KR102280703B1 - 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR102280703B1
KR102280703B1 KR1020150013609A KR20150013609A KR102280703B1 KR 102280703 B1 KR102280703 B1 KR 102280703B1 KR 1020150013609 A KR1020150013609 A KR 1020150013609A KR 20150013609 A KR20150013609 A KR 20150013609A KR 102280703 B1 KR102280703 B1 KR 102280703B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
treatment liquid
liquid
treatment
Prior art date
Application number
KR1020150013609A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150091245A (ko
Inventor
히로미 하라
히데아키 사토
다카히로 가와주
다카시 나가이
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20150091245A publication Critical patent/KR20150091245A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102280703B1 publication Critical patent/KR102280703B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Abstract

본 발명은 미리 정해진 농도의 약제의 수용액을 처리액으로서 이용하여 기판을 액처리하는 기판 액처리 장치에 있어서 기판을 처리액으로 양호하게 처리할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는, 처리액을 처리액 저류부에 저류해 두고, 상기 처리액과는 상이한 농도의 약제의 수용액을 상기 처리액 저류부에 공급하고, 상기 처리액 저류부로부터 상기 처리액을 배출하여, 상기 처리액 저류부에 저류되는 상기 처리액을 갱신하며, 그 때에, 상기 처리액 저류부에 미리 정해진 양의 상기 수용액을 공급하고, 상기 처리액 저류부로 공급되는 상기 수용액에 함유되는 상기 약제의 양과 동일 양의 약제를 함유하는 상기 처리액을 상기 처리액 저류부로부터 배출하는 것으로 하였다.

Description

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM HAVING SUBSTRATE LIQUID PROCESSING PROGRAM RECORDED THEREIN}
본 발명은, 미리 정해진 농도의 약제의 수용액을 처리액으로서 이용하여 기판을 액처리하는 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 부품이나 플랫 패널 디스플레이 등을 제조할 때에는, 기판 액처리 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판에 대하여 에칭액이나 세정액 등의 처리액을 이용하여 에칭이나 세정 등의 처리를 행한다.
기판 액처리 장치에서는, 미리 정해진 농도의 약제의 수용액을 처리액으로서 이용하고, 그 처리액을 저류한 처리조에 기판을 침지시킴으로써, 혹은, 그 처리액을 저류한 저류조로부터 기판의 표면을 향해 토출시킴으로써, 기판을 처리액으로 처리한다.
종래의 기판 액처리 장치에서는, 처리액으로 기판을 반복하여 처리하면, 기판의 처리에 의해 처리액에 함유되는 불순물 등의 농도가 증가해 버려, 기판을 양호하게 처리할 수 없게 된다. 예컨대, 기판을 인산 수용액(에칭액)으로 처리하는 경우에는, 처리액의 능력(에칭률)이 처리액 중의 실리콘 농도에 의존하기 때문에 처리액 중의 실리콘 농도를 일정 범위 내로 유지할 필요가 있지만, 기판의 처리를 반복함으로써 에칭액 중의 실리콘 농도가 증가하고, 처리액의 능력이 저하되어 기판을 양호하게 에칭 처리할 수 없게 된다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
그 때문에, 종래의 기판 액처리 장치에서는, 정기적으로 저류한 처리액을 전부 폐기하고, 모든 처리액을 새롭게 보충한다고 하는 처리액의 교환을 행하고 있다. 특히, 기판을 에칭 처리하는 경우에는, 처리액에 함유되는 실리콘 농도를 일정 범위 내로 유지할 필요가 있기 때문에, 처리액의 전량을 교환한 후에, 더미의 기판을 처리액에 침지시켜 처리액에 함유되는 실리콘 농도를 조정하고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2010-74060호 공보
그런데, 상기 종래의 기판 액처리 장치에서는, 처리액의 전량을 교환하고, 더미 기판을 처리액에 침지시켜 처리액에 함유되는 실리콘 농도를 조정하기 때문에, 처리액의 교환에 필요한 시간이 길어지고, 기판 액처리 장치의 스루풋의 저하를 초래할 우려가 있었다.
이 처리액의 교환에 필요한 시간을 단축시키기 위해서, 처리액의 일부(미리 정해진 양)를 폐기하고, 그것과 동량의 처리액을 새롭게 보충한다고 하는 처리액을 갱신하는 방법도 생각할 수 있다.
그러나, 에칭액으로서 이용되는 인산 수용액 등과 같이 농도를 조정하는 경우 등에 있어서는, 미리 정해진 농도의 약제의 수용액을 미리 정해진 온도로 가열함으로써 수용액의 농도와는 상이한 농도의 처리액을 생성한다. 그 때문에, 폐기되는 처리액과 동량의 수용액을 보충하면, 처리액의 농도가 변화되어 버려, 기판을 양호하게 처리할 수 없다.
그래서, 본 발명에서는, 미리 정해진 농도의 약제의 수용액을 처리액으로서 이용하여 기판을 액처리하는 기판 액처리 장치에 있어서, 상기 처리액을 저류하는 처리액 저류부와, 상기 처리액 저류부에 상기 처리액과는 상이한 농도의 상기 약제의 수용액을 공급하는 수용액 공급부와, 상기 처리액 저류부로부터 상기 처리액을 배출하는 처리액 배출부와, 상기 수용액 공급부와 처리액 배출부를 제어하는 제어부를 가지며, 상기 제어부는, 상기 수용액 공급부에 의해 상기 처리액 저류부에 미리 정해진 양의 상기 수용액을 공급하고, 상기 처리액 저류부로 공급되는 상기 수용액에 함유되는 상기 약제의 양과 동일 양의 약제를 함유하는 상기 처리액을 상기 처리액 배출부에 의해 상기 처리액 저류부로부터 배출하도록 제어하는 것으로 하였다.
