JP7101083B2 - 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 - Google Patents

基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 Download PDF

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Description

本開示は、基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体に関する。
特許文献１では、基板を処理する処理液を処理液循環部において循環させ、処理液循環部から分岐して排出される処理液排出部において、排出された処理液中の濃度を濃度センサで計測する基板液処理装置が開示されている。
特開２０１６－１４３６８４号公報
本開示は、処理液内の特定の成分の濃度変更を精度よく行うことが可能な技術を提供する。
本開示の一態様による基板液処理装置は、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽に対して前記処理液を供給する処理液供給部と、前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出部と、前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記処理槽に貯留された前記処理液における特定成分の濃度を変更する指示に基づいて、前記特定成分の現在の濃度に係る情報と、前記処理槽に貯留された前記処理液における単位時間あたりの前記特定成分の濃度上昇量に係る情報と、前記指示で示された変更後の前記特定成分の前記濃度に係る情報と、に基づき、前記処理槽からの前記処理液の排出量および前記処理槽への前記処理液の供給量を計算し、当該計算結果に基づいて前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御する。
一つの例示的実施形態に係る基板液処理装置によれば、処理液内の特定の成分の濃度変更を精度よく行うことが可能となる。
一つの例示的実施形態に係る基板液処理システムを模式的に示す平面図である。 一つの例示的実施形態に係る基板液処理装置の模式図である。 一つの例示的実施形態に係る基板液処理装置の制御部の機能的な構成を示すブロック図である。 一つの例示的実施形態に係る基板液処理装置におけるシリコン濃度制御を説明する図である。 一つの例示的実施形態に係る基板液処理方法に係るフローチャートである。 一つの例示的実施形態に係る基板液処理方法のシリコン濃度制御に係るフローチャートである。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
［基板液処理システム］
図１に示すように、基板液処理システム１Ａは、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御部７とを備える。
このうちキャリア搬入出部２は、複数枚（たとえば、２５枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入及び搬出を行う。このキャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ１０と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構１１と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック１２，１３と、キャリア９を載置するキャリア載置台１４とが設けられている。ここで、キャリアストック１２は、製品となる基板８をロット処理部６で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック１３は、製品となる基板８をロット処理部６で処理した後に一時的に保管する。
そして、キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ１０に搬入されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１２やキャリア載置台１４に搬送する。また、キャリア搬入出部２は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１３やキャリアステージ１０に搬送する。キャリアステージ１０に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。
ロット形成部３は、１又は複数のキャリア９に収容された基板８を組合せて同時に処理される複数枚（たとえば、５０枚）の基板８からなるロットを形成する。なお、ロットを形成するときは、基板８の表面にパターンが形成されている面を互いに対向するようにロットを形成してもよく、また、基板８の表面にパターンが形成されている面がすべて一方を向くようにロットを形成してもよい。このロット形成部３には、複数枚の基板８を搬送する基板搬送機構１５が設けられている。なお、基板搬送機構１５は、基板８の搬送途中で基板８の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。
そして、ロット形成部３は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９から基板搬送機構１５を用いて基板８をロット載置部４に搬送し、ロットを形成する基板８をロット載置部４に載置する。また、ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構１５でキャリア載置台１４に載置されたキャリア９へ搬送する。なお、基板搬送機構１５は、複数枚の基板８を支持するための基板支持部として、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）の基板８を支持する処理前基板支持部と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）の基板８を支持する処理後基板支持部の２種類を有している。これにより、処理前の基板８等に付着したパーティクル等が処理後の基板８等に転着するのを防止する。
ロット載置部４は、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットをロット載置台１６で一時的に載置（待機）する。このロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台１７と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台１８とが設けられている。搬入側ロット載置台１７及び搬出側ロット載置台１８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて載置される。
