JP7101075B2 - 基板液処理装置及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板液処理装置及び記憶媒体に関する。

特許文献１には、半導体のエッチング処理の処理液である燐酸溶液中の燐酸濃度が一定になるように、処理液の貯留部から燐酸溶液を排出すると共に、処理液の貯留部に燐酸溶液及び水を供給する基板液処理装置が開示されている。

特許第６１１８７３９号明細書

上述したように、特許文献１に記載された基板液処理装置では、処理液の濃度を一定に調整しながら処理を行っている。ここで、基板液処理装置においては、処理の柔軟性を確保するために、処理中において処理液の濃度を変更したい場合がある。

そこで、本開示は、処理液の濃度変更を適切に行うことを目的とする。

本開示に係る基板液処理装置は、処理液を貯留する貯留部と、貯留部から処理液を排出する排出部と、排出部を制御する制御部と、を備え、制御部は、貯留部の処理液の濃度が所定の設定濃度に調整される濃度一定期間における第１制御と、貯留部の処理液の濃度が変更される濃度変更期間における第２制御とを実行し、第２制御において、濃度変更前の設定濃度と濃度変更後の設定濃度とを比較し、濃度変更前の設定濃度よりも濃度変更後の設定濃度が低い場合に、処理液の排出が開始されるように排出部を制御する。

本開示によれば、処理液の濃度変更を適切に行うことができる。

基板液処理システムを模式的に示す平面図である。 基板液処理装置の模式図である。 制御部の機能的な構成を示すブロック図である。 レシピの一例を示す表である。 基板液処理のタイムチャートである。 基板液処理のフローチャートである。 変形例に係る濃度上昇促進部の構成を示す模式図である。 変形例に係る濃度上昇促進部の構成を示す模式図である。 図８の濃度上昇促進部のより具体的な構成例を示す模式図である。 濃度センサーの具体例を示す模式図である。 高濃度処理液の供給手順を例示するフローチャートである。

以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図１に示すように、基板液処理システム１Ａは、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御部７とを備える。

このうちキャリア搬入出部２は、複数枚（たとえば、２５枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入及び搬出を行う。このキャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ１０と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構１１と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック１２，１３と、キャリア９を載置するキャリア載置台１４とが設けられている。ここで、キャリアストック１２は、製品となる基板８をロット処理部６で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック１３は、製品となる基板８をロット処理部６で処理した後に一時的に保管する。

そして、キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ１０に搬入されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１２やキャリア載置台１４に搬送する。また、キャリア搬入出部２は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１３やキャリアステージ１０に搬送する。キャリアステージ１０に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。

ロット形成部３は、１又は複数のキャリア９に収容された基板８を組合せて同時に処理される複数枚（たとえば、５０枚）の基板８からなるロットを形成する。なお、ロットを形成するときは、基板８の表面にパターンが形成されている面を互いに対向するようにロットを形成してもよく、また、基板８の表面にパターンが形成されている面がすべて一方を向くようにロットを形成してもよい。このロット形成部３には、複数枚の基板８を搬送する基板搬送機構１５が設けられている。なお、基板搬送機構１５は、基板８の搬送途中で基板８の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。

そして、ロット形成部３は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９から基板搬送機構１５を用いて基板８をロット載置部４に搬送し、ロットを形成する基板８をロット載置部４に載置する。また、ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構１５でキャリア載置台１４に載置されたキャリア９へ搬送する。なお、基板搬送機構１５は、複数枚の基板８を支持するための基板支持部として、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）の基板８を支持する処理前基板支持部と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）の基板８を支持する処理後基板支持部の２種類を有している。これにより、処理前の基板８等に付着したパーティクル等が処理後の基板８等に転着するのを防止する。

ロット載置部４は、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットをロット載置台１６で一時的に載置（待機）する。このロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台１７と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台１８とが設けられている。搬入側ロット載置台１７及び搬出側ロット載置台１８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて載置される。

そして、ロット載置部４では、ロット形成部３で形成したロットが搬入側ロット載置台１７に載置され、そのロットがロット搬送部５を介してロット処理部６に搬入される。また、ロット載置部４では、ロット処理部６からロット搬送部５を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台１８に載置され、そのロットがロット形成部３に搬送される。

ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。このロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構１９が設けられている。ロット搬送機構１９は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール２０と、複数枚の基板８を保持しながらレール２０に沿って移動する移動体２１とで構成する。移動体２１には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を保持する基板保持体２２が進退自在に設けられている。

そして、ロット搬送部５は、搬入側ロット載置台１７に載置されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットをロット処理部６に受け渡す。また、ロット搬送部５は、ロット処理部６で処理されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台１８に受け渡す。さらに、ロット搬送部５は、ロット搬送機構１９を用いてロット処理部６の内部においてロットの搬送を行う。

ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を１ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。このロット処理部６には、基板８の乾燥処理を行う乾燥処理装置２３と、基板保持体２２の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置２４と、基板８の洗浄処理を行う洗浄処理装置２５と、基板８のエッチング処理を行う２台の本発明によるエッチング処理装置２６とが並べて設けられている。

乾燥処理装置２３は、処理槽２７と、処理槽２７に昇降自在に設けられた基板昇降機構２８とを備える。処理槽２７には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構２８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置２３は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構２８で受取り、基板昇降機構２８でそのロットを昇降させることで、処理槽２７に供給した乾燥用の処理ガスで基板８の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置２３は、基板昇降機構２８からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。

基板保持体洗浄処理装置２４は、処理槽２９を有し、この処理槽２９に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構１９の基板保持体２２に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体２２の洗浄処理を行う。

洗浄処理装置２５は、洗浄用の処理槽３０とリンス用の処理槽３１とを有し、各処理槽３０，３１に基板昇降機構３２，３３を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽３０には、洗浄用の処理液（ＳＣ－１等）が貯留される。リンス用の処理槽３１には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。

エッチング処理装置２６は、エッチング用の処理槽３４とリンス用の処理槽３５とを有し、各処理槽３４，３５に基板昇降機構３６，３７が昇降自在に設けられている。エッチング用の処理槽３４には、エッチング用の処理液（燐酸水溶液）が貯留される。リンス用の処理槽３５には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。

これら洗浄処理装置２５とエッチング処理装置２６は、同様の構成となっている。エッチング処理装置２６について説明すると、基板昇降機構３６には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置２６において、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３６で受取り、基板昇降機構３６でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３４のエッチング用の処理液に浸漬させて基板８のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置２６は、基板昇降機構３６からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。また、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３７で受取り、基板昇降機構３７でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３５のリンス用の処理液に浸漬させて基板８のリンス処理を行う。その後、基板昇降機構３７からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。

制御部７は、基板液処理システム１Ａの各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６）の動作を制御する。この制御部７は、たとえばコンピュータからなり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体１３８を備える。記憶媒体１３８には、基板液処理システム１Ａにおいて実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部７は、記憶媒体１３８に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理システム１Ａの動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体１３８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体１３８にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体１３８としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

〔基板液処理装置〕
続いて、図２を参照して、基板液処理システム１Ａが含む基板液処理装置Ａ１について詳細に説明する。図２に示すように、基板液処理装置Ａ１は、エッチング処理装置２６を含んで構成されている。

エッチング処理装置２６は、所定濃度の薬剤（燐酸）の水溶液（例えば８８．３重量％の燐酸水溶液）をエッチング用の処理液として用いて基板８を液処理（エッチング処理）する。なお、上述した「８８．３重量％」は、処理液の濃度が所定の設定濃度に調整される場合（「濃度一定モード」の場合。詳細は後述）の燐酸水溶液の濃度の一例を示しており、処理液の濃度が変更される場合（「濃度変更モード」の場合。詳細は後述）には、燐酸水溶液の濃度は一定ではなく適宜変更される。エッチング処理装置２６は、図２に示すように、処理液貯留部３８（貯留部）と、処理液供給部３９（濃度上昇促進部）と、処理液循環部４０と、処理液排出部４１（排出部）とを備える。

処理液貯留部３８は、処理液を貯留し基板８を処理する。処理液貯留部３８は、上部を開放させた処理槽３４の上部周囲に、上部を開放させた外槽４２を形成し、処理槽３４と外槽４２に処理液を貯留する。処理槽３４は、基板８を基板昇降機構３６によって浸漬させることにより液処理する処理液を貯留する。外槽４２は、処理槽３４からオーバーフローした処理液を貯留する。外槽４２に貯留された処理液は、処理液循環部４０によって処理槽３４に供給される。外槽４２には、液面センサー８０が設けられている。液面センサー８０は、処理液貯留部３８の外槽４２における液面高さを検出するセンサーである。液面センサー８０としては、液面高さを検出することが可能な各種センサーを用いることができる。以下では、液面センサー８０が、電圧値から液面高さを検出するセンサーであるとして説明する。液面センサー８０は、検出した液面高さを示す情報を制御部７に出力する。

処理液供給部３９は、処理液貯留部３８に処理液を供給する。処理液供給部３９は、水溶液供給部４３と、水供給部４４とを備える。水溶液供給部４３は、水溶液供給源４５と、流量調整器４６と、水供給源６１と、バルブ６２とを有する。

水溶液供給源４５は、処理液の濃度が所定の設定濃度に調整される場合（「濃度一定モード」の場合）に処理液貯留部３８に貯留された燐酸水溶液よりも濃度が高い燐酸水溶液を供給する。水溶液供給源４５は、例えば８８．３重量％、２５℃の燐酸水溶液を供給する。水溶液供給源４５から供給される燐酸水溶液は、流路４３ａを介して処理液貯留部３８に供給される。