또한, 상기 수용액으로서 상기 처리액보다도 농도 및 온도가 낮은 것을 이용하고, 상기 처리액 저류부로의 상기 수용액의 공급 후에 가열하는 가열 수단을 갖는 것으로 하였다.
또한, 상기 처리액 저류부에 물을 공급하는 물공급부를 설치하고, 상기 제어부는, 가열에 의해 상기 처리액 저류부로부터 증발되는 물의 양과 상기 처리액 저류부로부터 배출시키는 상기 처리액에 함유되는 물의 양을 가산한 물의 양에서 상기 처리액 저류부로 공급되는 상기 수용액에 함유되는 물의 양을 감산한 물의 양과 동일 양의 물을 상기 물공급부로부터 상기 처리액 저류부에 공급하도록 제어하는 것으로 하였다.
또한, 상기 제어부는, 상기 처리액 저류부에서 저류하는 상기 처리액에 상기 기판을 침지시켜 상기 기판을 상기 처리액으로 처리하고, 상기 기판의 처리 중에 상기 수용액 공급부에 의한 상기 수용액의 공급과 상기 처리액 배출부에 의한 상기 처리액의 배출을 동시에 행하도록 제어하는 것으로 하였다.
또한, 상기 제어부는, 상기 처리액 저류부에 상기 기판을 침지시킨 후의 상기 처리액 저류부의 수위를 기억하고, 그 수위를 유지하도록 상기 처리액 배출부에 의한 상기 처리액 저류부로부터의 상기 처리액의 배출량을 제어하는 것으로 하였다.
또한, 본 발명에서는, 미리 정해진 농도의 약제의 수용액을 처리액으로서 이용하여 기판을 액처리하는 기판 액처리 방법에 있어서, 상기 처리액을 처리액 저류부에 저류해 두고, 상기 처리액과는 상이한 농도의 상기 약제의 수용액을 상기 처리액 저류부에 공급하고, 상기 처리액 저류부로부터 상기 처리액을 배출하여, 상기 처리액 저류부에 저류되는 상기 처리액을 갱신하며, 그 때에, 상기 처리액 저류부에 미리 정해진 양의 상기 수용액을 공급하고, 상기 처리액 저류부로 공급되는 상기 수용액에 함유되는 상기 약제의 양과 동일 양의 약제를 함유하는 상기 처리액을 상기 처리액 저류부로부터 배출하는 것으로 하였다.
또한, 상기 수용액으로서 상기 처리액보다도 농도 및 온도가 낮은 것을 이용하여, 상기 처리액 저류부로의 상기 수용액의 공급 후에 가열하는 것으로 하였다.
또한, 가열에 의해 상기 처리액 저류부로부터 증발되는 물의 양과 상기 처리액 저류부로부터 배출시키는 상기 처리액에 함유되는 물의 양을 가산한 물의 양에서 상기 처리액 저류부로 공급되는 상기 수용액에 함유되는 물의 양을 감산한 물의 양과 동일 양의 물을 상기 처리액 저류부에 공급하는 것으로 하였다.
또한, 상기 처리액 저류부에서 저류하는 상기 처리액에 상기 기판을 침지시켜 상기 기판을 상기 처리액으로 처리하고, 상기 기판의 처리 중에 상기 수용액의 공급과 상기 처리액의 배출을 동시에 행하는 것으로 하였다.
또한, 상기 처리액 저류부에 상기 기판을 침지시킨 후의 상기 처리액 저류부의 수위를 기억하고, 그 수위를 유지하도록 상기 처리액 저류부로부터 상기 처리액을 배출하는 것으로 하였다.
또한, 본 발명에서는, 기판을 액처리하기 위한 처리액으로서 미리 정해진 농도의 약제의 수용액을 저류하는 처리액 저류부와, 상기 처리액 저류부에 상기 처리액과는 상이한 농도의 상기 약제의 수용액을 공급하는 수용액 공급부와, 상기 처리액 저류부로부터 상기 처리액을 배출하는 처리액 배출부를 갖는 기판 액처리 장치를 제어하기 위한 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서, 상기 수용액 공급부에 의해 상기 처리액 저류부에 미리 정해진 양의 상기 수용액을 공급시키고, 상기 처리액 저류부로 공급되는 상기 수용액에 함유되는 상기 약제의 양과 동일 양의 약제를 함유하는 상기 처리액을 상기 처리액 배출부에 의해 상기 처리액 저류부로부터 배출시키는 것으로 하였다.
본 발명에서는, 처리액의 농도를 변화시키지 않고 처리액을 신속하게 갱신할 수 있기 때문에, 기판 액처리 장치의 스루풋을 저감시키지 않고, 기판의 액처리를 양호하게 행할 수 있다.
도 1은 기판 액처리 장치를 도시한 평면 설명도.
도 2는 에칭 처리 장치를 도시한 설명도.
도 3은 기판 액처리 프로그램을 도시한 플로차트.
도 4는 동 타임차트.
도 5는 다른 에칭 처리 장치를 도시한 설명도.
이하에, 본 발명에 따른 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램의 구체적인 구성에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 액처리 장치(1)는, 캐리어 반입/반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6), 제어부(7)를 갖는다.
캐리어 반입/반출부(2)는, 복수장(예컨대, 25장)의 기판(8)을 수평 자세로 상하로 나란히 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다.
이 캐리어 반입/반출부(2)에는, 복수개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 설치되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한, 캐리어 스톡(13)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다.
그리고, 캐리어 반입/반출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)로 반입된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나 캐리어 배치대(14)로 반송한다. 또한, 캐리어 반입/반출부(2)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나 캐리어 스테이지(10)로 반송한다. 캐리어 스테이지(10)로 반송된 캐리어(9)는, 외부로 반출된다.
로트 형성부(3)는, 1 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수장(예컨대, 50장)의 기판(8)으로 이루어진 로트를 형성한다.
이 로트 형성부(3)에는, 복수장의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 설치되어 있다. 또한, 기판 반송 기구(15)는, 기판(8)의 반송 도중에서 기판(8)의 자세를 수평 자세에서 수직 자세 및 수직 자세에서 수평 자세로 변경시킬 수 있다.
그리고, 로트 형성부(3)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 기판(8)을 로트 배치부(4)로 반송하고, 로트 배치부(4)에서 로트를 형성한다. 또한, 로트 형성부(3)는, 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)에 의해 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로 반송한다. 또한, 기판 반송 기구(15)는, 복수장의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전[로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전]의 기판(8)을 지지하는 처리 전 기판 지지부와, 처리 후[로트 반송부(5)에 의해 반송된 후]의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부의 2종류를 갖고 있다. 이에 따라, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 전착되는 것을 방지한다.
로트 배치부(4)는, 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6) 사이에서 반송되는 로트를 일시적으로 배치(대기)한다.
이 로트 배치부(4)에는, 처리 전[로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전]의 로트를 배치하는 반입측 로트 배치대(17)와, 처리 후[로트 반송부(5)에 의해 반송된 후]의 로트를 배치하는 반출측 로트 배치대(18)가 설치되어 있다. 반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1로트분의 복수장의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 배치된다.
그리고, 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성된 로트가 반입측 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 통해 로트 처리부(6)로 반입된다. 또한, 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 통해 반출된 로트가 반출측 로트 배치대(18)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)로 반송된다.
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6) 사이나 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다.
이 로트 반송부(5)에는, 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 설치되어 있다. 로트 반송 기구(19)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따르게 하여 배치한 레일(20)과, 복수장의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성한다. 이동체(21)에는, 수직 자세로 앞뒤로 늘어선 복수장의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴 가능하게 설치되어 있다.
그리고, 로트 반송부(5)는, 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에 있어서 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는, 수직 자세로 앞뒤로 늘어선 복수장의 기판(8)을 1로트로 하여 에칭이나 세정이나 건조 등의 처리를 행한다.
이 로트 처리부(6)에는, 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2대의 에칭 처리 장치(26)가 나란히 설치되어 있다.
건조 처리 장치(23)는, 처리조(27)에 기판 승강 기구(28)를 승강 가능하게 설치하고 있다. 처리조(27)에는, 기판(8)의 건조를 행하는 IPA(이소프로필알코올) 등의 건조용 처리 가스가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는, 1로트분의 복수장의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 유지된다. 건조 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(28)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(27)의 건조용 처리 가스를 공급시켜 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는, 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(24)는, 처리조(29)에 세정용 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있도록 되어 있고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
세정 처리 장치(25)는, 세정용 처리조(30)와 린스용 처리조(31)를 가지며, 각 처리조(30, 31)에 기판 승강 기구(32, 33)를 승강 가능하게 설치하고 있다. 세정용 처리조(30)에는, 기판(8)의 세정을 행하는 SC-1 등의 세정용 처리액이 저류된다. 린스용 처리조(31)에는, 기판(8)의 린스를 행하는 순수 등의 린스용 처리액이 저류된다.
에칭 처리 장치(26)는, 에칭용 처리조(34)와 린스용 처리조(35)를 가지며, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)를 승강 가능하게 설치하고 있다. 에칭용 처리조(34)에는, 기판(8)의 에칭을 행하는 인산 수용액 등의 에칭용 처리액이 저류된다. 린스용 처리조(35)에는, 기판(8)의 린스를 행하는 순수 등의 린스용 처리액이 저류된다.
이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(26)는, 동일한 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(26)에 대해서 설명하면, 기판 승강 기구(36, 37)에는, 1로트분의 복수장의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 유지된다. 에칭 처리 장치(26)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(36)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다. 또한, 에칭 처리 장치(26)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(37)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
이 에칭 처리 장치(26)에서는, 미리 정해진 농도의 약제(인산)의 수용액(88.3 중량%의 인산 수용액)을 처리액(에칭액)으로서 이용하여 기판(8)을 액처리(에칭 처리)한다.
에칭 처리 장치(26)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 미리 정해진 농도의 인산 수용액(88.3 중량%의 인산 수용액)으로 이루어진 처리액을 저류하고, 기판(8)을 처리하기 위한 처리액 저류부(38)와, 처리액 저류부(38)에 처리액과는 상이한 농도의 약제(인산)의 수용액(85 중량%의 인산 수용액)을 공급하기 위한 수용액 공급부(39)와, 처리액 저류부(38)에 물(순수)을 공급하기 위한 물공급부(40)와, 처리액 저류부(38)에 저류된 처리액을 순환시키기 위한 처리액 순환부(41)와, 처리액 저류부(38)로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출부(42)를 갖는다.