そして、ロット載置部４では、ロット形成部３で形成したロットが搬入側ロット載置台１７に載置され、そのロットがロット搬送部５を介してロット処理部６に搬入される。また、ロット載置部４では、ロット処理部６からロット搬送部５を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台１８に載置され、そのロットがロット形成部３に搬送される。
ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。このロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構１９が設けられている。ロット搬送機構１９は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール２０と、複数枚の基板８を保持しながらレール２０に沿って移動する移動体２１とで構成する。移動体２１には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を保持する基板保持体２２が進退自在に設けられている。
そして、ロット搬送部５は、搬入側ロット載置台１７に載置されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットをロット処理部６に受け渡す。また、ロット搬送部５は、ロット処理部６で処理されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台１８に受け渡す。さらに、ロット搬送部５は、ロット搬送機構１９を用いてロット処理部６の内部においてロットの搬送を行う。
ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を１ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。このロット処理部６には、基板８の乾燥処理を行う乾燥処理装置２３と、基板保持体２２の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置２４と、基板８の洗浄処理を行う洗浄処理装置２５と、基板８のエッチング処理を行う２台のエッチング処理装置２６とが並べて設けられている。
乾燥処理装置２３は、処理槽２７と、処理槽２７に昇降自在に設けられた基板昇降機構２８とを備える。処理槽２７には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構２８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置２３は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構２８で受取り、基板昇降機構２８でそのロットを昇降させることで、処理槽２７に供給した乾燥用の処理ガスで基板８の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置２３は、基板昇降機構２８からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。
基板保持体洗浄処理装置２４は、処理槽２９を有し、この処理槽２９に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構１９の基板保持体２２に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体２２の洗浄処理を行う。
洗浄処理装置２５は、洗浄用の処理槽３０とリンス用の処理槽３１とを有し、各処理槽３０，３１に基板昇降機構３２，３３を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽３０には、洗浄用の処理液（ＳＣ－１等）が貯留される。リンス用の処理槽３１には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。
エッチング処理装置２６は、エッチング用の処理槽３４とリンス用の処理槽３５とを有し、各処理槽３４，３５に基板昇降機構３６，３７が昇降自在に設けられている。エッチング用の処理槽３４には、エッチング用の処理液（燐酸水溶液）が貯留される。リンス用の処理槽３５には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。
これら洗浄処理装置２５とエッチング処理装置２６は、同様の構成となっている。エッチング処理装置２６について説明すると、基板昇降機構３６には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置２６において、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３６で受取り、基板昇降機構３６でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３４のエッチング用の処理液に浸漬させて基板８のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置２６は、基板昇降機構３６からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。また、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３７で受取り、基板昇降機構３７でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３５のリンス用の処理液に浸漬させて基板８のリンス処理を行う。その後、基板昇降機構３７からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。
制御部７は、基板液処理システム１Ａの各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６）の動作を制御する。この制御部７は、たとえばコンピュータからなり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体１３８を備える。記憶媒体１３８には、基板液処理システム１Ａにおいて実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部７は、記憶媒体１３８に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理システム１Ａの動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体１３８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体１３８にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体１３８としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
［基板液処理装置］
続いて、図２を参照して、基板液処理システム１Ａが含む基板液処理装置Ａ１について詳細に説明する。図２に示すように、基板液処理装置Ａ１は、エッチング処理装置２６を含んで構成されている。
エッチング処理装置２６は、所定濃度の薬剤（燐酸）の水溶液（例えば８８．３重量％の燐酸水溶液）をエッチング用の処理液として用いて基板８を液処理（エッチング処理）する。なお、上述した「８８．３重量％」は、処理液の濃度が所定の設定濃度に調整される場合の燐酸水溶液の濃度の一例を示しており、燐酸水溶液の濃度は適宜変更してもよい。エッチング処理装置２６は、図２に示すように、処理液貯留部３８と、処理液供給部３９と、処理液循環部４０と、処理液排出部４１とを備える。
処理液貯留部３８は、処理液を貯留し当該処理液により基板８を処理する。処理液貯留部３８は、処理槽３４と、外槽４２とを有する。処理液貯留部３８は、上部を開放させた処理槽３４の上部周囲に、上部を開放させた外槽４２を形成し、処理槽３４と外槽４２に処理液を貯留する。処理槽３４は、基板８を基板昇降機構３６によって浸漬させることにより液処理する処理液を貯留する。外槽４２は、処理槽３４からオーバーフローした処理液を貯留する。外槽４２に貯留された処理液は、処理液循環部４０によって処理槽３４に供給される。外槽４２には、液面センサー８０が設けられている。液面センサー８０は、処理液貯留部３８の外槽４２における液面高さを検出するセンサーである。液面センサー８０としては、液面高さを検出することが可能な各種センサーを用いることができる。液面センサー８０は、検出した液面高さを示す情報を制御部７に出力する。
処理液供給部３９は、処理液貯留部３８に処理液を供給する。処理液供給部３９は、水溶液供給部４３と、水供給部４４（純水供給部）とを備える。水溶液供給部４３は、水溶液供給源４５と、流量調整器４６とを有する。
水溶液供給源４５は、処理液貯留部３８に対して燐酸水溶液を供給する。水溶液供給源４５は、例えば８８．３重量％、２５℃の燐酸水溶液を供給する。水溶液供給源４５から供給される燐酸水溶液は、流路４３ａを介して処理液貯留部３８に供給される。流量調整器４６は、流路４３ａにおける水溶液供給源４５の下流側に設けられている。流量調整器４６は、制御部７に接続されており、制御部７によって開閉制御及び流量制御される。
水供給部４４は、処理液貯留部３８に水（純水）を供給する。水供給部４４は、所定温度（例えば、２５℃）の純水を供給するための水供給源４７を、処理液貯留部３８の外槽４２に流量調整器４８を介して接続する。流量調整器４８は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御及び流量制御される。
処理液循環部４０は、外槽４２内の処理液を処理槽３４に送る。処理液循環部４０は、循環流路４９と、ポンプ５０と、ヒーター５１と、フィルター５２と、シリコン濃度計５３（濃度計測部）を備える。循環流路４９は、処理液貯留部３８の外槽４２の底部から処理槽３４の底部に延びた流路である。循環流路４９には、ポンプ５０、ヒーター５１、フィルター５２、及び濃度計５３が上流側（外槽４２側）から下流側（処理槽３４側）に順に設けられている。ポンプ５０及びヒーター５１は制御部７に接続されており制御部７により駆動制御される。ポンプ５０は、処理液を上流側から下流側に圧送する。ヒーター５１は、処理液を設定温度（例えば１６５℃）まで加熱する。フィルター５２は、処理液中に混入したパーティクルを除去する。シリコン濃度計５３は、循環流路４９における処理液中のシリコン濃度を計測する。シリコン濃度計５３は、計測したシリコン濃度を制御部７に出力する。なお、シリコン濃度計５３は、処理液貯留部３８中の処理液を循環させる処理液循環部４０の循環流路４９に設けられているため、実質的に処理液貯留部３８中の処理液におけるシリコン濃度を計測している。
処理液排出部４１は、処理槽３４内から処理液を排出する。処理液排出部４１は、例えば、排液流路４１Ａと、バルブ４１Ｂとを有する。排液流路４１Ａは、処理槽３４内の処理液を導出する。排液流路４１Ａの一端部は処理槽３４の底部に接続されており、排液流路４１Ａの他端部は基板液処理システム１Ａの排液管（不図示）に接続されている。バルブ４１Ｂは、排液流路４１Ａに設けられている。バルブ４１Ｂは、制御部７に接続されており、制御部７によって開閉制御される。
続いて、図３を参照して、エッチング処理装置２６の制御部７について詳細に説明する。図３は、制御部７の機能的な構成を開示するブロック図である。図３に示すように、制御部７は、機能上の構成（機能モジュール）として、濃度変更情報保持部７１と、濃度情報保持部７２と、計算部７３と、処理液制御部７４とを備える。なお、図３では、制御部７のうち処理液中のシリコン濃度の制御を目的として処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御するための機能を有する構成を示している。したがって、燐酸濃度に係る制御等を行う構成については記載を省略しているが、図３に示す機能部の一部がその機能を兼ねている場合がある。
制御部７の濃度変更情報保持部７１は、処理液貯留部３８中の処理液におけるシリコン濃度に係る指示情報を保持する機能を有する。シリコン濃度に係る指示とは、特定の時間帯における処理液貯留部３８中の処理液におけるシリコン濃度を所定の濃度（範囲）とすることを指示する情報である。詳細は後述する。
濃度情報保持部７２は、濃度指示情報に基づいて処理液貯留部３８中の処理液におけるシリコン濃度を変化させるように制御部７が処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御する際に必要な情報を保持する機能を有する。濃度情報保持部７２において保持されるシリコン濃度に関連する情報としては、例えば、現在の処理液貯留部３８中の処理液におけるシリコン濃度に係る情報と、処理液貯留部３８中に貯留された処理液における単位時間あたりのシリコン濃度の上昇量に係る情報等が挙げられる。詳細は後述する。
計算部７３は、濃度変更情報保持部７１により保持されるシリコン濃度の変更に係る指示、および、濃度情報保持部７２において保持されるシリコン濃度に関連する情報に基づいて、処理液供給部３９による処理液貯留部３８への処理液の供給量（以下、「供給量」と記載する場合がある）、および、処理液排出部４１による処理液貯留部３８からの処理液の排出量（以下、「排出量」と記載する場合がある）を計算する。ここで、供給量とは単位時間当たりに供給される量をいい、同様に、排出量とは単位時間当たりに排出される量をいう。また、計算部７３は、シリコン濃度計５３から、処理液貯留部３８中に貯留された処理液中のシリコン濃度に係る情報を取得した場合には、当該情報を利用して、処理液の供給量および排出量を補正する機能も有する。
処理液制御部７４は、計算部７３による計算結果に基づいて、処理液供給部３９および処理液排出部４１の各部を制御する。具体的には、処理液供給部３９については、流量調整器４６、４８を制御し、処理液供給部３９から供給する処理液に係る制御を行う。また、処理液排出部４１については、バルブ４１Ｂを制御し、処理液排出部４１から排出する処理液に係る制御を行う。
制御部７は、上記の各部が機能することで、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度を制御する。制御部７は、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度を変化させる必要がある場合に、処理液供給部３９からの処理液の供給量および処理液排出部４１からの処理液の排出量を変化させた場合のシリコン濃度の変化を予測する。また、制御部７は、予測結果を利用して処理液供給部３９からの処理液の供給量および処理液排出部４１からの処理液の排出量を制御する。この点について、図４を参照しながら説明する。
図４は、時間ｔに応じた処理液貯留部３８での処理液中のシリコン濃度の変化を説明する図である。図４に示すＸ１およびＸ２は、濃度指示情報に基づいて指示されるシリコン濃度である。図４では、時刻ｔ１においてシリコン濃度をＸ１からＸ２へ変化させることが指示されている状態を示している。
一方、図４に示すｘは処理液貯留部３８での処理液の実際のシリコン濃度の変化の一例を示す破線である。処理液貯留部３８中に貯留される処理液のシリコン濃度は、処理液貯留部３８に投入された基板８から溶出するシリコンによって変化する。また、処理液供給部３９からの処理液の供給および処理液排出部４１からの処理液の排出によってもシリコン濃度は変化する。そのため、シリコン濃度は多少変動する場合がある。そのため、制御部７では、濃度Ｘ１を含む所定の濃度範囲Ｘ１０を設定し、処理液中のシリコン濃度が濃度範囲Ｘ１０に含まれるレベルで制御部７を制御する。濃度範囲Ｘ１０は、例えば、濃度Ｘ１を基点とした±２ｐｐｍとすることができる。また、同様に濃度Ｘ２に対しても濃度範囲Ｘ２０が設定されている。
制御部７は、処理液貯留部３８中に貯留される処理液のシリコン濃度を一定に保つ場合には、積分制御により制御を行う。積分制御としては、例えば、ＰＩＤ制御が挙げられる。制御部７は、積分制御を利用して、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度の変化が小さくなるように、処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御し、シリコン濃度を一定に保つために処理液の供給量および排出量を調整する。一方、処理液貯留部３８中に貯留される処理液のシリコン濃度を変化させる場合にも、制御部７は、処理液の供給量および排出量を変化させることで、処理液のシリコン濃度を変更する。
基板液処理装置Ａ１には、シリコン濃度計５３が設けられているが、シリコン濃度計５３による計測間隔がある程度長いため、シリコン濃度計５３の計測結果に基づいて処理液の供給量および排出量を制御しようとすると、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度の変更制御に時間がかかる場合がある。そこで、基板液処理装置Ａ１では、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度の変化を予測し、当該予測に基づいて処理液の供給量および排出量を変化させる。
処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度を変化させる場合の制御について、図４を参照しながらさらに説明する。図４では、時刻ｔ１において処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度をＸ１からＸ２へ変化させる指示がなされていることを示している。ただし、処理液貯留部３８における処理液中のシリコン濃度は、上述したように、基板８から溶出するシリコンの量、処理液供給部３９からの処理液の供給量、および、処理液排出部４１からの処理液の排出量によって変化する。そのため、処理液貯留部３８中の処理液シリコン濃度を一度にＸ１からＸ２へ変更させることはできない。そこで、制御部７では、濃度をＸ１からＸ２へ変更する際に、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度の濃度変化に係る設定曲線Ｃを作成する。図４に示す例では、濃度変化に係る設定曲線Ｃは、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間にシリコン濃度がＸ１からＸ２へ徐々に変更されることを示している。設定曲線Ｃをどのようなカーブと作成できるかは、基板液処理装置Ａ１の処理能力等によっても変化する。具体的には、処理液貯留部３８の容量、処理槽３４内でのシリコン濃度上昇量（単位時間あたりのシリコン濃度の上昇量）、基板液処理装置Ａ１における処理液の供給量（単位時間あたりの供給量）の上限、および、排出量（単位時間あたりの排出量）の上限によって、設定曲線Ｃを決めることができる。
なお、時刻ｔ２、すなわち、シリコン濃度をＸ１からＸ２へ変更するまでの所要時間については、基板液処理装置Ａ１の処理能力等に基づいて、シリコン濃度の変更を最速で行った場合の所要時間から設定することができる。また、シリコン濃度をＸ１からＸ２へ変更するまでの所要時間を予め定めておいて、時刻ｔ２を設定する構成としてもよい。
上記の要件に基づく処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度の変化について説明する。例えば、ｔ－１分前のシリコン濃度をＡｔ－１（ｐｐｍ）とし、処理槽３４内でのシリコン濃度上昇量をΔα（ｐｐｍ）とし、処理液貯留部３８および処理液貯留部３８の液体を循環する処理液循環部４０中の液体の総量をＶ（Ｌ）とし、処理液の供給量および排出量が同じであるとしその量をΔＥ（Ｌ）とすると、ｔ分時のシリコン濃度Ａｔ（ｐｐｍ）は次の数式（１）で算出することができる。なお、以下の数式（１）の場合、Δαは単位時間あたりのシリコン濃度の上昇量に対応する。また、ΔＥは単位時間あたりの処理液の供給量および排出量に対応する。
Figure 0007101083000001
上記の数式（１）で示したように、ある時点におけるシリコン濃度は、所定時間（ここでは１分間）でのシリコン濃度の変化量の範囲、処理液貯留部３８の容量、処理槽３４内での基板８からのシリコン溶出に伴うシリコン濃度上昇量、基板液処理装置Ａ１における処理液の供給量の上限、および、排出量によって決まる。したがって、制御部７では、これらの情報に基づいて設定曲線Ｃを求める。なお、上記の数式（１）は、シリコン濃度を処理液の供給量及び排出量により制御する場合の、シリコン濃度の計算方法の一例を示したものである。したがって、シリコン濃度の計算には、上記の数式を利用しなくてもよい。また、上記で示したパラメータ以外のパラメータを組み合わせて、シリコン濃度を計算するための数式を作成してもよい。また、例えば、上記の数式（１）では、シリコン濃度に関する情報として、右式にシリコン濃度上昇量を用いているが、シリコン濃度上昇量の代わりにシリコン溶出量を用いてもよい。シリコン溶出量とは、基板から処理液に溶け出すシリコンの量のことを意味する。シリコン溶出量を用いる場合には、右式の分子にシリコン溶出量を加えるとよい。
また、制御部７において設定曲線Ｃを設定することにより、処理液の供給量および排出量（上記の数式（１）でのＥに対応する量）が計算により算出されることになる。この結果、図４に示すように、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間において、処理液貯留部３８中の処理液の濃度が設定曲線Ｃに対応して変化させるための、処理液の供給量および排出量の設定値が算出される。上記の手順によって算出された時刻ｔ１から時刻ｔ２の間における処理液の供給量および排出量を、図４においてＦとして示している。制御部７では、この計算結果に沿って処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御し、処理液の供給量および排出量を制御することで、処理液貯留部３８中の濃度を設定曲線Ｃに対応した濃度変化となるように調整する。上記の方法によるシリコン濃度の制御、すなわち、処理液貯留部３８中の処理液の濃度を予測しながらの制御部７に制御を、本実施形態では予測制御という。
なお、処理槽３４内での基板８からのシリコン濃度上昇量に係る情報の取得方法は、特に限定されない。例えば、基板８を処理槽３４に貯留した状態であって処理液の供給および排出を利用したシリコン濃度の変化に係る制御を積極的に行わない状態での処理液中のシリコン濃度の変化をシリコン濃度計５３により計測することで、シリコン濃度上昇量に係る情報を得ることができる。また、基板８の処理を行う前に、事前に別途分析を行う等の方法を利用してシリコン濃度上昇量に係る情報を取得しておいてもよい。シリコン濃度上昇量に係る情報は、制御部７の濃度情報保持部７２に保持される。
また、設定曲線Ｃを設定する際に必要な他の情報、例えば、処理液貯留部３８の容量、基板液処理装置Ａ１における処理液の供給量（単位時間あたりの供給量）の上限、および、排出量（単位時間あたりの排出量）についても、濃度情報保持部７２に保持される。
上記の濃度調整方法では、シリコン濃度計５３による濃度の計測結果を使用していない。しかしながら、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度は、例えば、処理液の温度やシリコン溶出量の変化などにより、制御部７による予測結果と異なる値となる可能性がある。そこで、制御部７が、シリコン濃度計５３により計測された処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度の情報を取得した場合には、得られた計測結果に基づいて、設定曲線Ｃに対応するシリコン濃度とするための処理液の供給量および排出量に係る計算を再度行い、設定値を補正する。
図４に示す例では、時刻ｔ１０，ｔ１１，ｔ１２，ｔ１３がシリコン濃度計５３により計測されたシリコン濃度に係る情報を取得する時刻だとする。このうち、時刻ｔ１１および時刻ｔ１２は、予測制御によりシリコン濃度を変化させている段階でのシリコン濃度の計測となる。ここで、時刻ｔ１１におけるシリコン濃度の計測結果が、予測制御で想定していた時刻ｔ１１でのシリコン濃度とは異なっていたとする。このとき、制御部７では、予測制御により求められていた処理液の供給量および排出量を、シリコン濃度計５３から得られたシリコン濃度の情報に基づいて補正する。図４では、補正後の供給量および排出量（時刻ｔ１１から時刻ｔ１２の間の補正値）をＦ１として示している。制御部７は、補正後の供給量および排出量であるＦ１に基づいて、処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御する。このように、シリコン濃度計５３により計測されたシリコン濃度に係る情報を取得した場合には、当該情報を利用して、設定曲線Ｃに対応するシリコン濃度とするための処理液の供給量および排出量を補正する。これにより、設定曲線Ｃからの誤差を少なくしながら、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度の変化を制御することができる。
このように、制御部７では、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度を定期的（例えば、１分毎）に算出しながら、シリコン濃度を一定に保つ場合に行う制御（積分制御）と、所定の濃度（例えば濃度Ｘ２）までシリコン濃度を変化させる場合に行う制御（予測制御）と、を組み合わせて、シリコン濃度の制御を行う。積分制御と予測制御とを切り替えるタイミングは、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度をＸ１からＸ２へ変化させる指示になる。制御部７では、シリコン濃度の目標の濃度範囲（Ｘ１０，Ｘ２０）が変更されたことを示す情報を、シリコン濃度をＸ１からＸ２へ変化させる指示として利用している。すなわち、シリコン濃度の目標の濃度範囲（Ｘ１０，Ｘ２０）の変更に係る情報を、処理液のシリコン濃度の制御の方法を変更するか否かを判断するための基準となる情報として用いる。上述したように、制御部７では、定期的に算出するシリコン濃度が所定の濃度範囲（Ｘ１０）に収まり、且つ、目標濃度（Ｘ１）に近付くように制御するが、目標の濃度が例えばＸ１からＸ２へ変更されると、所定の濃度範囲もＸ１０からＸ２０へ変更される。したがって、処理液のシリコン濃度が、変更後の濃度範囲であるＸ２０から外れることになる。制御部７では、計算により得られたシリコン濃度が所定の濃度範囲に含まれているうちは積分制御を実施する。そして、計算により得られたシリコン濃度が所定の濃度範囲から外れた場合には、制御部７は、目標となる濃度範囲に基づいて目標濃度を特定し、当該濃度へ向けてシリコン濃度を変更する制御（予測制御）を行う。ただし、制御部７において積分制御と予測制御とを切り替える方法は、上記の目標の濃度範囲を利用した方法に限定されず、適宜変更することができる。
［基板液処理方法］
次に、基板液処理方法の一例について、図５および図６のフローチャートを参照して説明する。図５は、基板液処理装置Ａ１において基板の液処理を行う際の一連の処理の手順を説明するフローチャートであり、図６は、そのうちのシリコン濃度（Ｓｉ濃度）の制御の手順を説明するフローチャートである。
液処理の対象となる基板を基板液処理装置Ａ１の処理液貯留部３８に搬入する前に、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度の調整が行われる。まず、図５に示すように、シリコン濃度計５３を利用して処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度（Ｓｉ濃度）を計測する（Ｓ０１）。シリコン濃度の計測結果は、制御部７に送られる。制御部７の計算部７３では、シリコン濃度計５３により計測されたシリコン濃度が、基板の液処理時の設定値と一致しているかを確認する（Ｓ０２）。このとき、設定値と現在のシリコン濃度との差が一定値未満ではない場合（Ｓ０２－ＮＯ）、すなわち、設定値と現在のシリコン濃度との差が一定値以上である場合には、制御部７の処理液制御部７４は、処理液貯留部３８中の処理液のシリコン濃度を調整するように処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御する（Ｓ０３）。この段階では、処理液貯留部３８の処理槽３４内に基板８は搬入されていないので、処理液貯留部３８に対する処理液の供給量および排出量を制御することで、シリコン濃度の調整が行われる。なお、制御部７では、処理液貯留部３８中の処理液の燐酸の温度に係る補正（Ｓ０４）、水供給部４４から供給する純水の供給量の補正（Ｓ０５）、を行った上で、処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御し、処理液の供給量および排出量を制御することができる（Ｓ０６）。なお、処理液の供給量および排出量を制御する段階（Ｓ０６）で、処理液貯留部３８中の処理液に係る各種パラメータを調整するための制御（例えば、処理槽３４における窒素バブリング）を同時に行ってもよい。
一方、設定値と現在のシリコン濃度との差が一定値未満である場合（Ｓ０２－ＹＥＳ）は、制御部７では、処理槽３４内への基板８の搬入が可能であると判断して（Ｓ０７）、基板８を搬入する制御を実施する（Ｓ０８）。基板８は、処理槽３４内に搬入されると、処理液により所望の処理が行われる。この際に、制御部７では、上述の方法、すなわち、積分制御と予測制御とを組み合わせた方法でシリコン濃度の制御を行う（Ｓ０９：処理液供給工程、処理液排出工程、および、制御工程）。
シリコン濃度の制御を行う場合の具体的な手順について、図６を参照しながら説明する。まず、シリコン濃度の制御を開始すると、制御部７の計算部７３では、１分毎に予め設定されたシリコン濃度の変化に応じた処理液の供給量および排出量を予測計算する（Ｓ２１）。計算部７３では、上述のように、現在のシリコン濃度と次の時点のシリコン濃度、および、基板８からのシリコン濃度の溶出量等に基づいて、処理液の供給量および排出量を計算する。
次に、制御部７の処理液制御部７４では、次の時点のシリコン濃度が現在のシリコン濃度から一定の範囲以上異なるか否かを判断する（Ｓ２２）。次の時点のシリコン濃度が、所定の濃度範囲に含まれている（所定の濃度範囲から外れていない）場合（Ｓ２２－ＮＯ）には、積分制御を行う。すなわち、制御部７の計算部７３において、積分に基づく処理液の供給量および排出量の計算を行ない（Ｓ２３）、制御部７の処理液制御部７４では、計算部７３における計算結果に基づいて流量の制御を行う（Ｓ２４）。一方、次の時点のシリコン濃度が、所定の濃度範囲に含まれていない（所定の濃度範囲から外れている）場合（Ｓ２２－ＹＥＳ）には、所定の濃度範囲が変更されている、すなわち、シリコン濃度の設定が変更されていると判断し、濃度変更に係る制御を行う。
上述したように、制御部７の計算部７３では、変更後の濃度の情報に基づいて、シリコン濃度の濃度変化に係る設定曲線Ｃを作成し、この設定曲線Ｃに沿って濃度が変化するように処理液の供給量および排出量を計算する（Ｓ２５）。そして、制御部７の処理液制御部７４では、計算部７３における計算結果に基づいて流量の制御を行う（Ｓ２６）。このように、制御部７では、現在のシリコン濃度と次の時点のシリコン濃度との比較（Ｓ２２）結果に基づいて、積分制御（Ｓ２３，Ｓ２４）または予測制御（Ｓ２５，Ｓ２６）を実施する。
また、制御部７の計算部７３では、シリコン濃度計５３からのシリコン濃度の計測結果を受信しているか否かを確認する（Ｓ２７）。シリコン濃度計５３からの計測結果を受信していない場合（Ｓ２７－ＮＯ）には、次回（１分後）のシリコン濃度の予測計算（Ｓ２１）時に同様の制御を繰り返す。
一方、シリコン濃度計５３からの計測結果を受信した場合（Ｓ２７－ＹＥＳ：濃度計測工程）には、受信した計測結果から得られたシリコン濃度と、制御部７の計算部７３で計算したシリコン濃度とを比較し、処理液の供給量および排出量の補正が必要かを判断する（Ｓ２８）。補正が必要であると判断した場合（Ｓ２８－ＹＥＳ）には、計算部７３において補正後の供給量および排出量を計算し、その結果に基づいて流量（供給量および排出量）を補正する（Ｓ２９）。なお、補正が不要であると判断した場合（Ｓ２８－ＮＯ）には、計算部７３による補正は行わない。
図６で示す一連の処理は、シリコン濃度計５３によるシリコン濃度の計測結果を受信する場合（Ｓ２７－ＹＥＳ）まで繰り返される。ただし、所定の濃度までの設定曲線Ｃを作成し、設定曲線Ｃに沿って濃度が変化するように処理液の供給量および排出量を計算すると、シリコン濃度計５３からの計測結果に基づく補正を行うまでは、計算が不要となる場合が考えられる。このような場合には、流量の計算（Ｓ２５）を省略してもよい。
シリコン濃度計５３によるシリコン濃度の計測結果を受信し（Ｓ２７－ＹＥＳ）、必要に応じて補正を行なった（Ｓ２９）後は、図５に戻り、他のパラメータに基づく補正を行う。すなわち、制御部７において、処理液貯留部３８中の処理液の燐酸の温度に係る補正（Ｓ１０）、水供給部４４から供給する純水の供給量の補正（Ｓ１１）、を行った上で、処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御し、処理液の供給量および排出量を制御することができる（Ｓ１２）。なお、処理液の供給量および排出量を制御する段階（Ｓ１２）で、処理液貯留部３８中の処理液に係る各種パラメータを調整するための制御（例えば、処理槽３４における窒素バブリング）を同時に行ってもよい。
シリコン濃度の制御（Ｓ０９）から、その他のパラメータに関する制御（Ｓ１２）までの制御は、基板８に係る液処理が終了するまで繰り返される。すなわち、制御部７では、処理を終了するか否かを判断し（Ｓ１３）、終了しないと判断する場合（Ｓ１３－ＮＯ）には、一連の処理（Ｓ０９～Ｓ１２）を繰り返す。一方、基板８の液処理を終了すると判断する場合（Ｓ１３－ＹＥＳ）には、基板８を搬出し（Ｓ１４）、当該基板８に係る液処理を終了する。
［作用］
以上の実施形態では、基板液処理装置Ａ１における処理槽３４に貯留された処理液のシリコン濃度の変更が必要な場合に、処理槽３４に貯留された処理液におけるシリコン濃度を変更する指示に基づいて、現在のシリコン濃度に係る情報と、処理槽３４に貯留された処理液における単位時間あたりのシリコン濃度の変化量（濃度上昇量）に係る情報と、指示で示された変更後のシリコン濃度に係る情報と、に基づき、処理液の排出量および供給量を計算し、当該計算結果に基づいて処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御する。そのため、シリコン濃度の変更が必要な場合に、濃度変更を速やかに行うことができると共に、その濃度変化を精度よく行うことができる。シリコン濃度計を用いたシリコン濃度の計測を利用した濃度変更を行う場合と比べて、制御応答性が高められるため、濃度変更を速やかに行うことができる。また、処理液における単位時間あたりのシリコン濃度の変化量を考慮して濃度の推測を行うため、処理槽内の処理液のシリコン濃度を精度よく予測し、処理液の排出量および供給量を計算し、計算結果に基づいて制御を行うため、濃度変更に係る精度も高められる。
上記の実施形態において、基板液処理装置Ａ１では、処理槽３４に貯留された処理液におけるシリコン濃度をシリコン濃度計５３により確認することができるため、例えば、制御部７はシリコン濃度の計測結果に基づいて、処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御することが可能となる。具体的には、上記実施形態では、シリコン濃度計５３により計測されたシリコン濃度に基づいて、処理液の供給量および排出量に係る計算結果を補正し、補正後の計算結果に基づいて、処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御する。このような構成とすることで、処理槽３４中の処理液におけるシリコン濃度の変更をより精度よく行うことができる。
上記の実施形態において、基板液処理装置Ａ１の制御部７は、特定成分の濃度を一定とする期間（濃度を変更しない期間）は、シリコン濃度計５３での計測結果に基づいて、処理槽３４に貯留された処理液のシリコン濃度が一定となるように処理液供給部３９および処理液排出部４１を制御する。そのため、処理液におけるシリコン濃度を一定とする期間においても、シリコン濃度計５３での計測結果に基づいて処理槽に貯留された処理液の特定成分の濃度が一定となるように制御することができることから濃度の管理を精度よく行うことができる。なお、上記実施形態で説明したように、所定時間（１分毎）の濃度予測計算と組み合わせた制御を行う構成としてもよい。その場合には、さらに、シリコン濃度の管理を精度よく行うことができる。
上記の実施形態において、処理液供給部３９は、水供給部４４を含んでいる。そのため、この水供給部４４を利用して処理液供給部から供給する処理液におけるシリコン濃度の調整や液面の調整などが可能となるため、処理槽３４中のシリコン濃度の調整をより細かく行うことができる。
上記の実施形態において、処理槽３４に貯留された処理液における単位時間あたりのシリコン濃度の上昇量は、処理液における特定成分の濃度を一定とする期間に制御部７により算出されてもよい。このような構成とした場合、事前に濃度上昇量を算出する場合等と比較して、実際の液処理における特定成分の濃度上昇量に係る情報を得ることができ、当該情報に基づいて処理槽３４からの処理液の排出量および供給量を計算することができる。したがって、処理槽３４中の処理液におけるシリコン濃度の変更をより精度よく行うことができる。
［変形例］
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
例えば、上記実施形態では、処理液中の特定成分がシリコンであり、処理液中のシリコン濃度を制御する場合について説明したが、特定成分はシリコンに限定されない。
また、処理液供給部３９および処理液排出部４１の構成および配置は適宜変更することができる。また、処理液供給部３９および処理液排出部４１の数も適宜変更することができる。
また、濃度計測部として機能するシリコン濃度計５３の配置も適宜変更することができる。上記実施形態では、シリコン濃度計５３は、処理液循環部４０の循環流路４９上に設けられる場合について説明したが、処理槽３４中の処理液の濃度を計測可能であれば、その取り付け位置は適宜変更することができる。
［例示］
例１：一つの例示的実施形態において、基板液処理装置は、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽に対して前記処理液を供給する処理液供給部と、前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出部と、前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記処理槽に貯留された前記処理液における特定成分の濃度を変更する指示に基づいて、前記特定成分の現在の濃度に係る情報と、前記処理槽に貯留された前記処理液における単位時間あたりの前記特定成分の濃度上昇量に係る情報と、前記指示で示された変更後の前記特定成分の前記濃度に係る情報と、に基づき、前記処理槽からの前記処理液の排出量および前記処理槽への前記処理液の供給量を計算し、当該計算結果に基づいて前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御する。上記の基板液処理装置では、制御部において、処理槽に貯留された処理液における特定成分の濃度を変更する指示に基づいて、特定成分の現在の濃度に係る情報と、処理槽に貯留された処理液における単位時間あたりの特定成分の濃度上昇量に係る情報と、指示で示された変更後の特定成分の前記濃度に係る情報と、に基づき、処理槽からの前記処理液の排出量および前記処理槽への前記処理液の供給量が計算される。そして、この計算結果に基づいて、制御部により、処理液供給部および処理液排出部が制御される。このような構成を有することで、濃度変更の指示に基づいた、処理槽中の処理液における特定成分の濃度変更を精度よく行うことができる。
例２：例１の基板液処理装置において、前記処理槽に貯留された前記処理液における前記特定成分の濃度を一定時間毎に計測する濃度計測部を有していてもよい。上記の態様とした場合、処理槽に貯留された処理液における特定成分の濃度を濃度計測部により確認することができるため、例えば、制御部は特定成分の濃度の計測結果に基づいて、処理液供給部および処理液排出部を制御することが可能となり、処理槽中の処理液における特定成分の濃度変更をより精度よく行うことができる。
例３：例２の基板液処理装置において、前記濃度計測部での計測結果に基づいて、前記制御部は前記計算結果を補正し、当該補正後の計算結果に基づいて前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御してもよい。上記の態様とした場合、濃度計測部により計測された濃度に基づいて計算結果を補正し、補正後の計算結果に基づいて、処理液供給部および処理液排出部を制御することが可能となる。そのため、処理槽中の処理液における特定成分の濃度変更をより精度よく行うことができる。
例４：例２または例３の基板液処理装置において、前記制御部は、前記処理液における前記特定成分の濃度を一定とする期間は、前記濃度計測部での計測結果に基づいて、前記処理槽に貯留された前記処理液の前記特定成分の濃度が一定となるように前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御してもよい。上記の態様とした場合、処理液における特定成分の濃度を一定とする期間においても、濃度計測部での計測結果に基づいて処理槽に貯留された処理液の特定成分の濃度が一定となるように制御することができ、処理液内の特定の成分の濃度を一定とする期間においても、濃度の管理を精度よく行うことができる。
例５：例１～例４に記載の基板液処理装置において、前記処理液供給部は、純水供給部を含んでもよい。上記の態様とした場合、純水供給部を利用して処理液供給部から供給する処理液における特定成分の濃度等の調整が可能となるため、処理槽中の処理液の特定成分の濃度の調整をより細かく行うことができる。
例６：例１～例５に記載の基板液処理装置において、前記処理槽に貯留された前記処理液における単位時間あたりの前記特定成分の濃度上昇量は、前記処理液における前記特定成分の濃度を一定とする期間に前記制御部により算出されてもよい。上記の態様とした場合、処理液における単位時間あたりの特定成分の濃度上昇量は、処理液における特定成分の濃度を一定とする期間に制御部により算出するため、事前に濃度上昇量を算出する場合等と比較して、実際の液処理における特定成分の濃度上昇量に係る情報を得ることができ、当該情報に基づいて処理槽からの処理液の排出量および処理槽への処理液の供給量を計算することができる。したがって、処理槽中の処理液における特定成分の濃度変更をより精度よく行うことができる。
例７：別の例示的実施形態において、基板液処理方法は、処理液供給部により処理液を貯留する処理槽に対して処理液を供給する処理液供給工程と、処理液排出部により前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出工程と、前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御する制御工程と、を有する基板液処理方法であって、前記制御工程において、前記処理槽に貯留された前記処理液における特定成分の濃度を変更する指示に基づいて、前記特定成分の現在の濃度に係る情報と、前記処理槽に貯留された前記処理液における単位時間あたりの前記特定成分の濃度上昇量に係る情報と、前記指示で示された変更後の前記特定成分の前記濃度に係る情報と、に基づき、前記処理槽からの前記処理液の排出量および前記処理槽への前記処理液の供給量を計算し、当該計算結果に基づいて前記処理液供給工程における前記処理液供給部の制御および前記処理液排出工程における前記処理液排出部の制御を行う。この場合、例１と同様の作用効果を奏する。
例８：例７に記載の基板液処理方法において、前記処理槽に貯留された前記処理液における前記特定成分の濃度を一定時間毎に計測する濃度計測工程を有していてもよい。この場合、例２と同様の作用効果を奏する。
例９：例８に記載の基板液処理方法において、前記制御工程において、前記濃度計測工程における計測結果に基づいて前記計算結果を補正し、当該補正後の計算結果に基づいて前記処理液供給工程における前記処理液供給部の制御および前記処理液排出工程における前記処理液排出部の制御を行ってもよい。この場合、例３と同様の作用効果を奏する。
例１０：別の例示的実施形態において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、例７の基板液処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録している。この場合、上記の基板液処理方法と同様の作用効果を奏する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。
Ａ１…基板液処理装置、７…制御部、３４…処理槽、３８…処理液貯留部、３９…処理液供給部、４１…処理液排出部（排出部）、５３…シリコン濃度計、７１…濃度変更情報保持部、７２…濃度情報保持部、７３…計算部、７４…処理液制御部。

Claims (9)

  1. 処理液を貯留する処理槽と、
    前記処理槽に対して前記処理液を供給する処理液供給部と、
    前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出部と、
    前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御する制御部と、
    を有し、
    前記制御部は、前記処理槽に貯留された前記処理液における特定成分の濃度を変更する指示に基づいて、前記特定成分の現在の濃度に係る情報と、前記処理槽に貯留された前記処理液における単位時間あたりの前記特定成分の濃度上昇量に係る情報と、前記指示で示された変更後の前記特定成分の前記濃度に係る情報と、に基づき、前記処理槽からの前記処理液の排出量および前記処理槽への前記処理液の供給量を計算し、当該計算結果に基づいて前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御し、
    前記処理槽に貯留された前記処理液における単位時間あたりの前記特定成分の濃度上昇量は、前記処理液における前記特定成分の濃度を一定とする期間に前記制御部により算出される、基板液処理装置。
  2. 前記処理槽に貯留された前記処理液における前記特定成分の濃度を一定時間毎に計測する濃度計測部を有する、請求項１に記載の基板液処理装置。
  3. 前記濃度計測部での計測結果に基づいて、前記制御部は前記計算結果を補正し、当該補正後の計算結果に基づいて前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御する、請求項２に記載の基板液処理装置。
  4. 前記制御部は、前記処理液における前記特定成分の濃度を一定とする期間は、前記濃度計測部での計測結果に基づいて、前記処理槽に貯留された前記処理液の前記特定成分の濃度が一定となるように前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御する、請求項２または３に記載の基板液処理装置。
  5. 前記処理液供給部は、純水供給部を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  6. 処理液供給部により処理液を貯留する処理槽に対して処理液を供給する処理液供給工程と、
    処理液排出部により前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出工程と、
    前記処理液供給部および前記処理液排出部を制御する制御工程と、
    を有する基板液処理方法であって、
    前記制御工程において、前記処理槽に貯留された前記処理液における特定成分の濃度を変更する指示に基づいて、前記特定成分の現在の濃度に係る情報と、前記処理槽に貯留された前記処理液における単位時間あたりの前記特定成分の濃度上昇量に係る情報と、前記指示で示された変更後の前記特定成分の前記濃度に係る情報と、に基づき、前記処理槽からの前記処理液の排出量および前記処理槽への前記処理液の供給量を計算し、当該計算結果に基づいて前記処理液供給工程における前記処理液供給部の制御および前記処理液排出工程における前記処理液排出部の制御を行い、
    前記処理槽に貯留された前記処理液における単位時間あたりの前記特定成分の濃度上昇量は、前記処理液における前記特定成分の濃度を一定とする期間に前記制御工程において算出される、基板液処理方法。
  7. 前記処理槽に貯留された前記処理液における前記特定成分の濃度を一定時間毎に計測する濃度計測工程を有する、請求項６に記載の基板液処理方法。
  8. 前記制御工程において、前記濃度計測工程における計測結果に基づいて前記計算結果を補正し、当該補正後の計算結果に基づいて前記処理液供給工程における前記処理液供給部の制御および前記処理液排出工程における前記処理液排出部の制御を行う、請求項７に記載の基板液処理方法。
  9. 請求項６記載の基板液処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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