流量調整器４６は、流路４３ａにおける水溶液供給源４５の下流側に設けられている。流量調整器４６は、制御部７に接続されており、制御部７によって開閉制御及び流量制御される。水供給源６１は、流路４３ａに対して所定温度（２５℃）の水（純水）を供給する。水供給源６１から供給される水は、流路６０ａを介して流路４３ａ（詳細には、流路４３ａにおける水溶液供給源４５と流量調整器４６との間の部分）に供給される。

バルブ６２は、流路６０ａにおける水供給源６１の下流側に設けられている。バルブ６２は、制御部７に接続されており、制御部７によって開閉制御される。制御部７によってバルブ６２が開かれた状態（通常状態）においては、流路６０ａを介して水供給源６１から供給される水が流路４３ａに流入するため、水溶液供給源４５から供給される燐酸水溶液の濃度が低くなり、処理液貯留部３８には、処理液の濃度が所定の設定濃度に調整される場合（「濃度一定モード」の場合）に処理液貯留部３８に貯留された燐酸水溶液よりも低い濃度の燐酸水溶液（例えば８５重量％の燐酸水溶液）が供給される。

一方で、制御部７によってバルブ６２が閉められた状態（濃度上昇状態）においては、水供給源６１から供給される水が流路４３ａに流入しないため、水溶液供給源４５から供給された高い濃度の燐酸水溶液がそのまま処理液貯留部３８に供給される。このように、処理液供給部３９の水溶液供給部４３は、処理液貯留部３８に貯留された燐酸水溶液よりも濃度が高い燐酸水溶液を処理液貯留部３８に供給することにより、処理液貯留部３８における処理液の濃度上昇を促進させる（詳細は後述）。

水供給部４４は、処理液貯留部３８に水（純水）を供給する。水供給部４４は、所定温度（２５℃）の純水を供給するための水供給源４７を、処理液貯留部３８の外槽４２に流量調整器４８を介して接続する。流量調整器４８は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御及び流量制御される。

処理液循環部４０は、外槽４２内の処理液を処理槽３４に送る。処理液循環部４０は、循環流路４９と、ポンプ５０と、ヒーター５１と、フィルター５２と、濃度計５３とを備える。循環流路４９は、処理液貯留部３８の外槽４２の底部から処理槽３４の底部に延びた流路である。循環流路４９には、ポンプ５０、ヒーター５１、フィルター５２、及び濃度計５３が上流側（外槽４２側）から下流側（処理槽３４側）に順に設けられている。ポンプ５０及びヒーター５１は制御部７に接続されており制御部７により駆動制御される。ポンプ５０は、処理液を上流側から下流側に圧送する。ヒーター５１は、処理液を設定温度（例えば１６５℃）まで加熱する。フィルター５２は、処理液中に混入したパーティクルを除去する。濃度計５３は、循環流路４９における処理液中の燐酸濃度を測定する。濃度計５３は、測定した燐酸濃度を制御部７に出力する。

処理液排出部４１は、処理槽３４内から処理液を排出する。処理液排出部４１は、例えば、排液流路４１Ａと、バルブ４１Ｂとを有する。排液流路４１Ａは、処理槽３４内の処理液を導出する。排液流路４１Ａの一端部は処理槽３４の底部に接続されており、排液流路４１Ａの他端部は基板液処理システム１Ａの排液管（不図示）に接続されている。バルブ４１Ｂは、排液流路４１Ａに設けられている。バルブ４１Ｂは、制御部７に接続されており、制御部７によって開閉制御される。

続いて、図３を参照して、エッチング処理装置２６を制御する制御部７について詳細に説明する。制御部７は、処理液貯留部３８の処理液の濃度が所定の設定濃度に調整される濃度一定モード（濃度一定期間）における第１制御と、処理液貯留部３８の処理液の濃度が変更される濃度変更モード（濃度変更期間）における第２制御とを実行する。なお、以下で説明する濃度一定モード及び濃度変更モードとは、いずれも、処理対象である基板８が処理液貯留部３８の処理液に浸漬されて処理液により処理される基板処理期間のモードである。すなわち、制御部７は、基板処理期間において、上記第１制御と第２制御とを実行可能に構成されている。また、制御部７は、処理液貯留部３８の処理液に基板８が浸漬されていないインターバル期間においては、処理液貯留部３８の処理液の濃度を、上記濃度一定モードにおける所定の設定濃度に調節する。

制御部７は、第２制御において、濃度変更前の設定濃度と濃度変更後の設定濃度とを比較し、濃度変更前の設定濃度よりも濃度変更後の設定濃度が低い場合に、処理液の排出が開始されるように処理液排出部４１（詳細にはバルブ４１Ｂ）を制御する。

具体的には、制御部７は、第２制御において、濃度変更前の設定濃度よりも濃度変更後の設定濃度が低い場合であって、且つ、液面センサー８０によって検出された液面高さが所定の液面基準値よりも高い場合に、処理液の排出が開始されるように処理液排出部４１（詳細にはバルブ４１Ｂ）を制御する。

また、制御部７は、第２制御において、濃度変更前の設定濃度と濃度変更後の設定濃度とを比較し、濃度変更前の設定濃度よりも濃度変更後の設定濃度が高い場合に、処理液貯留部３８における処理液の濃度上昇が促進されるように、処理液供給部３９の水溶液供給部４３を制御する。

図３は、制御部７の機能的な構成を開示するブロック図である。図３に示すように、制御部７は、機能上の構成（機能モジュール）として、レシピ記憶部７１と、水溶液調整部７２と、水調整部７３と、排液制御部７４とを備える。

レシピ記憶部７１は、予め設定されたレシピ（作業指示書）を記憶する機能である。レシピ記憶部７１は、例えば予めユーザによって設定されたレシピを記憶している。制御部７は、レシピに従って所定の処理（制御）を行う。図４は、レシピＲＰの一例を示す表である。図４に示すように、レシピＲＰには少なくとも、ステップ番号と、処理モードと、設定濃度とが設定されている。ステップ番号とは、連続して行われる処理におけるステップ（段階）を一意に特定する情報である。互いに連続するステップ番号（例えば「００１」と「００２」等）は、互いに連続するステップを示している。また、ステップ番号が小さいステップほど、先に実行されるステップである。図４に示す例では、ステップ番号「００１」のステップ、「００２」のステップ、「００３」のステップ、「００４」のステップの順で処理が実行される。

処理モードとは、処理液貯留部３８における処理液の濃度調整に関する処理のモードを示す情報である。基板処理期間の処理モードとしては、「濃度一定モード」と「濃度変更モード」とが設定可能とされている。濃度一定モードとは、処理液貯留部３８の処理液の濃度が所定の設定濃度に調整されるモードである。濃度変更モードとは、処理液貯留部３８の処理液の濃度が変更される（変更可能とされている）モードである。図４に示すように、レシピＲＰでは、濃度一定モードとしてステップ番号「００１」で示されるステップが設定されており、濃度変更モードとしてステップ番号「００２」、「００３」、「００４」でそれぞれ示される複数のステップが設定されている。設定濃度とは、対応するステップにおける処理液の濃度の目標値である。図４に示すように、複数のステップにはそれぞれ個別の設定濃度が設定されている。制御部７は、各ステップにおける濃度が当該設定濃度となるように、水溶液調整部７２、水調整部７３、及び排液制御部７４による各種制御を行う。

水溶液調整部７２は、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピに応じて燐酸水溶液が供給されるように、水溶液供給部４３（詳細には流量調整器４６及びバルブ６２）を制御する。具体的には、水溶液調整部７２は、濃度一定モードにおける第１制御と、濃度変更モードにおける第２制御とを行う。水溶液調整部７２は、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピを参照し、現ステップの処理モードが濃度一定モードの場合には第１制御を行い、濃度変更モードの場合には第２制御を行う。

第１制御（水溶液調整部７２による第１制御）では、水溶液調整部７２は、処理液貯留部３８に貯留された燐酸水溶液よりも低い濃度の燐酸水溶液（例えば８５重量％の燐酸水溶液）が処理液貯留部３８に供給されるように、水溶液供給部４３を制御する。具体的には、水溶液調整部７２は、水供給源６１から供給される水が流路６０ａを介して流路４３ａに流入するように、水溶液供給部４３のバルブ６２を開く。これにより、流路４３ａには、処理液貯留部３８に貯留された燐酸水溶液よりも低い濃度の燐酸水溶液（流路６０ａを介して流入した水によって濃度が薄まった燐酸水溶液）が流れることとなる。そして、水溶液調整部７２は、濃度計５３から取得した処理液中の燐酸濃度の測定値と、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピにおける設定濃度とに基づき、処理液の濃度が設定濃度に近づくように流量調整器４６を制御する。すなわち、水溶液調整部７２は、処理液の濃度が設定濃度に近づく、適切な流量の燐酸水溶液が流路４３ａから処理液貯留部３８に供給されるように、流量調整器４６を制御する。

第２制御（水溶液調整部７２による第２制御）では、水溶液調整部７２は、所定の条件を満たす場合に、濃度一定モードにおいて処理液貯留部３８に貯留された燐酸水溶液よりも高い濃度の燐酸水溶液（例えば９３重量％の燐酸水溶液）が処理液貯留部３８に供給されるように、水溶液供給部４３を制御する。水溶液調整部７２は、所定の条件を満たさない場合には、第２制御においても、例えば上述した第１制御と同様の制御を行う。水溶液調整部７２は、まず、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピを参照し、現ステップの設定濃度（濃度変更後の設定濃度）と、１つ前のステップの設定濃度（濃度変更前の設定濃度）とを比較し、１つ前のステップの設定濃度よりも現ステップの設定濃度が低いか否かを判定する。水溶液調整部７２は、１つ前のステップの設定濃度よりも現ステップの設定濃度が低くない（現ステップの設定濃度が１つ前のステップの設定濃度以上である）と判定した場合には、液面センサー８０から処理液貯留部３８の外槽４２における処理液の液面高さを取得し、当該液面高さが所定の液面基準値（下限制御開始値）以上であるか否かを判定する。当該液面基準値（下限制御開始値）は、それより液面が下がった場合に温度調整機能が損なわれる液面高さである液面下限値よりも所定のバッファ分だけ高い値とされる。液面基準値は、例えば、処理液貯留部３８に基板８を収容する前に液面センサー８０で測定された電圧値から導出される液面高さに、処理液貯留部３８に収容される基板８の枚数に応じた液面上昇を加えることにより、予め導出されている。

水溶液調整部７２は、液面高さが液面基準値（下限制御開始値）以上でない（液面高さが液面基準値よりも低い）と判定した場合には、濃度一定モードにおいて処理液貯留部３８に貯留された燐酸水溶液よりも高い濃度の燐酸水溶液（例えば９３重量％の燐酸水溶液）が処理液貯留部３８に供給されるように、水溶液供給部４３を制御する。すなわち、水溶液調整部７２は、「現ステップの設定濃度が１つ前のステップの設定濃度以上であり、且つ、液面高さが液面基準値よりも低い」との所定の条件を満たした場合に、濃度一定モードにおいて処理液貯留部３８に貯留された燐酸水溶液よりも高い濃度の燐酸水溶液が処理液貯留部３８に供給されるように、水溶液供給部４３を制御する。

水溶液調整部７２は、具体的には、水供給源６１から供給される水が流路６０ａを介して流路４３ａに流入しないように、水溶液供給部４３のバルブ６２を閉める。これにより、流路４３ａには、濃度一定モードにおいて処理液貯留部３８に貯留された燐酸水溶液よりも高い濃度の燐酸水溶液が流れることとなる。そして、水溶液調整部７２は、所定の流量の燐酸水溶液が流路４３ａから処理液貯留部３８に供給されるように、流量調整器４６を制御する。水溶液調整部７２は、液面センサー８０から取得する処理液の液面高さが、液面基準値（下限制御開始値）以上となるまでは、処理液貯留部３８への高濃度燐酸水溶液の供給を継続する。水溶液調整部７２は、液面センサー８０から取得する処理液の液面高さが液面基準値（下限制御開始値）以上となった場合、濃度計５３から取得した処理液中の燐酸濃度が現ステップの設定濃度に到達しているか否かを判定し、到達している場合には第２制御を終了する。水溶液調整部７２は、処理液中の燐酸濃度が設定濃度に到達した後は、例えば上述した第１制御を行う。

水調整部７３は、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピに応じて水が供給されるように、水供給部４４（詳細には流量調整器４８）を制御する。具体的には、水調整部７３は、濃度一定モードにおける第１制御と、濃度変更モードにおける第２制御とを行う。水調整部７３は、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピを参照し、現ステップの処理モードが濃度一定モードの場合には第１制御を行い、濃度変更モードの場合には第２制御を行う。

第１制御（水調整部７３による第１制御）では、水調整部７３は、濃度計５３から取得した処理液中の燐酸濃度の測定値と、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピにおける設定濃度とに基づき、処理液の濃度が設定濃度に近づくように流量調整器４８を制御する。すなわち、水調整部７３は、処理液の濃度が設定濃度に近づき（燐酸水溶液中の純水量が一定となり）、適切な流量の水が処理液貯留部３８に供給されるように、流量調整器４８を制御する。

第２制御（水調整部７３による第２制御）では、水調整部７３は、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピにおける設定濃度に応じて処理液貯留部３８に供給される水量が変化するように、水供給部４４を制御する。水調整部７３は、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピを参照し、現ステップの設定濃度（濃度変更後の設定濃度）と、１つ前のステップの設定濃度（濃度変更前の設定濃度）とを比較する。水調整部７３は、現ステップの設定濃度が１つ前のステップの設定濃度以上であると判定した場合には、水の供給量が減少するように流量調整器４８を制御する。水調整部７３は、現ステップの設定濃度が１つ前のステップの設定濃度よりも低い場合には、水の供給量が増加するように流量調整器４８を制御する。水調整部７３は、濃度計５３から取得した処理液中の燐酸濃度が現ステップの設定濃度に到達しているか否かを判定し、到達している場合には第２制御を終了する。水調整部７３は、処理液中の燐酸濃度が設定濃度に到達した後は、例えば上述した第１制御を行う。

排液制御部７４は、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピに応じて処理槽３４内から処理液が排出されるように、処理液排出部４１（詳細にはバルブ４１Ｂ）を制御する。具体的には、排液制御部７４は、濃度一定モードにおける第１制御と、濃度変更モードにおける第２制御とを行う。排液制御部７４は、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピを参照し、現ステップの処理モードが濃度一定モードの場合には第１制御を行い、濃度変更モードの場合には第２制御を行う。

第１制御（排液制御部７４による第１制御）では、排液制御部７４は、例えば処理槽３４からの処理液の排出が行われないように、バルブ４１Ｂを閉める。なお、排液制御部７４は、第１制御において、バルブ４１Ｂを少しだけ開き、少量（第２制御と比べて少量）の排液が行われるように制御してもよい。

第２制御（排液制御部７４による第２制御）では、排液制御部７４は、所定の条件を満たす場合に、処理槽３４からの処理液の排出が開始されるようにバルブ４１Ｂを開く。なお、「処理液の排出が開始されるようにバルブ４１Ｂを開く」とは、完全に閉じた状態のバルブ４１Ｂを開く場合だけでなく、少し開いた状態のバルブ４１Ｂを大きく開く場合（第１制御時と比べて排液量を増やす場合）も含んでいる。排液制御部７４は、所定の条件を満たさない場合には、第２制御においても、例えば上述した第１制御と同様の制御を行う。

排液制御部７４は、まず、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピを参照し、現ステップの設定濃度（濃度変更後の設定濃度）と、１つ前のステップの設定濃度（濃度変更前の設定濃度）とを比較し、１つ前のステップの設定濃度よりも現ステップの設定濃度が低いか否かを判定する。水溶液調整部７２は、１つ前のステップの設定濃度よりも現ステップの設定濃度が低いと判定した場合には、液面センサー８０から処理液貯留部３８の外槽４２における処理液の液面高さを取得し、当該液面高さが所定の液面基準値（上限制御開始値）よりも高いか否かを判定する。当該液面基準値（上限制御開始値）は、それ以上液面が上がった場合に、処理液貯留部３８から燐酸水溶液が吹き零れるおそれがある液面高さである液面上限値よりも所定のバッファ分だけ低い値とされる。

排液制御部７４は、液面高さが液面基準値（上限制御開始値）よりも高いと判定した場合には、処理液の排出が開始されるように処理液排出部４１を制御する。すなわち、排液制御部７４は、「１つ前のステップの設定濃度よりも現ステップの設定濃度が低く、且つ、液面高さが液面基準値よりも高い」との所定の条件を満たした場合に、処理液の排出が開始されるように処理液排出部４１を制御する。

排液制御部７４は、具体的には、処理槽３４からの処理液の排出が開始されるようにバルブ４１Ｂを開く。これにより、濃度を下げる場合において、水調整部７３の制御によって処理液貯留部３８への水の供給量が増加し、処理液貯留部３８における液面が上昇している場合において、更なる液面の上昇が抑制される。排液制御部７４は、液面センサー８０から取得する処理液の液面高さが、液面基準値（上限制御開始値）以下となるまでは、処理槽３４からの処理液の排出を継続する。排液制御部７４は、液面センサー８０から取得する処理液の液面高さが液面基準値（上限制御開始値）以下となった場合、濃度計５３から取得した処理液中の燐酸濃度が現ステップの設定濃度に到達しているか否かを判定し、到達している場合には第２制御を終了する。排液制御部７４は、処理液中の燐酸濃度が設定濃度に到達した後は、例えば上述した第１制御を行う。

〔基板液処理方法〕

次に、基板液処理方法の一例について、図５のタイムチャート及び図６のフローチャートを参照して説明する。最初に、図５のタイムチャートを参照して、連続する複数のステップの処理イメージを説明する。図５においては、連続する複数のステップ（ステップ番号「００１」、「００２」、「００３」、「００４」でそれぞれ示される複数のステップ）についての時系列に沿った処理が示されている。図５に示す各ステップは、図４に示すレシピＲＰの各ステップに対応しており、処理対象である基板８が処理液貯留部３８の処理液に浸漬されて処理液により処理される基板処理期間のステップである。ステップ番号「００１」で示されるステップのみが濃度一定モードであり、ステップ番号「００２」、「００３」、「００４」で示されるステップは濃度変更モードである。また、ステップ番号「００１」、「００３」で示されるステップの設定濃度は「８８．５重量％」であり、ステップ番号「００２」、「００４」で示されるステップの設定濃度は「８６重量％」である。なお、以下では、ステップ番号「００１」～「００４」のステップを、それぞれ、ステップ００１～００４と示す。

図５に示すように、最初に時刻ｔ０において、ステップ００１が開始される。濃度一定モードであるステップ００１においては、制御部７は、処理液貯留部３８の処理液の濃度を一定（８８．５重量％）に調整する第１制御を行う。続いて、時刻ｔ１において、ステップ００１が終了しステップ００２が開始される。ステップ００２は、濃度変更モードであって設定濃度が８６重量％である。このように、現ステップであるステップ００２の設定濃度が、１つ前のステップであるステップ００１の設定濃度よりも低い場合には、制御部７によって水の供給量が増えるように流量調整器４８が制御されるため、ステップ００２では時間の経過と共に処理液貯留部３８における液面高さが徐々に上昇する。

そして、時刻ｔ２において、液面高さが液面基準値（上限制御開始値）よりも高くなると、制御部７によってバルブ４１Ｂが開かれて処理液の排出（排液制御）が開始される。当該排液制御は、時刻ｔ３において液面高さが液面基準値（上限制御開始値）以下となるまで継続的に行われる。一度排液制御が終了した場合であっても、設定濃度に到達するまでは水の供給量が多く設定されているため、時刻ｔ４において再度液面高さが液面基準値（上限制御開始値）よりも高くなっている。この場合には、液面高さが液面基準値（上限制御開始値）以下となるまで、再度排液制御が行われる。

続いて、時刻ｔ５において、液面高さが液面基準値（上限制御開始値）以下になると共に、ステップ００２が終了しステップ００３が開始される。ステップ００３は、濃度変更モードであって設定濃度が８８．５重量％である。このように、現ステップであるステップ００３の設定濃度が、１つ前のステップであるステップ００２の設定濃度よりも高い場合には、制御部７によって水の供給量が減るように流量調整器４８が制御されるため、ステップ００３では時間の経過と共に処理液貯留部３８における液面高さが徐々に下降する。

そして、時刻ｔ６において、液面高さが液面基準値（下限制御開始値）よりも低くなると、制御部７によって水溶液供給部４３のバルブ６２が閉められ、高濃度の燐酸水溶液が処理液貯留部３８に供給される（高濃度燐酸供給）。当該高濃度燐酸供給は、時刻ｔ７において液面高さが液面基準値（下限制御開始値）以上となるまで継続的に行われる。

続いて、時刻ｔ８において、ステップ００３が終了しステップ００４が開始される。ステップ００４は濃度変更モードであって設定濃度が８６重量％である。このように、現ステップであるステップ００４の設定濃度が、１つ前のステップであるステップ００３の設定濃度よりも低い場合には、制御部７によって水の供給量が増えるように流量調整器４８が制御されるため、ステップ００４では時間の経過と共に処理液貯留部３８における液面高さが徐々に上昇する。そして、時刻ｔ９において、液面高さが液面基準値（上限制御開始値）よりも高くなると、制御部７によってバルブ４１Ｂが開かれて処理液の排出（排液制御）が開始される。当該排液制御は、時刻ｔ１０において液面高さが液面基準値（上限制御開始値）以下となるまで継続的に行われる。一度排液制御が終了した場合であっても、設定濃度に到達するまでは水の供給量が多くされるため、時刻ｔ１１において再度液面高さが液面基準値（上限制御開始値）よりも高くなっている。この場合には、液面高さが液面基準値（上限制御開始値）以下となるまで、排液制御が再度行われる。時刻ｔ１２において、液面高さが液面基準値（上限制御開始値）以下になると共に、ステップ００４が終了する。なお、基板処理期間の各ステップが終了し基板８が処理液貯留部３８の処理液に浸漬されていない状態となっている期間（インターバル期間）においては、制御部７によって、処理液貯留部３８の処理液の濃度は、上述した濃度一定モードにおける設定濃度と同じ濃度に調節される。したがって、濃度一定モードにおける設定濃度に変更があれば、インターバル期間に入る前の濃度一定モードの処理液の濃度と、次の基板処理期間の濃度一定モードにおける処理液の濃度とは、互いに異なることになる。

次に、図６のフローチャートを参照して、１ステップにおける制御部７の処理の詳細について説明する。図６に示すように、最初に、制御部７（詳細には、水溶液調整部７２、水調整部７３、及び排液制御部７４）は、レシピ記憶部７１に記憶されたレシピ（例えば図４に示すレシピＲＰ）を取得し（ステップＳ１）、現ステップを特定する（ステップＳ２）。

続いて、制御部７は、特定した現ステップが濃度変更モードであるか否かを判定する（ステップＳ３）。ステップＳ３において、現ステップが濃度変更モードでない場合には、制御部７は、当該現ステップの終了タイミングまで、処理液の濃度を一定に調節する濃度一定モードの第１制御を行う（ステップＳ１０）。

一方で、ステップＳ３において、現ステップが濃度変更モードである場合には、制御部７は、処理液の濃度変更が可能となるように第２制御を行う。具体的には、制御部７は、現ステップの設定濃度（濃度変更後の設定濃度）と、１つ前のステップの設定濃度（濃度変更前の設定濃度）とを比較し、１つ前のステップの設定濃度よりも現ステップの設定濃度が低いか否かを判定する（ステップＳ４）。

ステップＳ４において１つ前のステップの設定濃度よりも現ステップの設定濃度が低いと判定された場合には、制御部７（詳細には水調整部７３）は、処理液貯留部３８への水の供給量が増加するように流量調整器４８を制御して、処理液貯留部３８中の処理液の濃度を薄める（ステップＳ５）。更に、制御部７（詳細には排液制御部７４）は、液面センサー８０から処理液貯留部３８の外槽４２における処理液の液面高さを取得する（ステップＳ６）。

続いて、制御部７(詳細には排液制御部７４)は、取得した液面高さが所定の液面基準値（上限制御開始値）以下であるか否かを判定する（ステップＳ７）。ステップＳ７において液面高さが所定の液面基準値（上限制御開始値）以下ではない（液面高さが所定の液面基準値（上限制御開始値）よりも高い）と判定された場合には、制御部７（詳細には排液制御部７４）は排液制御を開始する（ステップＳ８）。具体的には、制御部７は、処理槽３４からの処理液の排出が開始されるようにバルブ４１Ｂを開く。制御部７は、ステップＳ８において所定時間排液制御を行った後に、再度ステップＳ７の処理を実行する。

一方で、ステップＳ７において液面高さが所定の液面基準値（上限制御開始値）以下であると判定された場合には上述した排液制御を行わずに、制御部７は、濃度計５３から取得した処理液中の燐酸濃度が現ステップの設定濃度に到達しているか否かを判定する（ステップＳ９）。ステップＳ９において処理液中の燐酸濃度が現ステップの設定濃度に到達していないと判定された場合には、再度ステップＳ７の処理が実行される。一方で、ステップＳ９において処理液中の燐酸濃度が現ステップの設定濃度に到達していると判定された場合には、制御部７は、当該現ステップの終了タイミングまで、処理液の濃度を一定に調節する濃度一定モードの第１制御を行う（ステップＳ１０）。

ステップＳ４において１つ前のステップの設定濃度よりも現ステップの設定濃度が低くないと判定された場合には、制御部７（詳細には水調整部７３）は、処理液貯留部３８への水の供給量が減少するように流量調整器４８を制御して、処理液貯留部３８中の処理液の濃度を高める（ステップＳ１３）。この場合、制御部７（詳細には排液制御部７４）は、処理槽３４からの処理液の排出が開始されるようにバルブ４１Ｂを開いてもよい。制御部７（詳細には水溶液調整部７２）は、液面センサー８０から処理液貯留部３８の外槽４２における処理液の液面高さを取得する（ステップＳ１４）。

続いて、制御部７（詳細には水溶液調整部７２）は、取得した液面高さが所定の液面基準値（下限制御開始値）以上であるか否かを判定する（ステップＳ１５）。ステップＳ１５において液面高さが所定の液面基準値（下限制御開始値）以上ではない（液面高さが所定の液面基準値（下限制御開始値）よりも低い）と判定された場合には、制御部７（詳細には水溶液調整部７２）は高濃度燐酸供給を開始する（ステップＳ１６）。具体的には、制御部７は、高濃度の燐酸水溶液が処理液貯留部３８に供給されるように水溶液供給部４３のバルブ６２を閉める。制御部７は、ステップＳ１６において所定時間高濃度燐酸供給を行った後に、再度ステップＳ１５の処理を実行する。

一方で、ステップＳ１５において液面高さが所定の液面基準値（下限制御開始値）以上であると判定された場合には上述した高濃度燐酸供給を行わずに、制御部７は、濃度計５３から取得した処理液中の燐酸濃度が現ステップの設定濃度に到達しているか否かを判定する（ステップＳ１７）。ステップＳ１７において処理液中の燐酸濃度が現ステップの設定濃度に到達していないと判定された場合には、再度ステップＳ１５の処理が実行される。一方で、ステップＳ１７において処理液中の燐酸濃度が現ステップの設定濃度に到達していると判定された場合には、制御部７は、当該現ステップの終了タイミングまで、処理液の濃度を一定に調節する濃度一定モードの第１制御を行う（ステップＳ１０）。

ステップＳ１０が完了（現ステップが完了）すると、制御部７は、レシピを参照し、次ステップがあるか否かを判定する（ステップＳ１１）。ステップＳ１１において、次ステップがあると判定された場合には、制御部７は、当該次ステップを新たな現ステップとして特定し（ステップＳ１２）、再度ステップＳ３以降の処理を実行する。一方で、ステップＳ１１において次ステップがない（レシピにおける全てのステップが完了している）と判定された場合には、一連の処理が終了する。

〔作用効果〕
基板液処理装置において、処理液である燐酸水溶液の燐酸濃度を変更すると、処理液貯留部における水量が変化し液面が上昇又は下降する。例えば、処理液である燐酸水溶液の燐酸濃度を低下させる場合には、処理液貯留部への水の供給量が増えるため、処理液貯留部における液面が上昇し、処理液貯留部から燐酸水溶液が吹き零れてしまうおそれがある。これによって、処理液の濃度変更（詳細には、濃度を低下させる場合の濃度変更）を適切に行うことができないおそれがある。

この点、基板液処理装置Ａ１は、処理液を貯留する処理液貯留部３８と、処理液貯留部３８から処理液を排出する処理液排出部４１と、処理液排出部４１を制御する制御部７と、を備え、制御部７は、処理液貯留部３８の処理液の濃度が所定の設定濃度に調整される濃度一定モードにおける第１制御と、処理液貯留部３８の処理液の濃度が変更される濃度変更モードにおける第２制御とを実行し、第２制御において、濃度変更前の設定濃度と濃度変更後の設定濃度とを比較し、濃度変更前の設定濃度よりも濃度変更後の設定濃度が低い場合に、処理液の排出が開始されるように処理液排出部４１を制御する。

このような基板液処理装置Ａ１によれば、濃度変更モードの第２制御において、濃度変更後の設定濃度が濃度変更前の設定濃度よりも低くなる場合には、処理液である燐酸水溶液の排出が開始される。このため、燐酸濃度を低下させる際に処理液貯留部３８への水の供給量を増やした場合であっても、処理液貯留部３８から燐酸水溶液が排出されることによって、処理液貯留部３８における液面上昇を抑制し、処理液貯留部３８から燐酸水溶液が吹き零れることを防止することができる。以上より、本実施形態に係る基板液処理装置Ａ１によれば、処理液の濃度変更（詳細には、濃度を低下させる場合の濃度変更）を適切に行うことができる。

基板液処理装置Ａ１は、処理液貯留部３８における液面高さを検出する液面センサー８０を更に備え、制御部７は、第２制御において、濃度変更前の設定濃度よりも濃度変更後の設定濃度が低い場合であって、且つ、液面センサー８０によって検出された液面高さが所定の液面基準値よりも高い場合に、処理液の排出が開始されるように処理液排出部４１を制御する。これにより、濃度を低くするための水の供給によって実際に液面が高くなったことに基づいて、処理液の排出を開始することができる。このことで、適切なタイミングで処理液の排出を開始することができ、処理液の吹き零れをより確実に防止することができる。

濃度変更モードには、個別に設定濃度を設定可能な複数のステップが含まれていてもよい。これにより、濃度変更モードの複数のステップ毎に設定濃度が設定されるため、濃度変更モードにおける各処理に応じてより細かに濃度を設定することができる。

ここで、基板液処理装置において、処理液である燐酸水溶液の燐酸濃度を上昇させる場合には、処理液貯留部への水の供給量が減らされ、水が蒸発させられる。このような、濃度を上昇させるために水を蒸発させる処理には時間がかかってしまう。これによって、処理液の濃度変更（詳細には、濃度を上昇させる場合の濃度変更）を適切に行うことができないおそれがある。

この点、基板液処理装置Ａ１は、処理液貯留部３８における前記処理液の濃度上昇を促進させる濃度上昇促進部として処理液供給部３９を備え、制御部７は、処理液貯留部３８の処理液の濃度が所定の設定濃度に調整される濃度一定モードにおける第１制御と、処理液貯留部３８の処理液の濃度が変更される濃度変更モードにおける第２制御とを実行し、第２制御において、濃度変更前の設定濃度と濃度変更後の設定濃度とを比較し、濃度変更前の設定濃度よりも濃度変更後の設定濃度が高い場合に、処理液貯留部３８における処理液の濃度上昇が促進されるように処理液供給部３９を制御する。

基板液処理装置Ａ１によれば、濃度変更モードの第２制御において、濃度変更後の設定濃度が濃度変更前の設定濃度よりも高くなる場合には、濃度上昇促進部である処理液供給部３９によって処理液の濃度上昇が促進させられる。これにより、単純に水を蒸発させる場合と比較して、濃度上昇に要する時間を短縮することができる。以上より、本実施形態に係る基板液処理装置Ａ１によれば、処理液の濃度変更（詳細には、濃度を上昇させる場合の濃度変更）を適切に行うことができる。

具体的には、濃度上昇促進部である処理液供給部３９は、処理液貯留部３８に貯留された処理液よりも濃度が高い処理液を処理液貯留部３８に供給することにより、処理液貯留部３８における処理液の濃度上昇を促進させる。濃度を上昇させる場合には、水が蒸発することによって処理液貯留部３８における液面が下降し、基板液処理装置の温度調節機能（循環温調）が低下するおそれがある。この点、濃度が高い処理液が処理液貯留部３８に供給されることによって、濃度を適切に上昇させながら、液面の下降（すなわち、温度調整機能の低下）を抑制することができる。

制御部７は、処理対象の基板８が処理液貯留部３８の処理液に浸漬されて処理液により処理される基板処理期間において、上記第１制御および第２制御を実行する。また、制御部７は、処理液貯留部３８の処理液に基板８が浸漬されていないインターバル期間において、処理液貯留部３８の処理液の濃度を、上記濃度一定モードにおける所定の設定濃度に調節する。これにより、基板処理期間において処理液の濃度変更を適切に行うと共に、インターバル期間においても所定の設定濃度への濃度調節を適切に行うことができる。

以上、実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。

例えば、濃度上昇促進部の一例として、処理液供給部３９を説明し、該処理液供給部３９が高濃度の処理液を供給することにより処理液貯留部３８における処理液の濃度上昇を促進する例を説明したが、濃度上昇促進部の構成はこれに限定されない。一般的なエッチング処理装置においては、処理槽の処理液に基板を浸漬させて、処理液貯留部の上部が蓋（バスリッド）によって閉じられた状態で、基板のエッチング処理が行われる。エッチング処理中においては、温度を安定させる観点から、通常、バスリッドを閉じておく必要がある。当該バスリッドは、通常閉じられており、基板を処理液に浸漬させる際にのみ開かれることが一般的である。この点、例えば図７に示すように、処理中ではない処理間のインターバル期間においても、バスリッド１５０を開けることにより、バスリッド１５０が閉じている場合と比較して水の蒸発量を上げることができる。このことにより、処理液の濃度上昇を促進し、処理液の濃度変更（詳細には、濃度を上昇させる場合の濃度変更）をより適切に行うことができる。

また、上述した実施形態では、濃度上昇促進部に係る構成として、水溶液供給部４３のバルブ６２の開閉を切り替えることにより、通常の濃度の燐酸水溶液だけでなく、高濃度の燐酸水溶液についても容易に処理液貯留部３８に供給する構成を説明したが、高濃度の燐酸水溶液を供給する構成はこれに限定されない。例えば、図８に示すように、処理液貯留部３８の外部に、高濃度の燐酸水溶液を貯留する高濃度処理液貯留部１７０を備え、該高濃度処理液貯留部１７０から流路１６０を介して、処理液貯留部３８に、濃度が高められた処理液が供給される構成を採用してもよい。このような構成を採用する場合においても、高濃度の燐酸水溶液を適切に供給し、濃度を適切に上昇させながら、液面の下降（すなわち、温度調整機能の低下）を抑制することができる。なお、図８に示す高濃度処理液貯留部１７０は、供給する燐酸水溶液を加熱することにより常に高温に維持するように構成されていてもよい。これにより、処理液貯留部３８に高温且つ高濃度の燐酸水溶液が供給されることになり、処理液の加熱時間を短縮することができる。なお、上述した実施形態では、処理液排出部４１を処理液貯留部３８に設けたが、処理液排出部は、それに限らず、処理液循環部４０から分岐して設けてもよい。また、処理液貯留部３８を、処理槽３４と外槽４２とで構成したが、処理液貯留部の構成はこれには限定されない。例えば、処理槽３４に処理液供給、水供給部及び排出部を接続して、処理液供給部とし、外槽を設けない構成にしてもよい。

〔高濃度処理液貯留部を備える構成の具体例〕
ここで、上記高濃度処理液貯留部１７０を有する濃度上昇促進部の構成をより詳細に説明する。図９に示す濃度上昇促進部３９Ａは、処理液と、処理液への浸漬対象の基板とを収容する液処理部（例えば上記処理液貯留部３８）に、高濃度の処理液を供給する。例えば濃度上昇促進部３９Ａは、高濃度処理液貯留部１７０と、処理液補充部２１０と、希釈液補充部２２０と、ガス供給部２３０と、加熱部２４０と、処理液供給部２５０と、濃度センサー２６０とを備える。

上述のように、高濃度処理液貯留部１７０（供給液貯留部）は、処理液貯留部３８に供給するための処理液を貯留する。高濃度処理液貯留部１７０は、処理液貯留部３８から離れた位置に設けられている。

処理液補充部２１０は、高濃度処理液貯留部１７０に処理液（例えば上記燐酸水溶液）を補充する。例えば処理液補充部２１０は、処理液供給源２１１と、バルブ２１２とを有する。処理液供給源２１１は、例えば補充用の処理液のタンク（不図示）と、タンクから高濃度処理液貯留部１７０に処理液を圧送するポンプ（不図示）とを有する。バルブ２１２は、処理液供給源２１１から高濃度処理液貯留部１７０に送られる処理液の流路を制御指令に従って開閉する。

希釈液補充部２２０は、処理液補充部２１０が高濃度処理液貯留部１７０に補充する処理液よりも濃度の低い希釈液（例えば純水、脱イオン水等）を高濃度処理液貯留部１７０に補充する。処理液よりも濃度が低いとは、当該処理液が目的とする処理内容に寄与する成分の濃度が低いことを意味する。例えば希釈液補充部２２０は、希釈液供給源２２１と、バルブ２２２とを有する。希釈液供給源２２１は、例えば補充用の希釈液のタンク（不図示）と、タンクから高濃度処理液貯留部１７０に希釈液を圧送するポンプ（不図示）とを有する。バルブ２２２は、希釈液供給源２２１から高濃度処理液貯留部１７０に送られる希釈液の流路を制御指令に従って開閉する。

ガス供給部２３０は、水分蒸発促進用の不活性ガス（例えば窒素ガス）を高濃度処理液貯留部１７０の下部において処理液中に供給する。ガス供給部２３０が不活性ガスを供給すると、処理液中に気泡が発生し、これにより処理液とガスとの接触面積が増大する。このため、処理液中の水分の蒸発が促進される。例えばガス供給部２３０は、ガス供給源２３１と、バルブ２３２とを有する。ガス供給源２３１は、例えば圧縮された不活性ガスのタンク（不図示）を有する。バルブ２３２は、ガス供給源２３１から高濃度処理液貯留部１７０に送られる不活性ガスの流路を制御指令に従って開閉する。

加熱部２４０は、高濃度処理液貯留部１７０の処理液を加熱する。加熱部２４０は、高濃度処理液貯留部１７０の下部から導出した処理液を加熱して高濃度処理液貯留部１７０の上部に戻すように構成されていてもよい。例えば加熱部２４０は、流路２４５と、ポンプ２４１と、フィルター２４２と、ヒーター２４３とを有する。流路２４５は、高濃度処理液貯留部１７０の下部から処理液を導出して高濃度処理液貯留部１７０の上部に導く。ポンプ２４１、フィルター２４２及びヒーター２４３は流路２４５に設けられている。ポンプ２４１は処理液を高濃度処理液貯留部１７０の下部側から上部側に圧送する。フィルター２４２は処理液中の異物等を除去する。ヒーター２４３は処理液を加熱する。

処理液供給部２５０は、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８に処理液を供給する。例えば処理液供給部２５０は、流路２５２とバルブ２５１，２５３とを有する。流路２５２は、ポンプ２４１、フィルター２４２及びヒーター２４３よりも下流側（高濃度処理液貯留部１７０の上部側）において流路２４５から分岐しており、流路２４５から処理液貯留部３８に処理液を導く。バルブ２５１は、制御指令に従って流路２５２を開閉する。バルブ２５３は、流路２５２と高濃度処理液貯留部１７０の上部との間において流路２４５を開閉する。バルブ２５１が流路２５２を閉じ、上記バルブ２５３が流路２４５を開いた状態においては、ポンプ２４１が圧送する処理液は高濃度処理液貯留部１７０の下部から上部に還流する。以下、この状態を「循環状態」という。一方、バルブ２５１が流路２５２を開き、バルブ２５３が流路２４５を閉じた状態においては、ポンプ２４１が圧送する処理液は処理液貯留部３８に供給される。以下、この状態を「供給状態」という。

濃度センサー２６０は、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の濃度に関する情報を検出する。濃度センサー２６０は、処理液の濃度に関する情報として、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の液面の高さに関する情報を検出してもよい。例えば、処理液の液面の高さは、処理液補充部２１０による処理液の補充と、希釈液補充部２２０による希釈液の補充と、処理液中の水分の揮発と、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８への処理液の供給とによって変動する。そこで、処理液補充部２１０による処理液の補充を停止し、上記循環状態を維持した状態においては、処理液の液面低下の主要因が水分揮発となるので、処理液の液面の低下と処理液の濃度上昇とが相関する。同様に、処理液補充部２１０による処理液の補充を停止し、上記循環状態を維持した状態においては、処理液の液面上昇の主要因が希釈液補充となるので、処理液の液面の上昇と処理液の濃度低下とが相関する。このように、処理液補充部２１０による処理液の補充を停止し、上記循環状態を維持した状態においては、処理液の液面の高さが処理液の濃度に関する情報となり得る。

図１０に示すように、例えば濃度センサー２６０は、制御用センサー２６１と、モニタ用センサー２６２とを有する。制御用センサー２６１は、処理液補充部２１０、希釈液補充部２２０及び処理液供給部２５０等の制御用の情報を検出するセンサーである。モニタ用センサー２６２は、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の濃度を監視・記録するためのセンサーである。

制御用センサー２６１は、互いに高さの異なる複数の測定対象高さと処理液の液面との上下関係をそれぞれ検出する複数の液面センサーを有する。例えば制御用センサー２６１は、互いに高さの異なる四つの測定対象高さＨ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４と処理液の液面との上下関係をそれぞれ検出する四つの液面センサー２６３，２６４，２６５，２６６を有する。測定対象高さＨ１は、高濃度処理液貯留部１７０において許容される液面高さ上限値である。測定対象高さＨ２（第一高さ）は、処理液補充部２１０による処理液の補充において液面高さの目標とされる高さである。測定対象高さＨ３（第二高さ）は、処理液の濃縮過程において液面高さの目標とされる高さである。測定対象高さＨ４は、高濃度処理液貯留部１７０において許容される液面高さ下限値である。

液面センサー２６３，２６４，２６５，２６６は、例えば、測定用の不活性ガス（例えば窒素ガス）を測定対象高さＨ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４に供給するための圧力に基づいて、測定対象高さＨ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４と処理液の液面との上下関係をそれぞれ検出する。例えば、測定対象高さＨ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４のそれぞれについて、液面が測定対象高さよりも上にある場合の圧力と、液面が測定対象高さよりも下にある場合の圧力との間に閾値を設定しておくことで、当該圧力が当該閾値を上回るか否かに基づいて当該測定対象高さと液面との上下関係を検出することができる。なお、上述した液面センサー２６３，２６４，２６５，２６６の構成はあくまで一例である。液面センサー２６３，２６４，２６５，２６６は、測定対象高さＨ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４と処理液の液面との上下関係を検出し得る限りいかなるものであってもよい。例えば液面センサー２６３，２６４，２６５，２６６は、静電容量式の液面センサーであってもよい。

モニタ用センサー２６２は、例えば、測定用の不活性ガス（例えば窒素ガス）を高濃度処理液貯留部１７０の下部において処理液中に供給するための圧力（以下、単に「供給圧力」という。）に基づいて、液面の高さの推定値を導出する。ここで、供給圧力は、処理液の液面高さの他の要因によっても変動し得る。他の要因の具体例としては、処理液の沸騰レベルが挙げられる。そこで、モニタ用センサー２６２は、沸騰レベルの影響を軽減して液面高さの検出精度を向上させる構成を更に含んでいてもよい。液面高さの変動が小さい状況下においては、測定用の不活性ガスの供給圧力に基づいて沸騰レベルを検出することが可能である。そこで、液面高さが大きく変動し得ない期間において、供給圧力に基づき沸騰レベルを検出し、その検出結果を用いて沸騰レベルの影響を軽減することが可能である。また、沸騰レベルと処理液の濃度とは相関関係を有するため、沸騰レベルの検出値から処理液の濃度を算出することも可能である。なお、沸騰レベルの違いによる供給圧力の変動レンジと、液面の高さの変動による供給圧力の変動レンジとは異なるので、液面の高さの変動検出用と、沸騰レベルの変動検出用とで供給圧力の測定系を分け、それぞれの測定レンジを個別に調節してもよい。

なお、上述した濃度センサー２６０の構成はあくまで一例である。濃度センサー２６０は、処理液の濃度に関する情報を検出し得る限りいかなるものであってもよい。例えば濃度センサー２６０は、モニタ用センサー２６２を有しなくてもよい。また、濃度センサー２６０は、処理液の液面の高さによらずに処理液の濃度を検出するものであってもよい。処理液の液面の高さによらずに処理液の濃度を検出するセンサーの具体例としては、例えば超音波式又は光学式の濃度センサー等が挙げられる。

以上に例示した濃度上昇促進部３９Ａは、例えば制御部７により制御可能である。例えば制御部７は、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の濃度が処理液貯留部３８の処理液の濃度よりも高い供給濃度に調整される第３制御を更に実行する。例えば制御部７は、供給前濃度調節部７５を更に有する。供給前濃度調節部７５は、第３制御において、高濃度処理液貯留部１７０に処理液を補充するように処理液補充部２１０を制御することと、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８に処理液を供給するように処理液補充部２１０を制御することと、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の濃度が、処理液補充部２１０により補充される処理液の濃度よりも高い供給濃度に達するまで、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８への処理液の供給を禁止するように処理液供給部２５０を制御することと、を実行する。

例えば供給前濃度調節部７５は、処理液補充制御部７６と、加熱制御部７９と、供給制御部７８と、希釈液補充制御部７７とを含む。処理液補充制御部７６は、高濃度処理液貯留部１７０に処理液を補充するように処理液補充部２１０を制御する。例えば供給前濃度調節部７５は、高濃度処理液貯留部１７０に処理液が入っていない状態で処理液の補充を開始し、処理液の液面の高さが測定対象高さＨ２に達したときに処理液の補充を停止するように処理液補充部２１０を制御する。より具体的に、供給前濃度調節部７５は、高濃度処理液貯留部１７０に処理液が入っていない状態でバルブ２１２を開くように処理液補充部２１０を制御する。その後供給前濃度調節部７５は、処理液の液面の高さが測定対象高さＨ２に達したか否かを示す情報を液面センサー２６４から繰り返し取得し、液面の高さが測定対象高さＨ２に達したと判定したときにバルブ２１２を閉じるように処理液補充部２１０を制御する。

加熱制御部７９は、処理液補充部２１０により高濃度処理液貯留部１７０に補充された処理液を加熱するように加熱部２４０を制御する。例えば加熱制御部７９は、高濃度処理液貯留部１７０の下部から導出した液体をポンプ２４１によりヒーター２４３に圧送するように加熱部２４０を制御する。

供給制御部７８は、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８に処理液を供給するように処理液供給部２５０を制御する。例えば供給制御部７８は、上記第２制御の実行において処理液貯留部３８の処理液の濃度上昇を促進させる際に、上記循環状態（上記バルブ２５３が開いて上記バルブ２５１が閉じた状態）を上記供給状態（上記バルブ２５３が閉じて上記バルブ２５１が開いた状態）に切り替えるように処理液供給部２５０を制御する。

ただし、供給制御部７８は、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の濃度が、処理液補充部２１０により補充される処理液の濃度よりも高い供給濃度に達するまで、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８への処理液の供給を禁止するように処理液供給部２５０を制御する。例えば供給制御部７８は、測定対象高さＨ２に達した高濃度処理液貯留部１７０の処理液の液面が測定対象高さＨ３に低下するまでは、上記循環状態から上記供給状態への切り替えを禁止するように処理液供給部２５０を制御する。

希釈液補充制御部７７は、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の濃度が上記供給濃度に達した後、処理液の濃度が更に上昇したときに、当該濃度を上記供給濃度に近付ける量で希釈液を高濃度処理液貯留部１７０に補充するように希釈液補充部２２０を制御する。例えば希釈液補充制御部７７は、測定対象高さＨ２に達した処理液の液面が測定対象高さＨ３に低下した後、当該液面が更に低下したときに、当該液面を測定対象高さＨ３に近付ける量で希釈液を高濃度処理液貯留部１７０に補充するように希釈液補充部２２０を制御する。より具体的に、希釈液補充制御部７７は、処理液の液面が測定対象高さＨ３に達するまでバルブ２２２を開くように希釈液補充部２２０を制御する。

続いて、供給前濃度調節部７５を有する制御部７が実行する制御手順をより詳細に例示する。図１１に示すように、制御部７は、まずステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３を実行する。ステップＳ２１では、処理液補充制御部７６が、高濃度処理液貯留部１７０に処理液が入っていない状態で処理液の補充を開始するように処理液補充部２１０を制御する。ステップＳ２２では、処理液の液面の高さが測定対象高さＨ２に達したことを液面センサー２６４が検出するまで、処理液補充制御部７６が処理液補充部２１０による処理液の補充を継続させる。ステップＳ２３では、処理液補充制御部７６が、処理液の補充を停止するように処理液補充部２１０を制御する。

次に、制御部７はステップＳ２４，Ｓ２５，Ｓ２６，Ｓ２７を実行する。ステップＳ２４では、供給制御部７８が、処理液供給部２５０による上記循環状態から上記供給状態への切り替えを禁止する。以後、上記循環状態から上記供給状態への切り替えが許可されるまでは、処理液供給部２５０によって上記循環状態が維持される。ステップＳ２５では、加熱制御部７９が、ポンプ２４１による処理液の圧送を開始し、処理液の加熱を開始するように加熱部２４０を制御する。ステップＳ２６では、処理液の液面の高さが測定対象高さＨ３まで低下したことを液面センサー２６５が検出するまで、供給制御部７８が循環状態から供給状態への切り替えの禁止を維持する。ステップＳ２７では、供給制御部７８が、循環状態から供給状態への切り替えを許可する。以後、必要に応じて循環状態を供給状態に切り替えることが可能となる。

次に、制御部７はステップＳ２８を実行する。ステップＳ２８では、供給制御部７８が、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８への処理液の供給が必要であるか（例えば上記第２制御の実行において処理液貯留部３８の処理液の濃度上昇を促進させることが必要であるか）を確認する。

ステップＳ２８において、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８への処理液の供給は不要であると判定した場合、制御部７はステップＳ２９を実行する。ステップＳ２９では、測定対象高さＨ３からの更なる液面低下が液面センサー２６５により検出されているか否かを希釈液補充制御部７７が確認する。ステップＳ２９において、測定対象高さＨ３からの更なる液面低下は検出されていないと判定した場合、制御部７は処理をステップＳ２８に戻す。

ステップＳ２９において、測定対象高さＨ３からの更なる液面低下が検出されていると判定した場合、制御部７はステップＳ３１，Ｓ３２，Ｓ３３を実行する。ステップＳ３１では、希釈液補充制御部７７が、バルブ２２２を開いて高濃度処理液貯留部１７０への希釈液の補充を開始するように希釈液補充部２２０を制御する。ステップＳ３２では、測定対象高さＨ３への液面復帰が液面センサー２６５により検出されるまで、希釈液補充制御部７７が希釈液補充部２２０による希釈液の補充を継続させる。ステップＳ３３では、希釈液補充制御部７７が、希釈液の補充を停止するように希釈液補充部２２０を制御する。その後、制御部７は処理をステップＳ２８に戻す。以後、必要に応じ希釈液を補充しながら、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８への処理液供給の要否確認が繰り返される。

ステップＳ２８において、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８への処理液の供給は必要であると判定した場合、制御部７はステップＳ３４，Ｓ３５を実行する。ステップＳ３４では、供給制御部７８が、上記循環状態を上記供給状態に切り替えて、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８に処理液を供給するように処理液供給部２５０を制御する。ステップＳ３５では、ポンプ２４１による処理液の圧送を停止し、処理液の加熱を停止するように加熱部２４０を制御する。以上で高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８に処理液を供給するための制御手順が完了する。なお、ステップＳ３４とステップＳ３５は、この順序で実行しなくてもよく、順序を入れ替えてもよい。

以上に例示した構成は、処理液貯留部３８に供給するための処理液を貯留する高濃度処理液貯留部１７０と、高濃度処理液貯留部１７０に処理液を補充する処理液補充部２１０と、高濃度処理液貯留部１７０の処理液を加熱する加熱部２４０と、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８に処理液を供給する処理液供給部２５０と、を備える。

この構成によれば、処理液貯留部３８への処理液の供給タイミングに先立って、高濃度処理液貯留部１７０において予め処理液の濃度を高めておくことで、上記供給タイミングにおいて高濃度の処理液を処理液貯留部３８に迅速に供給することができる。また、高濃度処理液貯留部１７０における処理液の濃度上昇を加熱により促進する構成によれば、処理液貯留部３８に加熱済みの処理液を供給することができるので、処理液貯留部３８における処理液の加熱時間を短縮することもできる。従って、処理液貯留部３８における処理液の濃度調節の迅速化に有効である。

濃度上昇促進部３９Ａは、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の濃度に関する情報を検出する濃度センサー２６０を更に備えてもよい。この場合、上記供給タイミングに先立つ処理液の濃度調節をより高い精度で実行することができる。従って、処理液貯留部３８における処理液の濃度調節の更なる迅速化に有効である。

濃度センサー２６０は、処理液の濃度に関する情報として、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の液面の高さに関する情報を検出してもよい。この場合、濃度自体を計測するセンサーに比較して、濃度センサー２６０の構成の簡易化が可能である。

濃度センサー２６０は、互いに高さの異なる複数の測定対象高さと液面との上下関係をそれぞれ検出する複数の液面センサー２６３，２６４，２６５，２６６を有してもよい。この場合、濃度センサー２６０の構成の更なる簡易化が可能である。また、異なる複数の測定対象高さと液面との上下関係は、二値的に判定可能であるため、ノイズ等の測定誤差要因の影響を受け難い。このため、測定対象高さと液面との上下関係を検出する構成は、濃度に関する情報の信頼性向上にも有効である。

濃度上昇促進部３９Ａは、高濃度処理液貯留部１７０が処理液貯留部３８に補充する処理液よりも濃度の低い希釈液を高濃度処理液貯留部１７０に補充する希釈液補充部２２０を更に備えてもよい。この場合、処理液の濃度を適切な高さに容易に維持することができる。

加熱部２４０は、高濃度処理液貯留部１７０の下部から導出した処理液を加熱して高濃度処理液貯留部１７０の上部に戻すように構成されていてもよい。この場合、高濃度処理液貯留部１７０内における処理液の温度の均一性を向上させることで、濃度上昇の偏りを抑制することができる。

制御部７は、高濃度処理液貯留部１７０に処理液を補充するように処理液補充部２１０を制御することと、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８に処理液を供給するように処理液供給部２５０を制御することと、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の濃度が、処理液補充部２１０により補充される処理液の濃度よりも高い供給濃度に達するまで、高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８への処理液の供給を禁止するように処理液供給部２５０を制御することと、を実行するように構成されていてもよい。この場合、上記供給タイミングに先立って処理液の濃度を調節することを自動的に実行することができる。

制御部７は、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の液面が測定対象高さＨ２に達するまで処理液を補充するように処理液補充部２１０を制御した後、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の液面が測定対象高さＨ３に低下するまで高濃度処理液貯留部１７０から処理液貯留部３８への処理液の供給を禁止するように処理液供給部２５０を制御してもよい。この場合、液面の高さに基づく濃度の調節中には、液面の高さと濃度との相関関係が概ね維持される。このため、液面の高さに基づく簡易的な濃度の調節を高い信頼性で行うことができる。

制御部７は、高濃度処理液貯留部１７０の処理液の濃度を上記供給濃度に近付ける量で希釈液を高濃度処理液貯留部１７０に補充するように希釈液補充部２２０を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、処理液の濃度の維持を自動的に継続することができる。

なお、上述した具体例は、以下の構成を含んでいる。
（付記１）
処理液と、処理液への浸漬対象の基板とを収容する液処理部と、
前記液処理部に供給するための前記処理液を貯留する供給液貯留部と、
前記供給液貯留部に前記処理液を補充する処理液補充部と、
前記供給液貯留部の前記処理液を加熱する加熱部と、
前記供給液貯留部から前記液処理部に前記処理液を供給する処理液供給部と、を備える基板液処理装置。
（付記２）
前記供給液貯留部の前記処理液の濃度に関する情報を検出する濃度センサーを更に備える、付記１記載の基板液処理装置。
（付記３）
前記濃度センサーは、前記処理液の濃度に関する情報として、前記供給液貯留部の前記処理液の液面の高さに関する情報を検出する、付記２記載の基板液処理装置。
（付記４）
前記濃度センサーは、互いに高さの異なる複数の測定対象高さと液面との上下関係をそれぞれ検出する複数の液面センサーを有する、付記３記載の基板液処理装置。
（付記５）
前記処理液補充部が前記供給液貯留部に補充する前記処理液よりも濃度の低い希釈液を前記供給液貯留部に補充する希釈液補充部を更に備える、付記１～４のいずれか一項記載の基板液処理装置。
（付記６）
前記加熱部は、前記供給液貯留部の下部から導出した前記処理液を加熱して前記供給液貯留部の上部に戻すように構成されている、付記１～４のいずれか一項記載の基板液処理装置。
（付記７）
前記供給液貯留部に前記処理液を補充するように前記処理液補充部を制御することと、
前記供給液貯留部から前記液処理部に前記処理液を供給するように前記処理液供給部を制御することと、
前記供給液貯留部の前記処理液の濃度が、前記処理液補充部により補充される前記処理液の濃度よりも高い供給濃度に達するまで、前記供給液貯留部から前記液処理部への前記処理液の供給を禁止するように前記処理液供給部を制御することと、を実行するように構成された制御部を更に備える、付記１～６のいずれか一項記載の基板液処理装置。
（付記８）
前記供給液貯留部に前記処理液を補充するように前記処理液補充部を制御することと、
前記供給液貯留部から前記液処理部に前記処理液を供給するように前記処理液供給部を制御することと、
前記供給液貯留部の前記処理液の濃度が、前記処理液補充部により補充される前記処理液の濃度よりも高い供給濃度に達するまで、前記供給液貯留部から前記液処理部への前記処理液の供給を禁止するように前記処理液供給部を制御することと、を実行するように構成された制御部を更に備え、
前記複数の測定対象高さは、第一高さと、第一高さよりも低い第二高さとを含み、
前記制御部は、前記供給液貯留部の前記処理液の液面が前記第一高さに達するまで前記処理液を補充するように前記処理液補充部を制御した後、前記供給液貯留部の前記処理液の液面が前記第二高さに低下するまで前記供給液貯留部から前記液処理部への前記処理液の供給を禁止するように前記処理液供給部を制御する、付記４記載の基板液処理装置。
（付記９）
前記供給液貯留部に前記処理液を補充するように前記処理液補充部を制御することと、
前記供給液貯留部から前記液処理部に前記処理液を供給するように前記処理液供給部を制御することと、
前記供給液貯留部の前記処理液の濃度が、前記処理液補充部により補充される前記処理液の濃度よりも高い供給濃度に達するまで、前記供給液貯留部から前記液処理部への前記処理液の供給を禁止するように前記処理液供給部を制御することと、
前記供給液貯留部の前記処理液の濃度を前記供給濃度に近付ける量で前記希釈液を前記供給液貯留部に補充するように前記希釈液補充部を制御することと、を実行するように構成された制御部を更に備える、付記５記載の基板液処理装置。

Ａ１…基板液処理装置、７…制御部、３８…処理液貯留部（貯留部）、３９…処理液供給部（濃度上昇促進部）、３９Ａ…濃度上昇促進部、４１…処理液排出部（排出部）、８０，２６３，２６４，２６５，２６６…液面センサー、２１０…処理液補充部、２４０…加熱部、２６０…濃度センサー、Ｈ２…測定対象高さ（第一高さ）、Ｈ３…測定対象高さ（第二高さ）。

Claims (10)

1. 処理液を貯留する貯留部と、
   前記貯留部から前記処理液を排出する排出部と、
   前記排出部を制御する制御部と、
   前記貯留部における液面高さを検出する液面センサーと、を備え、
   前記制御部は、
   前記貯留部の前記処理液の濃度が所定の設定濃度に調整される濃度一定期間における第１制御と、前記貯留部の前記処理液の濃度が変更される濃度変更期間における第２制御とを実行し、
   前記第２制御において、濃度変更前の設定濃度と濃度変更後の設定濃度とを比較し、前記濃度変更前の設定濃度よりも前記濃度変更後の設定濃度が低い場合であって、且つ、前記液面センサーによって検出された液面高さが所定の液面基準値よりも高い場合に、前記処理液の排出が開始されるように前記排出部を制御する、基板液処理装置。
2. 処理液を貯留する貯留部と、
   前記貯留部における前記処理液の濃度上昇を促進させる濃度上昇促進部と、
   前記濃度上昇促進部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記貯留部の前記処理液の濃度が所定の設定濃度に調整される濃度一定期間における第１制御と、前記貯留部の前記処理液の濃度が変更される濃度変更期間における第２制御とを実行し、
   前記第２制御において、濃度変更前の設定濃度と濃度変更後の設定濃度とを比較し、前記濃度変更前の設定濃度よりも前記濃度変更後の設定濃度が高い場合に、前記貯留部における前記処理液の濃度上昇が促進されるように前記濃度上昇促進部を制御し、
   前記濃度上昇促進部は、
   前記貯留部に供給するための前記処理液を貯留する供給液貯留部と、
   前記供給液貯留部に前記処理液を補充する処理液補充部と、
   前記供給液貯留部の前記処理液を加熱する加熱部と、
   前記供給液貯留部から前記貯留部に前記処理液を供給する処理液供給部と、
   前記供給液貯留部の前記処理液の濃度に関する情報を検出する濃度センサーと、を有し、前記貯留部に貯留された前記処理液よりも濃度が高い前記処理液を前記貯留部に供給し、
   前記濃度センサーは、互いに高さの異なる複数の測定対象高さと液面との上下関係をそれぞれ検出する複数の液面センサーを有する、基板液処理装置。
3. 前記濃度変更期間には、個別に設定濃度を設定可能な複数のステップが含まれている、請求項１又は２記載の基板液処理装置。
4. 前記制御部は、処理対象の基板が前記貯留部の前記処理液に浸漬されて前記処理液により処理される基板処理期間において、前記第１制御及び前記第２制御を実行する、請求項１～３のいずれか一項記載の基板液処理装置。
5. 前記制御部は、前記貯留部の前記処理液に前記基板が浸漬されていないインターバル期間において、前記貯留部の前記処理液の濃度を、前記濃度一定期間における前記所定の設定濃度に調節することを更に実行するように構成されている、請求項４記載の基板液処理装置。
6. 前記制御部は、
   前記供給液貯留部の前記処理液の濃度が前記貯留部の前記処理液の濃度よりも高い供給濃度に調整される第３制御を更に実行し、
   前記第３制御において、
   前記供給液貯留部に前記処理液を補充するように前記処理液補充部を制御することと、
   前記供給液貯留部から前記貯留部に前記処理液を供給するように前記処理液供給部を制御することと、
   前記供給液貯留部の前記処理液の濃度が、前記供給濃度に達するまで、前記供給液貯留部から前記貯留部への前記処理液の供給を禁止するように前記処理液供給部を制御することと、を実行する、請求項２記載の基板液処理装置。
7. 前記複数の測定対象高さは、第一高さと、第一高さよりも低い第二高さとを含み、
   前記制御部は、
   前記供給液貯留部の前記処理液の濃度が前記貯留部の前記処理液の濃度よりも高い供給濃度に調整される第３制御を更に実行し、
   前記第３制御において、
   前記供給液貯留部の前記処理液の液面が前記第一高さに達するまで前記供給液貯留部に前記処理液を補充するように前記処理液補充部を制御することと、
   前記供給液貯留部から前記貯留部に前記処理液を供給するように前記処理液供給部を制御することと、
   前記第一高さに達した前記供給液貯留部の前記処理液の液面が前記第二高さに低下するまで前記供給液貯留部から前記貯留部への前記処理液の供給を禁止するように前記処理液供給部を制御することと、を実行する、請求項２記載の基板液処理装置。
8. 濃度一定期間において、処理液を貯留する貯留部の前記処理液の濃度を所定の設定濃度に調整する第１制御と、
   濃度変更期間において、前記貯留部の前記処理液の濃度を変更する第２制御と、を含み、
   前記第２制御において、濃度変更前の設定濃度と濃度変更後の設定濃度とを比較し、前記濃度変更前の設定濃度よりも前記濃度変更後の設定濃度が低い場合であって、且つ、前記貯留部における液面高さが所定の液面基準値よりも高い場合に、前記貯留部からの前記処理液の排出を開始する、基板液処理方法。
9. 処理液を貯留する貯留部に供給するための前記処理液を貯留する供給液貯留部に前記処理液を補充することと、
   前記供給液貯留部の前記処理液を加熱することと、
   互いに高さの異なる複数の測定対象高さと液面との上下関係をそれぞれ検出する複数の液面センサーにより、前記供給液貯留部の前記処理液の濃度に関する情報を検出することと、
   前記供給液貯留部の前記処理液の濃度が、前記貯留部に貯留された前記処理液の濃度よりも高い供給濃度に達するまで、前記供給液貯留部から前記貯留部への前記処理液の供給を禁止することと、
   前記供給濃度に達した前記処理液を前記供給液貯留部から前記貯留部に供給することと、を含む基板液処理方法。
10. 請求項８又は９記載の基板液処理方法を基板液処理装置に実行させるための基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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