처리액 저류부(38)는, 상부를 개방시킨 처리조(34)의 상부 주위에 상부를 개방시킨 외부조(43)를 형성하고, 처리조(34)와 외부조(43)에 처리액을 저류한다. 처리조(34)에서는, 기판(8)을 기판 승강 기구(36)에 의해 침지시킴으로써 기판(8)을 액처리하는 처리액을 저류한다. 외부조(43)에서는, 처리조(34)로부터 오버 플로우한 처리액이나, 수용액 공급부(39)로부터 공급되는 수용액이나, 물공급부(40)로부터 공급되는 물을 저류하고, 처리액 순환부(41)에 의해 처리조(34)에 처리액을 공급한다. 외부조(43)에는, 처리액의 수위를 검출하는 수위 센서(44)가 설치되어 있다. 수위 센서(44)는 제어부(7)에 접속되어 있다.
수용액 공급부(39)는, 미리 정해진 농도(85 중량%) 및 미리 정해진 온도(25℃)의 인산 수용액을 공급하기 위한 수용액 공급원(45)을 처리액 저류부(38)의 외부조(43)에 유량 조정기(46)를 통해 접속한다. 유량 조정기(46)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에서 개폐 제어 및 유량 제어된다.
물공급부(40)는, 미리 정해진 온도(25℃)의 순수를 공급하기 위한 물공급원(47)을 처리액 저류부(38)의 외부조(43)에 유량 조정기(48)를 통해 접속한다. 유량 조정기(48)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에서 개폐 제어 및 유량 제어된다.
처리액 순환부(41)는, 처리액 저류부(38)의 외부조(43)의 바닥부와 처리조(34)의 바닥부 사이에 순환 유로(49)를 형성한다. 순환 유로(49)에는, 펌프(50), 히터(가열 수단)(51), 필터(52), 인산 수용액의 농도를 검출하는 농도 센서(53)가 차례로 설치되어 있다. 이들 펌프(50), 히터(51), 필터(52), 농도 센서(53)는, 제어부(7)에 접속되어 있다. 그리고, 처리액 순환부(41)는, 펌프(50)를 구동시킴으로써 외부조(43)로부터 처리조(34)로 처리액을 순환시킨다. 그 때에, 히터(51)에 의해 처리액을 미리 정해진 온도(165℃)로 가열한다.
처리액 배출부(42)는, 처리액 저류부(38)의 처리조(34)의 바닥부에 외부 드레인(54)을 개폐 밸브(55)를 통해 접속한다. 개폐 밸브(55)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에서 개폐 제어된다.
에칭 처리 장치(26)는, 수용액 공급부(39)에 의해 미리 정해진 농도(85 중량%) 및 미리 정해진 온도(25℃)의 인산 수용액을 처리액 저류부(38)에 공급하고, 처리액 순환부(41)에 의해 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)가 되도록 가열하여 처리액을 생성하며, 처리액을 처리액 저류부(38)에 저류한다. 또한, 에칭 처리 장치(26)는, 가열에 의해 증발되는 물의 양에 상응하는 양의 순수를 물공급부(40)에 의해 처리액 저류부(38)에 공급한다. 이에 따라, 에칭 처리 장치(26)는, 처리액 저류부(38)의 처리조(34)에 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)의 처리액을 저류하고, 그 처리액에 기판 승강 기구(36)에 의해 기판(8)을 침지시킴으로써, 기판(8)을 에칭 처리한다.
또한, 에칭 처리 장치(26)는, 처리액 배출부(42)에 의해 처리액 저류부(38)의 처리액의 일부(또는 전부)를 배출하고, 수용액 공급부(39)에 의해 신규로 수용액을 공급하여, 처리액 저류부(38)에 저류하는 처리액을 적절하게 갱신(교환)한다.
제어부(7)는, 기판 액처리 장치(1)의 각부[캐리어 반입/반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6) 등]의 동작을 제어한다.
이 제어부(7)는, 예컨대 컴퓨터이며, 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체(56)를 구비한다. 기록 매체(56)에는, 기판 액처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는, 기록 매체(56)에 기록된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 액처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 또한, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체(56)에 기록되어 있던 것으로서, 다른 기록 매체로부터 제어부(7)의 기록 매체(56)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체(56)로서는, 예컨대 하드디스크(HD), 플렉시블디스크(FD), 컴팩트디스크(CD), 마그넷 광디스크(MO), 메모리카드 등이 있다.
기판 액처리 장치(1)는, 이상으로 설명한 바와 같이 구성되어 있고, 제어부(7)에서 각부[캐리어 반입/반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6) 등]의 동작을 제어함으로써, 기판(8)을 처리한다.
이 기판 액처리 장치(1)로 기판(8)을 에칭 처리하는 경우, 기록 매체(56)에 기록된 기판 액처리 프로그램에 따라 제어부(7)에서 에칭 처리 장치(26) 등을 이하에 설명하는 바와 같이 제어한다(도 3 및 도 4 참조).
우선, 기판 액처리 장치(1)는, 기판(8)을 에칭 처리하기 위한 준비를 행한다(준비 공정).
이 준비 공정에 있어서, 제어부(7)는, 처리액 저류부(38)에 저류된 처리액을 처리액 순환부(41)에 의해 순환시키면서 가열시킨다. 이에 따라, 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)의 처리액이 생성된다. 처리액은, 처리액 저류부(38)의 처리조(34)에 저류되고, 처리조(34)로부터 외부조(43)로 오버플로하며, 처리액 순환부(41)에 의해 미리 정해진 온도(165℃)를 유지하도록 가열된다. 이와 같이 처리액(인산 수용액)을 물의 비점 이상의 온도로 가열하면, 처리액에 함유되는 수분이 증발하여, 처리액에 함유되는 인산의 농도가 증가한다. 그래서, 제어부(7)는, 가열에 의해 증발되는 물의 양에 상응하는 양의 순수를 물공급부(40)에 의해 처리액 저류부(38)에 공급시킨다. 이에 따라, 처리액 저류부(38)의 처리조(34)에 저류되는 처리액을 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)로 유지한다. 예컨대, 가열에 의한 물증발량이 100 ml/min인 경우, 동량의 순수를 물공급부(40)로부터 처리액 저류부(38)에 공급한다. 또한, 처리액의 가열은, 그 후의 공정(반입 공정, 처리 공정, 반출 공정)에 있어서도 계속해서 행한다.
다음에, 기판 액처리 장치(1)는, 에칭 처리하는 기판(8)을 반입한다(반입 공정).
이 반입 공정에 있어서, 제어부(7)는, 기판 승강 기구(36)를 처리조(34)의 내부로부터 상승시킨다. 그 후, 동시에 처리하는 1로트분의 기판(8)을 로트 반송 기구(19)로부터 기판 승강 기구(36)로 반송시킨다. 그 후, 기판(8)을 유지한 기판 승강 기구(36)를 처리조(34)의 내부로 강하시킨다. 이에 따라, 처리조(34)에 저류된 처리액에 기판(8)이 침지된다. 또한, 처리액 저류부(38)에 저류된 처리액의 수위는, 기판 승강 기구(36)의 상승에 따라 일단 강하한 후에, 기판(8)을 유지한 기판 승강 기구(36)의 강하에 따라 상승한다.
기판(8)이 처리액에 침지됨으로써 기판(8)의 에칭 처리가 시작된다(처리 공정). 기판(8)이 처리액으로 에칭 처리되면, 처리액에 함유되는 실리콘의 농도가 증가한다. 처리액의 능력(에칭률)이 처리액 중의 실리콘 농도에 의존하기 때문에 처리액 중의 실리콘 농도를 일정 농도 범위 내로 유지할 필요가 있다. 그래서, 기판 액처리 장치(1)에서는, 이하에 설명하는 바와 같이, 기판(8)의 처리 중에 처리액의 일부를 배출하고, 새로운 처리액을 공급함으로써 처리액의 갱신을 행하고 있다.
에칭 처리 개시시에, 제어부(7)는, 처리액 저류부(38)에 저류된 처리액의 액면 높이(수위)를 수위 센서(44)로 검출하고 기억한다(수위 기억). 그 후, 제어부(7)는, 수용액 공급부(39)에 의해 미리 정해진 농도(85 중량%) 및 미리 정해진 온도(25℃)의 인산 수용액을 새롭게 처리액 저류부(38)에 공급시키고, 처리액 배출부(42)에 의해 처리액 저류부(38)로부터 미리 정해진 양의 처리액을 배출시킨다(처리액 갱신). 또한, 처리액의 갱신은, 에칭 처리의 개시로부터 미리 정해진 시간 경과했을 때에 시작하여도 좋고, 처리액 중의 실리콘 농도가 미리 정해진 값 이상이 되었을 때에 시작하여도 좋다.
여기서, 기판 액처리 장치(1)에서는, 수용액 공급부(39)로부터 500 ml/min의 처리액을 새롭게 공급한다. 새롭게 공급되는 수용액은, 85 중량%의 인산 수용액으로 되어 있다. 그 때문에, 수용액의 농도와는 상이한 농도의 처리액을 동량 배출한 경우, 처리액 저류부(38)에 저류되는 처리액의 농도가 변화되어 버린다. 상기 기판 액처리 장치(1)에서는, 배출되는 처리액의 농도(88.3 중량%)보다도 공급되는 수용액의 농도(85 중량%) 쪽이 낮기 때문에, 배출량과 공급량을 동일하게 하면, 처리액의 농도가 저하된다.
그래서, 제어부(7)는, 수용액 공급부(39)에 의해 처리액 저류부(38)에 미리 정해진 양의 인산 수용액을 공급시키고, 처리액 저류부(38)로 공급되는 인산 수용액에 함유되는 약제(인산)의 양과 동일 양의 약제를 함유하는 처리액을 처리액 배출부(42)에 의해 처리액 저류부(38)로부터 배출시킨다. 예컨대, 수용액 공급부(39)로부터 처리액 저류부(38)에 500 ml/min의 85 중량% 인산 수용액을 새롭게 공급하는 경우, 공급되는 인산 수용액 500 ml/min 중에 384.6 ml/min의 인산이 함유되어 있다. 이것과 동일 양의 인산을 함유하는 88.3 중량%의 처리액으로서 436.6 ml/min의 처리액을 처리액 저류부(38)로부터 배출한다. 이에 따라, 처리액 저류부(38)에 저류되어 있는 처리액에 함유되는 약제의 양을 항상 일정하게 유지할 수 있다.
또한, 기판 액처리 장치(1)에서는, 처리액 저류부(38)로 공급되는 수용액의 온도(25℃)가 처리액 저류부(38)에 저류되는 처리액의 온도(165℃)보다도 낮고, 처리액 순환부(41)에 의해 처리액을 물의 비점 이상의 온도로 가열하고 있다. 그 때문에, 상기 기판 액처리 장치(1)에서는, 처리액 저류부(38)로부터 일정량의 수분이 증발한다. 가열에 의한 물증발량이 100 ml/min인 경우, 처리액의 갱신시에 동량의 순수를 물공급부(40)로부터 처리액 저류부(38)로 공급하면, 배출되는 처리액의 농도(88.3 중량%)보다도 공급되는 수용액의 농도(85 중량%) 쪽이 낮기 때문에, 처리액의 농도가 저하된다.
그래서, 제어부(7)는, 가열에 의해 처리액 저류부(38)로부터 증발되는 물의 양과 처리액 저류부(38)로부터 배출시키는 처리액에 함유되는 물의 양을 가산한 물의 양에서 처리액 저류부(38)로 공급되는 인산 수용액에 함유되는 물의 양을 감산한 물의 양과 동일 양의 순수를 물공급부(40)로부터 처리액 저류부(38)로 공급시킨다. 예컨대, 전술한 바와 같이, 수용액 공급부(39)로부터 처리액 저류부(38)에 500 ml/min의 85 중량% 인산 수용액을 새롭게 공급하고, 공급되는 인산 수용액과 동일 양의 인산을 함유하는 436.6 ml/min의 88.3 중량%의 처리액을 처리액 저류부(38)로부터 배출하는 경우, 가열에 의해 처리액 저류부(38)로부터 증발되는 물의 양을 100 ml/min으로 하면, 처리액 저류부(38)로부터 배출시키는 88.3 중량%의 처리액에 함유되는 물의 양이 52 ml/min이 되고, 처리액 저류부(38)로 공급되는 인산 수용액에 함유되는 물의 양이 115.4 ml/min이 된다. 그 때문에, 가열에 의해, 처리액 저류부(38)로부터 증발되는 물의 양 100 ml/min과 처리액 저류부(38)로부터 배출시키는 처리액에 함유되는 물의 양 52 ml/min을 가산한 물의 양이 152 ml/min이 된다. 그 양(152 ml/min)에서 처리액 저류부(38)로 공급되는 인산 수용액에 함유되는 물의 양 115.4 ml/min을 감산한 물의 양이 36.6 ml/min이 된다. 이 36.6 ml/min과 동일 양의 순수를 물공급부(40)로부터 처리액 저류부(38)에 공급한다. 이에 따라, 처리액 저류부(38)에 저류되어 있는 처리액에 함유되는 순수의 양을 항상 일정하게 유지할 수 있다.
이와 같이, 기판 액처리 장치(1)에서는, 처리액 저류부(38)에 저류되어 있는 처리액에 함유되는 약제(인산)의 양과 순수의 양을 항상 일정하게 유지할 수 있고, 처리액의 농도 및 양을 일정하게 유지할 수 있다. 이에 따라, 기판(8)의 에칭 처리를 양호하게 행할 수 있다.
그리고, 상기 기판 액처리 장치(1)에서는, 처리액 저류부(38)에 저류되어 있는 처리액의 양을 일정하게 유지하고 있기 때문에, 처리액 배출부(42)로부터 배출되는 처리액의 양을 유량 조정기 등을 이용하여 정확하게 제어하지 않아도, 에칭 처리 개시시에 기억한 처리액의 액면 높이(수위)를 유지하도록 처리액 배출부(42)를 제어하면 좋다. 이에 따라, 기판 액처리 장치(1)의 비용 절감을 도모할 수 있다.
상기 에칭 처리를 미리 정해진 시간 행한 후에, 기판 액처리 장치(1)는, 에칭 처리한 기판(8)을 반출한다(반출 공정).
이 반출 공정에 있어서, 제어부(7)는, 기판(8)을 유지한 기판 승강 기구(36)를 처리조(34)의 내부로부터 상승시킨다. 이에 따라, 기판(8)의 에칭 처리가 종료된다. 그 후, 동시에 처리한 1로트분의 기판(8)을 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)로 반송시킨다. 그 후, 기판 승강 기구(36)를 처리조(34)의 내부로 강하시킨다.
이상으로 설명한 바와 같이, 상기 기판 액처리 장치(1)에서는, 처리액 저류부(38)에 미리 정해진 양의 처리액과는 상이한 농도의 수용액을 공급하고, 처리액 저류부(38)로 공급되는 수용액에 함유되는 약제의 양과 동일 양의 약제를 함유하는 처리액을 처리액 저류부(38)로부터 배출함으로써 처리액의 갱신을 행하고 있기 때문에, 처리액의 농도를 변화시키지 않고 처리액을 신속하게 갱신할 수 있어, 기판 액처리 장치(1)의 스루풋을 저감시키지 않고, 기판(8)의 액처리를 양호하게 행할 수 있다.
또한, 상기 기판 액처리 장치(1)에서는, 처리액 저류부(38)에서 기판(8)을 액처리하는 경우에 본 발명을 적용한 예를 설명하였지만, 예컨대 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명은, 처리액 저류부(38)로서의 저류 탱크로부터 별개의 기판 처리부(57)에 처리액을 공급하고, 기판 처리부(57)에서 기판(8)을 액처리하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은, 처리액으로서 인산 수용액을 이용한 경우에 한정되지 않고, 다른 1종류의 수용액 또는 복수 종류의 수용액의 혼합액 등을 이용하는 경우에도 적용할 수 있으며, 또한, 에칭 처리에 한정되지 않고 세정 처리 등에도 적용할 수 있다.
7 : 제어부
8 : 기판
26 : 에칭 처리 장치
38 : 처리액 저류부
39 : 수용액 공급부
40 : 물공급부
41 : 처리액 순환부
42 : 처리액 배출부

Claims (11)

  1. 미리 정해진 농도의 약제의 수용액을 처리액으로서 이용하여 기판을 액처리하는 기판 액처리 장치에 있어서,
    상기 처리액을 저류하는 처리액 저류부와,
    상기 처리액 저류부에 상기 처리액과는 상이한 농도의 상기 약제의 수용액을 공급하는 수용액 공급부와,
    상기 처리액 저류부로부터 상기 처리액을 배출하는 처리액 배출부와,
    상기 수용액 공급부와 처리액 배출부를 제어하는 제어부
    를 가지며,
    상기 제어부는, 상기 수용액 공급부에 의해 상기 처리액 저류부에 미리 정해진 양의 상기 수용액을 단위 시간당으로 공급하고, 상기 처리액 저류부로 공급되는 상기 수용액에 함유되는 상기 약제의 양과 동일 양의 약제를 함유하는 상기 처리액을 상기 처리액 배출부에 의해 상기 처리액 저류부로부터 단위 시간당으로 배출하여, 상기 처리액 저류부에 저류되어 있는 상기 처리액에 함유되는 약제의 양을 일정하게 유지하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수용액으로서 상기 처리액보다도 농도 및 온도가 낮은 것을 이용하고, 상기 처리액 저류부로의 상기 수용액의 공급 후에 가열하는 가열 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 처리액 저류부에 물을 공급하는 물공급부를 설치하고,
    상기 제어부는, 가열에 의해 상기 처리액 저류부로부터 증발되는 물의 양과 상기 처리액 저류부로부터 배출시키는 상기 처리액에 함유되는 물의 양을 가산한 물의 양에서 상기 처리액 저류부로 공급되는 상기 수용액에 함유되는 물의 양을 감산한 물의 양과 동일 양의 물을 상기 물공급부로부터 상기 처리액 저류부에 공급하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 처리액 저류부에서 저류하는 상기 처리액에 상기 기판을 침지시켜 상기 기판을 상기 처리액으로 처리하고, 상기 기판의 처리 중에 상기 수용액 공급부에 의한 상기 수용액의 공급과 상기 처리액 배출부에 의한 상기 처리액의 배출을 동시에 행하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 처리액 저류부에 상기 기판을 침지시킨 후의 상기 처리액 저류부의 수위를 기억하고, 그 수위를 유지하도록 상기 처리액 배출부에 의한 상기 처리액 저류부로부터의 상기 처리액의 배출량을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  6. 미리 정해진 농도의 약제의 수용액을 처리액으로서 이용하여 기판을 액처리하는 기판 액처리 방법에 있어서,
    상기 처리액을 처리액 저류부에 저류해 두고, 상기 처리액과는 상이한 농도의 상기 약제의 수용액을 상기 처리액 저류부에 공급하고, 상기 처리액 저류부로부터 상기 처리액을 배출하여, 상기 처리액 저류부에 저류되는 상기 처리액을 갱신하며,
    그 때에, 상기 처리액 저류부에 미리 정해진 양의 상기 수용액을 단위 시간당으로 공급하고, 상기 처리액 저류부로 공급되는 상기 수용액에 함유되는 상기 약제의 양과 동일 양의 약제를 함유하는 상기 처리액을 상기 처리액 저류부로부터 단위 시간당으로 배출하여, 상기 처리액 저류부에 저류되어 있는 상기 처리액에 함유되는 약제의 양을 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 수용액으로서 상기 처리액보다도 농도 및 온도가 낮은 것을 이용하고, 상기 처리액 저류부에 상기 수용액을 공급한 후에 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 가열에 의해 상기 처리액 저류부로부터 증발되는 물의 양과 상기 처리액 저류부로부터 배출시키는 상기 처리액에 함유되는 물의 양을 가산한 물의 양에서 상기 처리액 저류부로 공급되는 상기 수용액에 함유되는 물의 양을 감산한 물의 양과 동일 양의 물을 상기 처리액 저류부에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리액 저류부에서 저류하는 상기 처리액에 상기 기판을 침지시켜 상기 기판을 상기 처리액으로 처리하고, 상기 기판의 처리 중에 상기 수용액의 공급과 상기 처리액의 배출을 동시에 행하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 처리액 저류부에 상기 기판을 침지시킨 후의 상기 처리액 저류부의 수위를 기억하고, 그 수위를 유지하도록 상기 처리액 저류부로부터 상기 처리액을 배출하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  11. 기판을 액처리하기 위한 처리액으로서 미리 정해진 농도의 약제의 수용액을 저류하는 처리액 저류부와, 상기 처리액 저류부에 상기 처리액과는 상이한 농도의 상기 약제의 수용액을 공급하는 수용액 공급부와, 상기 처리액 저류부로부터 상기 처리액을 배출하는 처리액 배출부를 갖는 기판 액처리 장치를 제어하기 위한 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서,
    상기 수용액 공급부에 의해 상기 처리액 저류부에 미리 정해진 양의 상기 수용액을 단위 시간당으로 공급시키고, 상기 처리액 저류부로 공급되는 상기 수용액에 함유되는 상기 약제의 양과 동일 양의 약제를 함유하는 상기 처리액을 상기 처리액 배출부에 의해 상기 처리액 저류부로부터 단위 시간당으로 배출시켜, 상기 처리액 저류부에 저류되어 있는 상기 처리액에 함유되는 약제의 양을 일정하게 유지시키는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
KR1020150013609A 2014-01-31 2015-01-28 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 KR102280703B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014017524A JP6118739B2 (ja) 2014-01-31 2014-01-31 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JPJP-P-2014-017524 2014-01-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150091245A KR20150091245A (ko) 2015-08-10
KR102280703B1 true KR102280703B1 (ko) 2021-07-21

Family

ID=53731544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150013609A KR102280703B1 (ko) 2014-01-31 2015-01-28 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10985035B2 (ko)
JP (1) JP6118739B2 (ko)
KR (1) KR102280703B1 (ko)
CN (2) CN110010528B (ko)
TW (1) TWI625811B (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201713751A (zh) * 2015-10-06 2017-04-16 聯華電子股份有限公司 酸槽補酸系統與方法
CN107644822B (zh) * 2016-07-21 2020-12-15 弘塑科技股份有限公司 半导体干燥设备和半导体干燥用处理液体循环与过滤方法
JP6707412B2 (ja) * 2016-07-22 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6779701B2 (ja) * 2016-08-05 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体
JP6940232B2 (ja) * 2016-09-23 2021-09-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
CN107919299B (zh) * 2016-10-11 2021-01-26 盟立自动化股份有限公司 液位控制系统及方法
US11062922B2 (en) * 2017-02-28 2021-07-13 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus
US11869780B2 (en) * 2017-09-11 2024-01-09 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus
KR102264002B1 (ko) * 2017-10-20 2021-06-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP6976166B2 (ja) * 2017-12-28 2021-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7198595B2 (ja) 2018-05-31 2023-01-04 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置及び記憶媒体
JP7224117B2 (ja) * 2018-06-15 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液再利用方法
JP7072453B2 (ja) 2018-06-29 2022-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP7101083B2 (ja) * 2018-08-23 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
TWI685879B (zh) * 2019-06-11 2020-02-21 力晶積成電子製造股份有限公司 工作溶液的更新方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001023952A (ja) 1999-03-30 2001-01-26 Tokyo Electron Ltd エッチング方法及びエッチング装置
US6699400B1 (en) 1999-06-04 2004-03-02 Arne W. Ballantine Etch process and apparatus therefor
JP2011119610A (ja) 2009-12-07 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法
JP2013232593A (ja) * 2012-05-01 2013-11-14 Tokyo Electron Ltd エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04115530A (ja) * 1990-09-05 1992-04-16 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH04188728A (ja) * 1990-11-22 1992-07-07 Hitachi Ltd 湿式エッチング装置
US5308400A (en) * 1992-09-02 1994-05-03 United Microelectronics Corporation Room temperature wafer cleaning process
JP3074366B2 (ja) * 1993-02-22 2000-08-07 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH0786231A (ja) * 1993-09-09 1995-03-31 Toray Ind Inc 薄膜のエッチング方法
JP3430611B2 (ja) * 1994-02-16 2003-07-28 富士通株式会社 エッチング装置と濃燐酸溶液の処理方法
JP2005079212A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Trecenti Technologies Inc 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法
KR20070004609A (ko) * 2003-12-30 2007-01-09 아크리온 엘엘씨 기판을 처리하는 동안 실리콘 질화물을 선택적으로에칭하는 시스템 및 방법
US20060157197A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Tadashi Maegawa Substrate processing apparatus
JP4891589B2 (ja) * 2005-10-11 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び処理液供給方法並びに処理液供給プログラム
US8211810B2 (en) * 2007-09-21 2012-07-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing etching process with phosphoric acid solution
JP5009207B2 (ja) * 2007-09-21 2012-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5035913B2 (ja) 2008-09-22 2012-09-26 アプリシアテクノロジー株式会社 エッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置
JP5231920B2 (ja) * 2008-09-29 2013-07-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及びその処理液交換方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001023952A (ja) 1999-03-30 2001-01-26 Tokyo Electron Ltd エッチング方法及びエッチング装置
US6699400B1 (en) 1999-06-04 2004-03-02 Arne W. Ballantine Etch process and apparatus therefor
JP2011119610A (ja) 2009-12-07 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法
JP2013232593A (ja) * 2012-05-01 2013-11-14 Tokyo Electron Ltd エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
CN110010528A (zh) 2019-07-12
KR20150091245A (ko) 2015-08-10
TWI625811B (zh) 2018-06-01
CN104821285B (zh) 2019-05-07
US10985035B2 (en) 2021-04-20
CN110010528B (zh) 2023-06-27
CN104821285A (zh) 2015-08-05
JP6118739B2 (ja) 2017-04-19
TW201543595A (zh) 2015-11-16
JP2015144221A (ja) 2015-08-06
US20150221530A1 (en) 2015-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102280703B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
KR102221743B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102549290B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102381166B1 (ko) 기판액 처리 장치, 기판액 처리 방법 및 기억 매체
KR102513202B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP6118689B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR102376870B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체
CN107895702B (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
CN108885988B (zh) 基片液处理装置、基片液处理方法和存储有基片液处理程序的计算机可读存储介质
JP6732546B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6441198B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6516908B2 (ja) リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6548787B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6552687B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN110010459B (zh) 基片处理方法和基片处理装置
JP2019012856A (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant