视图;以及
图5显示一种根据本发明优选实施例的工艺液体供给方法的流程图。
具体实施方式
为了让本发明的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂,下文将特举本发明优选实施例,并配合附图,作详细说明如下。
请参照图3和图4,其中图3显示一种根据本发明优选实施例的工艺液体供给装置200的立体视图,以及图4显示图3的工艺液体供给装置200的前视图,其中在图4中所述工艺液体供给装置200的一外壳是被移去以便更清楚显示其内部结构。本发明的所述工艺液体供给装置200用于处理一基板W,例如:半导体晶圆、构装用玻璃基板、液晶显示器用的玻璃基板、光罩玻璃基板、光碟基板、磁性基板、光电基板等,其中在本发明的实施例中是以半导体晶圆作为示例,惟不局限于此。
所述工艺液体供给装置200包含一第一工艺液体喷洒单元210、一第二工艺液体喷洒单元220、一旋转平台230以及位在所述旋转平台230外侧的一第一原点240和一第二原点250。所述第一工艺液体喷洒单元210包含一第一基座212、一第一支臂214和一第一喷嘴216,其中所述第一基座212设置在所述旋转平台230的外侧,并且所述第一支臂214的一端固定在所述第一基座212上,所述第一支臂214的另一端与所述第一喷嘴216连接。相似地,所述第二工艺液体喷洒单元220包含一第二基座222、一第二支臂224和一第二喷嘴226,其中所述第二基座222设置在所述旋转平台230的外侧,并且所述第二支臂224的一端固定在所述第二基座222上,所述第二支臂224的另一端与所述第二喷嘴226连接。应当注意的是,所述第一工艺液体喷洒单元210的所述第一支臂214与所述第一喷嘴216之间的夹角Φ大致上为直角,以及所述第二工艺液体喷洒单元220的所述第二支臂224与所述第二喷嘴226之间的夹角θ为一钝角。
如图3所示,所述第一工艺液体喷洒单元210通过控制所述第一支臂214的转动,以控制所述第一喷嘴216在所述基板W上方沿一第一路径R1喷洒工艺液体,或者控制所述第一喷嘴216停放在所述第一原点240上。同理,所述第二工艺液体喷洒单元220通过控制所述第二支臂224的转动,以控制所述第二喷嘴226在所述基板W上方沿一第二路径R2喷洒工艺液体或者控制所述第二喷嘴226停放在所述第二原点250上。
更详言之,所述第一工艺液体喷洒单元210的所述第一喷嘴216和所述第二工艺液体喷洒单元220的所述第二喷嘴226最初是分别停放在所述第一原点240和所述第二原点250上。当在所述工艺液体供给装置200的所述旋转平台230上放置待处理的基板W后,所述第一工艺液体喷洒单元210先被启动,并且从所述第一原点240朝所述旋转平台230的方向转动。当所述第一工艺液体喷洒单元210到达所述基板W边缘的A点后,所述第一工艺液体喷洒单元210的所述第一基座212会带动所述第一支臂214和所述第一喷嘴216沿一垂直方向Z一齐下降直到与所述旋转平台230相距一适当的高度后,所述第一工艺液体喷洒单元210开始沿着所述第一路径R1(从所述基板W边缘的A点经中心位置O到B点之间的路径)来回地喷洒一种化学蚀刻液体,用于对所述基板W的表面进行蚀刻或清洁脏污等处理。一段时间后,所述第一工艺液体喷洒单元210会切换为喷洒一第一工艺液体,所述第一工艺液体为一种清洗液体,例如去离子水,用于冲洗残留在所述基板W的表面上的所述化学蚀刻液体。
接着,所述第二工艺液体喷洒单元220会与所述第一工艺液体喷洒单元210进行交替。通过控制所述第二工艺液体喷洒单元220在所述基板W上方沿一有别于所述第一路径R1的第二路径R2(从所述基板W边缘的C点经中心位置O到D点之间的路径)喷洒一用于清洗所述基板W表面的第二工艺液体,例如去离子水,进而确保所述基板W表面不会有化学蚀刻液体的残留。应当注意的是,在所述第二工艺液体喷洒单元220与所述第一工艺液体喷洒单元210交替时,所述基板W的表面持续地保持在有被施加所述清洗液体的状态,所述第二工艺液体喷洒单元220与所述第一工艺液体喷洒单元210交替步骤详述如下。
请参照图5,其显示一种根据本发明优选实施例的工艺液体供给方法的流程图,尤其指当所述第一工艺液体喷洒单元210与所述第二工艺液体喷洒单元220在交接时的流程图。
当所述第一工艺液体喷洒单元210从喷洒化学蚀刻液体切换成喷洒所述清洗液体(即,所述第一工艺液体)一段时间后,首先进行步骤S21:控制所述第一工艺液体喷洒单元210在所述基板W的中心位置O的上方停留并喷洒所述第一工艺液体,同时控制所述第二工艺液体喷洒单元220移动至所述基板W的边缘的C点,并且开始喷洒一第二工艺液体。应当注意的是,在步骤S21时,所述第二工艺液体喷洒单元220是从所述第二原点250朝所述旋转平台230的方向转动,直到到达所述基板W边缘的C点后,所述第二工艺液体喷洒单元220的所述第二基座222会带动所述第二支臂224和所述第二喷嘴226沿一垂直方向Z一齐下降直到与所述旋转平台230相距一适当的高度,之后才开始喷洒所述第二工艺液体。
接着,进行步骤S22:升高所述第一工艺液体喷洒单元210的位置,停止所述第一工艺液体的喷洒及控制所述第二工艺液体喷洒单元220移动至所述基板W的所述中心位置O的上方,同时,所述第二工艺液体喷洒单元220继续喷洒所述第二工艺液体。应当注意的是,当所述第二工艺液体喷洒单元220从所述基板W边缘的C点移动到所述基板W的所述中心位置O上方时,所述第一工艺液体喷洒单元210依然持续在所述基板W的上方喷洒所述第一工艺液体,直到所述第二工艺液体喷洒单元220快到达所述基板W的所述中心位置O的上方时,所述第一工艺液体喷洒单元210才往上移并停止喷洒所述第一工艺液体。在此,当所述第一工艺液体喷洒单元210停止喷洒所述第一工艺液体时,所述第一工艺液体喷洒单元210的所述第一基座212带动所述第一支臂214和所述第一喷嘴216沿一垂直方向Z一齐向上抬升至和所述旋转平台230之间有一适当距离的高度。可以理解的是,由于所述第二工艺液体喷洒单元220采用将所述第二支臂224与所述第二喷嘴226之间的夹角θ设置为一钝角的设计,使得即使所述第一工艺液体喷洒单元210和所述第二工艺液体喷洒单元220一同位在所述基板W的所述中心位置O的上方时,两者之间不会互相干涉,并且所述第一工艺液体喷洒单元210的所述第一喷嘴216的未端与所述第二工艺液体喷洒单元220的所述第二喷嘴226的末端保持在相距一纵向距离H(请参照图4)。
接着,进行步骤S23:控制所述第一工艺液体喷洒单元210移动至所述第一原点240及所述第二工艺液体喷洒单元220自所述中心位置O朝远离所述第二原点250的方向移动以沿着所述第二路径R2来回地继续喷洒所述第二工艺液体。
综上所述,本发明通过在所述中心位置O升高所述第一工艺液体喷洒单元210的位置,并且将所述第二工艺液体喷洒单元220的所述第二支臂224与所述第二喷嘴226之间的夹角θ设置为一钝角的设计,使得即使所述第一工艺液体喷洒单元210和所述第二工艺液体喷洒单元220一同位在所述基板W的所述中心位置O的上方时,两者之间不会互相干涉,使得所述第一工艺液体喷洒单元210和所述第二工艺液体喷洒单元220两者可在所述基板W的上方顺利地交替,并且不间断清洗液的供给,进而避免所述基板W的表面因化学蚀刻液体的残留而导致在制造过程中变异问题。

Claims (19)

1.一种工艺液体供给方法,适用于基板处理,其特征在于,所述工艺液体供给方法包含:
控制一第一工艺液体喷洒单元在所述基板的中心位置的上方停留并喷洒一第一工艺液体,同时控制一第二工艺液体喷洒单元移动至所述基板的边缘,并且开始喷洒一第二工艺液体;
升高所述第一工艺液体喷洒单元的位置,停止所述第一工艺液体的喷洒及控制所述第二工艺液体喷洒单元移动至所述基板的所述中心位置的上方并继续喷洒所述第二工艺液体;以及
控制所述第一工艺液体喷洒单元移动至一第一原点及所述第二工艺液体喷洒单元自所述中心位置朝远离一第二原点的方向移动并继续喷洒所述第二工艺液体。
2.如权利要求1所述的工艺液体供给方法,其特征在于,当所述第二工艺液体喷洒单元移动到所述基板的所述中心位置上方时,所述第一工艺液体喷洒单元依然持续在所述基板的上方喷洒所述第一工艺液体,直到所述第二工艺液体喷洒单元快到达所述基板的所述中心位置的上方时,所述第一工艺液体喷洒单元才往上移并停止喷洒所述第一工艺液体。
3.如权利要求1所述的工艺液体供给方法,其特征在于,在控制所述第二工艺液体喷洒单元移动至所述基板的边缘之前,所述第二工艺液体喷洒单元停放在所述第二原点。
4.如权利要求1所述的工艺液体供给方法,其特征在于,在控制所述第一工艺液体喷洒单元在所述基板的所述中心位置的上方停留并喷洒所述第一工艺液体之前,还包括:控制所述第一工艺液体喷洒单元在所述基板上方沿一第一路径喷洒一化学蚀刻液体。
5.如权利要求4所述的工艺液体供给方法,其特征在于,所述第一工艺液体喷洒单元包含一第一基座、一第一支臂以及一第一喷嘴,所述第一支臂的一端固定在所述第一基座上,且另一端与所述第一喷嘴连接,其中所述第一工艺液体喷洒单元通过控制所述第一支臂的转动,以控制所述第一喷嘴的移动。
6.如权利要求5所述的工艺液体供给方法,其特征在于,所述第一工艺液体喷洒单元的所述第一支臂与所述第一喷嘴垂直。
7.如权利要求1所述的工艺液体供给方法,其特征在于,所述第二工艺液体喷洒单元包含一第二基座、一第二支臂以及一第二喷嘴,所述第二支臂的一端固定在所述第二基座上,且另一端与所述第二喷嘴连接,其中所述第二工艺液体喷洒单元通过控制所述第二支臂的转动,以控制所述第二喷嘴的移动。
8.如权利要求7所述的工艺液体供给方法,其特征在于,所述第二工艺液体喷洒单元的所述第二支臂与所述第二喷嘴之间的夹角为一钝角。
9.如权利要求1所述的工艺液体供给方法,其特征在于,当所述第一工艺液体喷洒单元以及所述第二工艺液体喷洒单元同时位在所述基板的所述中心位置的上方时,所述第一工艺液体喷洒单元的未端与所述第二工艺液体喷洒单元的末端相距一纵向距离。
10.如权利要求1所述的工艺液体供给方法,其特征在于,所述第一工艺液体和所述第二工艺液体为去离子水。
11.一种工艺液体供给装置,用于基板处理,其特征在于,所述工艺液体供给装置包含:
一旋转平台用于放置一基板;
一第一工艺液体喷洒单元,用于在所述基板上方沿一第一路径喷洒一第一工艺液体;以及
一第二工艺液体喷洒单元,用于在所述基板上方沿一第二路径喷洒一第二工艺液体,其中当所述第二工艺液体喷洒单元从所述基板的边缘往所述基板的中心位置移动时,所述第一工艺液体喷洒单元停留在所述基板的所述中心位置的上方并且沿一垂直方向向上抬升,使得当所述第一工艺液体喷洒单元以及所述第二工艺液体喷洒单元同时位在所述基板的所述中心位置的上方时,所述第一工艺液体喷洒单元的未端与所述第二工艺液体喷洒单元的末端相距一纵向距离。
12.如权利要求11所述的工艺液体供给装置,其特征在于,所述第一工艺液体喷洒单元包含一第一基座、一第一支臂以及一第一喷嘴,所述第一支臂的一端固定在所述第一基座上,且另一端与所述第一喷嘴连接,其中所述第一工艺液体喷洒单元通过控制所述第一支臂的转动,以控制所述第一喷嘴的移动。
13.如权利要求12所述的工艺液体供给装置,其特征在于,所述第一工艺液体喷洒单元的所述第一支臂与所述第一喷嘴垂直。
14.如权利要求11所述的工艺液体供给装置,其特征在于,所述第二工艺液体喷洒单元包含一第二基座、一第二支臂以及一第二喷嘴,所述第二支臂的一端固定在所述第二基座上,且另一端与所述第二喷嘴连接,其中所述第二工艺液体喷洒单元通过控制所述第二支臂的转动,以控制所述第二喷嘴的移动。
15.如权利要求14所述的工艺液体供给装置,其特征在于,所述第二工艺液体喷洒单元的所述第二支臂与所述第二喷嘴之间的夹角为一钝角。
16.一种工艺液体供给装置,用于基板处理,其特征在于,所述工艺液体供给装置包含:
一旋转平台用于放置一基板;
至少一第一工艺液体喷洒单元具有一第一喷嘴可施加第一工艺液体至所述基板上;以及
至少一第二工艺液体喷洒单元具有一第二喷嘴可施加第二工艺液体至所述基板上;
其中,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴可同时移动至所述基板中心位置的上方而彼此之间不会相互干涉。
17.如权利要求16所述的工艺液体供给装置,其特征在于,所述至少第一工艺液体喷洒单元具有一第一支臂以支撑所述第一喷嘴,所述第一支臂与所述第一喷嘴垂直,所述至少第二工艺液体喷洒单元具有一第二支臂以支撑所述第二喷嘴,所述第二支臂与所述第二喷嘴间呈一钝角,且当所述第一喷嘴和所述第二喷嘴同时移动至所述基板中心位置的上方时,所述第一喷嘴位在所述第二喷嘴的上方。
18.如权利要求17所述的工艺液体供给装置,其特征在于,当所述第二喷嘴移动快到达所述基板的所述中心位置的上方时,所述至少第一工艺液体喷洒单元可向上移动一距离。
19.如权利要求16所述的工艺液体供给装置,其特征在于,当所述第二喷嘴移动快到达所述基板的所述中心位置的上方时,所述至少第一工艺液体喷洒单元可向上移动一距离。
CN201610126910.3A 2016-03-07 2016-03-07 工艺液体供给方法及装置 Active CN107170693B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610126910.3A CN107170693B (zh) 2016-03-07 2016-03-07 工艺液体供给方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610126910.3A CN107170693B (zh) 2016-03-07 2016-03-07 工艺液体供给方法及装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107170693A true CN107170693A (zh) 2017-09-15
CN107170693B CN107170693B (zh) 2020-03-31

Family

ID=59849749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610126910.3A Active CN107170693B (zh) 2016-03-07 2016-03-07 工艺液体供给方法及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107170693B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030196986A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Kang Tsung-Kuei Puddle etching method of thin film by using spin-processor
CN101615572A (zh) * 2008-06-24 2009-12-30 细美事有限公司 用于有选择地蚀刻基板表面的基板处理装置和方法
US20100203250A1 (en) * 2009-02-06 2010-08-12 Tokyo Electron Limited Developing device, developing method and storage medium
CN103447256A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 细美事有限公司 清洁基板的设备和方法
CN104465314A (zh) * 2013-09-23 2015-03-25 弘塑科技股份有限公司 芯片堆叠结构的干燥方法及其系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030196986A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Kang Tsung-Kuei Puddle etching method of thin film by using spin-processor
CN101615572A (zh) * 2008-06-24 2009-12-30 细美事有限公司 用于有选择地蚀刻基板表面的基板处理装置和方法
US20100203250A1 (en) * 2009-02-06 2010-08-12 Tokyo Electron Limited Developing device, developing method and storage medium
CN103447256A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 细美事有限公司 清洁基板的设备和方法
CN104465314A (zh) * 2013-09-23 2015-03-25 弘塑科技股份有限公司 芯片堆叠结构的干燥方法及其系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN107170693B (zh) 2020-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4757126B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR102285832B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US6325698B1 (en) Cleaning method and polishing apparatus employing such cleaning method
KR100451615B1 (ko) 폴리싱장치
JP5405887B2 (ja) 研磨装置及び研磨方法
EP1737025A1 (en) Board cleaning apparatus, board cleaning method, and medium with recorded program to be used for the method
US20130098397A1 (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
JPH11347917A (ja) ポリッシング装置
KR102229920B1 (ko) 화학 기계적 평탄화 후의 기판 버프 사전 세정을 위한 시스템, 방법 및 장치
KR101042316B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2016043471A (ja) 基板処理装置
US20070193607A1 (en) Methods and apparatus for cleaning edges of a substrate
CN110957208A (zh) 晶圆洗边方法及晶圆清洗装置
JP2007036152A (ja) ウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置
JP7491774B2 (ja) 基板保持回転機構、基板処理装置
JP2015037147A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
CN107170693A (zh) 工艺液体供给方法及装置
JP2008302469A (ja) 研磨剤サックバック機構を有するカラーフィルタ研磨装置及びカラーフィルタ研磨方法及びカラーフィルタの製造方法
US20200262029A1 (en) Grinding apparatus
KR101098365B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2014150136A (ja) 基板処理装置
KR20070035282A (ko) 반도체 소자의 제조에 사용되는 화학적기계적 연마 장비
TWI633939B (zh) 製程液體供給方法及裝置
KR101587006B1 (ko) 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 다단계 세정 장치 및 이에 사용되는 웨이퍼 이송 기구
JPH02252238A (ja) 基板の洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant